【課題】種々の形状のワークの修正研磨の行えるワークの片面研磨装置を提供する。
【解決手段】ワークの片面研磨装置は、ワーク保持ヘッド２０と、上面に研磨パッドが貼付された定盤とを具備し、ワーク保持ヘッド２０のヘッド本体２２内に形成された加圧室３３と、該加圧室３３に加圧流体を供給する加圧源と、加圧室３３内に位置してヘッド本体２２に取付けられ、保持プレート２６の少なくとも周方向の複数個所を部分的に押圧する複数のアクチュエータ４０ａ、４０ｃ、４０ｅと、該アクチュエータの保持プレート２６への押圧力を調整する調整手段とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰに際して、膜の剥離が起き難く、研磨効率が高く、更には研磨速度の面内均一性に優れ、研磨ムラが起き難く、平坦性に優れたウェハが得られると言った研磨特性に優れた技術を提供することである。
【解決手段】研磨パッドが半導体ウェハに押し当てられて化学的機械的研磨する方法であって、研磨温度が１５〜７０℃に制御されると共に、研磨圧力が０．１〜２．０ｐｓｉに制御されて化学的機械的研磨が行なわれる。 （もっと読む）

【課題】シリンダブロックのシリンダボアに対する仕上げ加工に際し、ダミーヘッド等の加工用治具を用いることで生じる加工工程の複雑化や高コスト化を招くことなく、仕上げ加工後にシリンダボアに対して組付け変形と逆方向の変形を付与することができ、シリンダヘッドの組付け時におけるシリンダボアの真円度の悪化を抑制することができるシリンダブロックの加工方法等を提供すること。
【解決手段】ウォータジャケット６の内側面を形成するシリンダ部外周面１５のうち、シリンダヘッドを締結するためのボルト位相の部分を押圧することにより、シリンダ部５における、前記押圧した部分のシリンダボア４側からの圧力（ホーニング加工による砥石４３からの面圧）に対する剛性を、他の部分に対して高めた状態で、シリンダボア４に対する仕上げ加工を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ４の周縁部における研磨量の過不足を防止し、より平坦度の高い研磨を行うことができ、また半導体ウエハ４の周縁部の研磨量を意図的に増減することができるポリッシング装置及び方法並びにトップリングを提供する。
【解決手段】上面に研磨布を貼ったテーブル５と、ポリッシング対象物を保持するトップリング１と、トップリング１に押圧力を与えるための空気圧を調節する第１のレギュレータと、トップリング１の周囲に上下動自在に配置されたガイドリング３と、第１のレギュレータとは独立に、ガイドリング３に押圧力を与えるための空気圧を調節する第２のレギュレータとを有した。 （もっと読む）

【課題】ワーク外形寸法に影響する加工パラメータをワーク加工処理中に取得することのできる加工機を提供する。
【解決手段】回転可動な上側加工ディスク１０を有し、上側加工ディスクのリング状加工面は加工用コートが被着されて、下側加工面１２に対向し、上下の加工面は互いの間に加工間隙を形成し、加工間隙に複数枚のロータディスクが配置され、ロータディスクは凹部にワークを収容して、回転デバイスによって回転させられてサイクロイド軌道を描いて移動する機械加工機において、少なくとも１つの加工パラメータを取得する複数個のセンサ素子３２が上側加工ディスク内でディスクの断面全体に配置される。センサ素子の各々は、アクティブまたはパッシブＲＦＩＤチップと組み合わされた素子であり、ＲＦＩＤチップの加工パラメータを読み出す読取りデバイス３４は上側加工ディスクに設置される。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗のばらつきが抑制された高品質の半導体装置を安価に作製することが可能な半導体装置の製造装置を得ること。
【解決手段】化学研磨液を用いて化学的機械的研磨を行う研磨パッドと、前記研磨パッドを設置する回転可能な定盤と、表面層に凹部が形成された基板の前記凹部の形成面を前記研磨パッドの表面に対向させて保持する保持手段と、前記保持手段により保持された前記基板を前記研磨パッドに対して押圧して前記基板の前記凹部の形成面を前記研磨パッドの表面に当接させる押圧手段と、前記基板の前記凹部の形成面と前記研磨パッドとの当接面にめっき液を供給するめっき液供給手段と、前記基板および前記定盤間にめっき電圧を印加する電圧印加手段と、前記研磨パッドの表面に前記化学研磨液を供給する研磨液供給手段と、を備え、前記基板の表面に対するめっき膜の形成と、前記基板の表面の化学的機械的研磨と、を行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】研磨速度を増大させて研磨の均一性を向上させる温度制御研磨ヘッドを有する化学機械研磨システムを提供する。
【解決手段】化学機械研磨システムは、ウェーハ６の研磨に用いる。化学機械研磨システムは、研磨ヘッドと、研磨ヘッドに接続され熱媒体が充填された内管１６と、内管１６に接続された媒体加熱装置２０と、内管１６に接続された圧力制御装置１８と、を備える。 （もっと読む）

ａ面、ｒ面、ｍ面、及びｃ面配向からなる群から選択される結晶配向を有し且つ約０．０３７μｍ／ｃｍ²以下のｎＴＴＶを有する概ね平坦な表面を含み、ここでのｎＴＴＶは該概ね平坦な表面の表面積で規格化された総厚みばらつきであり、該基板は約９．０ｃｍ以上の直径を有する、サファイア基板。
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【課題】半導体ＣＭＰに好適なキャリアヘッドを提供する。
【解決手段】ハウジング１０２と、ベースアセンブリ１０４と、保持リング２００と、キャリアリング４００と、フレキシブル膜３００，５００とを有するキャリアヘッドであって、ベースアセンブリ１０４は、ハウジング１０２に対して垂直方向に移動可能である。保持リング２００は、第１のフレキシブル膜３００を介してベースアセンブリ１０４に接続されており、ベースアセンブリに対して垂直方向に移動可能であり、また、研磨パッドに接触するように構成された下面と、基板のエッジを取り囲んで基板１０を保持するように構成された内面とを有する。キャリアリング４００は、ベースアセンブリ１０４に接続され、かつベースアセンブリに対して垂直方向に固定され、保持リング２００の横方向の動きを防ぐために、保持リングを取り囲んでおり、また、研磨パッドに接触するように構成された底面を有する。 （もっと読む）

【課題】圧力室の気密が保たれずに加圧流体の漏れが生じた場合に、たとえ基板の研磨工程の途中であっても、研磨工程を中断することなく、加圧流体の漏れを速やかに止めることができる基板保持装置及び基板研磨装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持して研磨面１０１に押圧するトップリング１と、トップリング１に設けた弾性膜７と基板Ｗとによって画成された圧力室２２と、圧力室２２に加圧空気を供給する加圧流体供給手段とを備えた基板保持装置において、弾性膜７と基板Ｗの密着部における加圧流体の漏れを検知するセンサＳ１と、加圧流体の供給圧力を調節する加圧流体供給圧力調節手段（圧力コントローラＰ３）とを備え、加圧流体漏れ検知手段で加圧流体の漏れを検知した際に、加圧流体供給圧力調節手段で加圧流体の供給圧力を一時的に低下させて加圧流体の漏れを止めるように構成した。 （もっと読む）

【課題】研磨レートを低下させずに、平坦性よくＣＭＰできる製造方法を提供する。
【解決手段】第１の研磨工程（Ｓ１）では、研磨盤（２）に配された研磨パッド（１）を第１のコンディショナ（５Ａ）でコンディショニングしながら、研磨キャリア（４）に保持された基板（３）を研磨パッド（１）に押し付けて研磨し、研磨パッド平坦化工程（Ｓ２）では、研磨パッド（１）の表面を平坦化し、第２の研磨工程（Ｓ３）では、研磨パッド平坦化工程（Ｓ２）で平坦化された研磨パッド（１）に基板（３）を押し付けて研磨する。 （もっと読む）

研磨式の表面研磨工具と研磨される被加工物の表面との間の間隔を動的に制御して、被加工物の表面と接触する研磨パッドの領域のばらつきを補償することにより、この接触領域のサイズのばらつき、及びそれに伴う表面高さの変動を生じる材料除去量のばらつきを解消する。
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【課題】 半導体ウェハの周縁部の広い領域に効果的に圧力を加えて研磨を行うことが可能な半導体ウェハの研磨方法を提供する。
【解決手段】 周縁部に研磨対象面を有する半導体ウェハ１０を円周方向に回転させながら、複数の押圧部３２により半導体ウェハの円周に沿って研磨部材４１を研磨対象面に押し付けて、研磨対象面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】被加工物の被加工面に多数の微細凹部を形成した後、微細凹部の周囲に生じた盛上り部分を研削加工により除去するに際し、最終的に得られる微細凹部の深さのばらつきを極力小さくし、加工効率の向上を実現する仕上げ加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物Ｗ１における円周面である被加工面Ｓ１に多数の微細凹部Ａを形成した後、微細凹部Ａの周囲に生じた盛上り部分Ｂを研削加工により除去するに際し、被加工面Ｓ１に研削工具であるホーニング砥石１を押付けた状態にし、ホーニングツールを回転させて盛上り部分Ｂを除去しながら、研削抵抗及び押付け圧力の少なくとも一方を検出し、その検出値に基いて加工完了を判断することにより、微細凹部の深さのばらつきを極力小さくして加工効率の向上を実現した。 （もっと読む）

【課題】生産性を損なわずに磁気ディスク基板の表面粗さを低減できる磁気ディスク基板用研磨液組成物と、これを用いた磁気ディスク基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の磁気ディスク基板用研磨液組成物は、水と、シリカ粒子と、酸、酸の塩及び酸化剤から選ばれる少なくとも１つとを含有する磁気ディスク基板用研磨液組成物であって、前記シリカ粒子は、透過型電子顕微鏡観察による測定で得られた該シリカ粒子の最大径を直径とする円の面積を該シリカ粒子の投影面積で除して１００を乗じた値が１００〜１３０の範囲である磁気ディスク基板用研磨液組成物である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程などにおいて、基板の周縁部等に発生する表面荒れや基板の周縁部等に付着し汚染源となる膜を効果的に除去することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】研磨テープ２１と、基板Ｗを回転させる機構と、回転する基板のベベル部に研磨テープ２１を押圧する研磨ヘッド４１とを備え、研磨ヘッド４１は、二つの突出部４２ａ，４２ｂを有した支持部４２と、二つの突出部４２ａ，４２ｂの端部の間に張設され研磨テープ２１を支持するための弾性部材４３と、基板の径方向に研磨ヘッド４１を移動させるためのエアシリンダ４５とを備え、研磨ヘッド４１の支持部４２をエアシリンダ４５により基板の径方向に移動させ、弾性部材４３を延ばして弾性部材４３に張力を発生させ、この張力により一定の力で研磨テープ２１を基板のベベル部に押圧してベベル部を研磨する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の主表面上で複数計測した算術平均粗さＲａにおいて最大値Ｒａ（ｍａｘ）−最小値Ｒａ（ｍｉｎ）の値を低減し、磁気ヘッドの低浮上量化を向上させることが可能な磁気ディスク用ガラス基板および磁気ディスクの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】円盤状のガラス基板１の主表面を研磨して磁気ディスク用ガラス基板を製造する製造方法において、ガラス基板１の両主表面に、アスカーＣ硬度が８８以上の研磨テープ１２を押圧し、研磨材を含む研磨液を供給しながら、ガラス基板１と研磨テープ１２とを相対的に移動させて研磨を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 直線状平行の結晶欠陥集合領域Ｈと低欠陥単結晶領域Ｚ、あるいは直線状平行の結晶欠陥集合領域Ｈと低欠陥単結晶領域Ｚ、Ｃ面成長領域Ｙが交替するようなストライプ構造を持つ３族窒化物基板結晶を片面研削、研磨するときにウエハ研磨プレートへの貼付けによって研削、研磨の出来映えが著しく異なる。ストライプ構造を持つ３族窒化物ウエハの研磨後の平坦性を上げ、面粗度を小さくし、面だれを少なくして良品の比率を上げる。
【解決手段】 圧縮率が１％〜１５％のパッドを持つ研磨定盤を用い、複数のストライプ型３族窒化物ウエハをストライプＳの方向が回転方向Ｇと垂直になるように研磨ホルダ−Ｋに放射状に貼付け、研磨ホルダーＫがウエハＷに与える圧力を１００ｇ／ｃｍ^２〜１５００ｇ／ｃｍ^２にして、ｐＨが１〜１２の研磨液を供給しつつ研磨ホルダ−と研磨定盤を回転させながらストライプ型３族窒化物ウエハを研磨する。 （もっと読む）

【課題】負荷電流値や荷重センサによらない加工手段の負荷検出を可能として加工手段の送り動作を確実かつ安定して行うことができる加工装置を提供する。
【解決手段】加工ユニット３０の送り動作で変化するエアベアリングスピンドルのスラスト方向あるいはラジアル方向のギャップ量を、該ギャップに生じるエア圧力の変化で認識し、加工ユニット３０の送り動作を安全に制御する。 （もっと読む）

【課題】加工ディスクの変形のために、上部加工ディスクの意図的な変形や作用ギャップを適切に変化させる。
【解決手段】上下キャリア・ディスクに保持される上下加工ディスクと、キャリア・ディスクを軸心を同じにして相互に配置され、駆動シャフトを介して作動モータにより互いに相対的に回転駆動されるよう構成され、かつ、ワークの両面を加工処理する作用ギャップを形成する加工ディスクと、作用ギャップの間隔をあけた位置で加工ディスク間の距離を測定する距離測定装置とを備える。さらに、上部キャリア・ディスクは、駆動シャフトに連結された支持リング上に懸垂され、キャリア・ディスクの環状部分および支持リングと力発生器により支持リングの外周からキャリア・ディスクの外周に付与される半径方向力を介して外部から制御可能な手段と、距離測定装置の測定値または力計測装置の測定値のそれぞれに基づいて力発生器の力を調整する制御手段を備える。 （もっと読む）