【課題】装置及び工程を複雑にすることなく、簡単な方法で研削痕が発生するのを防いで良好な研削面を得る。
【解決手段】研削砥石２７（研削手段）を回転させる砥石軸２１（第１回転軸）の回転数をウェーハ９（被研削物）を回転させるチャック回転軸１５（第２回転軸）の回転数で割った回転数比が整数倍とならないように、チャック回転軸１５の回転数を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 工数の削減および研磨時間の短縮を図りつつ、プローブの研磨回数を増大させる。
【解決手段】 プリント基板４を垂直方向にスライドさせるプリント基板スライド用レール５を支持リング３とプリント基板４との間に配置するとともに、研磨紙１４に接触しながらプローブＮが通過できるように径が設定された開口部１４ａが形成された研磨紙１４をプリント基板４下に配置し、駆動ユニット１６は伸縮アーム１６ａを押し出すことにより、プリント基板スライド用レール５に沿ってプリント基板４を押し下げ、プローブＮを開口部７ａを介して研磨紙１４を通過させながら、プローブＮの先端を研磨紙１４にて研磨した後、ウェハＷ上のパッド電極Ｐに接触させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハの外周部が面取りされていない状態（若しくは粗面取りがされている状態）で両面研削を行うに際して、ウェーハ外周部での欠けやチッピングを防止しつつ、面取り形状の悪化、ウェーハ周方向での面取り形状のバラツキをなくす。
【解決手段】
シリコンウェーハ１の外周部１Ｒを保護部材としてのキャリア１３によって保護した状態で両面研削を行う。シリコンウェーハ１の一方の面１ａに水を供給することによりシリコンウェーハ１の一方の面１ａをパッド１１から浮かせつつ、シリコンウェーハ１の他方の面１ｂを把持することによりキャリア１３からシリコンウェーハ１を取り出す。両面研削工程後に（ウェーハ取り出し後に）面取り工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】 １枚のウエーハに複数の研磨工具によって研磨した複数の研磨領域を有するサンプルウエーハおよびサンプルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 サンプルウエーハは、ウエーハの被研磨面に中心領域から外周に亘って複数の研磨工具によってそれぞれ研磨された複数の環状の研磨領域が形成されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶薄膜を高精度に所望の膜厚にできる貼り合わせウエーハの製造方法及び貼り合わせウエーハ、並びにシリコン単結晶薄膜を高精度に所望の膜厚にできる平面研削装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、支持基板となるベースウエーハ１ａとシリコン単結晶からなるボンドウエーハ１ｂとを絶縁膜１ｃを介して又は直接貼り合わせて貼り合わせウエーハとした後、前記ボンドウエーハを薄膜化して、前記ベースウエーハの上にシリコン単結晶からなる薄膜を形成する貼り合わせウエーハの製造方法であって、前記ボンドウエーハの薄膜化は、少なくとも砥石４を用いた平面研削により、前記ボンドウエーハの厚さを膜厚計５で測定しながら行なわれ、前記ボンドウエーハの厚さが目標厚さとなったら、前記ボンドウエーハの平面研削を停止することを特徴とする貼り合わせウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤソーによるスライス工程で、ウエーハの表面に長周期のうねりを発生させないようにスライスするとともに、スライスされたウエーハ表面に残る短周期のうねりを研磨工程で完全に除去することでラッピング工程または両頭研削工程を省略できる。
【解決手段】 複数本の加工用ローラ間にワイヤを複数回、巻き回してワイヤ列を形成し、ワイヤの往復走行の１往復を１サイクルとすると、１分間当たり３サイクル以上８サイクル未満の間の一定サイクルでワイヤを往復走行させながらワークをスライスするスライス工程と、前記スライスされたウエーハの両面を研削砥石によって片面ずつ研削する研削工程と、前記研削されたウエーハの両面に対して、固定砥粒研磨布と砥粒を含まない研磨材を使用して化学的機械的研磨する研磨工程と、からなることを特徴とする半導体ウエーハの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク基板等の角型基板を研磨する際、容易にかつ確実に高い平坦度を有する角型基板に仕上げることができるガイドリングを提供する。
【解決手段】角型基板６を研磨布１３に対して押圧しながら研磨する際に、前記基板の周囲で前記研磨布を押圧することにより基板の周辺部の過剰な研磨を防ぐためのガイドリングであって、前記基板を収容する収容部２を有し、少なくとも前記研磨布と接する側の面において、前記収容部の周辺の一部に基板とのクリアランスが他の部分よりも大きくなる部分４ａが形成されていることを特徴とする角型基板研磨用ガイドリング１。 （もっと読む）

【課題】個々に押圧荷重が異なる複数種類の研磨工具がスピンドルに装着され加工送り手段による加工送りの下でウェーハの研磨を行う場合において、加工送り手段に負担をかけることなく、所望の押圧荷重の下で研磨を行うようにする。
【解決手段】チャックテーブル２においてウェーハＷを保持し、研磨手段３を加工送り手段４によって加工送りしてウェーハＷの研磨を行う研磨装置１において、研磨手段３の自重による加工送り手段４への負担を軽減するカウンタバランス５を備え、カウンタバランス５による荷重を調整し、研磨手段３の自重とカウンタバランス５の荷重との差をウェーハＷに対する押圧荷重としてウェーハＷを研磨する。カウンタバランス５による荷重を調整することにより、加工送り手段４への負担を軽減することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク基板等の角型基板を研磨する際、容易にかつ確実に高い平坦度を有する角型基板に仕上げることができるガイドリングを提供する。
【解決手段】角型基板６を研磨布に対して押圧しながら研磨する際に、前記基板の周囲で前記研磨布を押圧することにより基板の周辺部の過剰な研磨を防ぐためのガイドリングであって、前記基板を収容する収容部２を有し、少なくとも前記研磨布と接する側の面３において、前記収容部の周辺の一部に該ガイドリングの外部に通じる切り欠き部４が形成されていることを特徴とする角型基板研磨用ガイドリング１。 （もっと読む）

【課題】 平坦加工の基準面を有するサブストレートに対してウエーハを接着させるにあたり、両者間の隙間をなるべく一定としてウエーハを安定した姿勢で支持し、ウエーハを適正に研削することができるようにする。
【解決手段】 流動性を有する接着剤５０をサブストレート４０上に塗布し、接着剤５０中に、３個のペレット（点接触治具）６０を三角形状に配置して埋め込む。素地ウエーハ１を各ペレット６０の上に載せて、サブストレート４０との間の隙間を一定とし、ペレット６０で３点支持した素地ウエーハ１を、接着剤５０によってサブストレート４０に接着させる。サブストレート４０をチャックテーブル１７に保持して素地ウエーハ１の他面を平坦に研削し、次いで、サブストレート４０および接着剤５０を除去してから、一面を平坦に研削する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハに対する悪影響を与え難く、かつ、コストアップも少なくて、高品質・低廉な半導体装置を提供することである。
【解決手段】 半導体基板１を削ることによって薄厚の半導体装置を製造する方法であって、
前記半導体基板１の一つの主面１ｂに対して交差する半導体基板の側面１ａに膜２を設ける成膜工程と、
前記成膜工程の後で半導体基板１を薄く削る削工程
とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 ハニカム構造体を金属製の収納容器などに収納した際、把持部材でしっかりと把持され、使用中に破損することのないハニカム構造体が得られる加工方法およびその加工装置を提供する。
【解決手段】 取付具上においてセラミックハニカム構造体５１の外周と端面のなす直角度が測定され、該直角度が所定範囲内になるよう、前記セラミックハニカム構造体の姿勢が補正された後、前記セラミックハニカム構造体の端面に加工が施されることを特徴とするセラミックハニカム構造体の加工方法。 （もっと読む）

【課題】 最適な被加工物保持部の種類を判別する機能を有する研削装置を提供する。
【解決手段】 複数種類の被加工物保持部２２と，複数種類の被加工物保持部２２が選択的に装着される装着部２４と，被加工物保持部２２および装着部２４を移動させる移動部２６とからなる搬送手段２０を備えた研削装置１であって，認識手段１０と，判別手段３０と，制御手段とを備えている。ここで，認識手段１０は，複数種類の被加工物保持部２２のうち，被加工物の種類および／または被加工物の搬送方式に対応した正しい被加工物保持部２２の種類を認識する。また，判別手段３０は，判別領域において装着部２４に装着された被加工物保持部２２の種類を判別する。そして，認識手段１０によって認識された被加工物保持部２２の種類と，判別手段３０によって判別された被加工物保持部２２の種類とが異なる場合，制御手段により少なくとも搬送手段２０が停止される。 （もっと読む）

【課題】 気孔率が高い砥石を用いてウエーハを研削しても砥石に欠けが生じないようにしたウエーハの研削方法を提供する。
【解決手段】 超砥粒をビトリファイドボンドで結合するとともに無数の気孔を備え、該気孔の気孔率が７５〜９５容量％であるビトリファイドボンド砥石を装備した研削ホイールを用いて、ウエーハを所定量研削除去するウエーハの研削方法であって、ウエーハを研削除去すべき厚さをtとした場合、０．５〜０．９５tの厚さを研削除去する第１の研削工程と、第１の研削工程によって研削除去されずに残存する０．５〜０．０５tの厚さを研削除去する第２の研削工程とを含み、第１の研削工程において供給する研削水の単位時間当たりの供給量は第２の研削工程において供給する研削水の単位時間当たりの供給量より少量に設定されている。 （もっと読む）

【課題】 被移動体を速度零の点を有しない四辺形軌跡に沿って移動できるようにする。
【解決手段】 本発明の移動装置は、遊星ギヤ機構と、この遊星ギヤ機構によって駆動される移動手段とより成り、上記遊星ギヤ機構が、太陽ギヤと、この太陽ギヤと同心状に配置した、静止状態に保持される内歯ギヤと、上記太陽ギヤと内歯ギヤ間に形成される空間内にこれらと噛合するよう互いに円周方向に離間して配置した複数個の遊星ギヤと、この遊星ギヤのうちの任意の１個にその回転中心軸から偏心した位置に突設した駆動ピンとより成り、上記遊星ギヤの歯数は上記太陽ギヤの歯数の１／４であり、上記太陽ギヤの回転によって上記遊星ギヤが太陽ギヤの周りを１回公転する間に４回自転されるようにされ、上記移動手段が、上記駆動ピンに係合し、略四辺形の軌跡に沿って駆動される。本発明の平面研磨機は上記移動装置によって駆動されるワークと、このワークの研磨手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板から半導体装置を製造する方法であって、半導体基板を薄型化しても、半導体基板に反り、割れなどが発生せず、しかも低いコストで生産性良く半導体基板を薄型化できる薄型化工程を含む半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】保護テープ４の両面に粘着層６ａ，６ｂを設け、この粘着層６ａ，６ｂに半導体基板２，３の回路パターン形成面である主面２ａ，３ａを貼着した積層体１を形成する。そして、積層体１の厚み方向の両面に露出する、半導体基板２，３の主面２ａ，３ａに対向する裏面２ｂ，３ｂを、研削装置１０により研削して半導体基板２，３を薄型化する。 （もっと読む）

【課題】 単位時間あたりの研削量が大きくて、被研削物を精巧に研削でき、かつ、砥石の目づまりも発生しにくくて砥石の寿命が長い研削装置、および、単位時間あたりの研削量が大きい車輪用転がり軸受装置の加工方法を提供すること。
【解決手段】 砥石１５を回転させる砥石軸２と、砥石軸１５の径方向の外方に配置されるアンギュラ玉軸受３,４,５,６と、アンギュラ玉軸受３,４,５,６の径方向の外方に配置される中間ハウジング７と、砥石軸２を駆動する第１駆動装置１０と、中間ハウジング７を駆動する第２駆動装置１１とを備える。砥石軸２の中心軸に対して中間ハウジング７の内周面の中心軸は偏心している。この偏心に起因する砥石軸２の振れを、第１駆動装置１０の伸縮可能な歯付ベルト２６で伸縮吸収して、装置を安定させる。 （もっと読む）

摺動部材７は、フランジ部８にネジ止めされており、フランジ部８にはオリフィス状のプレート９と砥石ホルダ１０と砥石押さえがネジ止めされている。これとは別のネジにより、砥石ホルダ１０と砥石押さえ１１がネジ止めされ、これら砥石ホルダ１０と砥石押さえ１１の間にアルミナセラミックス製の砥石１２が挟み込まれている。ホルダ４とピンチャック５面が離れている状態では、砥石１２は最大限にホルダ４から突出した状態になっているが、チャック洗浄装置１を下降させ、砥石１２とピンチャック５面を接触させた状態では、砥石１２がピンチャック面に倣って引っ込み、ピンチャック５面にうねり（凹凸）があった場合でも、各砥石１２がその凹凸に倣って表面に接触するようになる。これにより、研磨対象物保持部表面から微小異物を効果的に除去することが可能となる。
（もっと読む）

【課題】 研削中に破損することなく、かつ、外周縁にナイフエッジが生ずることなく所定の厚さに研削することができるウエーハの研削方法を提供する。
【解決手段】 外周面が円弧状に面取りされているウエーハの被研削面を研削する研削方法であって、ウエーハの一方の面側から外周縁より所定量内側の位置で外周縁に沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの外周部を除去する外周部除去工程と、外周部が除去されたウエーハの被研削面を研削して所定の仕上がり厚さに形成する研削工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 研磨コストが低くて研磨工数が少なく、かつ、ワークの研磨面を精密に研磨できるワーク研磨装置、および、ワークの研磨方法を提供すること。
【解決手段】 スラスト板保持部材３の外周円筒面１６がガイド部材２の内周円筒面７に沿っている状態で、スラスト板保持部材３を、図２に矢印αで示す方向に、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの順に公転させると共に図２に矢印βで示す方向に自転させて、スラスト板保持部材３の穴部１１に配置されていると共に、プランジャーによってラッピングペーパー１２の方に付勢されているスラスト板を、ラッピングペーパー１２に擦りつけて、スラスト板の研磨面を研磨する。 （もっと読む）