【課題】 すべての埋め込み電極をウエーハの裏面に表出させることが可能な研削方法を提供することである。
【解決手段】 ウエーハの研削方法であって、ウエーハの裏面を研削した際に、全ての埋め込み電極がウエーハの裏面に表出したときのモータの負荷電流値を所定負荷電流値として予め記憶しておく所定負荷電流値記憶ステップと、ウエーハの表面に保護部材を配設する表面保護ステップと、チャックテーブルでウエーハの保護部材が配設された側を吸引保持する保持ステップと、研削手段を研削送りしてチャックテーブルで保持されたウエーハの裏面を研削するとともに、研削中のモータの負荷電流値を計測する裏面研削・負荷電流値計測ステップと、研削中のモータの負荷電流値が該所定負荷電流値に達したか否かを判定する負荷電流値判定ステップと、モータの負荷電流値が該所定負荷電流値に達した際に研削送りを停止する研削送り停止ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】各研磨処理における諸条件が異なっても、各研磨時間を制御し、各被処理基板の研磨量を略一定とする。
【解決手段】研磨加工の時間経過に応じて変化する状態変数を取得する状態変数取得手段１２と、研磨加工が開始されてから所定の経過時間までの前記状態変数の平均値と研磨レートとの相関式を記憶する記憶手段２２と、被処理基板に対する研磨加工動作を制御する制御手段２０とを備え、前記制御手段は、研磨加工が開始されてから所定の経過時間における前記状態変数の平均値と前記相関式とを用いて研磨レートを算出し、算出された研磨レートに基づき加工終了までの時間を決定する。 （もっと読む）

【課題】カセットとの突き当りによる破損を防止することにより、環状フレームに貼着テープを介して支持されたワークを安全にカセット内に収納させることができるワーク収納機構および研削装置を提供すること。
【解決手段】貼着テープ８３を介して環状フレーム８２の開口部に半導体ウェーハＷを支持したワークユニット８１を支持するワークユニット支持部７３と、ワークユニット支持部７３を移動させて、ワークユニット８１を搬出用カセット６内に収納させる移動機構７１、７２とを備え、ワークユニット支持部７３は、ワークユニット８１に水平方向の遊びを持たせた状態で、ワークユニット８１の下面を支持する構成とした。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨における処理条件の安定化に寄与する化学機械研磨装置の運転方法を提供する。
【解決手段】化学機械研磨装置の運転方法は、回転するパッドに回転するウエハが接触してウエハが研磨され、研磨中にパッドの回転に伴いパッド周方向に関するウエハの位置が相対的に移動し、ウエハを保持して回転させるヘッドを有する化学機械研磨装置の運転方法であって、ヘッドの回転トルクに対応する物理量を、パッド上の周方向の複数の位置で測定する工程と、パッド上の複数の位置で測定されたヘッドの回転トルクに対応する物理量に基づき、パッド上の異常箇所を特定する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置が微小化しても、ＣＭＰの研磨終了点を正しく検出できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の表面のシャロートレンチアイソレーション溝を埋めると共に上記表面の上に形成された絶縁膜を、上記絶縁膜に照射した光の干渉光の時間変化を監視しながら、研磨する研磨工程を有し、上記基板のスクライブ領域に対応するスクライブ面積に応じて予め設定した最短研磨時間の経過後に、上記干渉光の時間変化が所定の条件を満たす時点で、上記研磨工程を終了する。例えば最短研磨時間５０を経過後に、干渉光強度の時間変化が減少から増加に転じた時点５４を研磨終了点として検出する。これによってたとえノイズによる極小点４８が出現しても誤検出することがない。 （もっと読む）

【課題】研磨効率を向上し、且つ研磨過程で基板が破損されることを防止することのできる基板研磨装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板研磨装置は研磨ユニットとパッド支持部材とを具備する。研磨ユニットは基板支持ユニットに安着された基板を研磨する研磨パッドと、研磨パッドを移動させるパッド駆動部材とを具備する。パッド支持部材は基板支持ユニットに安着された基板のエッジ研磨の時、基板と接触されない研磨パッドの研磨面の一部分を支持するように基板支持ユニットの一側に設置される。これによって、基板研磨装置は基板のエッジを研磨する過程で研磨パッドが基板の外側に傾くことが防止される。 （もっと読む）

【課題】研磨後膜厚のばらつきを小さく抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、研磨装置状態の変化による研磨レートの変化を研磨処理時の設備パラメータからモデル式を用いて予測し、被研磨膜の研磨時間を算出する。この際には、被研磨膜の研磨前膜厚を各ウェーハ毎に把握し、この膜厚差による研磨レートの変化分を補正して研磨時間を算出する。 （もっと読む）

【課題】 表面に凹凸を有するウエーハを吸引保持するのに適した研削装置のチャックテーブルを提供することである。
【解決手段】 複数のデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有し、該デバイス領域の表面に複数の凸部材が設けられたウエーハの表面に保護テープが貼着されたウエーハの裏面を研削する研削装置のチャックテーブルであって、載置されたウエーハを吸引保持する円盤状のポーラス吸着部と、該ポーラス吸着部の外周を囲繞する枠体とを具備し、該ポーラス吸着部は、研削するウエーハの直径未満でウエーハの該デバイス領域の直径と同等以上の直径の円形凹部を有し、該円形凹部の深さは、該デバイス領域と該外周余剰領域における該保護テープを含めたウエーハの厚さの差と同等であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨における終点検出の精度を高めた研磨終点検出方法を提供する。
【解決手段】化学機械研磨における研磨終点検出方法において、前記化学機械研磨がされている基板に光を照射する光照射工程と、前記基板において反射された反射光を受光する受光工程と、前記受光した反射光に基づき光の強度を調節する調節工程と、前記受光した反射光に基づき波長ごとに分光する分光工程と、前記基板に光を照射した場合の基準となる分光特性に対し、前記分光された光の分光特性の比又は差の値を算出する計算工程と、前記算出された値が所定の範囲内にある場合には、前記調節工程において調節された光の分光特性をリファレンスとして用いて終点検出を行うことにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】硬質脆性基板の裏面を研削し薄くしても割れが生じない研削方法および保護テープを提供する。
【解決手段】ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する研削方法であって、ウエーハの表面に保護テープの一方の面を貼着する工程と、保護テープの他方の面を研削装置のチャックテーブルの保持面に吸引保持する工程と、チャックテーブルの保持面に吸引保持されたウエーハの裏面に研削砥石の研削面を作用せしめてウエーハの裏面を研削する工程とを含み、チャックテーブル６１の保持面を備えた保持部６１２は複数の気孔を有するポーラスセラミックスによって形成されており、保護テープ１１は他方の面がチャックテーブルの保持部６１２を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入する複数の凹凸を有する粗面に形成され、ウエーハ保持工程において複数の凹凸がチャックテーブルの保持部を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入せしめられる。 （もっと読む）

【課題】基板の研磨を監視するための技術を実施する方法及び装置。
【解決手段】２つ以上のデータ点が取得され、各データ点は、センサの感知領域内の特徴部により影響される値を有すると共に、感知領域が基板を横断していくときに基板(10)とセンサとの相対的位置に対応する。基準点のセットを使用して、取得したデータ点を変更する。この変更は、基板を横断する感知領域により生じる取得したデータ点の歪を補償する。変更されたデータ点に基づき、基板の局部的特性を評価して、研磨を監視する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハに形成された切削溝を裏面側からダイシングテープを介して検出することができる切削溝検出装置および切削溝検出装置を装備した切削加工機を提供する。
【解決手段】環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着されたウエーハに切削ブレードによって形成された切削溝を、ダイシングテープを介して検出する切削溝検出装置であって、撮像カメラと、撮像カメラの光軸上に配設された対物レンズを保持する対物レンズ保持筒と、対物レンズ保持筒の上端部に装着され被写体との間に水の層を形成する水層形成手段とを備えた撮像手段と、撮像手段の撮像カメラによって撮像された画像を表示する表示手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】研磨中に半導体ウエハ等の基板上に金属膜（または導電性膜）の残膜があるか否かの検査を実施することにより検査時間を短縮することができ、残膜を検出した場合には、そのまま追加研磨を実施することにより処理時間を短縮することができる研磨方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】回転する研磨テーブル１００上の研磨面に研磨対象の基板Ｗを押圧して基板Ｗ上の膜を研磨する研磨方法において、基板Ｗの研磨中に、研磨テーブル１００の回転に伴い、研磨テーブル１００に設置された終点検出センサ５０により基板Ｗの被研磨面を走査し、基板Ｗの被研磨面の走査により得られた終点検出センサ５０の出力を監視し、終点検出センサ５０の出力の変化から研磨終点を検出し、研磨終点を検出した後に、終点検出センサ５０または異なるセンサの出力を監視し、基板上の一部に残った膜を検出する残膜監視を行う。 （もっと読む）

【課題】切削加工の途中であっても、切削水の影響を受けることなく、切削ブレードのセットアップ作業を短時間で正確に行うことができる切削装置を提供すること。
【解決手段】貼着テープ８３を介して環状フレーム８２の開口部に半導体ウェーハＷを支持したワークユニット８１を保持するチャックテーブル４と、半導体ウェーハＷを切削する導電性の切削ブレード４１および半導体ウェーハＷに切削水を噴射する噴射ノズル４３を有し、チャックテーブル４に対し相対移動されることで半導体ウェーハＷを切削するブレードユニット２２と、チャックテーブル４と離間して配置され、切削ブレード４１の切り込み方向における基準位置を規定する基準面５７ａが形成された導電性の基準ブロック部５７と、基準面５７ａと切削ブレード４１の刃先との接触時の導通によって、基準位置を検出するセットアップ回路とを備えた。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、シリコン基板の研磨屑が半導体装置の電極近傍に硬化し電気的にリークするという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、シリコン基板２の表面側に配線層４やＣｕ配線層１３が配置され、樹脂膜１０、１５により被覆される。半導体装置１の側面１８、１９は、半導体装置１の表面２０と垂直面となり、その側面からは、樹脂膜１０、１５や位置精度確認マーク１４が露出する。この構造により、シリコン基板２の研磨屑２２は、若干、半導体装置１の側面１８、１９に付着するが、その表面２０に付着することはなく、研磨屑２２を介して電気的にリークすることはない。 （もっと読む）

【課題】研磨レートの変化（低下）を利用して正確な研磨終点を検知することができる研磨終点検知方法および研磨終点検知装置を提供する。
【解決手段】本発明の研磨終点検知方法は、膜を有する基板の研磨中に、基板の表面に光を照射し、かつ基板から戻る反射光を受光し、反射光の反射強度を波長ごとに測定し、反射強度に基づき、膜に関する反射強度と波長との関係を示す分光プロファイルを生成し、分光プロファイルから、反射強度の極値を示す少なくとも１つの極値点を抽出し、研磨中に、分光プロファイルの生成と極値点の抽出を繰り返して複数の分光プロファイルおよび複数の極値点を取得し、複数の分光プロファイル間での極値点の相対変化量に基づいて研磨終点を検知する。 （もっと読む）

【課題】膜の厚さのばらつきに起因する影響を排除して、正確な研磨の進捗を監視することができる研磨監視方法を提供する。
【解決手段】本研磨監視方法は、基板の研磨中に、積層構造を有する基板の表面に光を照射し、基板から戻る反射光を受光し、反射光を波長に従って分解して分光波形を生成し、所定の光学干渉成分を選択的に除去するための数値フィルタを分光波形に適用して監視用分光波形を生成し、監視用分光波形の変化を研磨中に監視する。 （もっと読む）

【課題】研磨テープの圧力を被研磨面に好適に分散できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨装置１は、スリット３３が形成された研磨テープ３の、スリット３３を含む所定の範囲ＡＲ（２つの案内ローラ１３間の範囲）に、ウェハＷの主面Ｗａに交差する方向において張力を付与する。そして、研磨装置１は、範囲ＡＲに張力を付与した状態で、研磨テープ３とウェハＷの端面Ｗｂとを摺動させて端面Ｗｂを研磨する。 （もっと読む）

【課題】フォトコロージョンの原因を特定するために好適に用いることができる研磨方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】本研磨方法は、研磨パッド２２上に研磨液を供給し、研磨液の存在下で、基板Ｗと研磨パッド２２とを摺接させて該基板Ｗを研磨し、基板Ｗの研磨中に、基板Ｗの表面に光を照射し、基板Ｗからの反射光を受光し、反射光を波長に従って分解して、所定の波長範囲に亘って反射光の強度を測定し、少なくとも１つの所定の波長における反射光の強度に基づいて、基板Ｗの研磨の進捗を監視し、基板Ｗへの光の照射時間と、所定の波長範囲内の各波長での反射光の強度と、所定の波長範囲とを含む研磨条件を、基板Ｗが研磨された日時に関連付けて記憶装置５０に記憶させる。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法により育成したままのシリコン単結晶の外周を高い加工精度で円筒研削することができる円筒研削機を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶１を、両端から主軸側チャック２ｂおよび心押側チャック２ｃにより挟み込んで支持し、シリコン単結晶１を主軸側チェック２ａの駆動に伴い軸周りに回転させて、研削水を供給しながら外周を研削する円筒研削機であって、主軸側チャック２ｂおよび心押側チャック２ｃは、シリコン単結晶１の各端部を受け入れる円錐状の凹部を有し、この凹部の表面に皮革が貼り付けられており、皮革は摩擦係数が乾燥時よりも吸水時に大きくて、０．４以上であることを特徴とする円筒研削機である。 （もっと読む）