【課題】半導体基板の背面を研削する工程を有する半導体装置の製造方法であって、導体ウェハ背面を研磨する際のクラックの発生を防止するとともに、ウェハ背面に生じる凹部の深さを従来よりも抑制すること。
【解決手段】半導体ウェハ１上の導電性パッド２の上に形成される複数のバンプ７の相互間に形成される樹脂膜６について、バンプ７を囲んで開口部６ａを形成した後に、バンプ７と樹脂膜６の上にバックグラインド用テープ８を貼り合わせ、その後に、半導体ウェハ１の背面を研削して薄層化している。 （もっと読む）

【課題】長尺の無端状のベルトに対応できるとともに、装置自体がコンパクトで省スペース化を図ることのできるベルト研磨機を提供する。
【解決手段】ベルト研磨機１において、テンションロール３を離接可能とさせる離接機構４が、研磨機本体１に一端が回動自在に取り付けられた一次シリンダ１３と、傾斜したレール１６上に摺動自在に配設され、一次シリンダ１３の他端が回動自在に連結されたスライダ１５と、スライダ１５と一端が回動自在に連結された二次シリンダ１４と、研磨機本体１に一端が回動自在に取り付けられ、他端においてテンションロール３を支持するとともに、これら一端と他端の間に二次シリンダ１４の他端が回動自在に連結されたアーム１２とから構成される。 （もっと読む）

【課題】ウエーハ搬出手段を構成する搬送パッドの吸着面を洗浄する搬送パッド洗浄手段から搬送パッドの吸着面に銅イオンを付着しないようにした搬送パッド洗浄手段を備えた研削装置を提供する。
【解決手段】ウエーハを保持する保持面を有するチャックテーブルと、チャックテーブル上に保持されたウエーハを研削する研削手段と、チャックテーブル上で研削されたウエーハを吸引保持する吸着面を有する搬送パッドを備えたウエーハ搬出手段とを具備する研削装置であって、搬送パッドの搬出経路に配設され搬送パッドの吸着面を洗浄する洗浄部材を備えた搬送パッド洗浄手段を具備し、搬送パッド洗浄手段の洗浄部材は銅を含まないセラミックスによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】グラインディング工程で発生する加工変質層を効果的に除去し、後続のポリシング工程において最小限の研磨量で高平坦度を確保して、工程進行過程で発生し得る金属汚染の問題を解決すること。
【解決手段】シリコン単結晶棒をスライシングしてウェハーを製造するステップ（Ｓ２１）、前記スライシングされたウェハーのエッジを面取りするステップ（Ｓ２２）、前記面取りされたウェハーをラッピングするステップ（Ｓ２３）、前記ラッピングされたウェハーをエッチングするステップ（Ｓ２４）、前記エッチングされたウェハーをグラインディングするステップ（Ｓ２５）、前記グラインディングされたウェハーに発生した加工変質層を除去するためにアルカリ水溶液を用いてスライトエッチングするステップ（Ｓ２６）、前記スライトエッチングされたウェハーの両面または片面をポリシングするステップ（Ｓ２７）、及び前記ポリシングされたウェハーを洗浄するステップ（Ｓ２８）を含むシリコンウェハーの製造方法。 （もっと読む）

【課題】１種類の砥石ホイールによって異なる直径を持った複数種類の半導体ウエーハを研削するすることができる研削加工方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ１の内周側の部分を所定厚さまで研削したら、砥石４５ｂ（４６ｂ）を上昇させてウェーハ１の外周側へ移動させる。そして、砥石４５ｂ（４６ｂ）の刃先部がウェーハ１に形成すべき凹部１Ａの内周面５Ｂに接するように砥石４５ｂ（４６ｂ）、砥石４５ｂ（４６ｂ）を下降させてウェーハ１を研削する。 （もっと読む）

【課題】半導体インゴットをスライスして形成されたウエーハの少なくとも一方の面を効率よく平坦な面に研削することができるウエーハの研削方法および研削装置ウエーハの研削方法を提供する。
【解決手段】半導体インゴットをスライスして形成されたウエーハの一方の面を研削するウエーハの研削方法であって、ウエーハ１０の中心領域のみを保持するチャックテーブル６２によってウエーハの他方の面の中心領域を吸引保持するウエーハ保持工程と、ウエーハの中心領域のみを吸引保持した該チャックテーブルを回転し、研削砥石４２を備えた研削ホイール４を回転させつつ研削砥石をウエーハの一方の面に接触させることにより、ウエーハの一方の面を研削する研削工程と、研削工程においてチャックテーブルに中心領域のみが吸引保持されたウエーハの外周部を摺動可能に支持するウエーハ支持工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ウネリのあるウエーハをそのまま用いてウエーハの面から効率よくウネリを取り除くことができるようにする。
【解決手段】ウエーハ支持筐体２０内においてウエーハＷを実質的に水５１で支持しながら第２の支持部２２に形成された研削砥石挿入溝２６から研削砥石３１ｂをウエーハＷの第２の面Ｗｂに作用させて研削を行わせることで、ウエーハＷにウネリを矯正するような不要な力が作用することなく第２の支持部２２側に配置させた第２の面Ｗｂを研削してウネリを除去することができるようにした。 （もっと読む）

【課題】極薄化された半導体ウエハを安全に搬送し、かつ半導体ウエハにダメージを与えることなく次工程に受け渡すことが可能な半導体ウエハの搬送方法および、このような搬送方法に適用可能な半導体ウエハの研削装置を提供する。
【解決手段】裏面が研削された半導体ウエハ１を搬送するための方法であって、
片面に複数の突起物３６を有し、かつ該片面の外周部に該突起物と略同じ高さの側壁３５を有するジグ基台３０と、該ジグ基台３０の突起物３６を有する面には、密着層３１、突起物３６および側壁３５により区画空間３７が形成され、ジグ基台３０には、外部と区画空間３７とを貫通する少なくとも１つの貫通孔３８が設けられた固定ジグ３を用意し、半導体ウエハ１の研削直後に、該ウエハの研削面を固定ジグの密着層３１に貼着し、半導体ウエハ１と固定ジグ３を一体で搬送する。 （もっと読む）

【課題】加工中のウェーハが帯電するのを防止することができる乾式研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨パッド５２によってウェーハ１の被加工面を乾式研磨すると、両者の摩擦によって静電気が発生する。研磨パッドの除電部５２Ｒは、ウェーハ１に常に接触しているから、発生した静電気は除電部５２Ｒを介してフレーム５１に流れ、フレーム５１からモータのスピンドルシャフト２２等を伝わって接地電流として放散される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法における半導体ウェハの裏面研削工程において、半導体ウェハの外周縁の損傷を防止する手段を提供する。
【解決手段】半導体基板の回路形成面側に封止層を形成した半導体ウェハを個片に分割して形成する半導体装置の製造方法において、半導体ウェハの回路形成面側を、吸着面を円錐面とした吸着ステージに吸着させる工程と、この吸着ステージに吸着させた半導体ウェハの裏面を、円錐面の一の稜と平行に研削面を配置した砥石を、半導体ウェハの中心から外周縁に向けて回転させて研削する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの裏面を研磨加工することによってウエーハと保護テープの間に堆積する研磨粉を効率的に除去する研磨装置を提供し、後工程での研磨粉によるウエーハの汚染や損傷などを防止する。
【解決手段】着脱位置に位置付けられた研磨加工用チャックテーブル１９の近傍に、チャックテーブル１９に保持されているウエーハ１の側端部に洗浄水を噴射する側面洗浄ノズル１５を配設し、チャックテーブル１９を回転させながら側面洗浄ノズル１５からウエーハ１の側端部に洗浄水を噴射して、堆積している研磨粉を洗い流して除去する。 （もっと読む）

【課題】研削以外の工程や装置を用いず、研削工程において外周縁の欠けの発生を極力抑える加工を行う。
【解決手段】はじめの粗研削では、ウエーハ裏面のデバイス形成領域４に対応する領域のみを研削し、欠けが発生しやすい外周縁を含むデバイス形成領域４の周囲部分は研削せず環状凸部５Ａとして残し、外周縁がナイフエッジ状に形成されることを避ける。次の仕上げ研削で、環状凸部５Ａを研削し、さらに裏面全面を平坦にする。外周縁の欠けは仕上げ研削時でのみ発生するものとして、欠けを防ぐか、もしくは発生する欠けを微小なものに抑える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハを研磨して所望の厚さに形成する場合において、半導体デバイスの抗折強度を低下させず、かつ、ゲッタリング効果を生じさせて半導体デバイスの品質に悪影響を及ぼさないようにすることである。
【解決手段】複数のデバイスが表面に形成された半導体ウェーハの裏面を研磨して半導体ウェーハを所望の厚さに形成する半導体ウェーハの加工方法であって、半導体ウェーハの裏面を研磨して厚さを１０μｍ〜１００μｍに仕上げ、研磨によって半導体ウェーハの裏面に０．０５〜０．１μｍの厚さの歪み層を残存させる。歪み層を残存させることによってゲッタリング効果が生じて品質への悪影響を防止することができ、研磨により抗折強度の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ウエーハを研削ホイールで研削する際にウエーハの研削面に生ずるソーマークを低減させることができるウエーハの研削方法を提供する。
【解決手段】ウエーハ研削中に研削ホイール４３の回転速度とチャックテーブル１１と回転速度の少なくとも一方を定期的に又はランダムに変動させる回転速変動工程を含ませることで、研削ホイール４３とウエーハとの定速性による相関を弱め、ウエーハの研削面に生ずるソーマークを変動する回転速度によって互いに打ち消すように研削を行わせることができ、ウエーハの研削面におけるソーマークの残留を減少させることができるようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの反りを低減でき、かつ製造の信頼性を確保することができる。
【解決手段】半導体ウェハ２の裏面研削時に、裏面２ｂの周縁部の突出部２ｃに、その外周側から内周側に向けて突出部２ｃの高さが低くなるように傾斜するテーパ面２ｄが形成されるように研削することにより、レジスト塗布工程でスピンコートによってレジスト２２を塗布する際に、余分なレジスト２２が突出部２ｃのテーパ面２ｄを介して外側に抜けるため、半導体ウェハ２の裏面２ｂに均一な膜厚のレジスト２２を形成することができ、半導体装置（ＳＩＰ）の製造における信頼性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの裏面研削に際しウェハ表面と粘着剤層との間への水等の浸入が抑制され、ウェハ表面の汚染も抑制しうる半導体ウェハの裏面研削用粘着フィルム及び半導体ウェハの裏面研削方法を提供する。
【解決手段】基材フィルムの片表面に、（Ａ）アクリル系粘着剤ポリマー１００質量部、（Ｂ）官能基を２個以上有する架橋剤０．１〜３０質量部及び（Ｃ）分子量１０００〜５０００のジオール型ポリプロピレングリコール１〜３０質量部を含む粘着剤層用塗布液を用いて形成された粘着剤層を有し、該（Ａ）アクリル系粘着剤ポリマーが、（Ａ−１）（メタ）アクリル酸アルキルエステル系モノマー単位、（Ａ−２）架橋剤と反応しうる官能基を有するモノマー単位及び（Ａ−３）ポリプロピレングリコールの末端ジオール基と反応し得るイソシアネート官能基を有するモノマー単位含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研削加工時に無端金属ベルト表面に付着した研削ゴミを確実に除去することのできる研削加工装置および研削加工システムを提供する。
【解決手段】研削加工装置１００は、金属ベルトｂを掛け渡して回転させる駆動ローラ１および従動ローラ２と、２つのローラ１，２の間で、かつ金属ベルトｂ下方の内周面の一部と当接して該金属ベルトｂの内周面を研削する研削ローラ３と、研削ローラ３と金属ベルトｂを挟み込む位置に配設されたバックアップローラ４と、駆動ローラ１と金属ベルトｂを挟み込む位置に配設され、該金属ベルトｂの外周面を研削する研削ローラ５と、金属ベルトｂが回転して研削ローラ３とバックアップローラ４との間に入り込む上流側に配設され、金属ベルトｂ下面の外周面にクーラントを供給するクーラント供給用ノズル６１ａと、研削ローラ３および研削ローラ５のそれぞれにクーラントを供給するクーラント供用ノズル６３ａ，６２ａとを具備している。 （もっと読む）

【課題】表面に保護テープが被覆されたウエーハの裏面を研削して薄化するにあたり、ウエーハの厚さや、ウエーハ裏面の酸化膜や窒化膜の有無に影響を受けることなく、保護テープを除いたウエーハのみの厚さを正確に測定して、目的厚さのウエーハを確実に得る。
【解決手段】粗研削時には接触式厚さ測定器４３によってウエーハ１の厚さを保護テープ４を含む総厚として測定しながらウエーハ裏面を研削し、仕上げ研削時には非接触式厚さ測定器５４によってウエーハ１のみの厚さを測定しながら研削し、目的の仕上げ厚さに達したら研削を終えて、ウエーハ１の厚さを正確に仕上げ厚さとする。 （もっと読む）

【課題】大形状の半導体ウェーハを薄型形状に加工する場合にも、破損や深い傷が生じ難く、高歩留まりで加工できる研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨装置の研磨部１は、被加工物を研磨する複数の砥粒部５１、これらの砥粒部５１を装着する支持基台１１、および基台蓋２１から主に構成されており、各砥粒部５１はそれぞれ砥粒部５１より大きな断面形状を有する砥粒台座６１に固定され、各砥粒部５１および砥粒台座６１はそれぞれ支持基台１１に形成された研磨荷重発生室３１に摺動可能な状態で嵌合され、かつ研磨荷重発生室３１に嵌合された砥粒台座６１上に反力源部材７１が配置され、これらの反力源部材７１は反力を有した状態で基台蓋２１により固定され、複数の砥粒部５１がそれぞれ半導体ウェーハに対して垂直に摺動する構成とされている。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの被研磨面から均一厚さに研磨できる研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】研磨面３１が、チャックテーブルに保持されたウエーハの回転中心から外周に向かう所要領域を研磨する研磨領域Ｅ_POLと研磨機能を有しない非研磨領域Ｅ_NONとを含み、これら研磨領域Ｅ_POLおよび非研磨領域Ｅ_NONが、研磨面３１の回転中心からの半径Ｒ₁≦Ｒ≦Ｒ₂に至り形成されているので、研磨領域Ｅ_POLと非研磨領域Ｅ_NONとの比率設定によって周速の速い外周側の除去レートを実質的に減らすことで研磨深さがウエーハ全面に亘って均一となり精度の高い平坦面として鏡面仕上げすることができるようにした。 （もっと読む）