【課題】ウェーハの裏面を研削する研削加工装置において、研削手段の回転軸の傾きの調整を容易にすることで、生産効率およびウェーハの品質の向上を図る。
【解決手段】研削ユニット３０に回転軸３０ａを傾かせる傾斜調整機構１００と、様々な研削条件に対応した角度調整値を記憶する研削条件記憶手段１１０を設ける。ウェーハ１の研削条件を研削条件記憶手段１１０で選択することで、研削ユニット３０の角度調整値が読み取られる。この角度調整値に基づいて、傾斜調整機構１００の、前後調整用スペーサ１０１と左右調整用スペーサ１０５とを動かすことで、研削ユニット３０がウェーハ1の研削条件に対応した傾斜角度に調整される。研削ユニット３０の角度を調整した後、研削ユニット３０によりウェーハ１を研削することで、所望の厚さのウェーハ１が得られる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの裏面を研削しても、デバイスの抗折強度を低下させることなく、ゲッタリング効果を生じさせる。
【解決手段】表面に複数のデバイスが形成されたウェーハの裏面を研削してゲッタリング効果により重金属の遊動を抑制すると共に抗折強度を１０００ＭＰａ以上に維持する方法において、研削ホイールとして、基台の自由端部に粒径１μｍ以下のダイヤモンド砥粒がビトリファイドボンドで固定された研削砥石が固着されて構成されるものを使用し、ウェーハの表面に保護部材を貼着して保護部材をチャックテーブルにて保持し、チャックテーブルを回転させながら研削ホイールを回転させ、研削砥石によってウェーハの裏面を研削して裏面の面粗さの平均値を０．００３μｍ以下とし、ウェーハの裏面に残存する歪み層の厚さを０．０５μｍとする。 （もっと読む）

【課題】研削完了後の板状の被加工物の厚さを、接触式の厚さ測定器のプローブの接触痕を残すことなく、かつ、専用の厚さ測定器を用いることなく実測する。
【解決手段】厚さを測定しながら研削ユニット３０を研削送りしてウェーハ１を研削し、所望厚さに達したことを認識したら、ウェーハ１の被研削面に接触している厚さ測定器５０のプローブ５２ａをウェーハ１から離し、この後、スパークアウト、エスケープカットを行い、研削を完了する。研削完了後、チャックテーブル２０の回転を停止してウェーハ１の自転を停止させ、止まっているウェーハ１の被研削面にプローブ５２ａを接触させて再び厚さを測定し、仕上げ厚さを確認する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゴム製の無端ベルトを駆動軸と従動軸の間に張架して、駆動軸により無端ベルトを回転させつつ、従動軸上を往復運動する研磨材により無端ベルトの表面を研磨する研磨機への無端ベルトを張架する装着操作が容易で、無端ベルトの装脱着以外の操作は、スイッチ操作によって自動的に機械操作でき、研磨時のブレが少ないので、無端ベルトが精度よく製造できる研磨機を提供する。
【解決手段】駆動軸の一方の軸端部は、駆動軸の固定と固定解除が自在の押圧固定具によって、台座の上に片持ち状態に固定されてなり、駆動軸の他方の端部は台座から遊離可能であり、従動軸は、従動軸固定具によって、台座に固定されてなり、台座は、研磨センターの位置の手前の無端ベルト装着作業位置から、研磨センターと駆動軸の中心合わせの位置までの間を移動させ、駆動軸の端部に研磨センターの円錐状先端を押し込み嵌合させて、駆動軸の押圧固定具の中に宙吊り状態で回転させる無端ベルトの二軸研磨機である。 （もっと読む）

【課題】高い研磨精度を有してワークの両面を同時に研磨する研磨装置及び研磨方法を提供する。
【解決手段】ワークＷの両面Ｗａ及びＷｂを同時に研磨する研磨装置１００において、それぞれがワークＷに接触する研磨面１４２ａ，１６２ａを有して互いに反対方向に回転する一対の定盤１４０，１６０と、一対の定盤１４０，１６０の回転数を各々検出する一対の検出部１４８，１６８と、一対の定盤１４０，１６０の間でワークＷを加圧する加圧部１７０と、定盤１４０，１６０にスラリーを供給するスラリー供給部１７５と、研磨面１４２ａ，１６２ａとワークＷとの間の摩擦力が閾値を超えたと判断した場合に、加圧部１７０が加える荷重、定盤１４０，１６０の回転数、スラリー供給部１７５が供給するスラリーの少なくとも一つを減少する制御部１８０と、を有することを特徴とする研磨装置１００を提供する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の裏面エッジ部の面取り加工と、裏面の平面研削加工が１台の裏面研削装置でフットプリントを増加させることなく実施させる装置の提供。
【解決手段】 基板ホルダーテーブルの上方に昇降可能に設けた研削砥石軸を備える裏面研削装置１を用い、基板ホルダーテーブルＨを搭載するスライドウエイＳ_ｂをリニアガイドウエイＧ_ｂ上で直線移動させてエッジ研削ステージＳ_ｅ位置に基板ホルダーテーブルを移動させてエッジ研削を行う。さらに、前記基板ホルダーテーブルＨを研削砥石軸下方向に直線移動させて裏面研削ステージＳ_ｂｇに基板ホルダーテーブル位置を移動させ、裏面研削を行う。 （もっと読む）

【課題】 炭化ケイ素単結晶基板の反り量を効率よく低減する。
【解決手段】 研削・研磨加工装置２ａは、研削・研磨加工部１０と、曲面台座３１とを備える。研削・研磨加工部１０は、基板１の表面に研削・研磨加工を施す。曲面台座３１は、曲面部３１ａを有する。曲面部３１ａは、基板１の反りの形状に沿う曲面形状を有する。曲面部３１ａは、凹面形状である。曲面部３１ａは、二次曲面である。基板１は、曲面部３１ａ上に第１面１ａを表側にして載置される。 （もっと読む）

【課題】２０〜１００μｍと薄い半導体基板の厚みを研削加工時に０．５μｍ以下の誤差範囲でin-situで厚み測定する半導体基板の厚み測定方法を提供する。
【解決手段】研削ステージの基板ホルダーテーブル上で研削加工されている半導体基板ｗの厚みを、レーザ光投光器と受光器を備えるセンサヘッド１０２の外周に純水を供給できる流体通路を設けたセンサヘッド保持具１０１とコントロールユニット１１０とデータ解析手段１２０を備える厚み測定器１００を用い、研削加工の途中、または研削加工終了後、前記センサヘッド保持具１０１より純水を半導体基板のシリコン基板面に供給しつつ投光器よりレーザ光をシリコン基板の純水が供給された面に投光し、純水膜が形成されているシリコン基板面からの反射率より半導体基板のシリコン基板の厚みを算出する。 （もっと読む）

【課題】より一定の研削条件及び研削盤における冷却の改良された形式を達成する。
【解決手段】半導体ウェハを研削する方法であって、半導体ウェハが、半導体ウェハと少なくとも１つの研削ツールとの間の接触領域に冷媒を供給しながら、少なくとも１つの研削ツールによって片面又は両面において材料を除去するために処理されるようになっている方法において、冷媒の流量が、少なくとも１つの研削ツールの研削歯の高さに関して選択され、研削歯の高さが減少するに従って前記冷媒の流量が減少させられる。 （もっと読む）

【課題】チャックテーブルに負圧を作用せしめる吸引経路に大気開放経路を付設することなく、ウエーハの吸引保持を解除する際にはウエーハをチャックテーブルの保持面から確実に剥がすことができる研削装置のチャックテーブル機構を提供する。
【解決手段】被加工物を吸引保持する保持面および保持面に連通する連通路を備えたチャックテーブルであって、連通路内６１３の圧力を検出する圧力検出手段６５と、圧力検出手段６５からの検出信号に基いて第１の電磁開閉弁６３３および第２の電磁開閉弁６４３を制御する制御手段６６とを具備し、制御手段６６はチャックテーブル６０に吸引保持された被加工物の吸引保持を解除する際には、第１の電磁開閉弁６３３を閉路するとともに第２の電磁開閉弁６４３を断続的に開閉し、圧力検出手段６５からの検出信号が大気圧に達したら該第２の電磁開閉弁６４３を開路せしめる。 （もっと読む）

【課題】仕上がり精度を確保しつつ生産性を向上することができる研削装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物を研削する研削ユニットと、研削送り機構と、制御手段を具備する研削装置であって、被加工物の厚みを検出する厚み検出手段と、研削付加を検出する研削負荷検出手段を具備し、制御手段は厚み検出手段からの検出信号に基いて被加工物の厚みが所定の厚みに達したら該研削送り機構による研削送りを停止して所定時間スパークアウト研削を実行し、所定時間が経過したら研削ユニットをエスケープ速度でチャックテーブルに保持された被加工物から後退させるように該研削送り機構を制御し、研削負荷検出手段からの検出信号に基いて研削負荷が零（０）に達したら研削ユニットをエスケープ速度より速い退避速度でチャックテーブルに保持された被加工物から後退させるように該研削送り機構を制御する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する半導体チップ等のデバイス製造過程において、デバイスに個片化される前の薄いウェーハの剛性を確保する。また、ウェーハの段階で、裏面に露出する貫通電極の頂部の周囲に絶縁膜が形成された状態を容易、かつ確実に得る。
【解決手段】ウェーハ１を裏面研削する際、半導体チップ３が形成されたデバイス形成領域４に対応する領域のみを研削して薄化し、裏面側に凹部１１を形成する。凹部１１の周囲の環状凸部１２によってウェーハ１の剛性を確保する。次に、凹部１１にエッチングを施して金属電極８を凹部１１の底面１１ａから突出させて裏面側電極部８ａを形成し、さらに、凹部１１内に絶縁膜１５を形成してから、絶縁膜１５および裏面側電極部８ａの端面を切削する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの面に痕を残すことなくウェーハの厚さを計測できるようにする。
【解決手段】所定の入射角αをもってレーザー光６ａを発光し、スケール素子２０１においてウェーハＷの上面Ｗａ及びチャックテーブル５の上面５ａにおける反射光６ｂ、６ｃの受光位置を認識してその受光位置からレーザー光の反射位置の厚さ方向の位置を算出し、ウェーハＷの上面Ｗａとチャックテーブル５の上面５ａの厚さ方向の位置の差を算出してウェーハの厚さを求める。ウェーハＷに対して非接触の状態でウェーハＷの厚さを求めることができるため、ウェーハＷに痕を残すことがない。 （もっと読む）

【課題】ウェーハが洗浄装置のスピンナーテーブルに保持された状態が長くなった場合においても、ウェーハを容易に搬出できるようにする。
【解決手段】ウェーハを吸引保持する保持面２５０ｄを有し回転可能なスピンナーテーブル２５０と、保持面２５０ｄに吸引力を伝達する吸引源２５２と、スピンナーテーブル２５０に保持されたウェーハに洗浄水を供給する洗浄水供給ノズル２５１とを少なくとも備えた洗浄装置２５において、保持面２５０ｄにおいては吸引源２５２に連通する細孔が開口し、吸引源２５２は、スピンナーテーブル２５０の回転時に作用する第一の吸引力とスピンナーテーブル２５０の停止時に作用する第二の吸引力とを選択する切り替え部を有する。 （もっと読む）

【課題】被膜を有する半導体ウェーハなどの基板を研削加工するときに、ひげ状の屑などの障害物を発生させることなくウェーハの厚さを測定し、ウェーハを所望の厚さに確実に研削する。
【解決手段】第一厚さ測定工程で、チャックテーブル２０の回転を停止した状態にして、変動プローブ５２ａを被膜２の表面２ａに降下させ、各測定位置４ａ、４ｂ、４ｃにおける被膜２を含んだウェーハ１の厚さを測定する。この第一厚さ測定工程で得られた厚さ測定値を、記憶手段７２に記憶する。次いで、変動プローブ５２ａを被膜２の表面２ａから退避させ、一次研削工程にて被膜２の研削を行う。その後、変動プローブ５２ａをウェーハ１の研削面１ａを接触させて一次研削工程後の厚さを測定し、ウェーハ１の厚さを測定しながら二次研削工程を行う。二次研削加工で、所望の研削量である一次所望研削量ｇ２に達したら、一次研削は終了となる。 （もっと読む）

【課題】チャックテーブルの傾き角度を調整してウェーハ厚さを所望の状態に調整可能な研削加工装置において、ウェーハ厚さを把握しながらウェーハを研削する工程での、厚さ測定にかかる手間を軽減して生産効率を高める。
【解決手段】二次研削位置の近傍に、二次研削されたウェーハ１のみの厚さを径方向に複数ポイント測定する仕上げ厚さ測定装置８０を配設し、該装置８０で測定されたウェーハ１の厚さからウェーハ１の径方向の厚さ分布を把握する。把握した径方向の厚さ分布に基づき、傾き角度調整機構７０によってチャックテーブル２０を傾斜させて砥石３７に対するウェーハ１の角度を適宜調整し、二次研削後のウェーハ厚さを所望の状態にする。 （もっと読む）

【課題】個々に分割されたデバイスを被計測フレーム等の消耗品を用いることなく所定の厚さに研削することができるデバイスの研削方法を提供する。
【解決手段】複数のデバイスの表面を上面に貼着して支持した保護部材の下面を研削装置のチャックテーブル上に保持し、該チャックテーブルを回転しつつ該チャックテーブル上に保護部材を介して保持された複数のデバイスの裏面を研削手段によって研削して複数のデバイスを所定の厚みに形成するデバイスの研削方法であって、チャックテーブル上に保護部材を介して保持された複数のデバイスにおける所定のデバイスが回転する回転軌跡の直上に非接触式の厚み計測器の計測部を位置付け、非接触式の厚み計測器によって回転する所定のデバイスの厚みを計測しつつ研削手段によって複数のデバイスの裏面を研削し、非接触式の厚み計測器によって計測されたデバイスの厚みが所定の厚みに達したとき、研削手段による研削を終了する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハのデバイス領域の裏面を研削してその周囲にリング状補強部を形成した後にウェーハの裏面に金属膜を被覆し、その金属膜を損傷させることなく、リング状補強部を容易に除去できるようにする。
【解決手段】研削砥石７４の軌跡がリング状補強部Ｗ４に交差するようにウェーハＷの裏面に研削砥石７４を作用させてリング状補強部Ｗ４を研削し、リング状補強部Ｗ４の研削面がデバイス領域の裏面に被覆された金属膜４の上面から２０μｍ〜１μｍ上の位置に達した時に研削を終了する。研削砥石７４をリング状補強部Ｗ４の上方に正確に位置合わせする必要がないため制御が容易であり、また、リング状補強部Ｗ４の研削面が金属膜４の上面から２０μｍ〜１μｍ上の位置となったときに研削を終了するため、金属膜４を損傷させることがない。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの裏面を研削する研削加工装置において、保持手段の回転軸の傾きの調整を容易にすることで、生産効率およびウェーハの品質の向上を図る。
【解決手段】チャックテーブル２０に回転軸２０ａを傾かせる傾斜調整手段１００を設ける。この傾斜調整手段１００は、様々なウェーハの研削条件と、その研削条件に適合した回転軸２０ａの角度の調整値とを記憶する研削条件記憶手段１２０により制御される。ウェーハ１の研削条件を研削条件記憶手段１２０で選択することで、研削条件記憶手段１２０から傾斜調整手段１００に命令が伝達される。これにより、モータ１０１が動き、ボルト部材１０２と、調整梃子１０３と、調整ブロック１０５とが連動するとともに、フランジ２３が支持部２３ａを支点として傾く。その結果、チャックテーブル２０の回転軸２０ａは、ウェーハ１の研削条件に沿った角度に傾く。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ等の基板に研削加工や研磨加工を施す加工装置において、チャックテーブルの傾き角度に応じて加工開始位置を補正することで、装置の安全な運転ならびに生産効率の向上を図る。
【解決手段】研削加工装置１０に加工開始位置補正手段１１１を設ける。加工開始位置補正手段１１１は、加工開始位置ｈをチャックテーブル２０の傾き角度に応じた適正な位置に補正する補正値を記憶している。この加工開始位置補正手段１１１は、チャックテーブル２０を傾かせたときに、傾き角度とともに、その角度に応じた補正値を読み取り、加工開始位置データを補正することにより、加工開始位置ｈを基板表面に限りなく近接した位置に設定する。その結果、エアカット動作を研削ユニット３０が基板１と接触する直前まで行うことができる。 （もっと読む）