【課題】ウェーハの研磨工程時間の増加を抑制しつつ、高平坦にウェーハを安定して研磨することを可能にし、歩留まりを向上できるインサート材及び両面研磨装置を提供することを目的とする。
【解決手段】研磨布が貼付された上下定盤の間にウェーハを挟んでその両面を研磨する両面研磨装置における、前記ウェーハを保持するためのキャリアの保持孔の楔状に形成された内周部に沿って配置され、前記保持孔の楔状に形成された内周部と嵌合する楔状外周部を有し、前記保持されるウェーハの周縁部と内周面で接する樹脂製のリング状のインサート材であって、前記楔状外周部の凸部に切り欠きが設けられたものであることを特徴とするインサート材。 （もっと読む）

【課題】ブレードの位置検出を精度良く行いブレードの摩耗状態を正しく把握するとともに、装置の小型化を図る。
【解決手段】ワークに対して相対的にＹ方向にインデックス送りとＺ方向に切り込み送りとがされる回転ブレードと、前記ワークを載置して前記回転ブレードに対し相対的にＸ方向の切削送りがされるワーク加工テーブルを有し、前記回転ブレードにより前記ワークの切削加工を行うダイシング装置において、前記ワーク加工テーブルに関して前記回転ブレードとは反対側で、前記ワーク加工テーブルが駆動しても干渉しない位置にその検出部が位置するように、前記回転ブレードを保持するスピンドルと同じ支持部材に取り付けられた、前記回転ブレードの先端位置を検出するブレード位置検出器を備えたことを特徴とするダイシング装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの表面を基準にドレッシングするための適度な弾性を有しつつ、長期に亘って交換することなく使用することができるようにする。
【解決手段】支持部３２の下端には、束線バンド３５で束ねられた弾性部材３１が取り付けられている。弾性部材３１は、線径が０．１５ｍｍで長さ２５ｍｍのタングステン線が３０本ずつ１束に束ねられて構成されている。また、弾性部材３１の各素線の先端部は丸切りのまま研磨パッド２０に接触して研磨パッド２０のドレッシングを行うようになっている。弾性部材３１の各素線の先端部の線径を細くして研磨パッド２０の切削幅を小さくすると共に、弾性部材３１の各素線を束線バンド３５で束ねることによって弾性部材３１の剛性を高め、各素線の細い先端部に大きな圧力がかかるようにしている。従って、弾性部材３１の先端部は研磨パッド２０に有効な切り込み深さを与えることができる。 （もっと読む）

【課題】実施形態によれば、研磨パッド外縁部でのスラリー廃液の滞留を防ぐ研磨パッド、研磨方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、研磨パッドは、研磨時に研磨対象物が接触する領域を含む研磨面と、前記研磨面よりも外周側の外縁部の上面である非研磨面とを備えている。前記非研磨面の純水接触角は、前記研磨面の純水接触角よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＤおよび表面粗さを低減可能な研磨組成物を提供する。
【解決手段】研磨組成物は、ｐＨ調整剤と、砥粒と、下記一般式（１）で表される非イオン性界面活性剤とを含む。ｐＨ調整剤は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびその炭酸塩のいずれかからなる。砥粒は、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、コロイダルアルミナ、ヒュームドアルミナおよびセリアのいずれかからなる。また、研磨組成物は、研磨促進剤、キレート剤、および水溶性高分子の少なくとも１つを更に含んでいてもよい。
【化１】
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【課題】微細な砥粒を用いる仕上げ研磨において、結晶材料から成る被研磨物をスクラッチ、加工歪又は段差を生じることなく、効率よく研磨できる金属研磨盤、その製造方法及び研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】研磨盤面に互いに平行に形成された螺旋状又は同心円状の第１のＶ字溝及び第２のＶ字溝と、前記第１のＶ字溝と前記第２のＶ字溝との間に画成された研磨面と、を含み、前記第１のＶ字溝の縦断面の面積が前記第２のＶ字溝の縦断面の面積より大きく、前記第１のＶ字溝同士の間のピッチと前記第２のＶ字溝同士の間のピッチが等しく、前記研磨面の表面粗さＲａは０．０５μｍないし２μｍの範囲にあり、前記研磨面の幅は２０μｍないし１２０μｍの範囲にある金属研磨盤が提供される。 （もっと読む）

【課題】ワークの切断箇所に十分にスラリを供給することができるワイヤーソー装置を提供する。
【解決手段】ステー本体６３に対して伸縮可能な補助ステー６４ａを備える。そして、ワーク保持部５の上昇に伴って補助ステー６４ａを収容溝６４ｇ内に入り込ませる側に移動させると、ワーク４の外形に沿って、徐々に補助ステー６４ａの先端位置を変えられるようにする。これにより、補助ステー６４ａの先端からワーク４の外縁までの距離がある程度の範囲内となるように維持し、補助ステー６４ａの先端がワーク４の外縁から距離が離れすぎないようにすることができる。このため、スラリ供給部６にてワイヤー２に対してスラリ３を供給する際に、ステー本体６３の先端位置がワーク４から距離が離れていても、ワーク４の切断中常に、補助ステー部６４における補助ステー６４ａの先端位置がワーク４から近い位置となるように維持できる。 （もっと読む）

【課題】シリンダボア内周面にめっき皮膜を有するシリンダブロックであっても、シリンダヘッドを組み付け固定した状態におけるシリンダボア内周面の真円度を向上可能なシリンダボア内周面の加工方法を提案する。
【解決手段】シリンダボア内周面の加工方法は、シリンダボアを仕切るシリンダボア内周面を有するシリンダブロックを準備する素材準備工程Ｓ１と、シリンダヘッドを模擬するダミーヘッドをシリンダブロックに組み付けるダミーヘッド組付工程Ｓ３と、シリンダブロックにダミーヘッドを組み付けたままシリンダボア内周面の中ぐりを施す中ぐり工程Ｓ４と、中ぐり後のシリンダボア内周面にめっき処理を施してめっき皮膜を形成するめっき処理工程Ｓ６と、シリンダボアの断面形状が略真円形状になるようシリンダボア内周面にホーニングを施すホーニング工程Ｓ８と、ホーニング後のシリンダブロックからダミーヘッドを取り外すダミーヘッド取外工程Ｓ９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】砥粒および水酸化セシウムを含有する化学的機械研摩用組成物、ならびに水酸化セシウム含有研摩用組成物を用いて集積回路に関連する誘電体層を研摩する方法を提供する。
【解決手段】フュ−ムド砥粒ならびに約０．０１〜約５．０wt％の少なくとも１つのＣｓ＋塩基性塩からなる化学的機械研摩用組成物。好ましくは、本発明は水、約１〜約５０wt％のフュ−ムドシリカ、および約０．１〜２．０wt％のＣｓＯＨを含有する化学的機械研摩用組成物である。 （もっと読む）

【解決課題】デバイスウエハ等の平面及びエッジ部分の研磨において、ウエハ等の平面部にヘイズやピット、特に「砥粒残り」を起こしにくい半導体ウエハ研磨用組成物を提供すること。
【解決手段】カリウムイオンの存在下で活性珪酸を原料として製造されるコロイダルシリカを含有する半導体ウエハ研磨用組成物であって、該コロイダルシリカは、カリウムイオンを含有し且つ透過型電子顕微鏡観察による長径／短径比が１．２〜１０の範囲にある非球状の異形シリカ粒子群を含有することを特徴とする半導体ウエハ研磨用組成物である。本発明の半導体ウエハ研磨用組成物を用いることにより、半導体ウエハの平面及びエッジ部分の鏡面研磨加工が効果的に行える。 （もっと読む）

【課題】この発明は、基準面から突出し、切断位置の断面において角部を有する多角断面突出部材を、効率よく基準面直近で切断するワイヤーソー切断工法を提供することを目的とする。
【解決手段】天井面３１０から突出する中間杭３００を、無端状のワイヤー１１を回転させて切断するワイヤーソー切断工法であって、中間杭３００を、ワイヤー１１で切断する切断位置の断面において角部を有するＨ型鋼で構成するとともに、切断位置を、中間杭３００における天井面３１０の直近位置とし、切断開始時において、中間杭３００のフランジ３００ａの角部のワイヤー１１への角当たりを防止する補助プーリ１１０を有する補助プーリ機構１００を、該基準面直近基端位置にセットするワイヤー１１に対応して中間杭３００に装備した。 （もっと読む）

【課題】加工層のトリミングによって著しい量の材料を除去することなく、平坦性および平面平行度をさらに向上させる。
【解決手段】両面処理装置は、上部加工ディスク１３、下部加工ディスク２６、転動装置を含み、対称軸２８を中心として回転可能に取り付けられ、下部介在層２９を下部加工ディスク２６の表面上に、上部介在層１６を上部加工ディスク１３の表面上に取り付けるステップと、３つのトリミング装置によって両方の介在層１６、２９を同時に平坦にするステップとを備え、各トリミング装置はトリミングディスクと、研削物質を含む１つのトリミング本体と、外側歯部とを含み、コロイド経路上で、圧力を受けて研削作用を有する物質を含まない冷却潤滑材の添加により、転動装置と外側歯部によって動かされ、介在層１６、２９から材料除去をもたらし、下部加工層３２と上部加工層３９を下部介在層２９と上部介在層１６に取り付けるステップを備える。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金基板の表面にＮｉＰめっき被膜を形成した磁気記録媒体用基板について、アルミナ砥粒を使用しない磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム合金基板の表面にＮｉＰめっき被膜を形成した磁気記録媒体用基板の表面を研磨する際に、第１の研磨盤を用いて粉砕シリカ砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨する粗研磨工程と、第２の研磨盤を用いてコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨する仕上げ研磨工程と含むことにより、アルミナ砥粒を使用することなく、この磁気記録媒体用基板の表面に対して良好な研磨処理を施すことができるため、従来のアルミナ砥粒を用いた場合に生じるアルミナ砥粒の磁気記録媒体用基板への突き刺さりを防ぐことが可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、平行度などの形状特性に優れる磁気記録媒体用ガラス基板の提供を目的とする。また、平行度などの形状特性に優れる磁気記録媒体用ガラス基板を高い生産性で研磨するガラス基板の研磨方法、及び該研磨方法を用いた研磨工程を有する磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、磁気記録媒体用ガラス基板の上下主平面を研磨する研磨工程において、ガラス基板を研磨する両面研磨装置の上定盤及び下定盤は、内周端と外周端のある円盤形状を有し、該外周端により形成される外径が０．６ｍ〜２ｍであり、下定盤は回転速度３３〜４９ｒｐｍで回転駆動し、上定盤は下定盤と反対方向に回転速度１０〜２１ｒｐｍで回転駆動し、ガラス基板を保持するキャリアは下定盤と同方向に速度２〜１６ｒｐｍで公転し、ガラス基板の両主平面を押圧する上定盤と下定盤の圧力は８．０〜１６．０ＭＰａである研磨方法を有することを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】一体のスラリー分配機構を備えた化学的機械研磨ヘッド及び方法を提供する。
【解決手段】研磨装置の研磨面１２５に表面を有した基板１０５を位置決めするための研磨ヘッドであって、底面を有したキャリア１５５を備え、該底面は、研磨工程中に基板を保持するようになっている下面を含み、キャリア１５５は、研磨工程中に研磨物質を研磨面に分配するために下面の周りの底面を貫通して延びている複数のポート３２５を備えている。 （もっと読む）

【課題】十分な研磨速度を維持しつつ基板の被研磨面（表面）の研磨を行い、しかも、研磨後の基板表面に研磨残りを生じさせることを防止して、所望の研磨プロファイルを得ることができるようにする。
【解決手段】研磨パッド１４ａに向けてガスを噴射して研磨パッド１４ａの温度を制御しながら研磨する研磨方法において、研磨中、ガス噴射流量又はガス噴射方向をＰＩＤ制御しつつ、被研磨面の研磨状態を監視し、所定の膜厚に到達する前後で、制御する研磨パッド１４ａの温度を切り替えて研磨する。 （もっと読む）

【課題】研磨後の各ウェーハの厚みバラツキを低減することが可能な非公転式の両面研磨装置及び両面研磨方法を提供する。
【解決手段】両面研磨装置１は、下定盤１０及び上定盤２０を含む回転定盤と、回転定盤の中心部の周囲に設けられ、研磨対象のウェーハ２を保持する複数のキャリア３と、複数のキャリア３を定位置で自転させる自転機構３０と、キャリア３の自転位置を変更するキャリア移動機構とを備え、研磨工程の途中で研磨動作を一時停止し、キャリア移動機構によってキャリア３の自転位置を変更した後、研磨動作を再開する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、被研磨物の研磨面に研磨パッドの溝が転写することにより発生する研磨痕を緩和することができる研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明の研磨装置１０は、送りテーブル１４を搬送しながら、研磨パッド１６を公転（及び／又は自転）させるとともに被研磨物１２をその中心に回転させて被研磨物１２の研磨面を多数の研磨パッド１６、１６…によって連続的に研磨する。この研磨装置１０によれば、被研磨物１２を回転させたので、研磨パッド１６の溝１７は、被研磨物１２の研磨面に無作為に当たるようになる。これによって、従来の研磨装置で発生する研磨痕を緩和することができる。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、パラトルエンスルホン酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、パラトルエンスルホン酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ面内での厚さバラつきを抑えることが可能な一方向走行式ワイヤソーを提供する。
【解決手段】上流側のグルーブローラに形成された各ワイヤ溝のピッチの方を、下流側のグルーブローラの各ワイヤ溝のうち、ワイヤの走行方向に隣接したワイヤ溝のピッチより大きくした。そのため、切断溝の上流側で、スラリーがワイヤに多量に付着して引き込まれることにより取り代の大きい研削を行っても、切断溝の上流側のウェーハ厚さを、その出側のウェーハ厚さと同程度にすることができる。これにより、ウェーハ面内での厚さバラつきを抑えることができる。 （もっと読む）