【課題】ウエーハを保持するチャックテーブルの中心にウエーハの中心を合致させて保持することができる研削装置を提供する。
【解決手段】ウエーハを保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削手段と、ウエーハをチャックテーブルに搬入するウエーハ搬入手段とを具備する研削装置であって、ウエーハ搬入手段によって搬入するウエーハの中心を合わせる中心合わせ手段を備えており、中心合わせ手段は、ウエーハを保持し回転可能に構成された保持テーブルと保持テーブルの回動位置を検出するテーブル位置検出手段を備えた保持テーブル機構と、保持テーブルに保持されたウエーハの外周領域を撮像する撮像手段と、撮像手段によって撮像された画像情報に基づいて保持テーブルの回転中心と半導体ウエーハの中心との変位量および最大変位位置を検出する変位検出手段と、変位検出手段によって検出された保持テーブルの回転中心と半導体ウエーハの中心との変位量を補正する補正手段とを具備している。 （もっと読む）

両面グラインダは、平らな加工対象物（例えば半導体ウェハ）を保持して動作できる１組の研削ホイールと１組の水圧パッドとを備えており、それによって、加工対象物の一部は、研削ホイールの間に位置付けられ、加工対象物の一部は、水圧パッドの間に位置付けられる。少なくとも１つのセンサが、加工対象物のナノトポロジを評価するために、加工対象物とそれぞれのセンサとの間の距離を測定する。本発明の方法において、加工対象物の距離は、研削中に測定され、加工対象物のナノトポロジを評価するために使用される。例えば、加工対象物の有限要素構造解析は、少なくとも１つの境界条件を導くために、センサのデータを用いて行われる。ナノトポロジのフィードバックが高速である場合、ナノトポロジ評価は、加工対象物がグラインダから取り外される前に始めることができる。空間的なフィルタが、さらに処理が進んだ後になりそうな加工対象物のナノトポロジを予測するために使用されてもよい。
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【課題】板状成形体の研磨具への挿入や排出された成形体の引き出し作業、排出された成形体を研磨具へ再挿入する作業、表裏の反転作業を自動で行うことができ、作業者の安全面や環境面の問題を解消することができる板状成形体の研磨加工装置を提供する。
【解決手段】研磨装置本体Ｋの一方に隣接し板状成形体４を研磨装置本体Ｋへ送り込む昇降可能な第１テーブルリフター２１と、研磨装置本体Ｋの他方の側に隣接し、研磨装置本体から排出された板状成形体４を載せるとともに昇降可能な第２テーブルリフター２３と、研磨装置本体Ｋの下に位置し研磨装置本体から排出された板状成形体４を第２テーブルリフター２３から第１テーブルリフター２１へ移動させるコンベヤ２４を有する。 （もっと読む）

【課題】２個以上配設されるチャックテーブルの保持面の高さが不均一であっても保持面を研削する必要なく保持面上に保持されたウエーハを所望の厚さに研削することができる研削装置を提供すること。
【解決手段】各チャックテーブルの保持面の高さを厚み検出手段１７または１８で検出して保持面位置を記憶部１０３ａに記憶するとともに、チャックテーブルの保持面に保持されたウエーハの上面の高さを厚み検出手段１７，１８で検出し保持面位置との差として算出部１０１ａによって算出されるウエーハの厚みが所定の値となるように研削手段の送りを行うパルスモータ３６２，４６２を制御手段１０によって制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ表面と補強板との貼り合わせ後の半導体プロセスにおいて、貼り合わせ面からの剥離を防止することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面側の加工後、前記半導体基板１表面に形成された凹凸を平坦化するためのフォトレジスト膜７を被覆し、このフォトレジスト膜７の平坦な表面に粘着剤５を介して補強板４を貼り合わせた状態で、前記半導体基板１の裏面研削を行う半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】略板状のパッケージ部の一端面から突出する接続端子を備えた半導体装置の導通検査を行う検査装置において、接続端子と検査装置の接点部との電気接続を確実に図ることができると共に検査装置の取り扱いが容易となるようにする。
【解決手段】半導体装置１１の接続端子１７を研磨する研磨装置３１〜３４であって、表面３ａにパッケージ部１５の他端面１５ｂを接触させて前記半導体装置１１を載置する基台３と、該基台３の表面３ａに対向配置され、前記接続端子１７に接触した状態で前記接続端子１７に対して相対的に移動する研磨ユニット７〜１０とを備えることを特徴とする研磨装置３１〜３４を提供する。 （もっと読む）

【課題】 特別複雑な製造加工を要することなく、切れ味を向上させることで研削能率を高め、かつ次工程の仕上げ研削での障害になるような研削ダメージの発生を抑制できる半導体ウェーハ裏面粗研削用のカップ型砥石、及びそのような粗研削用カップ型砥石による粗研削加工を利用した好適な研削加工方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェーハWの裏面の研削における仕上げ研削の前工程の粗研削に用いるためのカップ型砥石２であって、超砥粒チップ４を、円盤状の台金３の円形状側面３１に、略放射状となるように、研削作用面４１の長辺４２が台金３の径方向にほぼ沿うように配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】いわゆるオープンカセットを用いる場合の不具合を解消することができる研削装置を提供すること。
【解決手段】第一のカセットテーブル１２と第二のカセットテーブル１４に載置された第一のカセットと第二のカセットをそれぞれ閉塞する閉塞位置に位置づけ可能な第一のカセットカバー６６と第二のカセットカバー６７を設けるとともに、第一のカセットと搬出手段との間、および第二のカセットと搬入手段との間をそれぞれ開閉可能に仕切る第一の仕切り壁６４と第二の仕切り壁６５を設け、第一の仕切り壁６４や第二の仕切り壁６５の開状態で搬出手段または搬入手段が作用する時にはそれぞれ第一のカセットカバー６６や第二のカセットカバー６７により閉塞させることで、手が入り込まないようにした。 （もっと読む）

【課題】表面に保護部材が被着された半導体基板の裏面を研削する際に、保護部材の厚みが半導体基板相互間においてばらついていても基板の仕上げ厚み寸法精度を高く保持できる半導体基板の研削装置並びに半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１に被着された保護部材２の厚みＸ_２を研削時において連続的に測定する測定装置１０と、半導体基板１と保護部材２の合計の厚みＸ_３を研削時において連続的に測定するコンタクトゲージ８の２つの測定機構を備え、各々の半導体基板１についてそれぞれの測定値の差（Ｘ_３−Ｘ_２）から半導体基板１の厚みＸ_１を算出する。この研削装置１００によれば、保護部材２の厚みＸ_２が半導体基板１相互間においてばらついていても、半導体基板１の厚みＸ_１の仕上げ厚み寸法精度を高く保持することができ、電気特性が安定した信頼性の高いデバイスを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハをセットする際に多少位置がずれても、バックグラインド工程で半導体ウェーハの周縁部が部分的に振動して剥離したり、研削液が浸入するおそれを抑制できる固定キャリアを提供する。
【解決手段】 剛性を有する基板２と、基板２の表面に設けられる凹み穴３と、凹み穴３に配列して設けられる複数の支持突起５と、凹み穴３を被覆して複数の支持突起５に支持され、半導体ウェーハＷを着脱自在に粘着保持する変形可能な粘着層６と、真空ポンプ８の駆動に基づいて粘着層６に被覆された凹み穴３内の空気を外部に導く排気路７とを備え、凹み穴３の周縁部４と半導体ウェーハＷの周縁部とを粘着層６を介して対向させるとともに、凹み穴３の周縁部４内面に、半導体ウェーハＷの周縁部の振動を抑制する抑制体１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】スライダの製造時に、バーの反りを防止し、生産効率を高める。
【解決手段】スライダの製造方法は、基板と保護膜との間に読込素子または書込素子の少なくともいずれかが形成された、スライダとなるべきヘッド素子が、長手方向を含む少なくとも一つの方向に多数配列して形成されたヘッド素子集合体を準備するステップＳ１と、ヘッド素子集合体の基板側の表面を、長手方向と直交する方向に研削する研削ステップＳ２とを有している。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハにテープを貼り付ける際に、テープと半導体ウェーハの間に気泡を発生させること無く貼り付け、半導体装置の信頼性を上げることを目的とする。
【解決手段】半導体ウェーハ２の表面保護テープ３を貼り付ける際に、ローラ表面の形状もしくは材質が加圧時に前記半導体ウェーハ２上に形成されたチップ間の段差に力が伝わるような凹凸を有し、回転可能なローラ１を用いることにより、チップの凹凸に追従してローラ１の圧力が伝わるため、貼り付けに際して加熱しなくても、表面保護テープ３と半導体ウェーハ２の間に気泡を発生させること無く貼り付けることが出来、半導体装置の信頼性を上げることが出来る。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの研削面を研磨する場合において、抗折強度を高めつつ、無毒化処理を不要とし、ゲッタリング効果を維持してデバイスの品質を低下させないようにする。
【解決手段】保持テーブル２０を回転させて保持テーブル２に保持されたウェーハＷを回転させると共に、砥石３０ａを円錐面２０ａに倣ってウェーハＷの回転中心に位置付け、保持テーブル２０の回転に伴って研磨ホイール３０を連れ回り回転させてウェーハＷを研磨する。保持テーブル２０の回転に伴って砥石３０ａが自由回転し、ウェーハＷの裏面が研磨されるため、ウェーハＷの研削面である裏面が適度に無理なく研磨が行われる。研削歪みは減少するが、完全に除去されることはないため、ゲッタリング効果がなくなることはなく、また、ＣＭＰのように化学研磨液を使用することもないため、無毒化のためのコストもかからない。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ベルト表面を研磨する際に、研磨範囲内に当該ベルトの移動又は蛇行を抑制してベルトを製造する製造装置又はベルトの製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明のベルトの製造装置は、筒状のベルト（３）を少なくとも２本のロール（１，２）で張架して、当該ベルト表面を研磨するベルトの製造装置であって、ベルト（３）の回転に伴って生じるバルト幅方向の移動を検出する検出手段（１０ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂ）と、ロール(１，２)の少なくとも一方を所定方向に変位する変位手段（３０ａ、３０ｂ、３１）と、検出手段（１０ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂ）の検出結果に基づいて、変位手段（３０ａ、３０ｂ、３１）を制御してベルト（３）の移動量を制御する制御手段（４０）とを有する。 （もっと読む）

【課題】１台の加工装置によりシャープエッジの除去と薄化のための研削加工を行うことができ、設備コストや作業工数を低減する。
【解決手段】ウエーハの裏面をチャックテーブル３４に吸着し、回転ブレード８４によってウエーハの外縁部を切削して除去委する。次いで、ターンテーブル３３を回転させてウエーハを研削ユニット４０Ａへ移動させ、研削ユニット４０Ａによってウエーハの裏面を研削する。 （もっと読む）

【課題】
周縁の回路部用段部にプリント印刷を施し積層された液晶用ガラスの両面を全自動で研磨加工をする装置は無く、手間暇係る作業となっており、苦慮している実情である。
【解決手段】
本発明は、基板に対向基板を積層した液晶用ガラスＡと、送出側カセット手段１と、加工前仮置き台２と、研削研磨加工手段３と、洗浄手段４と、反転手段５と、加工後仮置き台６と、テープ貼着手段７と、テープ剥離手段８と、収納側カセット手段９と、送出側カセット手段１と加工前仮置き台２と加工後仮置き台６とテープ貼着手段７とテープ剥離手段８と収納側カセット手段９との間で移送をさせる第１の移送手段１０と、加工前仮置き台２と研削研磨加工手段３と洗浄手段４との間で移送をさせる第２の移送手段１１と、反転手段５と加工後仮置き台６との間で移送をさせる第３の移送手段１２を備えた。
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【課題】研削砥石を目詰まりさせることなく、仕上がり面精度を悪化させないで微少量のみ研削を行うことができる板状被研磨物の研削方法及び研削装置を提供する。
【解決手段】研削砥石が所定の研削圧力を受けて自生発刃を行いながらウェーハを安定して研削し始めるときの砥石回転用モータの消費電力である仕上げ電力Ｗ３を予め計測してティーチングしておく。チャックテーブルを回転させると共に、砥石回転用モータによって研削ホイールを回転させ、研削砥石をウェーハに近付けて当接させ、押し付けながら切り込んで研削する。砥石回転用モータの消費電力が仕上げ電力Ｗ３と等しくなったときに、研削砥石の切り込みを停止して、研削ホイールとチャックテーブルとに溜まった撓みを開放する。所定の研削量が削られた段階で研削砥石をウェーハから退避させる。 （もっと読む）

【課題】被加工物に対して砥石から大きな押し付け力を加えることなく、短時間で効率的に被加工面の研磨加工を行うことができるようにする。
【解決手段】被加工物Ｗの被加工面Ｓにはブラスト加工機１４により粉粒体が吹き付けられ、被加工面Ｓは砥石２５の表面よりも粗い凹凸面となった粗面にブラスト加工される。ブラスト加工により粗面に加工された後の被加工面Ｓは砥石２５により研磨加工される。予めブラスト加工機１４により被加工面を粗面に加工した後に砥石２５により研磨加工することにより、砥石２５から被加工物Ｗに大きな押し付け力を加えることなく、短時間で所定の研磨量で研磨加工することができる。研磨量が大きい場合にはブラスト加工と研磨加工とを複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】研磨されない半導体ディスクの表面品質を改善し、その上に製造される素子の、より小さな線幅を可能にする。
【解決手段】研磨されない半導体ディスクを製造する方法が以下のステップ、すなわち：（ａ）半導体材料から単結晶を成長させ、（ｂ）該単結晶を円筒研削し、（ｃ）該単結晶から半導体ディスクを切断し、（ｄ）該半導体ディスクのエッジを丸み付けし、（ｅ）該半導体ディスクの少なくとも片面を表面研削し、（ｆ）該半導体ディスクをエッチング媒体により処理し、（ｇ）該半導体ディスクを最終的にクリーニングするというステップを有しているようにした。 （もっと読む）

【課題】従来のチルト調整やシフト調整では解決できない両頭研削後のウェーハのナノトポグラフィを、最小化することができる半導体ウェーハの両頭研削装置および両頭研削方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの両頭研削装置において、複数のポケットに供給される流体の静圧により原料ウェーハをその両面で非接触支持する静圧パッドであって、前記複数のポケットがそれぞれ流体の供給孔を具備して、各ポケットごとに供給する流体の静圧を調整できるものである静圧パッド。 （もっと読む）