工作物表面を研磨するための表面処理装置は、研磨ディスクを動かすように構成された運動発生デバイス、安定化手段、及び力制御デバイスを包含する。安定化手段及び力制御デバイスは協働して、研磨ディスクと工作物表面との間の接触力が設定レベルを上回るのを防止する。一実施形態では、力制御デバイスは、最大力制御レベルを有し、設定レベルは、最大力制御レベルよりも小さい。一実施形態では、安定化手段は、固定部及び可動部を有する。
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【課題】 研磨布の取り替えが容易であり、研磨定盤の分解・洗浄時期のインターバルを長くし、その分解・洗浄時期が来たら自動的に作業者に知らしめる研磨定盤の提供。
【解決手段】 洗浄液導入管１３ａと気体排出管１３ｂと気体供給管１６の通路を有する基台１８の上面に底部に洗浄液・気体流通室７ｂを有するバキューム受台７を固定し、この上面に研磨布３ａが貼着されたポーラスセラミック支持台３が載置された研磨定盤１。洗浄液・気体流通室の圧力を真空圧検出センサー５９で検出し、この真空圧検出センサーが検出した真空圧力Ｖ_ｉが記憶されている真空圧力の仕切り値Ｖ_ａの値またはそれを超えた値となったとき、電子スイッチが作動し、研磨装置の駆動モータＭを停止させるか、警報を伝達する。 （もっと読む）

本開示は、化学機械研磨（ＣＭＰ）に有用な研磨物品に関し、この物品は、対向する主表面を有する基材と、主表面の少なくとも１つの少なくとも一部分にオーバーレイする研磨材と、基材の近くに位置付けられた、ＣＭＰ情報を提供するための手段と、基材の近くに位置付けられかつＣＭＰ情報をリモートレシーバに送信するように適合されたトランスミッタとを包含する。本開示はまた、ＣＭＰ情報を通信するための手段を有するＣＭＰパッドコンディショナー、ＣＭＰプロセスモニタリングシステム、及びＣＭＰパッドをコンディショニングするための方法に関する。
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【課題】研磨パッドでウエーハの被研磨面から均一厚さに研磨することができる研磨装置を提供することである。
【解決手段】ウエーハの加工領域を回転中心から同心円状にウエーハリングとして区画し、加工位置が変化するように各ウエーハリングに研磨パッドを位置付けて研磨する上で、ウエーハリング毎の加工量が同一となるように各ウエーハリングに研磨パッドを位置付けて研磨する加工時間Ｔ_iを加工時間管理手段１３０で管理するようにした。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハや硝子板等の板状ワークの両面を同時に研磨する研磨装置で、厚みや平面度等のバラツキの異なる複数のワークを同時に高精度で且つ仕上がり厚みが目標値に一致し、ワレ・カケ無い研磨装置及び方法を目的とする。
【解決手段】研磨加工前のワークの平行及び平面度とバッチ内の厚みバラツキを考慮し予め決められた仕上り厚みより各加工の分岐点である目標寸法値を定め、ワークへ供与する上ラップ板の荷重及びキャリヤの自・公転比と加工速度及び研磨剤の供給量をプログラム設定することにより加工前の厚みのバラツキの大きいワークや脆性材料等の許容荷重に制限のあるワークを高精度でワレやカケ等無く目標厚みで研磨加工を終了することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】加工孔の内径及び加工面性状を安定化させるととともに加工時間を短縮させることができるホーニング加工方法及びその装置を提供する。
【解決手段】ホーニング砥石をワークの加工孔内に挿入し、第１の切込み力Ｆ_１で荒研削する荒切込みステップＳ１と第２の切込み力Ｆ_２で仕上げ研削する仕上げ切込みステップＳ２とにより加工孔の内周面を加工するホーニング加工において、加工孔の内径データに基づいて算出される所定時間当たりの研削量が所定研削量より大きい場合には次の加工孔のホーニング加工における第１の切込み力を減少させるとともに荒切込みステップにおける加工径Ｄ_２を小さくし、上記研削量が所定研削量より小さい場合には次の加工孔のホーニング加工における第１の切込み力を増加させるとともに荒切込みステップにおける加工径を大きくするように補正する。 （もっと読む）

【課題】研磨面と基板キャリアの距離を一定に保ちつつ基板に加わる研磨圧力を調整することができる基板キャリアシステム、および研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨の間、基板Ｓを保持する基板キャリア１０と、基板キャリア１０を駆動、上昇下降させるために基板キャリア１０に接続された基板キャリア駆動軸１２と、前記基板キャリア駆動軸１２に接続されたボールネジ５８及びボールナット５９と、前記ボールネジ５８に取り付けられたパルスモータと、基板Ｓと基板キャリア１０との間に加圧流体を供給するための加圧流体源と、前記パルスモータ、前記ボールネジ５８及びボールナット５９によって基板キャリア１０が所望の鉛直方向位置で固定されるまで、基板キャリア１０の鉛直方向位置を制御し、且つ基板Ｓを研磨面１７Ａに対して押圧するために基板Ｓと基板キャリア１０との間に加圧流体を供給するための、制御機構を備えた。 （もっと読む）

【課題】高度な平坦面を有する被研磨物を提供することができる研磨装置および研磨方法を提供する。
【解決手段】所定方向に回転可能な研磨定盤１の一面に研磨パッド２を設け、研磨定盤１の回転軸と偏心した位置にスピンドルヘッド５を設け、スピンドルヘッド５の研磨パッド２との対向面にバックパッド６を設ける。研磨パッド２との相対回転により表面研磨処理が施される薄板状の被研磨物として、ウェーハＷをバックパッド６に保持する。バックパッド６の樹脂層の圧縮率が６〜２５％であり、かつ、樹脂層の圧縮率と研磨パッド２の圧縮弾性率との積が６００〜２１００の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの押圧力を全面に亘って所望の値に制御でき、特に、ウェーハのエッジ部分の押圧力を局所的に所望の値に制御でき、ウェーハの品質が保てるウェーハ研磨装置及び方法を提供する。
【解決手段】ウェーハＷを保持ヘッド１４で保持し、保持ヘッドを介してウェーハを研磨パッド２０に押し付けて研磨するウェーハ研磨装置である。保持ヘッドは、ウェーハを研磨パッドに押し付けるキャリアと、キャリアの周囲に配設されるリテーナーリングと、キャリアの下側に同心円状に配される円環状の複数の弾性部材と、弾性部材内部のエア室内に加圧ガスを供給するエア供給ラインとを備え、最外周のゾーンゴム環５２Ｄがウェーハの周縁部分を押圧する位置に配され、ウェーハの径方向に押圧力分布が形成されるように押圧面５３Ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜、バリア金属膜及び導体膜を有する基板を、同一金属用研磨液で連続的に導体膜の残膜とバリア金属膜とを研磨することが可能であり、配線部と絶縁膜の平坦性が良好で、かつ、スクラッチを低減することが可能な半導体デバイスの研磨方法を提供する。
【解決手段】凹部を有する、基板或いは層間絶縁膜の表面に一面に形成されたバリア金属膜と、該バリア金属膜の表面に前記凹部が埋まるように形成された銅又は／銅合金からなる導体膜とを連続的に一つの研磨液で研磨する半導体デバイスの製造工程における被研磨体の研磨方法であって、該研磨液が（１）酸化剤、（２）カルボキシル基を２つ以上有するアミノ酸、及び（３）研磨用粒子を含有することを特徴とする半導体デバイスの研磨方法。 （もっと読む）

【課題】ホーニング加工装置において、砥石の目詰まりを予測し、砥石の研削能率が所定の程度以上に低下する前に目詰まりを解消させることによって、加工サイクルタイムを安定化する。
【解決手段】ホーニング加工装置において、取代と加工数の積と加工時間との相関関係に基づいて、計測された取代及び加工数から次回の加工時間を予測し、次回の加工時間が、加工時間上限として予め設定された閾値よりも大きい値となれば、次回の加工において、ホーンの砥石の目詰まりを解消するために該砥石を加工面に圧接させる自浄動作を伴うホーニング加工を行う。さらに、前記自浄動作を伴うホーニング加工において、加工面に対するホーンの拡張圧を一サイクルの加工のうちに変化させて、砥石の目詰まりを解消する程度に高圧としたのち、加工面の仕上げ段階では、自浄動作を伴わないホーニング加工における加工面に対するホーンの拡張圧に略等しい低圧とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ等の基板を平坦化する研磨を、高精度に行うことのできる基板研磨装置および基板研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨面を有する研磨テーブルと、研磨対象の基板を保持して研磨テーブルの研磨面に押圧する基板保持装置と、基板上に形成されている膜の膜厚を測定する膜厚測定装置と、を備えた基板研磨装置であって、基板保持装置は、研磨テーブルの研磨面に摺接させる基板を複数の領域に区画して、領域毎に研磨面に押圧する押圧力を調整する調整手段を有し、基板保持装置の基板の領域毎に加える押圧力を、膜厚測定装置による基板上の膜厚の測定情報に基づいて、調整するようにした。また、膜厚測定装置が基板の各領域の膜厚を測定し、基板保持装置の基板の領域毎に加える押圧力を、領域毎の膜厚の測定情報に基づいて調整する。 （もっと読む）

【課題】押圧スライダの応答性、リニアリティを向上させ動作精度を高めた多連エアアクチュエータ及び研磨精度を高めた多連アクチュエータを有する磁気ヘッド研磨装置を提供する。
【解決手段】矩形状の天板及び前記天板の周縁から下向きに延びる周壁を有する筐体と、天板及び周壁により画成される内部空間を、並列に配置される複数の矩形状シリンダ室に仕切る仕切り板と、複数のシリンダ室内の各々に収容され、前記シリンダ室内を移動可能な複数の矩形状の押圧スライダと、複数のシリンダ室の内面若しくは前記押圧部材の外面に配置されるエア噴出部材を備え、供給される気体を前記エア噴出部材から噴出することにより押圧スライダをシリンダ室内で非接触に支持する多連エアアクチュエータ及びそれを備える磁気ヘッド研磨装置。 （もっと読む）

本発明は、コストを削減した液体処理ユニット（100）に関する。本発明によれば、制御バルブ（118,120,122）の入力ポートに接続された制御ユニット（152）が、基板の所定若しくは所望の温度及び／又は基板での気体雰囲気の所定若しくは所望の圧力における基板上の処理液の蒸発速度に基づいて、液体処理のために基板に塗布される分配パルスの数、個々の分配パルスの各パルス継続時間、並びに個々の分配パルス間の各分配中断時間を設定するように構成されている。このようにして、処理液の使用を最小量まで低減し、それにより処理液を分配および洗浄するためのコストを削減する。
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【課題】被研磨体（ウエハ）を研磨する際に、該被研磨体の被研磨面と研磨パッドとの接触圧、及び定盤の回転数が低い条件であっても、高研磨速度で、且つ、低ディッシングを可能とする研磨方法を提供すること。
【解決手段】金属用研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、該研磨定盤を回転させることで、該研磨パッドを被研磨体の被研磨面と接触させつつ相対運動させて研磨する研磨方法であって、前記金属用研磨液が、無機粒子と有機粒子との複合体からなる研磨粒子、２級又は３級の窒素原子を含む有機酸、及び複素環化合物を含有し、前記被研磨面と前記研磨パッドとの接触圧力が４０００〜１２０００であり、且つ、前記研磨定盤の回転数が５０〜１００ｒｐｍであることを特徴とする研磨方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハＷの面圧を均一に安定化させ、高い平坦度及びよい表面粗さを実現できる圧力制御装置を実現する。
【解決手段】供給路２１、供給路１７に水が供給されることで、チャック１３のウェーハ保持面Ｃwに水を供給して、チャック１３のウェーハ保持面ＣwとウェーハＷとの間に、液体ベアリング層が形成される。圧力制御弁３０（減圧弁３０）は、供給路２１のうち水ベアリング層よりも上流の箇所３０Ａに設置されており、コントローラ４０は、圧力制御弁３０に圧力指令信号を出力する。圧力指令信号に応じて、当該供給路２１の圧力制御弁設置箇所３０Ａにおける水の圧力Ｐvが調整されることによって、水ベアリング層におけるバックプレス圧Ｐwが制御される。 （もっと読む）

【課題】たとえ６５ｎｍ乃至それ以降のより微細な配線構造を有する半導体デバイスであっても、基板の表面に形成した余剰な金属膜やバリア膜を、研磨速度及びその基板表面内での均一性を維持し、かつディッシングやエロージョンの発生を抑制しつつ研磨できるようにする。
【解決手段】基板表面の絶縁膜内に設けた配線用凹部以外に形成された金属膜及び／またはバリア膜を研磨除去する研磨装置５４の研磨パッド６６を初期コンディショニングするにあたり、研磨パッド６６にドレッサー３８を０．６ｐｓｉ以下の押付圧力で押付けながら第１のコンディショニングを行い、基板研磨時よりも大きい研磨圧力でダミー基板を研磨して第２のコンディショニングを行う。 （もっと読む）

【課題】 従来技術に比して確実かつ簡易な方法をもって、変更前の設定圧力から変更後の設定圧力に至るまで、チャックおよびリテーナを加圧する圧力の変化率をほぼ同等なものとして、ほぼ同じ時期に変更後の設定圧力に到達させる。
【解決手段】 研磨レシピに従い、第１の圧力指令値および第２の圧力指令値を順次変更して、下エアバッグ１５および上エアバッグ１６内の圧力Ｐ1、Ｐ2を、各設定圧力に変更するとともに、各変更された設定圧力を所定時間保持する制御を行う。この制御は、変更前の設定圧力から変更後の設定圧力に至るまでの圧力変化幅を、分割して、分割した各圧力指令値Ｌ41b、Ｌ42bを生成し、変更前の圧力指令値から変更後の圧力指令値に至るまで、分割した各圧力指令値Ｌ41b、Ｌ42bを順次出力することで、変更前の設定圧力から変更後の設定圧力に至るまで、チャック１３およびリテーナ１４を加圧する圧力を段階的に変化させるようにして行う。
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【課題】高記録密度、特に５０Ｇビット／平方インチ以上の高記録密度の磁気ディスク用基板に必要な高平滑な基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】体積平均粒子径０．００５〜０．１μmのコロイダル粒子を含有する研磨液組成物Ａを基板に供給して６ｋＰａ以上の主加工圧で該基板を研磨した後、さらに主加工圧の２０〜８０％の加工圧で該基板を研磨する工程を有する磁気ディスク用基板の製造方法、並びに下記の工程を有する磁気ディスク用基板の製造方法：（工程１） 体積平均粒子径０．００５〜０．１μmのコロイダル粒子を含有する研磨液組成物Ｂを基板に供給し、６ｋＰａ以上の主加工圧で該基板を研磨する工程、及び（工程２） 工程１で得られた基板に、体積平均粒子径０．００５〜０．１μmのコロイダル粒子を含有する研磨液組成物Ｃを供給し、工程１の主加工圧の２０〜８０％の加工圧で該基板を研磨する工程。 （もっと読む）

【課題】フィレットロール治具にヘッドストック側から離れる方向の反力が発生する片フィレットロール加工を可能にするフィレットロール加工機を提供する。
【解決手段】ヘッドストック１０のチャック機構２０にバックアップ５２を設けると共に、第１フィレットロール治具６５−１のテールストック３側の側面とバックアップ５２に当接して第１フィレットロール治具６５−１の軸方向移動を規制するバックアップブロック８０を備える。フィレットロール加工の際、フィレットロール６６から第１フィレットロール治具６５−１に作用する軸方向の反力が、バックアップブロック８０及びバックアップ５２等を介してヘッドストック１０によって受け止められ、第１フィレットロール治具６５−１の軸方向の移動が規制されてロール圧力が隅Ｒ部Ｒ１に付与されて良好なフィレットロール加工が行われる。 （もっと読む）