半導体の表面を研磨するための半球状研磨用パッドを成形する方法および装置であって、中心と外側周端部とを有する円形本体部、および、外側周端部から中心に向かって延在している複数のスロット、を備えている研磨用パッドプリフォームを、ドーム状成形面上に設置する工程、ドーム状成形面および研磨用パッドプリフォームに向かい合わせてブラダーを配置する工程、ボンネット型のドーム状成形面が研磨用パッドプリフォームを一方の面から押圧し、かつブラダーが研磨用パッドプリフォームを反対側の面から押圧するように、ブラダーを流体で膨張させる工程、および、押圧するステップを所定時間維持して半球状研磨用パッドを得る工程、を備える。
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【課題】工作物表面の面粗度・平坦度・平滑度だけでなく工作物の形状精度も向上させることのできるラッピング加工方法および装置を提供する。
【解決手段】ラッピング工具の往復駆動部と、往復駆動部に取り付けるための取付部と、合成樹脂からなる球形状のラップ球と、取付部に対してラップ球を弾性的に支持する弾性支持部とを備えたラッピング工具と、工作物を取り付けるテーブルと、テーブルを直交３軸方向に相対移動させる送り機構とを有するラッピング装置を使用したラッピング加工方法であって、工作物の表面形状の測定データと目標形状との差からラッピング加工量を求める手順１０２と、その加工量からラップ力を求める手順１０３と、その押付力を得るためのラッピング工具の送り位置を求める手順１０４と、加工表面各点に対するラッピング工具の位置を送り位置とするようにラッピング工具を移動させてラッピング加工を行う手順１０５とを有する。 （もっと読む）

【課題】定盤傷を回避するラップ加工装置及び方法の提供。
【解決手段】加工量検知センサ１２を内蔵したロウバー１８をラップ定盤１３上に搭置して研磨を行うラップ加工装置であって、ラップ定盤の回転位置を検出するエンコーダ１６と、ロウバー１８の加工量を検知する加工量検知センサ１２と、ロウバー１８のラップ定盤１３に対する加圧力を制御する加圧力制御部２０と、制御部２５とを備え、この制御部２５が、加工量検知センサ１２により加工量を検知した際のノイズが、所定レベルを超える異常ノイズを検出したとき、該所異常ノイズが発生したラップ定盤１３の回転位置をエンコーダ１６により検出し、この位置がラップ定盤１３の回転周期と同期して発生していると判定したとき、検出したラップ定盤１３の回転位置の加圧力を低減しながら研磨を行うもの。 （もっと読む）

【課題】ディッシングやエロージョンなどの過研磨を防止しつつ、研磨速度を向上させることが可能な電解複合研磨方法を提供する。
【解決手段】基板表面と研磨パッドとの接触面圧を０とした状態で、基板表面の導電膜に印加する電圧を増加させた場合に、電流密度が増加から減少に転じる第１変化点Ｃの電圧を最小電圧とし、接触面圧を有限値とした状態で、前記電圧を増加させた場合に、電流密度が増加後の減少から一定値に転じる第２変化点Ｂの電圧を最大電圧とし、前記最小電圧以上かつ前記最大電圧以下に前記電圧を維持しつつ、導電膜の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】配線金属層６６の凹部６７を解消することが可能な研磨方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗ表面の配線金属層６６に電解液５０を接触させて配線金属層６６に給電しつつ、基板Ｗ表面を研磨パッド１０１に押圧しながら基板Ｗと研磨パッド１０１とを相対移動させて、配線金属層６６の表面を研磨する電解複合研磨工程を有する研磨方法であって、電解複合研磨工程前、電解複合研磨工程中または電解複合研磨工程に続いて、配線金属層６６に電解液５０を接触させて配線金属層６６に給電しつつ、基板Ｗと研磨パッド１０１とを非接触状態に保持して、配線金属層６６の表面に保護膜７０を形成する保護膜形成工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 加工装置によるウエーハの加工の際に、加工水が適当な領域に適量供給されているか、又は適正な分布をもって適量供給されているかを確認可能な加工水の確認方法を提供することである。
【解決手段】 ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハに加工水を供給する加工水供給手段と、加工水が供給される領域に加工を施す加工手段とを備えた加工装置における加工水の確認方法であって、複数の圧力センサが表面に配設された検出基板を該チャックテーブルに保持する検出基板の保持工程と、該チャックテーブルに保持された該検出基板に加工水を供給する加工水供給工程と、前記検出基板の圧力センサからの情報を表示手段に表示し、加工水の掛り具合を確認する加工水確認工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、研磨工具が配置されかつ被加工物ホルダ５と相互作用する工具ホルダ３を備えており、これらの被加工物ホルダ５および工具ホルダ３が互いに対して第１の方向および第１の方向とは異なる第２の方向に運動可能である、研磨装置１に関する。研磨工程の少なくとも一部を再現可能および文書化可能にすることを目的とする。この目的のために、第１の方向９と第２の方向１０、１２とに対して垂直である第３の方向２０において、工具ホルダ３を可撓性にする。
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【課題】ウェーハエッジ近傍に幅の狭いゾーン加圧機構を配置して微小な加圧制御を可能にするとともに、ウェーハエッジ近傍の研磨速度の変動に対して的確に制御できる加圧機構を提供する。
【解決手段】研磨ヘッド１１は、研磨パッド２２に対向配置されて回転駆動されるヘッド本体１１と、ヘッド本体１１に上下方向移動自在に遊嵌支持されたキャリアと、ヘッド本体１１に上下方向移動自在に遊嵌支持され、かつ研磨時にウェーハ２０の周囲を包囲して研磨パッド２２に接触するリテーナリング１３と、からなる研磨装置において、リテーナリング１３の内周部を内側へ延設してウェーハの外周部の上面を被蔽する内周延設部１３ｄを形成し、内周延設部１３ｄの下面には、研磨時にウェーハの外周部上面を局所的に加圧するエアバッグ３１を設けた。 （もっと読む）

【課題】 新規な化学的機械研磨装置用の支持ヘッドを提供する。
【解決手段】 支持ヘッドは、研磨面上に基板を配置するための支持ヘッドであって、共に回転すべく駆動シャフトに連結可能なハウジングと、ベースと、ハウジングをベースに枢動可能に連結して、ベースがハウジングに対して回転できるようにするジンバル機構と、基板用の取付け面を有する可撓膜と、を備え、可撓膜はベースに連結されると共にベースの下に延びてチャンバを画成する。 （もっと読む）

【課題】平坦な研磨面を一定の研磨時間で形成する化学的機械研磨装置を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、研磨パッド１により半導体基板を研磨する化学的機械研磨装置であって、研磨パッド上に残留する砥粒量を検出するセンサ３を備え、センサの検出値に基づいて、研磨条件を調整する化学的機械研磨装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハの端面の研磨を、短時間で効率よく行え、かつ装置メンテナンスの容易な研磨技術の提供。
【解決手段】 半導体ウェーハ１２の端面を研磨する研磨ヘッド１６であって、研磨ヘッド１６に取付けられたモータ３２により回転駆動される駆動ローラ４２と、駆動ローラ４２と共に研磨用エンドレスベルト３１が掛架される第１、第２のフリーローラ４３ａ、４３ｂとを備え、第１のフリーローラ４３ａと第２のフリーローラ４３ｂとの間の研磨用エンドレスベルト３１を研磨ヘッド１６の外側に向けると共に水平方向に走行させて、水平状態にある記半導体ウェーハ１２３の端面を研磨することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬ用反射型マスクなどに使用されるガラス基板の凹状欠点を減少させる研磨方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板と研磨パッド６のパッド表面との間に研磨スラリーを供給してガラス基板の主表面を研磨するガラス基板の研磨方法であって、研磨パッドの研磨荷重を１〜６０ｇ／ｃｍ^２とする。研磨パッドはスウェード系パッドであって、表面の最大山１２と最小山１３の高低差が５０μｍ以下となるようパッド表面がドレッシング加工される。 （もっと読む）

【課題】ルテニウムをバリア金属材料として用いたバリア層を研磨するバリアＣＭＰにおいて用いられる研磨液であって、バリア層に対する優れた研磨速度が得られる研磨剤を提供する。
【解決手段】表面にルテニウムを含むバリア層と導電性金属配線とを有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程において、ルテニウムを含むバリア層を研磨するための研磨液であって、酸化剤、及び、モース硬度が５以上であって、主成分が酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）以外の組成を有する研磨粒子を含有することを特徴とする研磨液である。
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【課題】研磨パッドのリバウンド部によるウェーハの外周縁部の過剰研磨を防止すると共に、研磨後のウェーハの品質性能のばらつきを抑制する。
【解決手段】ウェーハＷを研磨パッド１６に押し付けて研磨する研磨ヘッド１１の分割加圧型リテーナリング１９であって、リテーナリング１９を径寸法の異なる複数のリング分割体１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃに分割する。各リング分割体１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃは互いに独立に上下移動可能に設けられ、各リング分割体１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃの加圧値はエアー加圧機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃにより各別に設定制御される。各リング分割体１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃの加圧値を独立に制御することで、研磨パッド１６のリバウンド部３０の高さ、位置等が最適に制御される。 （もっと読む）

【課題】研磨プロファイルの均一性の高い研磨装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨装置は、ウエハＳＢの表面を研磨布ＣＬに押付けながらウエハＳＢと研磨布ＣＬとを相対運動させることによりウエハＳＢの表面を研磨する研磨装置である。この研磨装置は、ウエハ加圧部ＷＰと、第１および第２リテーナリングＲＲ１，ＲＲ２とを備えている。ウエハ加圧部ＷＰは、ウエハＷＰの裏面側に圧力をかけることによってウエハＷＰの表面を研磨布ＣＬに押付ける。第１リテーナリングＲＲ１は、ウエハＳＢの外周側に配され、研磨布ＣＬを押付ける。第２リテーナリングＲＲ２は、第１リテーナリングＲＲ１の外周側に配され、第１リテーナリングＲＲ１とは独立して圧力制御可能な構成を有する。 （もっと読む）

基板が取り外し可能に接続されるベースと、基板の上面から材料を除去するように、その接触面が作動可能にベースに対して配置された移動ベルトと、複数のアクチュエータであって、少なくとも２つが独立して制御可能であり、移動ベルトと基板の上面との間に圧力を供給するために、対応する複数の圧力ゾーンが画成されるように、ベースおよび移動ベルトに対して配置された複数のアクチュエータとから方法および装置を構成する。
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【課題】研磨砥粒の埋め込み効率の向上と研磨定盤の平坦度の維持とを両立できる研磨装置を提供する。
【解決手段】スライダの研磨装置１は、スライダを研磨する研磨面２ａを備えた回転可能な研磨定盤２と、研磨砥粒を含む懸濁液を研磨面上に供給する懸濁液供給手段と、研磨定盤の研磨面と対向して配置され、回転する研磨定盤の研磨面に押付けられることによって、研磨面の平坦度を維持するコンディションリング８と、研磨定盤の研磨面と対向して配置された埋め込みリング１６を備えるチャージングユニット９であって、埋め込みリング１６が回転する研磨定盤の研磨面に押付けられることによって、懸濁液供給手段によって供給された懸濁液に含まれる研磨砥粒を研磨面に埋め込むチャージングユニット９と、スライダを保持し、スライダの研磨対象面を研磨面に押付けるスライダ保持手段１０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】基板の縁部を研磨するように適合されたシステムが提供される。
【解決手段】基板の縁部を研磨するように適合された装置及び方法は、（１）研磨表面及び第２の表面を有する研磨テープ、及び（２）長手方向軸を有し、上記研磨テープの研磨表面を基板の縁部に接触させるように適合された研磨アーム２０１を含む。研磨アーム２０１は、i）上記研磨テープの第２の表面に接触するように適合された研磨ヘッド２０４と、ii）上記研磨ヘッド２０４に結合されて、上記研磨アーム２０１の長手方向軸の回りに上記研磨ヘッド２０４を回転させるように適合されたロッカーアーム３０４と、iii）上記ロッカーアーム３０４に隣接して延長されて、上記研磨アーム２０１の長手方向軸に直交する方向に上記研磨ヘッド２０４を移動させるように適合されたロードアーム３１４とを含む。多数の他の態様が提供される。 （もっと読む）

【課題】ロボットアームなど回転駆動源や圧力空気の供給源を有しない機器に装着して使用することができ、刃具を傾動可能に高速回転させて、バリ取りなどの加工などを良好に行うことができる加工工具を提供する。
【解決手段】固定ケース２内に荷重を吸収するための荷重吸収部材８が吸収ばね９を介して軸方向に摺動可能に配設され、荷重吸収部材８の端部の外周部に傾動支持ピン装置２０が配設される。傾動支持ピン装置２０は、多数の傾動支持ピン２２を軸方向に向けて且つばね部材２３により先端側に付勢して配設される。傾動支持ピン装置２０の先端側の固定ケース内に傾動ケース４が軸線に対し傾動可能に配設され、傾動ケース４内には摺動ケース４１がばね部材３６に抗して軸方向に摺動可能に配設される。摺動ケース４１内にモータ６が回転軸を先端側に向けて取り付けられ、回転軸の先端にチャック部３５が取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】素子の研磨量のばらつきを抑える。
【解決手段】スライダの研磨装置は、スライダとなるべき素子を研磨するための、回転可能な研磨定盤と、内部空間３２を有し、研磨定盤と直交する研磨定盤直交軸Ｃに沿って延びる押付け力調整部材３１と、押付け力調整部材３１に接続され、素子を押付けるためのプッシャ６と、押付け力調整部材３１に接続され、内部空間３２に気体を供給する気体供給手段５１と、を有している。押付け力調整部材３１は、プッシャ６との接続部を含む第１の部分３４と、内部空間３２と気体供給手段５１との連絡部を含む第２の部分３６と、第１の部分３４と第２の部分３６との間に設けられ、内部空間３２の圧力に応じて研磨定盤直交軸方向Ｃの長さが変化する軸方向変形部３７と、を有し、軸方向変形部３７が変形することによって、押付け力調整部材３１のプッシャ６に対する押付け力が変化する。 （もっと読む）