【解決手段】回転型小型加工ツールの研磨加工部を半導体用合成石英ガラス基板表面に１〜５００ｍｍ²の接触面積で接触させ、基板表面上を前記研磨加工部を回転させながら走査させて、基板表面を研磨することを特徴とする半導体用合成石英ガラス基板の加工方法。
【効果】本発明によれば、ＩＣ等の製造に重要な光リソグラフィー法において使用されるフォトマスク基板用合成石英ガラス基板等の合成石英ガラスの製造において、比較的簡便でかつ安価な方法でＥＵＶリソグラフィーにも対応可能な平坦度の極めて高い基板を得ることができる。 （もっと読む）

本発明は、シリコン・ベアー・ウエハー研磨装置用キャリア・ヘッドに関し、シャフト（Ｓ）の下降移動によって研磨パッド（７００）の面と平行に整列されるように前記シャフト（Ｓ）のアダプダ（１０）にチルト可能に結合され、前記シャフト（Ｓ）の下降によって加えられる圧力を下部に伝達するキャリア・ヘッド・ハウジング（１００）と、前記キャリア・ヘッド・ハウジング（１００）の本体部（１１０）の縁部（１２０）の下端部に締結されて、前記シリコン・ベアー・ウエハー（Ｗ）がキャリア・ヘッド・ハウジング（１００）から離脱しないように支持し、前記キャリア・ヘッド・ハウジング（１００）の下降による圧力によって研磨パッド（７００）に密着するリテーナ・リング（２００）と、前記キャリア・ヘッド・ハウジング（１００）の本体部（１１０）の中央下部に前記リテーナ・リング（２００）と独立して垂直昇降移動するように結合され、下面にシリコン・ベアー・ウエハー（Ｗ）を吸着支持する弾性ゴム体（４００）が固定される加圧プレート（３００）と、を備えるシリコン・ベアー・ウエハー研磨装置用キャリア・ヘッドに関する。したがって、研磨パッドにシリコン・ベアー・ウエハー（Ｗ）を均一に密着させて、端部を含むシリコン・ベアー・ウエハー（Ｗ）全体を均一に研磨することができる。
（もっと読む）

【課題】光ディスクなどの年輪状痕等を低減可能とする。
【解決手段】チャンバ１５により区画されたラッピングプレート３２上に被研磨部材であるスタンパ１の被研磨面である裏面１ｂを接触させ、ラッピングプレート３２の回転駆動により前記裏面１ｂを研磨する研磨方法であって、チャンバ１５内に、ゲージ圧力を０．０１ＭＰａから０．５ＭＰａの間に設定した圧縮空気を導入して前記スタンパ１を前記ラッピングプレート３２へ押圧する。ラッピングプレート３２を回転駆動することと、チャンバ１５内に供給する加圧流体のゲージ圧力を０．０１ＭＰａから０．５ＭＰａの間に設定することとの協働によりスタンパ１の裏面１ｂのＲａの値を０．０２以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨加工部に作用する押圧力を正確に検出可能な押圧力検出装置を提供する。
【解決手段】研磨ヘッドの駆動軸３０は、支持フレーム部２３に回転自在かつ回転軸方向に移動自在に支持され、ヘッド回転機構４０及びヘッド昇降機構５０により駆動される。この駆動軸３０と研磨ヘッド７０とは、カップリング部６０により回転軸方向にのみ弾性的に相対変位可能に接続されるとともに、カップリング部６０には駆動軸３０と研磨ヘッド７０との相対変位を非接触で検出する相対変位検出部１１０が設けられる。演算処理装置１２０は、検出された相対変位量およびカップリング部６０の弾性係数に基づいて研磨荷重を算出する。 （もっと読む）

【課題】被加工物ごとに異なる多数の設定圧力を、容易且つ短時間で安定した圧力に切り替えることができ、セット替えのサイクルタイムを短縮して製造設備の投資効率を向上させると共に、安定稼動させることができる超仕上げ装置を提供する。
【解決手段】砥石１１を保持するシリンダ３１に圧力流体を供給する圧力流体供給回路３０は、入力信号Ｓに応じてシリンダ３１に供給する圧力流体の圧力を調整する電空圧力調整弁４０を備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ工程中におけるリテーナリングの変形を最小にすることができるウェハのベベル部の形状管理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るベベル部形状管理方法は、ウェハＷをＣＭＰ装置で研磨する前に、ウェハＷのベベル部を研磨して平坦な最端面Ｂ１を形成することによって、ウェハＷによるＣＭＰ装置のリテーナリングの変形を防止するものである。この場合、最端面Ｂ１の幅Ｄは２００μｍ〜５００μｍの範囲内にあることが好ましい。最端面Ｂ１を形成する手段としては、研磨テープを用いたベベル研磨装置などを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】局部的に研磨量の調節ができ、研磨均一度及び製品の収率を向上させることのできる基板研磨装置及びそれを利用する基板研磨方法を提供する。
【解決手段】基板研磨装置は、基板支持部、研磨ユニット及び制御部を具備する。基板支持部は、基板が安着され、回転できる。研磨ユニットは、自転及びスイングでき、基板の上面を研磨する研磨パッドを具備する。制御部は、研磨工程の時、基板支持部及び研磨ユニットを制御して基板の研磨量を調節する研磨変数の値を基板に対する研磨パッドの水平位置によって調節する。これに従って、基板研磨装置は、局部的に研磨量の調節ができるため、研磨均一度及び製品の収率を向上させられる。 （もっと読む）

コンピュータ実行方法は、研磨基板群を研磨装置内で同時に研磨する工程を含む。各基板は、独立可変の研磨パラメータにより個別に制御可能な研磨レートを有する。前記基板群の各々の厚さとともに変化する測定データを前記基板群の各々から研磨中に、インサイチューモニタリングシステムで取得する。各基板が目標時間で有することになる予測厚さを、前記測定データに基づいて求める。少なくとも１つの基板の研磨レートを調整するよう前記少なくとも１つの基板に関する研磨パラメータを調整することにより、前記基板群が、このような調整を行なわない場合よりも同じ厚さにより近い厚さを前記目標時間で有するようになる。
（もっと読む）

本発明は、鏡面研磨装置、その加圧ヘッド及び鏡面研磨方法に関するもので、加圧ヘッドのボディー（２０）と、前記ボディーの一面に具備されて、前記ボディーから被研磨体に伝達される圧力を調節するエアバッグ（５０）と、前記ボディーの一面の周縁に具備されるリング状のパッド（１６ｂ）と、を含んでなることを特徴とする、鏡面研磨装置の加圧ヘッドを提供する。
（もっと読む）

本明細書において説明する実施形態は、基板プロセシングシステム内での流体の配送のための応用例を提供する。より詳しくは、本明細書において説明する実施形態は、基板プロセシングシステム内でのプロセシング化学薬品の配送のための応用例を提供する。一実施形態では、流体配送システムを提供する。流体配送システムは、流体を供給するための大容量流体源と、大容量流体源から流れ出る流体の比率を制御し監視するための流体配送モジュールと、流体配送モジュールから下流に設置された第１のストリーム配管と、第１のストリーム配管に沿って設置された第１のスイッチと、流体配送モジュールから下流に設置された第２のストリーム配管と、第２のストリーム配管に沿って設置された第２のスイッチとを備え、流体配送モジュールが、予め定められた比率に従って第１のストリーム配管および第２のストリーム配管を通って流れる２つのストリームへと大容量流体源からの流体を分ける。
（もっと読む）

【課題】電解研磨と機械研磨とを同時に行う研磨加工方法および装置を提供すること。
【解決手段】駆動側ワーク（駆動側加工ワーク）１と被駆動側ワーク（被駆動側加工ワーク）２とを、砥粒（遊離砥粒）３を分散させた電解液４中で少なくとも一部を対向させて配置し、前記各ワーク１，２を相対運動させるとともに、少なくともいずれか一方のワークと前記電解液４との間に電力を掛けて、機械的な研磨と電解研磨とを生じさせる研磨加工方法において、前記駆動側ワーク１と前記被駆動側ワーク２との前記砥粒３を挟んだ加工部位での法線力を相対的に増大させるとともに、前記ワーク１，２と前記電解液４との間に掛ける電力を相対的に低くする形状創成加工と、前記法線力を相対的に小さくするとともに、前記電力を相対的に高くする表面研磨加工とを行うことを特徴とする研磨加工方法である。 （もっと読む）

【課題】基材にかかるダメージを抑えながら研磨加工時間の短縮を図ることが可能な基材の研磨方法を提供する。
【解決手段】図５に示す研磨方法は、標準荷重を初期研磨荷重として研磨加工を開始し、所定の時間の研磨加工を経たところで研磨荷重を標準荷重よりも減らして所定の時間の研磨加工を継続し、次に、標準荷重よりも高い研磨荷重に増して所定の時間の研磨加工を継続し、次に、研磨荷重を標準荷重よりも低い荷重に減らして所定の時間の研磨加工を継続する、というサイクルを繰り返している例である。標準荷重よりも低い研磨荷重にて研磨加工するステップを含むことにより、定盤の研磨面とワークの加工面との間に研磨スラリーが入りやすくなって新規の研磨スラリーが十分に供給され、また、標準荷重よりも高い研磨荷重にて研磨加工するステップを含むことにより、ワークの研磨加工の加工レートを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】タイヤ内面を適正に研摩し得るタイヤ内面処理方法を提供する。また、かかる処理方法を実施し得るタイヤ内面処理装置を提供する。
【解決手段】研摩具５によりタイヤ内面４を研摩するタイヤ内面処理方法である。かかる方法では、研摩具５のタイヤ内面４に対する押圧力を制御して、タイヤ内面４を研摩する。また、かかる処理方法を実施し得るタイヤ内面処理装置１である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に対して求められる平坦度に応じて、研磨後の基板の外周ダレを可及的に防止して許容範囲内に抑制することができる半導体基板の両面研磨方法を提供する。
【解決手段】互いに接近する方向に加圧された上下一対の研磨パッドの間に半導体基板を保持したキャリアを介装し、このキャリアを研磨砥粒の存在下に前記上下一対の研磨パッドの間で自転及び公転させ、キャリアに保持された半導体基板の表裏両面を上下一対の研磨パッドで同時に研磨する半導体基板の両面研磨方法であって、前記半導体基板の研磨終了時における基板厚さ(T)と前記キャリアの厚さ(t)との間の厚み差（T-t）を5μm以上100μm以下の範囲に管理する、半導体基板の両面研磨方法である。 （もっと読む）

【課題】高平坦性・高平滑性のウェーハを高い生産性で、歩留り良く製造することのできるウェーハの研磨方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、回転駆動する平坦な研磨上面を有する下定盤と、前記下定盤に対向して配置され回転駆動する平坦な研磨下面を有する上定盤と、ウェーハを保持するウェーハ保持孔を有するキャリアとによって、前記ウェーハを挟持して押圧摺動することで両面を同時に研磨するウェーハの研磨方法において、前記上定盤または前記下定盤の回転中心と周縁との間に設けた複数の窓から前記ウェーハの厚さを測定しながら研磨を行い、前記ウェーハの研磨途中で研磨速度の異なる研磨スラリーに切り替えることを特徴とするウェーハの研磨方法。 （もっと読む）

【課題】基材保持孔を有する複数のキャリアを用いて基材の両面を同時に砥粒加工するとき、キャリアごとの基材の厚みのばらつきを抑える砥粒加工装置およびそれを用いた砥粒加工方法に関する。
【解決手段】砥粒加工装置としての両面研磨装置５０は、基材としてのウェハを保持するウェハ保持孔を有するキャリア１０と、キャリア１０を自転および公転させるサンギア２１およびインターナルギア２２と、キャリア１０に保持されたウェハを研磨加工する加工面を有する上定盤３０および下定盤２０とを有している。また、上定盤３０には、研磨加工するときのウェハの軌道上に配置されウェハの厚みを測定する厚み測定手段としての厚み測定センサ部１１５と、前記軌道上の厚み測定センサ部１１５と離間した位置に配置され上定盤３０に局部的な圧力を加える加圧装置１２５とが設置されている。 （もっと読む）

【課題】平面加工による加工精度を向上させることができる保持装置を提供する。
【解決手段】ウェハ保持装置５０は、ウェハ３０に隣接して設けられ被研磨面３１に研磨部材４２を当接させてウェハ３０の研磨を行うときに研磨部材４２の被研磨面３１からのはみ出し部分の少なくとも一部を支持するガイド装置７０を備えている。そして、ガイド装置７０は、周面のうちの研磨部材４２側に位置する上端部が上記はみ出し部分の少なくとも一部を支持するように被研磨面３１と同一面上に位置する回転自在の複数のガイドローラ８０を有して構成される。 （もっと読む）

化学機構研磨又は平坦化技術（ＣＭＰ）は、マルチゾーンスラリー配送によって向上される。研摩パッドは加工対象物に接触され、マルチゾーンプラテンは、スラリー配送を容易にするために研摩パッドに近接して変位される。プラテンは、それぞれが流体源から層上の分配点に延在する流体分配経路を含む複数の流体的な分配層を含む。流体分配層上のそれぞれの分配点は、研磨面の上の異なる位置に対応し、これにより、前記パッド上に複数の流体配送ゾーンを形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ-ＣＭＰ工程においては、ウエハの大口径化に伴い、ウエハ内の研磨特性の均一化のためマルチ・ゾーン型加圧室を有する研磨ヘッドが主流となっている。ところが、本願発明者らが検討したところによると、このような構造の研磨ヘッドで、ダマシン配線等のメタルＣＭＰを実施すると、複数の加圧室（各ゾーン）間で、圧力の立ち上がりが不均一となるため、研磨時間の主要部に至っても、各ゾーン間の不均一が解消しない場合があり、それによって、配線間ショート等の不良が発生することが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、マルチ・ゾーン型加圧室を有する研磨ヘッドを用いて、ダマシン配線等のメタルＣＭＰ処理を行う際に、各ゾーンの気圧の立ち上げを非同時的に行うことによって、全ゾーンの加圧状態の速やかな収束を図るものである。 （もっと読む）

改良された研削／研磨装置は、ボウル、回転する駆動板、及びプラテンを支持するようになっている駆動板駆動部を備える基部を有する。研削／研磨装置は試料ホルダを支持するように構成されたヘッドを備える。ヘッドは、試料ホルダを回転駆動する第１の駆動部と、駆動板に対して試料ホルダを接近・離反移動させる第２の駆動部とを有する。第１の態様によれば、ヘッドは、第１の駆動部に作動連結されたロードセルと、第２の駆動部に作動連結されたカウンタとを備える。カウンタは、駆動板に接近・離反するヘッドの移動とその移動範囲を決定するように構成される。制御システムが提供される。第２の態様によれば、試料ホルダと共に回転可能なヘッド部分の中から伸びたり、ヘッド部分の中に格納することができるフィンガが提供される。第３の態様によれば、ボウル内に適合するための交換可能なボウルライナが提供される。第４の態様によれば、ヘッド内には照明が設置される。 （もっと読む）