【課題】 本発明が解決しようとする課題は、研磨特性に優れる、即ち、高研磨レート、非スクラッチ性、平坦性に優れるＣＭＰ法の研磨パッドを提供することである。
【解決手段】 イソシアネート基末端ウレタンプレポリマー（Ａ）を含有する主剤と、イソシアネート基反応性化合物（Ｂ）を含有する硬化剤とを含む研磨パッド用ウレタン樹脂組成物であって、更にヒュームドシリカ（Ｃ）を含有することを特徴とする研磨パッド用ウレタン樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂成形体を有する研磨層を備える半導体デバイス研磨用の研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の独泡率が、６０〜９８％であり、前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の貯蔵弾性率Ｅ’に対する損失弾性率Ｅ”の割合（損失弾性率／貯蔵弾性率）ｔａｎδが、０．１５〜０．３０であり、前記貯蔵弾性率Ｅ’が、１〜１００ＭＰａであり、且つ
前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の密度Ｄが、０．４〜０．８ｇ／ｃｍ^３であることを特徴とする、前記半導体デバイス研磨用の研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガラス板の破損発生率を低減できるガラス板研磨装置の監視方法及び監視システムを提供する。
【解決手段】搬出部３６におけるガラス板Ｇの破損を低減させるために、実施の形態では、画像処理部３４で算出された実面積が基準面積となるように、液体塗布部１４でのグリセリンの塗布量を、グリセリン制御部４２によって制御する。すなわち、液体塗布部１４において塗布されたグリセリンによる吸着部分が、剥離部２２によって剥離された際に基準面積と略等しくなるように、グリセリンの塗布量をグリセリン制御部４２によって制御する。例えば、ガラス板Ｇの非研磨面の全てを吸着シート１２に吸着させるのではなく、吸着部分と非吸着部分を備えるとともに、前記吸着部分を所定のエリアに分割するように、グリセリン制御部４２によってグリセリンの塗布量を制御する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素などの硬度の高い難削材に対しても極めて高い研摩速度を実現できる研摩材を提供する。
【解決手段】本発明は、二酸化マンガンを砥粒とする研摩材において、二酸化マンガンは、λ型結晶構造を有するλ型二酸化マンガンとγ型結晶構造を有するγ型二酸化マンガンとを含み、λ型二酸化マンガンとγ型二酸化マンガンとのそれぞれのＸ線回折によるメインピークの強度比（γ／λ）が０．１〜２０の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化珪素砥粒を含む研磨剤により酸化珪素膜の平坦化を行う場合に、酸化珪素膜と研磨停止膜としての窒化珪素膜との研磨選択比を確保する。
【解決手段】実施形態に係わるＣＭＰ方法は、酸化珪素砥粒を含む研磨剤を用い、かつ、研磨停止膜として窒化珪素膜を用いて、被研磨膜としての酸化珪素膜の平坦化を行う場合において、研磨剤に、50000以上、5000000以下の重量平均分子量を持つ第１の水溶性高分子と、1000以上、10000以下の重量平均分子量を持つ第２の水溶性高分子とを含ませた状態で、酸化珪素膜の研磨を行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、光透過領域の貼り付けが容易であり、しかもパッドの変形が生じることがない積層研磨パッドの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の積層研磨パッドの製造方法は、研磨領域の開口部Ａ内に光透過領域を仮固定して研磨層を作製する工程、加熱溶融させたホットメルト接着剤を含む接着部材を前記研磨層と支持層との間に設ける工程、及び前記ホットメルト接着剤を硬化させて前記研磨層と支持層とを貼り合せる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】極めて平坦度が高く、かつ、微小欠陥（凹状欠陥、凸状欠陥）を低減したマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド２１，１１が貼り付けられ上下に対向して設けられた上定盤２０と下定盤１０との間に、複数のガラス基板を挟持し、ガラス基板に上定盤側２０より研磨液を供給しながら、ガラス基板の両主表面を両面研磨する。ガラス基板の形状は四角形で、そのコーナー部においてノッチマークを少なとも１以上有する。ガラス基板の上記両面研磨は、ノッチマークが形成されていない一方の主表面を上定盤２０側にセットして行う。 （もっと読む）

【課題】少量の固形接着剤でウエーハを支持基板に貼り付けできるようにしたウエーハの貼付方法及びその貼付装置を提供する。
【解決手段】固形接着剤を溶融して支持基板１上に滴下する。このとき支持基板の温度は接着剤の溶融温度よりも低く、滴下された接着剤２は略点状になって支持基板上でその形状を保持している。この接着剤の上にウエーハ３の中心部を接触させ、支持基板１を接着剤の軟化温度よりも高くなるよう加熱する。これにより、接着剤２は流動してウエーハ３の中心部から外周縁に向かって流動し、ウエーハ３は支持基板１に仮貼りされる。その後、ウエーハ３と支持基板１を支持基板の裏面側から冷却してプレス冷却することより接着剤２は固化し、ウエーハ３は支持基板１に貼り付けられる。 （もっと読む）

【課題】基板を保持するトップリングの外周部に設けられ基板の外周縁を保持するリテーナリングの研磨面に対する追従性を高め、所望のリテーナリング面圧を研磨面に与えることができる研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨面を有した研磨テーブル１００と、圧力流体が供給される圧力室を有し、圧力室に圧力流体を供給することで流体圧により基板を研磨面１０１ａに押圧するトップリング本体２と、トップリング本体２の外周部に設けられるとともにトップリング本体２とは独立して上下動可能に設けられ、研磨面１０１ａを押圧するリテーナリング３とを備え、リテーナリング３を研磨面１０１ａの動きに追従させるためにリテーナリング３を傾動可能に支持する支持機構を基板の中心部の上方に位置させるようにした。 （もっと読む）

【課題】良好なＣＭＰ特性を発揮できる新たな複合形態の研磨材料を提供する。
【解決手段】 以下の組成式（１）で表される第１の相とＺｒＯ₂で表される第２の相とを有する粒子を含むように研磨材料を構成する。第１の相と第２の相とを有する粒子を含むことで、ＣＭＰにおける化学的作用と機械的作用との両立を図ることに成功した。
Ａ（Ｚｒ）Ｏ₃ （１）
（ただし、Ａは、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａから選択される１種又は２種以上を表す。） （もっと読む）

【課題】相変化合金を有する研磨対象物を研磨する用途で好適に用いることができる研磨用組成物を提供する。特に、高い研磨速度を得ることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、相変化合金を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、アンモニウムイオンを含有することを特徴とする研磨用組成物である。アンモニウムイオン（NH_４^＋）は、有機酸のアンモニウム塩及び無機酸のアンモニウム塩から選ばれる１以上のアンモニウム塩として添加されるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板を研削又は研磨するための定盤に短時間で砥粒をチャージする。
【解決手段】本発明による砥粒チャージ方法は、基板２０を研削又は研磨するための定盤１２の主面１２ａに砥粒Ｄをブラストすることによって、定盤１２の主面１２ａに砥粒Ｄをチャージすることを特徴とする。本発明によれば、ブラスト処理によって砥粒Ｄのチャージを行っていることから、チャージ作業を短時間で完了することが可能となる。しかも、消費する砥粒の量も従来に比べて削減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板をスループット２０枚／時以上の市場要求を満足させる最適加工条件で平坦化加工して、薄肉化した反りのない加工基板を製造する方法および装置を提供する。
【解決手段】３軸の研削砥石ヘッド３４ｈ_ｃ，３４ｈ_ｍ，３４ｈ_ｆを備える研削装置で研削工程を行った後、２基のワーク吸着ヘッド２２，２２を備えるラップ盤とダイヤモンド砥粒を分散させたスラリーを用いてラップ加工を行い、表面粗さ（Ｒａ）が２０ｎｍ以下のサファイア基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】低い押圧力での研磨加工時にも優れたクッション性を発揮すると共に、被研磨物や研磨材を平坦に保持することができる研磨用クッション材を提供する。
【解決手段】発泡シート11の一方の面に粘着剤層12aが積層一体化されてなる研磨用クッション材であって、
上記発泡シート11は、厚みが０．３〜３．０ｍｍであり、密度が４００〜６００ｋｇ／ｍ³であり、引張強さが１．０〜３．０ＭＰａであり、伸びが１３０〜１６０％であり、ショアＡ硬度が２５〜４０であり、又は２５％圧縮応力が０．３０〜０．６０ＭＰａである条件のうち少なくとも一つを満たすことを特徴とする研磨用クッション材。 （もっと読む）

【課題】ローラを介してキャリア定盤を回転させる研磨システムにおいて、ローラとキャ
リア定盤の周面との接触状態を均一化して効率的に回転を伝達する。
【解決手段】キャリア定盤40は、ローラ110を回転駆動するローラ駆動モータ115とローラ
を径方向に移動させるローラ移動構造150とを備えてキャリア定盤40の周囲に配設された
複数のローラ駆動ユニット100により回転される。研磨システムは、キャリア定盤40が回
転した時に各ローラ駆動ユニット100の配設領域を通る定盤外周面45の位置を検出する径
方向位置検出部160を備え、制御装置が、径方向位置検出部160により検出される外周面45
の位置に応じて、各ローラ駆動ユニットのローラ110の移動位置及び回転速度を制御する
ように構成される。 （もっと読む）

【課題】相変化合金を有する研磨対象物を研磨する用途で好適に用いることができる研磨用組成物を提供する。特に、高い研磨速度を得ることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、相変化合金を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、砥粒及び窒素含有化合物を含有し、その砥粒が複数の突起を表面に有する砥粒を含むことを特徴とする研磨用組成物である。砥粒のうち砥粒の体積平均粒子径よりも粒子径の大きな粒子が表面に有している突起の高さをそれぞれ同じ突起の基部における幅で除することにより得られる値の平均は、０．２４５以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの割れを防ぐために加工前にウェーハの仕込みずれによる保持異常の検出を自動で高精度で行い、作業者による触手確認をなくして効率化を図ることができるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】キャリアの保持孔にウェーハを挿入して保持し、該ウェーハを保持したキャリアを上下定盤で挟み込み、ウェーハの両面を同時に加工するウェーハの加工方法であって、ウェーハの加工前に、ウェーハを保持したキャリアを上下定盤で挟み込んだ状態で上定盤の高さ位置をレーザー変位計で検出し、該検出した高さ位置と基準位置との差が閾値を超えた場合に、ウェーハの保持異常と判定してウェーハの保持をやり直すことを特徴とするウェーハの加工方法。 （もっと読む）

【課題】ケミカルメカニカル研磨にて重要な役割を果たすコンディショニングの性能を高める研磨パッド材質を提供し研磨中の欠陥率を低減する。
【解決手段】アクリレートポリウレタン研磨層を含むケミカルメカニカル研磨パッドで、研磨層が６５〜５００MPaの引張り弾性率、５０〜２５０％の破断点伸び、２５〜２００MPaの貯蔵弾性率Ｇ′、２５〜７５のショアーＤ硬さ及び１〜１０μm/minの湿式切削速度を示すものであるケミカルメカニカル研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】 両面同時研磨機等の遊星キャリアを使用した研磨機において、少なくとも、研磨時に表示パネルの端面が起点となっている割れが生じないようにする。
【解決手段】 上定盤と、この上定盤と対向して配置されて上定盤と逆向きに回転する下定盤と、上定盤及び下定盤と同一の回転軸で回転する太陽ギヤと、上定盤及び下定盤と同一の回転軸で回転するインターナルギヤと、被研磨物を保持する保持穴が形成され、外歯により太陽ギヤとインターナルギヤと係合して自転しながら公転する遊星キャリア５を有する。遊星キャリア５の保持穴１０には、当該遊星キャリア５の回転時にこの保持穴１０において被研磨物側面と当接する側の辺１０ａ（１０ｂ）に切り欠きが設けられている。 （もっと読む）

【課題】１３族及び１５族からなる化合物半導体基板を、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピット、加工変質層が生じないような高品質な研磨表面を得つつ、かつ速い研磨速度を達成することができる研磨方法を提案する。
【解決手段】周期表における１３族及び１５族から構成される化合物半導体基板の表面を研磨する方法であって、酸化マグネシウムを主成分とする砥粒を酸化剤及び無機酸に含有させた研磨材スラリーを用いて、前記化合物半導体基板の表面をメカノケミカル研磨することを特徴とする。 （もっと読む）