【課題】コンディショニングされる研磨パッドの表面状態や性能を予測できるコンディショナの評価方法を確立し、コンディショナの評価データを蓄積したデータベースと組合せることにより、コンディショナの性能評価と、コンディショニング条件を導き出し、適切なコンディショニングを可能とする。
【解決手段】評価対象のコンディショナ１の砥粒面を、樹脂板２の表面に押圧接触させた状態で１回転させて前記表面に切削痕３を形成し、切削痕３が形成された表面の断面プロファイルを測定し、得られた断面プロファイルに基づいて、当該コンディショナの評価項目として、切削痕の粗さ、切削痕の高さ頻度分布および切削痕の幅の総和の少なくともいずれか一つを求めるようにしている。 （もっと読む）

【課題】上研磨布の研磨作用面と下研磨布の研磨作用面との平行度を高めて、両面研磨後のウェーハの高平坦度化が可能な両面研磨装置の研磨布ドレッシング方法を提供する。
【解決手段】ドレッシング時、例えば第１のドレスプレートのリング形状の第１のドレス工具により、上研磨布の研磨作用面のうち、その中央部より隆起した外周部を主にドレッシングする。これと同時に、例えば、第２のドレスプレートの矩形状の第２のドレス工具によって、下研磨布の研磨作用面のうち、その外周部より隆起した中央部を主にドレッシングする。これにより、従来法の等量ドレッシングを施した場合に比べて、上研磨布の研磨作用面と下研磨布の研磨作用面との平行度が高まり、両面研磨後のウェーハの平坦度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】キャリアの厚さの経時変化に影響されず、ウェーハの平坦度を安定的に改善できる両面研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】キャリアに保持されるウェーハを研磨布が貼付された上下の定盤で挟み込み、キャリアを自転及び公転させ、研磨剤を供給しながらウェーハの両面を同時に研磨するウェーハの両面研磨において、高研磨レートで研磨する第１の研磨工程と、次に低研磨レートで研磨する第２の研磨工程とを有する両面研磨方法であって、研磨後にウェーハの平坦度を測定する工程と、平坦度の測定結果に基づいて次回研磨時の第２の研磨工程の研磨条件を設定する工程とを含むことを特徴とする両面研磨方法。 （もっと読む）

【課題】 連続通気型ポリウレタンシートに熱硬化性ポリウレタン発泡体を塗付して加熱発泡させることにより、これらを、接着剤を用いて貼着するという煩わしい工程を経ることなく、軽くて扱い易い低密度、低硬度のポリウレタンフォームからなるバッキング材を迅速、安価に提供可能にする。
【解決手段】 長孔が２．０μｍ以下の微細な開孔を有し、厚みが５μｍ以上１００μｍ以下であり、密度が８４０ｋｇ／ｍ^３以上１２１０ｋｇ／ｍ^３以下の連続通気型発泡ポリウレタンシートであって、その一面側に熱硬化性ポリウレタン発泡体が熱溶着されて一体に形成されており、研磨対象物を保持するための定盤には前記熱硬化性ポリウレタン発泡体の他面側を固着させ、連続通気型発泡ポリウレタンシートの他面側を研摩対象物に当接させることを特徴とする （もっと読む）

【課題】研磨時に外周部を含むウェハの全面を均一に加圧して該ウェハの特に外周部の変形を抑制し、この変形によるウェハの過剰研磨等の欠陥発生を防止し、リテーナリング一体型のテンプレートとしてウェハの自動搬送の構築を可能とし、該自動搬送等の際の研磨ヘッドへのウェハの真空吸着を安定化させ、さらには径、厚み等のサイズ違いのウェハも容易・確実に研磨可能とする。
【解決手段】底面部にウェハＷを嵌合させる嵌合用凹部が形成されたテンプレートと研磨ヘッド側に取り付けられてテンプレートの周囲を包囲する円環状のリテーナリングとを一体化したリテーナリング一体化テンプレート１０を備え、該リテーナリング一体化テンプレート１０における嵌合用凹部１１にウェハＷを嵌合させ、リテーナリング一体化テンプレート１０を介してウェハＷをプラテン２上の研磨パッド６に押し付けるとともに研磨ヘッドをプラテン２に対し相対回転させてウェハＷを研磨する。 （もっと読む）

【課題】基板を研磨するためのケミカルメカニカルポリッシング組成物濃縮物の複数の希釈液を用いる、窒化ケイ素上に堆積したポリシリコンのオーバーバーデンを有する基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法
【解決手段】基板を研磨するために使用される濃縮物の第１の希釈液は、第１のポリシリコン除去速度及び第１のポリシリコン対窒化ケイ素除去速度選択比を示すように調整され；基板を研磨するために使用される濃縮物の第２の希釈液は、第２のポリシリコン除去速度及び第２のポリシリコン対窒化ケイ素除去速度選択比を示すように調整される方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性を有する被研磨物保持材を提供すること。また、化学的機械研磨加工に使用されて使用済みとなった被研磨物保持材を使用前の形態に復元してリサイクルすることが可能な被研磨物保持材を提供すること。
【解決手段】上記課題は、本発明の繊維強化樹脂層と、前記繊維強化樹脂層の少なくとも一方の面に熱硬化性樹脂組成物から構成される熱硬化性樹脂層とを有する被研磨物保持材であって、前記熱硬化性樹脂層が、以下の（Ａ）〜（Ｆ）の条件における研磨速度が３５μｍ／ｈ以下であることを特徴とする被研磨物保持材により達成される。
（Ａ）面圧：７００ｇｆ／ｃｍ²（Ｂ）テーブル回転数：４０ｒｐｍ（Ｃ）チャック回転数：４０ｒｐｍ（Ｄ）研磨液：粒径７０ｎｍ以上、ｐＨ１２、固形分濃度：５％のコロイダルシリカ（Ｅ）研磨液流量：１５０ｍｌ／ｍｉｎ（Ｆ）研磨時間：６０ｍｉｎ。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの摩耗に起因する研磨パッドの剛性低下による悪影響を十分に抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨テーブル１上に設けられた研磨パッド２と、前記研磨パッド２に対してウェハ３を接触させた状態で前記ウェハ３を前記研磨パッド２に対して相対的に移動させて前記ウェハ３を研磨する研磨ヘッド４と、前記研磨パッド２の摩耗後の厚さに応じて前記研磨パッド２の温度を制御する温度制御部６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 研磨バイト先端周辺の磁束密度を更に上げることができる研磨バイトを提供すること
【解決手段】 磁気作用により表面処理を行うための研磨バイトであり、支持体１１の先端に装着する先端部磁石１２と、その先端部磁石の後方に配置されるリング型磁石からなる後方部磁石１４とを備える。後方部磁石の外径は、先端部磁石の外径より大きくしている。そして、先端部磁石の磁極と、後方部磁石の先端部磁石に近い側の端面の磁極が同じに構成した。 （もっと読む）

【課題】研磨装置から取り出す際に、滑りを防止して安全に取り出すことが可能な研磨修正用プレート及び研磨装置を提供する。
【解決手段】両面研磨装置２０の研磨面を平坦に研磨するために用いられる研磨修正用プレート１は、周側面が厚み方向に段差を有し、該段差の凹部１４は厚さ中央部を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】定盤の研磨面を高精度に平坦にすることが可能な修正キャリア及び研磨装置を提供する。
【解決手段】両面研磨装置２２の定盤２５，２７の研磨面２５ａ，２７ａを平坦に研磨するために用いられる、厚さ方向の貫通孔１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄを備えている修正キャリア１であって、前記貫通孔１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄは主面の中心を避けた位置にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、生産性を損なうことなく、基板の表面粗さ（中心線平均粗さ）、スクラッチ数、及びパーティクル数の低減が可能な研磨液組成物、及びこれを用いた基板の製造方法、並びに、基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨液組成物は、平均粒子径が４５ｎｍ以下のコロイダルシリカ粒子（Ａ成分）と、シクロデキストリン骨格を有する化合物（Ｂ成分）５０〜２０００ｐｐｍと、重量平均分子量Ｍｗが５００００以下の、アニオン性基を有する水溶性高分子（Ｃ成分）１２０〜１０００ｐｐｍと、水（Ｄ成分）とを含み、２５℃におけるｐＨが１．８以下である。 （もっと読む）

【課題】一般的な金属配線材料を含む基板の研磨に適した研磨用組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の研磨用組成物は、（ａ）砥粒、（ｂ）錯化剤、（ｃ）金属防食剤を含む研磨用組成物であって、（ａ）砥粒が複数の突起を表面に有し、砥粒のうち砥粒の体積平均粒子径よりも粒子径の大きな粒子が表面に有している突起の高さをそれぞれ同じ突起の基部における幅で除することにより得られる値の平均が０．２４５以上である。さらには、砥粒のうち砥粒の体積平均粒子径よりも粒子径の大きな粒子が表面に有している突起の平均高さは２．５ｎｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーによるワークの切断において、カーフロスを低減するために砥粒番手＃２０００よりも小さい砥粒径の砥粒を用いる場合においても、砥粒濃度の低下による切断能力の低下、ひいては切断品質の悪化や生産性の低下によるコスト増加を抑制できるスラリー及びこのスラリーの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ローラーミル、又はボールミルで粉砕された砥粒の一部又は全てをジェットミルで再度粉砕することによって前記砥粒の平均円形度を０．９００以上にし、該平均円形度が０．９００以上の砥粒とクーラントとを混合して前記スラリーを製造することを特徴とするスラリーの製造方法及び、スラリーに混合された砥粒の平均円形度が０．９００以上であることを特徴とするスラリー。 （もっと読む）

【課題】
研磨剤またはジルコニアセラミックスの焼結用原料として適するジルコニア粉末を提供する。
【解決手段】
フッ化リチウムの含有量が１〜２００ｐｐｍであり、結晶子径が５０ｎｍ以上であり、比表面積が１０ｍ^２／ｇ以下であることを特徴とするジルコニア粉末は、粗大で硬い凝集粒子が含まれず、研磨剤並びに焼結用原料として好適な粉末となる。 （もっと読む）

【課題】研磨砥粒回収装置のスクリューやボウルへのダメージが均一であり、かつ、制御精度良く、回収率が高い研磨砥粒回収装置を提供すること。
【解決手段】研磨砥粒を含むスラリから前記研磨砥粒を含む濃縮液を分離する研磨砥粒回収装置であって、当該研磨砥粒回収装置は、前記スラリを保持するボウルと、前記濃縮液をボウルからかき出すためのスクリューコンベアと、前記ボウル及び前記スクリューコンベアを回転駆動するための駆動手段と、前記駆動手段を制御する制御手段と、を有し、前記制御手段は、前記ボウル又は前記スクリューコンベアを回転駆動するための、前記駆動手段の駆動電流値に基づいて、前記ボウルの回転速度と前記スクリューコンベアの回転速度との差を制御するものである、研磨砥粒回収装置。 （もっと読む）

【課題】貴金属の研磨に適した研磨用組成物及びその用途を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、貴金属を含むバリア層と金属配線層を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、砥粒、特定の酸化剤及び水を含有し、特定の酸化剤は、ペルオキシ基（−Ｏ−Ｏ−）の酸素上にアンモニウム、アルカリ金属、アルカリ土類金属から選ばれるいずれか一が置換した構造を有する。また、任意で研磨促進剤及び保護膜形成剤の両方又はいずれか一方を含有し、研磨促進剤は、前記貴金属を含むバリア層の研磨速度を維持又は向上させる効果を持ち、保護膜形成剤は、貴金属を含むバリア層の研磨速度を抑制しない。 （もっと読む）

【課題】ウエハソーイングシステムおよびウエハソーイングシステム内でインゴットを鋸で切る方法を提供すること。
【解決手段】システムは、インゴット入力モジュール、インゴット出力モジュール、２つ以上のワイヤソーイングチャンバであって、それぞれが２つのワイヤガイドシリンダ、ワイヤガイドシリンダの両方にわたって配設される少なくとも１つのワイヤ、単一のインゴットを受けるように構成される支持テーブル、および支持テーブル上に配設される単一のインゴットを少なくとも１つのワイヤに対して付勢するように構成されるインゴット位置決めシステムを備えるワイヤソーイングチャンバ、ならびにインゴット入力モジュール、２つ以上のワイヤソーイングチャンバのうちの少なくとも１つ、およびインゴット出力チャンバの間で単一のインゴットを移送するように構成されるロボットを含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明が解決しようとする課題は、研磨特性に優れる、即ち、高研磨レート、非スクラッチ性、平坦性に優れるＣＭＰ法の研磨パッドを提供することである。
【解決手段】 イソシアネート基末端ウレタンプレポリマー（Ａ）を含有する主剤と、イソシアネート基反応性化合物（Ｂ）を含有する硬化剤とを含む研磨パッド用ウレタン樹脂組成物であって、更にヒュームドシリカ（Ｃ）を含有することを特徴とする研磨パッド用ウレタン樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂成形体を有する研磨層を備える半導体デバイス研磨用の研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の独泡率が、６０〜９８％であり、前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の貯蔵弾性率Ｅ’に対する損失弾性率Ｅ”の割合（損失弾性率／貯蔵弾性率）ｔａｎδが、０．１５〜０．３０であり、前記貯蔵弾性率Ｅ’が、１〜１００ＭＰａであり、且つ
前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の密度Ｄが、０．４〜０．８ｇ／ｃｍ^３であることを特徴とする、前記半導体デバイス研磨用の研磨パッド。 （もっと読む）