【課題】本発明は、基材に塗布された接着剤を介して取り付けられたブラシ毛、および基材に開口部が成形されたブラシ毛からなるロールブラシに関するものである。
【解決手段】本発明のロールブラシは、パイルからなるブラシ毛が植毛される基材と、前記基材を巻回している巻き芯とから少なくとも構成されている。前記ブラシ毛が植毛されているロールブラシは、平面部材の表面を研磨し、前記ブラシ毛が磨り減った場合に、前記巻き芯を巻回することにより、新しいブラシ毛表面が現れて、所望の研磨ができるような構造になっている。また、ロールブラシは、ブラシ毛となる基材に開口部が成形されている。前記開口部が成形された基材は、巻き芯に一端から他端に向けて巻回されている。前記ロールブラシは、開口部を有する基材部分が回転されながらワークの表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の研磨速度が大きく、被研磨面に研磨傷を発生させず、被研磨面の平坦性が高い金属用研磨液を提供する。
【解決手段】砥粒、酸化金属溶解剤及び水を含有した金属用研磨液であって、前記砥粒が、平均２次粒径が異なる砥粒を２種類以上含む。また、前記砥粒の平均２次粒径が１〜１０００ｎｍであることを特徴とする金属用研磨液。及び前記砥粒が、平均２次粒径５〜３９ｎｍの第一の砥粒と平均２次粒径４０〜３００ｎｍの第二の砥粒とを含むことを特徴とする金属用研磨液を含む。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でウェーハの取り代を適切に制御可能な研磨装置を提供すること。
【解決手段】バッキングパッド３２およびリテーナリング３３が一体化された研磨ヘッド３を備えた研磨装置１であって、ウェーハＷの研磨中にリテーナリング３３が研磨パッド２３上のスラリーＰから受けるリテーナ液圧Ｆｒを測定するリテーナ液圧測定手段３５と、このリテーナ液圧測定手段３５で測定されたリテーナ液圧Ｆｒに基づいて、研磨ヘッド３に付与するヘッド加圧力Ｆｈ、定盤２２の回転数、および、１バッチあたりの研磨時間のうちの少なくとも１つのパラメータを設定するパラメータ設定手段と、を備え、研磨制御手段は、パラメータ設定手段で設定されたパラメータに基づいて、回転駆動手段および研磨ヘッド加圧手段のうち少なくとも一方を制御する。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤ径を必要以上に大きくすることなく、高い耐久性を有するワイヤソー等を提供する。
【解決手段】 ワイヤソー７は、主に芯線１１、樹脂製保護層１３、フィラー１５、砥粒保持層１７、砥粒１９等から構成される。芯線１１は、高純度石英ファイバである。高純度石英ファイバは、例えば気相合成したガラスファイバであり、不純物を含まず、高い抗張力を有する。芯線１１としては、５０００ＭＰａ以上の抗張力を有するものが望ましい。このような芯線１１としては、例えば、従来光ファイバとして使用されるガラスファイバを用いることができる。芯線１１の外周には、フィラー１５を含有した樹脂製保護層１３が設けられる。樹脂製保護層１３は、芯線１１を保護するためのものである。樹脂製保護層１３は、後述する砥粒１９と芯線１１との接触を防止し、砥粒１９との接触による芯線１１の破断を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンベアウエハ、ガラス、化合物半導体基板およびハードディスク基板等の高精度研磨特性が得られる仕上げ研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨シートａとクッションシートｂを有する研磨パッドであって、研磨シートａは湿式凝固法で得られるポリウレタンを主成分とする多孔質ポリウレタンシートまたは不織布内部にポリウレタンを主成分とした溶液を含浸させ後に湿式凝固法でポリウレタンを凝固させた状態で不織布内部に含有させたポリウレタン含浸不織布であり、クッションシートｂは多孔質架橋ポリウレタンシートであり、その多孔質架橋ポリウレタンシートの圧縮弾性率が０．０５ＭＰa以上０．２０ＭＰａ以下で、かつ５分後回復率と１分後回復率の比率が１．０４以上であり、研磨シートａとクッションシートｂとの間にプラスチックフィルムｃが介在されてなる研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】揺動型のワイヤソー装置を用いた切断加工において、切断用ワイヤの断線率を低下させつつ、ワークの切断速度を増大させる。
【解決手段】ワイヤソー装置１は、複数のワイヤガイド２に螺旋状に巻き付けられた切断用ワイヤ３を走行させると同時にワイヤガイド２と共に切断用ワイヤ３を揺動させながら、切断用ワイヤ３に被加工物Ｗを押し当てて切断加工を行う。ワイヤソー装置１は、被加工物Ｗが円弧状の加工形状を持つように、被加工物Ｗを保持する保持手段５１の位置を切断用ワイヤ３の揺動角度に応じて制御する制御手段８を備えている。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂発泡体を有する研磨層を含有する研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の下記式（１）で求められるハードセグメントの含有率（ＨＳＣ）が２６〜３４％の範囲内であり、且つ、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の密度Ｄが０．３０〜０．６０ｇ／ｃｍ^３の範囲内であることを特徴とする、半導体デバイス研磨用の研磨パッド。
ＨＳＣ＝１００×（ｒ−１）×（Ｍｄｉ＋Ｍｄａ）÷（Ｍｇ＋ｒ×Ｍｄｉ＋（ｒ−１）×Ｍｄａ） ・・・（１） （もっと読む）

【課題】ワイヤソーによるワークの切断において、ワイヤの断線等によってワークの切断が途中で中断された場合でも、加工後のウェーハのナノトポグラフィーの悪化を確実に抑制して切断を完了させることができるワイヤソーの運転再開方法及びそのワイヤソーを提供することを目的とする。
【解決手段】
ワークの切断を途中で一旦中断した後、該切断を再開する場合の運転再開方法であって、ワイヤの往復走行の方向及び走行速度を検出して時系列で記録しつつ前記ワークを切断する工程と、ワークの切断を再開する際に、ワイヤの往復サイクルがワークの切断の中断前と再開後で連続的となるように、ワイヤの往復走行の方向及びその方向への走行時間をワークの切断の中断時までに記録されたワイヤの走行履歴に基づいて制御して切断を再開する工程とを有することを特徴とするワイヤソーの運転再開方法。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂発泡体を有する研磨層を含有する研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体は、Ｍ成分のスピン−スピン緩和時間Ｔ２が１６０〜２６０μｓであり、
前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の４０℃、初期荷重１０ｇ、歪範囲０．０１〜４％、測定周波数０．２Ｈｚ、引っ張りモードにおける貯蔵弾性率Ｅ’が１〜３０ＭＰａであり、且つ、
前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の密度Ｄが０．３０〜０．６０ｇ／ｃｍ^３の範囲内であることを特徴とする、半導体デバイス研磨用の研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂発泡体を有する研磨層を含有する研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の縦弾性係数Ｅが４５０〜３００００ｋＰａの範囲内であり、且つ、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の密度Ｄが０．３０〜０．６０ｇ／ｃｍ^３の範囲内であることを特徴とする、半導体デバイス研磨用の研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】大径のワークを正確に効率良く破損等の不具合を生じることなく切断することができるワイヤーソーによるワークの切断方法を提供する。
【解決手段】ワークの切断の際には、ソーワイヤ１は、噛み合い部分Ｍの両端である入出部Ａにおいて、砥粒スラリー６の砥液面の上方に位置しており、入出部Ａにおいて砥粒スラリー６内に浸漬されていない。また、砥粒スラリー６の砥液面がソーワイヤの入出部Ａと、ソーワイヤ１のワーク押し付け方向に向かって最も変位している最大撓み部Ｂとの間に位置するように、ソーワイヤ１及びワークＷは砥粒スラリー６内に浸漬されている。さらに、各ノズル４ｒ，４ｌは、ソーワイヤ１の入出部Ａの外側に砥粒スラリー６が供給される被噴射位置Ｐが位置するように位置している。 （もっと読む）

【課題】 板状物の外周に欠けを生じさせることなく、被研磨面の平坦度を悪化させることのない研磨パッド及び研磨方法を提供することである。
【解決手段】 回転体に装着して使用される研磨パッドであって、回転中心と環状研磨面を有し、該環状研磨面の幅は研磨する板状物の直径より大きく、且つ該環状研磨面が該回転中心から外側に向かって研磨する板状物から離反する方向に傾斜していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スラリーの供給と廃液の排出がバランス良くコントロールされた、ウエハの平坦性向上および研磨レートの安定化が達成された織物からなる研磨層を有する研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨層１と支持層３を積層してなる研磨パッドであり、該研磨層１の目開きが５０〜２００μｍで厚みが１００μｍ以下の織物６からなり、該支持層３に溝５が形成されており、該溝５が研磨面と連通することを特徴とする研磨パッドである。 （もっと読む）

【課題】ビード周辺の母材表面の削り過ぎを防止でき、且つ削り幅を狭くできる研削方法を提供することを課題とする。
【解決手段】研削方法は、研削装置準備工程と第１研削工程と第２研削工程とからなる。
【効果】第２研削工程で、第１研削工程でビード１６の一部を研削して得た平坦面３９に、逆Ｖ字を呈する研削ベルト２９を当てると、研削ベルト２９の接触部が水平になり、研削ベルト２９の非接触部が湾曲した母材から離れやすくなるため、ビード１６周辺の母材３７表面の削り過ぎを防止できる。また、第２研削工程で、研削ベルト２９は平坦面３９のみを研削するから、削り幅Ｗ２を狭くすることができる。したがって、ビード１６周辺の母材３７表面の削り過ぎを防止でき、且つ削り幅Ｗ２を狭くできる研削方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】複数のガイドローラ間に軸線方向への心ズレが存在する場合でも、走行されるワイヤに捩れが生じることを抑制することができて、ワイヤの断線率を低減することができるワイヤソーを提供する。
【解決手段】加工用ローラ２３Ａ，２３Ｂとボビン２２Ａ，２２Ｂとの間に、ワイヤ２１の走行を案内する複数のガイドローラ２４Ａ〜２９Ａ，２４Ｂ〜２９Ｂを設ける。ワイヤ２１の走行経路に沿って配列された複数のガイドローラ２７Ｂ〜２９Ｂ，２７Ａ〜２９Ａのうちで、１つのガイドローラ２８Ａ，２８Ｂを挟んでその両側に位置する２つのガイドローラ２７Ａ，２９Ａ，２７Ｂ，２９Ｂのガイド溝を、ワイヤ２１が溝幅方向に移動することを拘束する第１形状に形成する。残りの１つのガイドローラ２８Ａ，２８Ｂのガイド溝を、ワイヤ２１が溝幅方向に移動することを許容する第２形状に形成する。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＤおよび表面粗さを低減可能な研磨用組成物。
【解決手段】下記一般式（１）で表される少なくとも１種類の水溶性高分子と、アルカリとを含む。水溶性高分子は、例えば、変成ＰＶＡからなる。
（もっと読む）

【課題】基板の周縁部を研磨して直角な断面形状を形成することができる研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨ユニット２５は、基板Ｗの周縁部に対して研磨テープ３８を上から押し当てる押圧部材を有する研磨ヘッド５０と、研磨ヘッド５０に研磨テープ３８を供給し、研磨ヘッドから研磨テープ３８を回収するテープ供給回収機構７０と、研磨ヘッド５０を基板Ｗの半径方向に移動させる第１の移動機構４２Ａ，４３Ａ，４０Ａと、テープ供給回収機構７０を基板Ｗの半径方向に移動させる第２の移動機構４２Ｂ，４３Ｂ，４０Ｂとを備える。ガイドローラ８４Ｄ，８４Ｅは、研磨テープ３８が基板Ｗの接線方向と平行に延び、かつ研磨テープ３８の研磨面が基板Ｗの表面と平行となるように配置される。 （もっと読む）

【課題】被研磨物の平坦度を高めてその品質の向上を図ることができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド１の研磨面１ａに、バフ加工等の機械的加工を施して、平坦性を改善し、前記研磨面のうねりが、周期５ｍｍ〜２００ｍｍであって、最大振幅４０μｍ以下とし、これによって、当該研磨パッド１を用いて研磨されるシリコンウェハ等の被研磨物の平坦度を向上させるようにしている。 （もっと読む）

【課題】ボビンとメインローラとの間におけるワイヤの走行経路中でワイヤに生じる捩れを減少させることができて、ワークの加工精度を向上させることができるようにする。
【解決手段】ワイヤ１１が巻き付けられる一対のボビン１２Ａ，１２Ｂと、ワイヤ１１が周回される複数のメインローラ１３Ａ等とを備える。両ボビン１２Ａ，１２Ｂとメインローラ１３Ａ等との間には、ボビン１２Ａ，１２Ｂの軸線方向に沿ってトラバース可能なトラバースローラ１７Ａ，１７Ｂ、ワイヤ１１の張力を調整するダンサローラ１６Ａ，１６Ｂ、及びワイヤ１１をガイドするガイドローラ１８Ａ，１８Ｂを設ける。トラバースローラ１７Ａ，１７Ｂとガイドローラ１８Ａ，１８Ｂとの間のワイヤ１１が一平面上で走行されるように、トラバースローラ１７Ａ，１７Ｂ、ダンサローラ１６Ａ，１６Ｂ及びガイドローラ１８Ａ，１８Ｂを配置する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の主平面を、酸化セリウム砥粒を使用することなくかつ高い研磨速度で研磨して、加工の際に生じたキズやクラック等を除去し、平滑な主平面を有する磁気記録媒体用ガラス基板を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】この磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法は、形状付与工程と、主平面研削工程と、主平面研磨工程とを備える。そして、主平面研削工程は、平均粒径０．０１μｍ〜１５μｍのダイヤモンド砥粒を有する固定砥粒工具を用いて研削する固定砥粒研削工程を有し、主平面研磨工程は、シリカ粒子、ジルコニア粒子等の酸化セリウム粒子以外の平均粒径５ｎｍ〜３０００ｎｍの砥粒を含む研磨液と、研磨パッドを用いて研磨する第１の研磨工程と、その後平均粒径が５〜５０ｎｍのシリカ砥粒を含む研磨液と研磨パッドを用いて研磨する第２の研磨工程とを有する。 （もっと読む）