【課題】 半導体ウェハにおけるチップの機械的強度を高めて基板実装後の割れを防止するとともに、装置を複雑化・大型化することなく研削工程の生産性を向上させることができる半導体ウェハの研削装置及びその研削方法を提供する。
【解決手段】 ウェハＷの裏面を研削するために、研削砥石２ａ〜２ｃが表面に形成された円筒状の研削ブレード３ａ〜３ｃと、研削ブレード３ａ〜３ｃの中心に延在するように設けられた回転軸４ａ〜４ｃを備えている。回転軸４ａ〜４ｃの両端には、ベアリング５ａ〜５ｃと、３方にアームが延びた研削ブレード保持部６が設けられ、さらに、その一端には研削ブレード３ａ〜３ｃを回転駆動させるためのモータ等の回転機構部７ａ〜７ｃが設けられている。メッシュサイズの異なる研削ブレードを順番に回転させながら粗研削から仕上研削まで行うことで、ウエハのオリフラまたはノッチに対して研削痕を直角に揃える。 （もっと読む）

【課題】 フットプリント面積に対する半導体基板のスル−プットが縮減できる半導体基板の平面研削・研磨装置の提供。
【解決手段】 ロ−ド／アンロ−ドステ−ジ１７、粗研削ステ−ジ１８、仕上研削ステ−ジ２０および研磨ステ−ジ２２を構成する一対の真空チャックＨ_ａ，Ｈ_ｂ８組み３２，３２，３６，３６，３８，３８，４０，４０を同心円３４ｂ上に備えるインデックス回転テ−ブル３４に半導体基板を載せ、１台の研削砥石で同時に２枚の半導体基板を研削加工するに真空チャックＨ_ａ，Ｈ_ｂのスピンドル軸３６ｃを傾斜させて研削加工を行い、研磨加工時は、研磨パッド５６の平面と半導体基板の裏面が平行となるように真空チャックのスピンドルを傾斜させないで研磨を行う。砥石の切刃が半導体基板面に摺擦する面積が小さいので、基板の焼けが防止される。 （もっと読む）

【課題】 被加工物を保持する保持部材と基台との接合面の面精度を高精度に確保することができるチャックテーブルを提供する。
【解決手段】 吸引手段と連通する吸引通路を備えた基台と、基台の上面に着脱可能に装着され被加工物を吸引保持する保持部材とからなり、保持部材が被加工物を吸引保持する保持面に細孔が開口された吸引部と、保持面を囲繞する支持部とを有し、支持部に該細孔と吸引通路とを連通する連通路か形成されているチャックテーブルであって、基台と保持部材は互いに外周部だけで接合され、吸引通路と連通路がそれぞれ外周部で互いに対向する位置に開口している。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエーハを含む硬脆材料の被加工物の平面研削装置において、砥石の目詰まり、砥粒の大きな単位での脱落を含む異常な加工状態が発生した場合、被加工物へのダメージを救済することができる平面研削装置を提供。
【解決手段】研削砥石２は砥石フランジ３に砥石を電歪素子又は磁歪素子10を介して砥石軸４に連結され、研削加工中に砥石軸負荷電流値ｉが予め定めた基準値ｅ以上に達したとき、砥石軸４に連結した電歪素子又は磁歪素子10を瞬時に起動させ、10〜20μｍだけ砥石軸４の反切込方向−ｄに砥石軸４を上昇させて砥石２を退避させるようにした。 （もっと読む）

【課題】 研磨された被加工物を取り出す際のダメージを軽減する。
【解決手段】 上研磨定盤４０２と下研磨定盤４０４と間に板状圧電体を挟み、上研磨定盤４０２と下研磨定盤４０４とを互いに反対方向に回転させて、板状圧電体を研磨し圧電プレート２０８とする。研磨が終了すると上下に上研磨定盤４０２と下研磨定盤４０４とを離す。上研磨定盤４０２の吸着力は、下研磨定盤４０４の吸着力と圧電プレート２０８の自重と合力より大きい。よって、圧電プレート２０８は下研磨定盤４０４から剥離し、上研磨定盤４０２に吸着されたまま持ち上がる。上下に上研磨定盤４０２と下研磨定盤４０４とを離したのち、ノズル４１２から剥離液を吐出させ、上研磨定盤４０２の研磨面４０２Ａとの間に剥離液を供給し、研磨面４０２Ａと圧電プレート２０８との間の吸着力を弱め、圧電プレート２０８を自重で剥離させる。剥離した圧電プレート２０８は、下研磨定盤４０４に落下して破損しないように回収する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の厚みが厚い絶縁層を焼け、破損することなく平面研削する方法。
【解決手段】 チャックテ−ブルに保持された半導体基板裏面の絶縁層を先ず、粗研削砥石で研削し、ついで、仕上研削砥石で研削して研削面を仕上げる方法において、前記粗研削砥石として、砥番が３２０番〜３６０番、結合度がＪまたはＬの軟、集中度が６０〜８０、気孔率０％、レジンボンドのダイヤモンドカップホイ−ル型砥石を用い、前記仕上研削砥石として砥番が２０００番〜２５００番、集中度が１２０〜１６０、気孔率８〜１２％、レジンボンドのダイヤモンドカップホイ−ル型砥石を用いる。 （もっと読む）

【課題】 被加工物の表面に保護テープを貼着して裏面を研削しても、保護テープの厚さのバラツキに影響されることなく、被加工物を所定の仕上がり厚さに研削することができる研削装置を提供する。
【解決手段】 被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、チャックテーブルの保持面に保持された被加工物を研削する研削手段と、研削手段をチャックテーブルの保持面と垂直な方向に研削送りする研削送り手段と、チャックテーブルに保持された被加工物の上面の高さ位置を検出するハイトゲージを具備する研削装置であって、被加工物の厚さを検出する厚さ測定器と、厚さ測定器とハイトゲージからの検出データに基づいて研削手段および研削送り手段を制御する制御手段具備している。制御手段は、厚さ検出器によって検出された加工前の被加工物の厚さと被加工物の仕上がり厚さデータから目標研削量を算出し、ハイトゲージからの検出データに基づいて加工前の被加工物の高さ位置から目標研削量に相当する高さ位置に達するまで研削する。 （もっと読む）

【課題】 軟らかいゴム／エラストマー材料や比較的脆いゴム／エラストマー材料等を構成とした平ベルトにおいても、継手先端のゴムの欠落を無くすことができる平ベルト継手の加工方法を提供する。
【解決手段】 回転する研磨ローラ１０によって平ベルト１３の継手部をスカイブ加工する方法であって、所定の傾斜角を有するテーブル１２の先端に貼り付けた前記平ベルト１３の継手部を前記研磨ローラ１０によって前記継手部の一部を除去するように第１の研磨軌跡線１４上で第１研磨する。そして、前記研磨ローラ１０または前記テーブル１２を所定距離だけ上または下に移動して位置合わせを行ない、前記第１研磨後の前記平ベルト１３の継手部を前記研磨ローラ１０によって前記継手部の残りの一部を除去するように第２研磨する。 （もっと読む）

グラインディング・ホイールによりウエハを研削する際に、半導体ウエハを保持するために用いられる流体圧パッドを提供する。パッドは、ウエハに直接的に対向する本体部の表面に設けられた流体ポケットを有している。ポケットは本体部を通り、ポケットに流入する流体を受け入れることに適合化されており、本体部とワークピースとの間にバリアを提供して、研削中にワークピースに圧を加えながら、ワークピースを保持する。流体圧パッドは、パッドに対してウエハをそれらの共通の軸まわりで回転させる。ポケットは、グラインディング・ホイールが流体圧パッドに対して相対的にシフトしたり又はチルトしたりする場合に、ウエハ内に生じる曲げモーメントを低下させ、グラインディング・ホイールのシフト又はチルトによって同様に生じるウエハ表面のナノトポロジー低下の防止に寄与する。
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