【課題】下地層の上の上層膜のみを選択的に除去することができ、基板上のデバイスにダメージを与えず、さらには研磨痕を低減することができる効率のよい研磨方法を提供する。
【解決手段】この研磨方法は、基板Ｗの周縁部と研磨テープ１とを摺接させる工程と、基板Ｗの周縁部に接触している研磨テープ１に研磨液を供給する工程とを含む。研磨テープ１は、基材テープと、該基材テープ上に形成された固定砥粒とを有している。研磨液は、立体障害を起こす分子を含む添加剤と、アルカリ性薬液とを含んだアルカリ性研磨液である。 （もっと読む）

【課題】フィレットローリング加工時にフィレットローラに欠けなどの破損が発生することを抑制可能なフィレットローリング加工装置及び加工方法を提供する。
【解決手段】フィレットローリング加工装置（１００）は、フィレット溝部Ｆにフィレットローラ（５）を圧接しながら、クランクシャフトＳを回転することによりフィレットローリング加工を行う。特に、低圧力値でフィレットローラ（５）をフィレット溝部Ｆに圧接しながら、低回転速度でクランクシャフトＳを回転駆動することにより、フィレット溝部Ｆの表面上に存在する凹凸を平滑化した後に、フィレットローリング加工を行うように制御する制御手段を備える。 （もっと読む）

【課題】フィレットローリング加工時に発生するフィレットローラに欠けなどの異常を精度よく判定可能なフィレットローリング加工装置及びフィレットローリング装置の異常判定方法を提供する。
【解決手段】フィレットローリング加工装置（１００）は、フィレット溝部Ｆにフィレットローラ（５）を圧接しながら、クランクシャフトＳを回転することによりフィレットローリング加工を行う。フィレットローリング加工後、低圧力値でフィレットローラ（５）をフィレット溝部Ｆに圧接しながら、低回転速度でクランクシャフトＳを回転駆動して検出した振動振幅にフィレットローラ（５）における異常の有無を判定する判定手段（１５）を備える。 （もっと読む）

【課題】均一な磨き施工が困難な構造を有する原子炉用制御棒に対し、自動化した表面処理技術を提供する。
【解決手段】原子炉用制御棒の表面処理装置１０において、回転する研磨材３５を装着したツール３０と、原子炉用制御棒の表面に当接する研磨材３５の当接力を検知する検知手段２０と、前記当接力が所定範囲になるようにツール３０をその表面に走査させる架台１１と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡便且つ短時間にバニシング加工条件の設定をすることができるバニシング加工方法を提供する。
【解決手段】金属材料２に対するバニシング量Ｄｖとバニシング加工前の加工前表面粗さ値とローラ１の回転数Ｎとローラ１が移動する速度である送り速度ｆとを含むデータベースを作成し、データベースに格納されたデータに基づいてバニシング加工後の加工後表面粗さ値及びバニシング加工前後の寸法変化量Ｄｓに対する応答曲面を作成し、かかる応答曲面から要求表面粗さ値及び要求寸法を用いて金属材料２の加工前寸法及び加工前表面粗さ値並びにローラ１の回転数Ｎ及び送り速度ｆを導出し、導出した加工前寸法及び加工前表面粗さ値を有する金属材料２に対して導出した回転数Ｎ及び送り速度ｆでバニシング加工を行う。 （もっと読む）

【課題】圧力室を形成するメンブレンを用いた基板保持装置において研磨中に半導体ウエハ等の基板の温度を推定して基板の温度を制御することができる基板保持装置および該基板保持装置を備えた研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨面１０１ａを有した研磨テーブル１００と、基板Ｗを保持して研磨面１０１ａに押圧する基板保持装置１と、制御部５０とを備えた研磨装置であって、基板保持装置１は、基板に当接して基板保持面を構成する弾性膜４と、弾性膜４の上方に位置するキャリア４３と、弾性膜４とキャリア４３との間に形成された圧力室５，６，７，８と、弾性膜４からの熱エネルギを測定する赤外線検出器４５とを備え、制御部５０は、赤外線検出器４５による測定値を用いて弾性膜温度推定値を算出する。 （もっと読む）

【課題】ボルト締結時にダミーヘッドが変形した場合でも、ビード部によるボアの周縁部への面圧を均一に加えることができるシリンダブロックの加工用治具および加工方法を提供する。
【解決手段】ダミーヘッド１００のシリンダブロック２００の上面への載置時、たとえばビード部１３０では、最厚部１３１が、隣接するボア２０１の同士の間の軸間部分に配置され、最薄部１３２が、その軸間部分から周方向に略９０度離れて配置される。ダミーヘッド１００のボルト締結時、本体１１０がボア２０１に向かう方向とは反対側に凸状に歪む。ビード部１３０の形状を本体１１０の変形を考慮した形状としているから、本体１１０の変形は、ビード部１３０の全ての部分１３１〜１３３がボア２０１の周縁部に当接した状態で行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料から構成された基板に対して改善された研磨法を規定することであり、この方法は、殊に微小荒さに関連して特に低い値をもたらす。
【解決手段】研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、研磨剤溶液が研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプＡの少なくとも１つの研磨工程；および研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、結合されていない研磨材を含有する研磨剤スラリーが研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプＢの少なくとも１つの研磨工程を有する。
【効果】著しく低い"ヘイズ"およびＲＭＳ荒さ値を予想することができる。 （もっと読む）

【課題】同心状の押圧領域において、その境界領域の圧力分布を連続的に変化させることができ、ワークのより均一な研磨を行うことができる研磨装置を提供する。
【解決手段】ワーク３０を保持する研磨ヘッド１４と、定盤１２と、研磨ヘッド１４と定盤１２とを相対的に運動させる運動機構とを備える研磨装置１０であって、研磨ヘッド１４が、側壁部を有する保持プレート２２と、保持プレート２２に固定され、下面でワーク３０に当接して定盤１２の研磨面へ押圧可能な弾性膜部材２８と、保持プレート２２の下面側および弾性膜部材２８の上面との間に形成され、流体供給手段によって所定圧力の流体が供給され、弾性膜部材２８を押圧する圧力室と、該圧力室内を外周側と内周側に仕切り、シールリップ３８が弾性膜部材２８に傾斜して当接するシールリング３６と、シールリング３６によって仕切られた各圧力室４０、４２に個別に流体を供給する流体供給手段とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】テンプレートの高さ精度を向上させることができ、精度よくワークの研磨を行える研磨装置を提供する。
【解決手段】ワーク２４を保持する研磨ヘッド４１ａと、表面に研磨布６０が貼付された定盤５６と、研磨ヘッド４１ａと定盤５６とを相対的に運動させる運動機構とを備える研磨装置であって、研磨ヘッド４１ａが、リング状の側壁部１２ａを有する保持プレート１２と、樹脂シート材４５および樹脂シート材４５の表面に形成された発泡樹脂層４６からなり、保持プレート１２の下面側を覆うようにして保持プレート１２に周縁部で固定されたバッキング材４４と、バッキング材４４を押圧する圧力室３２と、バッキング材４４の下面の周縁部に固定され、ワーク２４を囲んで保持するリング状のテンプレート４０とを具備し、バッキング材４４が、保持プレート１２の側壁部１２ａ下面に樹脂シート材４５が直接または接着剤を介して当接するようにして固定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨装置により円盤状基板の研磨を行う際に、研磨時間を抑制しつつ、特にエッジロールオフ（端ダレ）を抑え、円盤状基板をより均等に研磨することができる円盤状基板の製造方法等を提供する。
【解決手段】ガラス基板の主表面を研削する研削工程と、研削工程を経たガラス基板を研磨する研磨工程と、を有し、研磨工程は、ガラス基板の主表面に対する研磨の圧力を最大圧力まで単調増加させた後にこの最大圧力に留めることなく徐々に低下させると共に、研磨開始から研磨の圧力が最大圧力に達するまでの時間を研磨の圧力が最大圧力に達してから研磨終了までの時間より短くなるように設定することを特徴とする円盤状基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】寸法の小さな光学部品などを成型するための金型の成型面などの加工面にダメージを与えることなく当該加工面上のうねりを除去できる研磨工具を提供する。
【解決手段】研磨工具１は軸芯Ｐ回りに回転される回転軸２と基端部３ａが回転軸２に連なりかつ軸芯Ｐの周方向に等間隔に複数設けられているとともに軸芯Ｐに対して直交する方向に直線状に延在した研磨歯３とを備えている。研磨歯３の軸芯Ｐに対して直交する方向の長さをＬとし研磨歯３が被加工物の加工面に押し付けられる力をＦとし研磨歯３の縦弾性係数をＥとし研磨歯３の断面２次モーメントをＩとすると互いに隣り合う研磨歯３間の間隔ｄがＦＬ³／３ＥＩ≦ｄ≦Ｌを満たしている。 （もっと読む）

【課題】研磨時に外周部を含むウェハの全面を均一に加圧して該ウェハの特に外周部の変形を抑制する。
【解決手段】圧力エア層１１を、キャリア８の下面と周縁部がリテーナリング９に保持された弾性シート１０とキャリア８の下面にその周縁に沿って環状に凸設されたエアシール８ｂとで囲まれたエア室に圧縮エアを供給することにより形成し、リテーナリング９の内径に対応した直径の円板状体の底面にウェハＷの外径とほぼ同径で且つ環状のエアシール８ｂの内径よりも小径の嵌合用凹部１２が形成されたテンプレート１４を備え、ウェハＷは、嵌合用凹部１２に嵌合させてテンプレート１４を介して少なくとも前記圧力エア層１１でプラテン上の研磨パッド６に押圧するとともにテンプレート１４を介してリテーナリング９で周囲を包囲させたテンプレート押圧ウェハ研磨方式。 （もっと読む）

【課題】ワーク被研磨面の平坦度、平面度をより高め、かつ表面粗さを犠牲にすることのない、改善された研磨装置、研磨方法を提供する。
【解決手段】ワーク５を回転駆動するためのワークスピンドル１５に角度調整機構を折り込み、ワーク５を規制保持した状態でワーク５の被研磨面をラップ定盤２の研磨面に押し当て、そのままの状態で角度調整機構をロックするよう構成する。これにより、ラップ定盤２表面の実際の偏摩耗による傾斜を測定することなしにワーク５の傾斜並びにワークスピンドル１５の調整を可能にする。ワークスピンドル１５は軸方向に間隔を設けた一対の自動調芯軸受３１、３２で軸支され、この一対の自動調芯軸受相互３１、３２間相互間の軸に垂直な方向の相対的なずれを許容してワークスピンドル１５を傾斜自在の状態とする。 （もっと読む）

【課題】単一の研磨ヘッドでリムリングの径と幅を可変とし、また最外周部のリングは局所加圧を行うゾーンリングとして研磨対象ウェーハのエッジ形状を効率よくコントロール可能とするエッジ研磨形状コントロール可能エアフロート研磨ヘッドを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は上記目的を達成するために、バックプレート２０下面に、圧力エア層１９の外周部を形成するためのリムリングの複数個２１ａ〜２１ｃをバックプレート２０下面に対し各別に進退自在で且つ常時後退傾向を付与して同心状に連設し、複数個のリムリング２１ａ〜２１ｃのうちのいずれかもしくは相隣るリムリングの複数個をバックプレート２０下面から突出させることによりリムリングの径及び／又は幅を可変としてウェーハＷのエッジ研磨形状をコントロール可能に構成したエッジ研磨形状コントロール可能エアフロート研磨ヘッドを提供するものである。 （もっと読む）

【課題】例えば、半導体層の外周部全体を研磨除去し、更にシリコン基板のエッジ部を所定深さまで研磨除去してＳＯＩ基板等の貼合せウェーハを製造する時にあっても、半導体層がシリコン基板から剥がれることがない、良好な研磨プロファイルが得られるようにする。
【解決手段】回転中の基板Ｗのエッジ部の研磨開始位置の直上方位置に研磨ヘッド２を位置させ、研磨ヘッド２を下降させて回転中の基板のエッジ部の研磨開始位置に研磨ヘッド２の研磨具１０を所定の押圧力で接触させ、所定時間経過後に、研磨具１０を回転中の基板のエッジ部に前記所定の押圧力で接触させたまま研磨ヘッド２を基板の外周端部に向けて移動させる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶インゴットから切り出された直後のウェハに存在するそり・うねりをウェハの両面研磨の際に効果的に除去し、フリースタンディング状態でもそり・うねりの無い研磨後のウェハを調製し、これによって欠陥密度の少ない良好な品質のウェハを製造することができる炭化珪素単結晶ウェハの製造方法を提供する。また、平均積層欠陥密度が３０cm^-1以下である良品質の炭化珪素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶インゴットから切り出されたウェハ３を両面研磨装置のキャリア２内に保持させてウェハ表面を両面研磨し、次いで両面研磨後のウェハの表面に生成した加工変質層を除去して炭化珪素単結晶ウェハを製造するに際し、ウェハ厚さよりも厚さの大きいキャリアを用いてウェハの両面研磨を行う、炭化珪素単結晶ウェハの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 工具をワークに押付けながらワークを加工することができ、かつ砥石の使用効率を大幅に高めることができる加工ロボットとその加工制御方法を提供する。
【解決手段】 工具１２と、工具を３次元空間内で位置と姿勢を移動可能なロボットアーム１６と、加工データを記憶しロボットアームを制御するロボット制御装置２０とを備える。加工データに基づく加工軌道３に沿って工具１２を移動し、工具をワーク１に押付けながらワークを加工し、かつ加工中に空間６自由度（並進３自由度＋回転３自由度）のうち、工具の押付け方向６の並進を除いた５自由度の空間上で、ワークと工具１２との接触面に沿って工具１２を往復動させる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの周縁部における研磨量の過不足を防止し、より平坦度の高い研磨を行うことができ、また半導体ウエハの周縁部の研磨量を意図的に増減することができるポリッシング装置及び方法を提供する。
【解決手段】ポリッシング対象物を保持するトップリング１を回転させる際の軸中心となるトップリングシャフト８の周囲に別個に設けられ、ポリッシング対象物を研磨する際、トップリングシャフト８とは一緒に回転しないよう構成された部材２１を備え、トップリング１の周囲に上下動自在に配置されたガイドリング３に押圧力を与えるための流体圧を調節する第２のレギュレータＲ２からガイドリング押え２０を介してガイドリング３へ行われる押圧力の伝達が、トップリングシャフト８の周囲に別個に設けられた部材２１を介して行われる。 （もっと読む）

【課題】作動条件の調整、および研磨の再現性の確保を容易にする。
【解決手段】研磨パッド１内に、センサ７と、前記センサ７により得られる検出情報を記憶するメモリ９と、電源部１１の駆動により外部と非接触で通信する通信手段（コントロールＩＣ１０）とが埋設されている。上記構成の研磨パッド１と、研磨パッドに備える通信手段１０と非接触で通信が可能な通信部６とを含んで研磨情報管理システムが構成される。さらに、研磨装置は、上記構成の研磨パッド１と、該研磨パッドに備える通信手段１０と非接触で送受信が可能な通信部６とを有する。 （もっと読む）