【課題】 デバイスの裏面にチッピングを生じることのないウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面に僅かにマイクロクラックが残存するようにウエーハの裏面を研削し、環状フレームに装着された粘着テープ上にウエーハの裏面を貼着し、切削装置のチャックテーブル上に該環状フレームに装着されたウエーハを該粘着テープ側を下にして保持し、切削ブレードの切刃が該粘着テープを切り込むようにウエーハの分割予定ラインに該切削ブレードを位置付けて分割予定ラインを完全切断する、各工程を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハの表面から保護テープを容易に剥離可能なウエーハの研削方法を提供することである。
【解決手段】 表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハの裏面を研削するウエーハの研削方法であって、該ウエーハの前記外周余剰領域に少なくともウエーハの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、該ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、該保護テープ側を下にして研削装置のチャックテーブル上にウエーハを保持し、ウエーハの裏面を研削してウエーハの厚みを仕上がり厚さに形成するとともに、該切削溝より外周側を耳部として分離するウエーハの研削工程と、該チャックテーブルからウエーハを搬出し、ウエーハの表面から該耳部とともに該保護テープを剥離する保護テープ剥離工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被加工物を研削することにより研削痕が被加工物の被研削面に残存しても、被加工物を破損しにくくする。
【解決手段】被加工物を保持して切削送りされるチャックテーブルと、被加工物を切削する回転可能な切削ブレードを備え切削送り方向であるＸ軸方向と直交するＹ軸方向に割り出し送り及びＺ軸方向に切り込み送りされる切削手段とを備えた切削装置を使用し、切削ブレードを支持する支持軸に切削ブレードに替えて円筒状の研削砥石８を装着し、研削砥石を切り込み送り方向及び割り出し送り方向の所定の位置に位置決めし、チャックテーブルに保持された被加工物Ｗ２を切削送りしながら、回転する研削砥石８の外周側面の研削面８０を被加工物Ｗ２に接触させ、研削痕１００が切削送り方向に形成されるように研削を行う。 （もっと読む）

【課題】 大型の装置を必要とすることなく、大型のウエーハを研削・研磨できる加工装置を提供することである。
【解決手段】 板状物を分割した後に該板状物の裏面を研削若しくは研磨を行う加工装置であって、板状物を保持する分割用チャックテーブルと、板状物の切削領域を検出する撮像手段と、該分割用チャックテーブルに保持された板状物を分割して４個以上の分割片を形成する切削手段と、該分割片の形状に対応した吸着領域を有し、該分割片を吸着保持する研削・研磨用チャックテーブルと、該分割片を該分割用チャックテーブルから該研削・研磨用チャックテーブルへと搬送する搬送手段と、該研削・研磨用チャックテーブルに対峙して配設され、該研削・研磨用チャックテーブルに吸着保持された分割片を研削若しくは研磨する加工手段と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スラリーを含まない水を用いて研磨できる研磨装置と研磨方法を提供する。研磨面をドレッシングすることなく、研磨面を容易に交換できる研磨装置を提供する。短時間で鏡面まで研磨加工することができる研磨装置と研磨方法を提供する。
【解決手段】被加工物(14)を研磨加工する研磨装置は、第１の回転軸(A1)の周りに回転する上定盤(7)と、上定盤を回転させる回転駆動機構と、第２の回転軸(B1)の周りに回転する下定盤(6)と、下定盤を回転させる回転駆動機構と、被加工物を挟んで保持するため、上定盤の下面と下定盤の上面の少なくとも一方に貼り付けられた研磨フィルム(12)とを備える。更に、被加工物を研磨する加工空間に水を供給するための水供給装置を備える。下定盤の第２の回転軸は、第１の回転軸の周りに公転するとともに、下定盤は、第２の回転軸の周りに回転する。 （もっと読む）

【課題】樹脂層等の研削を安定的に行うことができる研削方法及びその研削方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に形成された樹脂層３０の表層部を、複数の砥粒２が結合材４により保持された砥石３６により研削する工程を有し、樹脂層の表層部を研削する工程では、樹脂層のうちの少なくとも砥石により研削される部分を冷却した状態で、樹脂層の表層部を研削する。 （もっと読む）

【課題】外周端部が中央部より厚いウェハの破壊を抑え、かつ既存の装置を用いたダイシングにおいてチップの破損やチップ飛びを抑えること。
【解決手段】半導体ウェハ１のおもて面側の中央部３に、デバイスの表面構造が設けられた能動領域２を形成する。ついで、能動領域２の表面に保護テープ３０を貼付し、保護テープ３０を下にして、研削定盤２０に吸着させる。ついで、第１砥石１０が固着されたホイール１２を用いて、半導体ウェハ１の裏面側の中央部３を研削する。このとき、半導体ウェハ１の裏面側の外周端部は元の半導体ウェハ１の厚さのままにしておく。この外周端部がリブ部４となる。そして、リブ部４を残すように半導体ウェハ１の裏面側を研削する。さらに、このとき、第１砥石１０における第１傾斜面１１によって、半導体ウェハ１の中央部３とリブ部４との間に、第１遷移領域５が形成される。 （もっと読む）

【課題】薄化されたウェーハのハンドリング性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法、半導体ウェーハの研削ホイールおよび半導体ウェーハの加工装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハ１０の裏面の内周領域を選択的に研削し、外周領域に内周領域よりも厚い外周補強部１ｃを形成することで、ウェーハの裏面に凹部を作成する工程と、凹部に、ダイアタッチ材５１を充填する工程と、ウェーハ１０を複数のチップに個片化する工程とを備える。ダイアタッチ材５１は、チップをダイボンディングする際に用いられるダイボンディング用接着剤であり、ダイボンディング工程において、そのままダイアタッチ材５１が接着剤として使用される。ウェーハ１０の裏面が平面にされることにより、ダイシング用のテープを裏面に貼ることなどが可能となるため、ダイシングによりウェーハを複数のチップに個片化することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】研削効率を低下することなく、抗折強度が低いチップの発生を防止するとともに欠けの発生を防止することができるウエーハの研削方法を提供する。
【解決手段】ウエーハ１０を保持したチャックテーブル５２を回転するとともに研削砥石３２７を回転しつつウエーハの中心を通過する位置に位置付け研削送りすることによりウエーハの上面を研削する第１の研削工程と、チャックテーブルおよび研削砥石を回転した状態でウエーハの外周部上面を研削砥石の回転軌跡の直下に位置付けるウエーハ位置付け工程と、チャックテーブルに保持されているウエーハの結晶方位を示すマークＮを所定方向に向けて位置付けてチャックテーブルの回転を停止し、研削砥石を回転しつつチャックテーブルの保持面に垂直な方向に所定量研削送りした後、チャックテーブルと研削砥石を相対的に平行移動して加工送りする第２の研削工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】エッジチッピングの発生を防止した研削装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る研削装置は、ヘッド部材に保持されて回転する砥石２３を保持機構に保持されて回転するウェハ５に当接させることでウェハ５の研削加工を行うように構成された研削装置において、砥石２３の外径をＤとし、砥石２３の径方向の幅をＷとし、ウェハ５の半径をＲとしたとき、Ｒ＜Ｄ＜｛Ｒ＋（２×Ｗ）｝の条件を満足するとともに、砥石２３をウェハ５に当接させたとき、砥石２３がウェハ５の外周部および回転中心Ｏ１に接触するように構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程において、該半導体ウェハに反りが生じにくい優れた寸法安定性を有するバッググラインド用基体フィルムを提供する。
【解決手段】ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体を含むバックグラインド用基体フィルム、及びその製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】隙間を生じさせることなしに、バンプの寸法変更に容易に対応する。
【解決手段】表面にバンプＢが形成されていて該表面に表面保護フィルム１１が貼付けられているウェーハ２０を処理する処理方法においては、ウェーハを保持するテーブル５１の周りに配置された筒体４０の端面を所定の厚さまで研削し、ウェーハの裏面２２を上方に向けた状態で、ウェーハを筒体に配置する。その後、ウェーハの裏面を研削することも可能である。なお、所定の厚さは、ウェーハの表面とバンプの頂部との間の距離に等しいのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ワークの両頭研削において、ワークのナノトポグラフィーを悪化させる要因となる、ワークを外周側から支持するワークホルダーの自転の軸方向に沿った位置を安定化させることが可能なワークの両頭研削装置および両頭研削方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、薄板状のワークを径方向に沿って外周側から支持する自転可能なワークホルダーと、該ワークホルダーの両側に位置し、ワークホルダーを自転の軸方向に沿って両側から、流体の静圧により非接触支持する一対の静圧支持部材と、ワークホルダーにより支持されたワークの両面を同時に研削する一対の砥石を具備するワークの両頭研削装置であって、ワークホルダーと静圧支持部材の間隔が５０μｍ以下であり、かつ、静圧支持部材がワークホルダーを０．３ＭＰａ以上の流体の静圧で支持するものであるワークの両頭研削装置。 （もっと読む）

【課題】カップ形の砥石を用いてウェハの一面を研削するに際し、ウェハの特定の外周部が多く削られてしまうことを防止する。
【解決手段】カップ形の砥石３０を用いてウェハ４０を研削するに際し、台座２０の上であって砥石３０の加工面３１の軌道上に落ち込み防止基板５０を配置する。これにより、台座２０に対向する砥石３０の加工面３１がウェハ４０とウェハ４０との間の隙間に露出する台座２０に対向したとしても、落ち込み防止基板５０によって砥石３０の加工面３１がウェハ４０の一面４１よりも低い位置になることはない。このように、ウェハ４０の特定の外周部に砥石３０の荷重が局所的に高くかからないため、当該特定の外周部がウェハ４０の一面４１内で多く削られてしまうことを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの研削時に研削水として純水を使用することにより増大している生産コストを低減する。
【解決手段】粗研削を行う第一の研削手段と仕上げ研削を行う第二の研削手段とを有する研削装置において、第一の研削手段においては第二の研削手段で使用した研削水の廃液を回収して研削水として使用し、第二の研削手段においては純水を研削水として使用する。このように構成することにより、純水の使用料を実質的に従来の半分とする一方、廃液に混入している研削屑等がウェーハに混入したとしても、第二の研削手段による仕上げ研削においてそれを除去することができるため、ウェーハの品質にも影響を及ぼさない。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの裏面研削時にフィルムがウェーハから剥離するのを防止する。
【解決手段】表面（４１）にフィルム（１１）が貼付けられているウェーハ（４０）の裏面（４２）が上方を向くようにウェーハを保持すべき保持手段（２９）の周囲に障壁部（６０）を配置し、保持手段にウェーハが保持されたときのウェーハの裏面とウェーハおよびフィルムの間の境界面との間の位置まで、障壁部の上面（６１）を研削し、保持手段により裏面が上方を向くようにウェーハを保持し、ウェーハを研削する。さらに、ウェーハを研削するときに、保持手段により保持されたウェーハの外周部と障壁部との間の隙間に流体を供給して研削屑を排除するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの研削時に被研削面にスクラッチが入らないようにしてウェーハの抗折強度を高める。
【解決手段】保持面が円錐面に形成されたチャックテーブル２においてウェーハＷを保持し、研削痕１００が中心から放射状に形成された被研削面Ｗ３に研削砥石４４０を接触させて研削する場合において、研削砥石４４０として粒径が１μｍ以下のダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドで固定した砥石を使用し、研削砥石４４０の配設方向の円弧が研削痕１００に交差するように研削砥石４４０をチャックテーブル２の保持面の頂点から外周に至る面に平行に配置し、研削砥石４４０の回転方向をチャックテーブル２の回転中心から外周側に向かう方向とし、チャックテーブル２の回転方向を研削砥石４４０の回転軌道から回転中心に向かう方向とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハを極薄にまで研削し、これを保管・搬送等する際にウエハの破損を防止できる半導体ウエハの保護構造と保護方法、ならびにその保護構造を用いた半導体ウエハの加工方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ５の回路面上に貼り付けられる保護構造において、接着剤層４を介して積層された半導体ウエハ５の外径よりも大径な第１の保護層１、第１の保護層と同じ外径の第２の保護層２、および前記第１の保護層表面に積層され、前記半導体ウエハ５の回路面に貼着される粘着剤層３から構成される積層保護シート１２からなり、第１の保護層に１０％伸長時の１分後における応力緩和率が４０％以上のフィルムを、第２の保護層にヤング率×厚さが５００００Ｎ／ｍ以上のフィルムを用いる。 （もっと読む）

【課題】被加工物の被研削面に傷を付けることなく所定の厚さに研削することができる研削装置を提供する。
【解決手段】チャックテーブルに保持された被加工物の上面を研削するものであって、制御手段は、接触式の厚み計測器によって被加工物の加工前の厚み(T1)を計測する第１の加工前の厚み計測工程と、非接触式の厚み計測器によって被加工物の加工前の厚み(T2)を計測する第２の加工前の厚み計測工程と、被加工物の加工前の厚み(T1)と(T2)に基づいて非接触式の厚み計測器による計測値を補正する補正値（T1／T2）を求める補正値演算工程と該非接触式の厚み計測器を作動してチャックテーブルの保持面に保持された被加工物の厚みを計測しつつ研削手段を作動して被加工物を研削する研削工程と、非接触式の厚み計測器によって計測された被加工物の厚み(T0)に補正値（T1／T2）を乗算した値が所定値に達したら研削手段による研削を終了する研削終了工程を実行する。 （もっと読む）

【課題】デバイス形成領域に対応する裏面側の領域のみを所望厚さ除去して、その結果、外周余剰領域が凸部となったウェーハの凸部を除去する加工方法において、凹部の厚さおよび凸部の厚さを測定し、凸部を最適の厚さまで確実に研削する。
【解決手段】研削前にウェーハ１の凸部４Ａの厚さａと凹部の厚さｂを第１厚さ測定器１６によって測定する。次いで、ウェーハ１が研削加工装置１０のチャックテーブル３０に裏面１ｂが露出する向きに吸着された状態で研削前に凸部５Ａの厚さａ’を第２厚さ測定器６０によって測定する。これら凸部５Ａの厚さａ、ａ’および凹部４Ａの厚さｂを基に凹部４Ａの厚さｂ’＝ａ’／ａ×ｂを算出する。算出された凹部４Ａの厚さｂ’を基準に、チャックテーブル３０に吸着されたウェーハ１の凸部５Ａの厚さを所望の値になるまで研削する。 （もっと読む）