【課題】スラリーの供給不足をより確実に検出できる研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る研磨装置は、ウェハＷを保持する保持機構１０と、保持機構１０に保持されたウェハＷを研磨する研磨パッド２１とを備え、保持機構１０に保持されたウェハＷの被研磨面Ｗａに研磨パッド２１を当接させながら相対移動させてウェハＷの研磨加工を行うように構成された研磨装置１において、被研磨面Ｗａと研磨パッド２１との当接部にスラリー３１を供給するスラリー供給機構３０と、被研磨面Ｗａにプローブ光を照射する光源４１と、プローブ光が照射された被研磨面Ｗａからの反射光を検出する光検出器４３と、光検出器４３に検出された反射光の情報に基づいて研磨加工の終点を検出するとともに当該反射光の情報に基づいてスラリー３１の供給状態を判定する制御装置５０とを有して構成される。 （もっと読む）

【課題】ガラス研磨を行った後、ガラスをパッドから剥離させる時に、ガラスの割れを防止可能なガラス研磨方法を提供する。
【解決手段】定盤１の表面に、少なくとも、ウレタンシート２０とエラストマーシート２１からなる積層シート２を貼り付ける工程と、積層シート２の表面に研磨対象のガラスＧを貼り付ける工程と、ガラスＧの表面を研磨する工程と、研磨工程後、ガラスＧと共に積層シート２の端部を定盤１から剥離させる工程と、剥離工程の途中でガラスＧと積層シート２の間に空気層Ａを形成させた後、ガラスＧのみを積層シート２から分離させる工程と、を有し、ウレタンシート２０は、表面スキン層２０ａとセル層２０ｂからなり、表面スキン層２０ａ側にガラスＧを貼り付け、セル層２０ｂ側をエラストマーシート２１と結合している。 （もっと読む）

【解決手段】（ｉ）−［バリン-プロリン−グリシン−バリン−グリシン］−で示されるペンタペプチドを繰り返し単位として有し、分子量が８００〜１５０，０００である、オリゴペプチド又は上記ペンタペプチドとこれと共重合可能な他の単量体との共重合体、
（ｉｉ）コロイド溶液
を含む合成石英ガラス基板用研磨剤。
【効果】本発明によれば、特にフォトマスク、ナノインプリント、磁気ディスク等の半導体関連材料において重要な光リソグラフィー法に使用される合成石英ガラス基板等の合成石英ガラスの製造において、基板表面の高感度欠陥検査装置で検出される欠陥を少なくすることができ、しかも長い研磨ライフで使用することができるため、製造の品質の向上だけではなく、環境への負荷やコストの観点からも有益になる。 （もっと読む）

【課題】無機絶縁膜層等の被研磨面を、研磨傷の発生を抑え、かつ高速で研磨することが可能な研磨剤及び研磨方法を提供すること。
【解決手段】金属酸化物粒子及び媒体を含有する研磨剤であって、前記金属酸化物粒子が、金属塩、高分子化合物、及び高沸点有機溶媒を含有する混合物を加熱することにより生成する金属酸化物を焼成して得られる金属酸化物粒子を含む、研磨剤。 （もっと読む）

【課題】液晶ディスプレイ用ガラス基板等の被研磨物について初期から加工数を重ねていっても研磨後の被研磨物の品質に影響を与える表面形状を変化させることなく、これにより一定の研磨品質を維持することができ、さらに、被研磨物の品質に影響のある保持面の表面平坦性が向上し、大型で極薄の被研磨物であっても研磨中にはこれを堅固に保持することができ、かつ、研磨後は安全かつ容易に剥がすこともできる片面研磨用保持材の製造方法を提供する。
【解決手段】発泡層と緻密な発泡による表面部分を有する樹脂シートを湿式成膜法により製造する工程と、表面に凸部を有する加熱可能なディンプルロールに樹脂シートを供給して樹脂シートの緻密な発泡による表面部分を圧接させることにより、樹脂シートを構成する材料の流動開始温度以上で熱成形加工する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの研磨時に欠陥の原因となる粗大粒子が従来に比べて大幅に低減された、また、これによりウェーハの研磨時において、ウェーハ表面のナノオーダーの欠陥を低減できる研磨スラリーの供給方法及び供給装置、並びに研磨装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スラリー原液と純水とを混合した研磨スラリーを研磨装置に供給する供給方法であって、計量された前記スラリー原液に対して前記純水を単位時間当たりに所定量加えるように制御しながら前記スラリー原液と前記純水とを混合する工程と、該混合された研磨スラリーを前記研磨装置に供給する工程とを含むことを特徴とする研磨スラリーの供給方法。 （もっと読む）

【課題】研磨中の発熱によってプラテンが熱変形するのを防止するとともに圧力分布変化を最小限に抑えたプラテンシートを提供する。
【解決手段】スラリを滴下供給しながらウェーハと研磨パッド５０を相対的に摺接して研磨を行う研磨装置１０において、ウェーハを全面で減圧して平面矯正して取り付けるウェーハ保持台２０と、プラテン３０上に敷設固定されて所望の圧力分布を形成された圧縮変形板４０と、圧縮変形板４０上に研磨パッド５０を張り上げて固定する張上機構とを有し、研磨パッド５０は、圧縮変形板４０上に敷設されて撓み変形によって変位可能な撓み変形シート５２と、撓み変形シート５２上に敷設されて滴下されたスラリを保持する表層パッド５１とを備え、ウェーハの反りを修正しながら、ウェーハの平均化を行うように構成した。 （もっと読む）

【課題】研磨対象膜の下層の金属材料の影響を排除し、渦電流センサを用いて、基板表面内の各領域での膜厚情報を取得することができ、得られた膜厚情報から基板の研磨終点を決定する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、基板の研磨中に渦電流センサを基板の表面を横切るように移動させ、渦電流センサのインピーダンスの抵抗成分Ｘおよび誘導リアクタンス成分Ｙからなる座標Ｘ，ＹをＸ−Ｙ座標系上にプロットし、Ｘ−Ｙ座標系上に定義された複数のインピーダンスエリアにそれぞれ属する複数の座標Ｘ，Ｙを用いて、複数のインピーダンスエリアごとに複数の膜厚指標値を算出し、複数の膜厚指標値を用いて複数のインピーダンスエリアごとに基板の研磨終点を決定する。 （もっと読む）

【課題】基板の研磨中にシリコン層の正確な厚さを取得し、得られたシリコン層の厚さに基づいて基板の研磨終点を正確に決定することができる研磨方法を提供する。
【解決手段】本研磨方法は、基板から反射した赤外線の強度を所定の基準強度で割って相対反射率を算出し、相対反射率と赤外線の波長との関係を示す分光波形を生成し、分光波形にフーリエ変換処理を行なって、シリコン層の厚さおよび対応する周波数成分の強度を決定し、上記決定された周波数成分の強度が所定のしきい値よりも高い場合には、上記決定されたシリコン層の厚さを信頼性の高い測定値と認定し、該信頼性の高い測定値が所定の目標値に達した時点に基づいて、基板の研磨終点を決定する。 （もっと読む）

【課題】上下両定盤の修正状態をできるかぎり同一として、マッチングのとれた定盤面を形成してワークを高精度で両面研磨する。
【解決手段】回転可能に配置された研磨用サンギア１１１と、研磨用サンギア１１１との間に環状領域１２１を形成するインターナルギア２２と、環状領域内に回転可能に配置された環状の下定盤２０と、下定盤２０の上側に回転可能に配置された環状の上定盤３０と、を備え、下定盤２０、上定盤３０、サンギア部材１１０、及びインターナルギア２２を夫々予め定めた回転方向、及び速度で回転させ、研磨キャリア１０で保持したワーク１１の両面研磨後、研磨用サンギア１１１に代えて、研磨用サンギア１１１のピッチ円径Ｒａより小さいピッチ円径Ｒｂを備えた修正用サンギア１１２を配置し、環状領域に研磨キャリア１０のピッチ円径ｒａより大きいピッチ円径ｒｂの修正キャリア２３０を配置し、下定盤２０、及び上定盤３０の修正を行う。 （もっと読む）

【課題】パーティクル数及びＨａｚｅ値が小さいシリコンウエハを得ることが可能なシリコンウエハ用研磨液組成物を提供できる。
【解決手段】シリカ粒子（成分Ａ）と、水系媒体(成分Ｂ)と、水溶性アルカリ化合物(成分Ｃ)と、Ｒ¹−Ｇｙで表されるアルキルポリグリコシド(成分Ｄ)と、カチオン化ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）（成分Ｅ）とを含み、成分Ｅは、−ＣＨ₂−ＣＨ（ＯＨ）−で表される構成単位（ｅ２）、−ＣＨ₂−ＣＨ（ＯＣＯＲ²）−で表される構成単位（ｅ３）、―Ｘ―で表される構成単位（ｅ４）を含み、構成単位（ｅ４）のモル濃度がカチオン化ＰＶＡの全構成単位中０．００１〜１．５モル％であり、成分Ｄの含有量が０．００１５重量％以下、前記成分Ｄと前記成分Ａの重量％の比（成分Ｄの重量％／成分Ａの重量％）が０．０００１〜０．００８、２５℃におけるｐＨが８〜１２である、シリコンウエハ用研磨液組成物。 （もっと読む）

【課題】耐熱性・耐水性に優れた研磨パッドを提供する。また、耐熱性・耐水性に優れるため、局所的な平坦化性能が高く、研磨レートが高く、かつ研磨レートの変動が小さい研磨パッドを提供する。
【解決手段】ポリオールとイソシアネートからなるポリウレタンを用いた研磨パッドであって、ポリオールがエチレングリコールユニットと少なくとも１種類の側鎖を有するグリコールユニットを含み、かつ、ポリオール中のエチレングリコールユニットがポリオール全重量の０．１重量％〜１０重量％であるポリウレタンを用いた研磨パッド。 （もっと読む）

【解決手段】基板に接触され、多数の空孔を有するナップ層が、エーテル樹脂を含む少なくとも３種類の樹脂を有するベース樹脂にて形成された研磨布を用い、これに研磨スラリーを同伴させて基板表面を研磨する工程を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【効果】本発明によれば、基板表面の欠陥数が少なく、かつ高平滑性化された基板を製造することが可能となる。また、研磨布の使用時間を延長することができることから、コストダウン及び生産性の向上につながる。 （もっと読む）

【課題】
ガラス基板の精密研磨に適するジルコニア研磨剤を開発することを目的とした。
【解決手段】
ジルコニア粉末を構成する二次凝集粒子が略球状で、平均アスペクト比が１．０以上１．５以下であって、ＣＶ値（１００×標準偏差／平均値）が４０％以下であることを特徴とするジルコニア研磨剤が研磨能力が優れていることを見出した。 （もっと読む）

【課題】省スペース、生産性の向上、合わせて設備費用の低減に寄与する研磨システムを提供する。
【解決手段】ワーク一括搬送装置６０がワークを研磨装置１０へローディングする時に、ワーク給排装置３０がローディング用テーブル３０５を上昇させて研磨装置用ガイド部２０とローディング用ガイド部３０４とを隣接させることでワーク一括搬送装置６０がこれらガイド部を移動できる状態とし、ワーク搬送装置６０がローディング用テーブル３０５上の全てのワークを一括して保持して研磨装置１０のワークキャリアへ搬送するようにして、ローディング時間を大幅に短縮した研磨システム１とした。 （もっと読む）

【課題】貴金属の研磨に適した研磨用組成物及びその用途を提供する。
【解決手段】本発明は、導体層と前記導体層と接する導電性物質層を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、常温の研磨用組成物中で電位計の正極側を導電性物質に接続し、且つ負極側を導体に接続した条件において、導電性物質と導体を研磨したときに正極側から負極側へ流れる電流の値が、正の値（ゼロを含む。）を示すことを特徴とする研磨用組成物を提供する。さらには、研磨用組成物は、導体及び導電性物質との間に流れる電流値を正の値（ゼロを含む。）にする添加剤を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドやスラリーの冷却、及び研磨パッド表面のドレッシングを効率良く行う。
【解決手段】本実施形態によれば、研磨方法は、回転させた研磨パッド１３に、回転させた基板を押し当て、研磨パッド１３上にスラリーを供給する工程と、研磨パッド１３の表面温度を測定する工程と、前記表面温度が所定温度以上になった場合に、研磨パッド１３に向かって、狭窄部を有するノズル１５から過冷却液滴を含むジェット流を噴出させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造プロセス中のウエハの反りを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハにおける、サポートプレートが貼り付けられている面とは反対側の被支持面の内周部を支持する支持ピンにより支持された積層体を減圧環境下において搬送する搬送ユニット２０とを備え、製造プロセス中のウエハの反りを防止することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】基板の研磨中にノズルにより研磨パッドに気体を吹き付けて研磨パッドの表面の温度を制御することによりディッシングやエロージョン等を防止することができるとともに研磨パッド上の研磨液が飛散してノズルやノズル取付部品等に付着する量を減らすことができる研磨装置および方法を提供する。
【解決手段】研磨テーブル１上の研磨パッド２に基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨装置において、研磨パッド２に向けて気体を噴射する少なくとも１つの気体噴射ノズル２４を有し、研磨パッド２に気体を吹き付けて研磨パッド２の温度を調整するパッド温度調整機構２２と、研磨パッド２に向けて液体又は気体と液体の混合流体を噴射する少なくとも１つのノズルを有し、研磨パッド２に液体又は混合流体を吹き付けて研磨パッド上の異物を除去するアトマイザ３０とを備え、パッド温度調整機構２２とアトマイザ３０とは一体のユニットとして形成されている。 （もっと読む）

【課題】コンディショニングされる研磨パッドの表面状態や性能を予測できるコンディショナの評価方法を確立し、コンディショナの評価データを蓄積したデータベースと組合せることにより、コンディショナの性能評価と、コンディショニング条件を導き出し、適切なコンディショニングを可能とする。
【解決手段】評価対象のコンディショナ１の砥粒面を、樹脂板２の表面に押圧接触させた状態で１回転させて前記表面に切削痕３を形成し、切削痕３が形成された表面の断面プロファイルを測定し、得られた断面プロファイルに基づいて、当該コンディショナの評価項目として、切削痕の粗さ、切削痕の高さ頻度分布および切削痕の幅の総和の少なくともいずれか一つを求めるようにしている。 （もっと読む）