【課題】パイプ状部材の何ヵ所のメッキ部位を削り取るのに、手作業で行っていたが、手間が掛かりすぎる非効率性と、精度の悪さの問題を解消する。
【解決手段】装置テーブル１０に、複数のサンダー固定具９を適当なる位置に設け、この各固定具に上下動手段と傾角動手段を設けた、ベルトサンダー３を設ける。さらにテーブルの中央に部材固定具４を設け、この固定具に、さらに研削部材を位置決めして固定するクランプ手段２を設ける。これらに研削部材であるパイプ成型品１を、各ベルトサンダー３の研削するベルト部７と、適切な位置決めをして、クランプ手段２でもって固定して設ける。 （もっと読む）

【課題】温度ドリフト等のノイズによる影響を受けにくく、高精度な距離測定又は変位量測定を行うことができる距離測定装置を実現する。
【解決手段】光源１０から透明体１２を介してワーク表面に向けて測定ビームを投射すると、透明体１２の第１の面１２ａを透過して第２の面１２ｂで反射し、第１の面１２ａから出射する第１の反射ビーム１３ａと、透明体１２の第１の面１２ａ及び第２の面１２ｂを透過し、ワーク表面で反射し、再び透明体１２の第２の面１２ｂを透過して第１の面１２ａから出射する第２の反射ビーム１３ｂとが光検出手段１５に入射する。信号処理装置１６は、第１の反射ビーム１３ａを受光した受光素子と第２の反射ビーム１３ｂを受光した受光素子との間の距離情報に基づいて透明体１２の第２の面１２ｂからワーク表面までの距離又は変位量を出力する。 （もっと読む）

【課題】 本発明はシリコンインゴットの切削工程において、従来品より加工熱の冷却性、浸透性、水とシリコンとの反応抑制性、抑泡性が良好であるため、切削加工効率を向上させることができる。また、シリコンウエハの平坦性も良好であるため、過酷なスライス条件下でも被加工面の表面精度を高く維持できる切削液を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）と水を必須成分として含有し、該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）のＨＬＢが６．０〜２０．０であることを特徴とするシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【化１】


［式（１）中、Ｒは３〜８個の水酸基を有する化合物から水酸基、（Ａ^１Ｏ）は炭素数が２〜４のオキシアルキレン基を除いた残基を表す。ｍは炭素数が２〜４のアルキレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜３５０の数、ｆは３〜８の整数である。］ （もっと読む）

【課題】ホーニング加工でもって孔の内周面をテーパ形状に精度良く仕上げる。
【解決手段】砥石１４の外周面２６を、ホーニングヘッド１１の直線移動方向に対してテーパ状に傾斜させると共に、孔２の内周に配置したホーニングヘッド１１を孔２の小径側から大径側に向けて移動させるときのみ、砥石１４を外径側に移動させつつ孔２の内周面３に押し当てることでホーニング加工を行う。 （もっと読む）

【課題】被加工部位の切削加工を行うマシニングセンタなどの工作機械にそのまま装着でき、短時間の仕上加工で切削加工後の被加工部位の表面粗さを飛躍的に向上することができる仕上加工用工具及びその工具を用いた加工方法を提供する。
【解決手段】軸線１３回りに回転する工具本体１０の先端部に、軸線１３上に加工中心１４を持つ所定半径の球面形状に研削形成又は切削形成された１又は２以上の球面加工部１１を有する仕上加工用工具及びその工具を用いた加工方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の主表面を平坦度３０ｎｍ以下に研磨することができる、ＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法の提供。
【解決手段】両面研磨装置１０のガラス基板２２の両主表面を研磨するＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法であって、前記研磨パッド２４が、微多孔が形成された表面層を有し、圧縮率が２０％以上である第１の軟質プラスチックシートと、前記第１の軟質プラスチックシートの前記研磨面の背面側に接合された、圧縮率が２０％未満である第２の軟質プラスチックシートと、を備えており、前記第２の軟質プラスチックシートの前記第１の軟質プラスチックシートが接合された反対面側をバフ処理した後、前記第２の軟質プラスチックシートのバフ処理された面を前記両面研磨装置の上下定盤の側にして、前記研磨パッドを該上下定盤に取り付けた状態で、前記研磨面側をドレス処理してから、前記ガラス基板の両主表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】被研磨物の表面に傷が付くことを十分に防止できる研磨体及びこれを用いた研磨方法を提供すること。
【解決手段】研磨面１０ａを有し、研磨面１０ａに溝１１が形成されている研磨体１０であって、溝１１は、研磨面１０ａ上にあって溝１１の開口１３を形成する一対の縁部１２ａ，１２ｂと、縁部１２ａ，１２ｂに沿って延びる底部１４と、底部１４と縁部１２ａとを結び、研磨面１０ａに対して傾斜する傾斜面１５ａと、底部１４と縁部１２ｂとを結び、研磨面１０ａに対して傾斜する傾斜面１５ｂとによって形成され、研磨面１０ａと、傾斜面１５ａ及び傾斜面１５ｂの各々とのなす角が鈍角である、研磨体１０。 （もっと読む）

【課題】レジン固定砥粒ワイヤを用いて、大型で反りおよび表面粗さの小さいＩＩＩ窒化物結晶基板を効率よくかつ歩留まり良く製造できるＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物結晶体を準備する工程Ｓ１と、レジン固定砥粒ワイヤを用いてＩＩＩ族窒化物結晶体をスライスすることによりＩＩＩ族窒化物結晶基板を作製する工程Ｓ２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 酸化ケイ素膜のケミカルメカニカルポリッシンング（ＣＭＰ）において、高い均一性と高い研磨速度の両立を達成できるＣＭＰ用研磨液及びこれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】 砥粒と、第１の添加剤と、第２の添加剤と、水とを含有するものであり、第１の添加剤として所定の条件を満たす有機化合物が、第２の添加剤として飽和モノカルボン酸が配合されているＣＭＰ用研磨液。また、このＣＭＰ研磨液を酸化ケイ素膜と研磨パッドとの間に供給しながら、研磨パッドによって酸化ケイ素膜の研磨を行う工程を備える、表面に酸化ケイ素膜を有する基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】高い研磨レートと高い面内均一性とを同時に満足する研磨パッドを提供する。
【解決手段】被研磨物を研磨する研磨面に溝が形成された研磨パッドであって、前記研磨面には、同心円状の溝と格子状の溝とが形成されると共に、前記格子状の溝の溝ピッチが、前記同心円状の溝の溝ピッチに対して特定の関係、好ましくは、前記格子状の溝の溝ピッチが、前記同心円状の溝の溝ピッチの１４倍〜１３０倍であることを特徴する。 （もっと読む）

【課題】安定した加工状態を得ることが可能な超仕上げ加工方法および超仕上げ加工装置を提供する。
【解決手段】回転する工作物９に砥石台４に支持した砥石１０を揺動させながら押し当てる超仕上げ加工装置の砥石台４に、回転する工作物９の接線方向の分力Ｑを検出する主分力センサ６ａ、押し当て方向の分力Ｐを検出する背分力センサ６ｂ、砥石１０の揺動方向の分力Ｒを検出する揺動荷重センサ６ｃ、砥石１０の押し当て方向の移動量を検出する移動量センサ７、工作物９の寸法減少量を検出するインプロセスゲージ８を設ける。そして、「粗」→「仕上げ」に応じて変化するセンサ６ａ、６ｂの出力に基づき加工状態を判定し、加工条件（回転数、揺動数、押し付け力）を変化させて加工効率を改善する。また、前記センサ６ａ、６ｂ、移動量センサ７とインプロセスゲージ８の出力を用いて研削異常を検出し砥石の不具合への対処を行うことにより、安定した加工状態を得ることができるようにする。 （もっと読む）

【課題】研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面における研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することが可能な研磨用組成物及びそれを用いた半導体ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、シリコン予備研磨に用いられる研磨用組成物であって、特定のシリコンウエハに対し、以下の研磨作業を行った場合に、ウエハ表面当たりの研磨加工に起因するＬＰＤの個数が３０未満である。（１）研磨用組成物を用い、予備研磨する工程、（２）仕上げ研磨用組成物を用い、仕上げ研磨を行い、更にＳＣ−１洗浄、イソプロピルアルコール蒸気乾燥後に第１回目のＬＰＤを測定する工程、（３）ウエハを更にＳＣ−１洗浄、イソプロピルアルコール蒸気乾燥後に第２回目のＬＰＤを測定した後、第１回目と第２回目のＬＰＤ測定で測定位置が変わらないＬＰＤ数をＬＰＤ数として測定する工程。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の接合面の表面精度の向上を図り、キャビティ内の気密を確保することができるガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計を提供する。
【解決手段】研磨剤を供給しつつリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する、研磨工程を有するガラス基板の研磨方法であって、研磨工程は、研磨剤に酸化セリウムを主成分とする第１研磨剤を用いてリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する前段ポリッシュ工程と、研磨剤にコロイダルシリカを主成分とする第２研磨剤を用いてリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する後段ポリッシュ工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨ムラの少ない高精度のレンズ研磨を効率的に行うことが可能なレンズ研磨方法およびレンズ研磨装置を提供する。
【解決手段】レンズ研磨方法は、研磨装置の回転軸に保持され該回転軸を中心に回転駆動するレンズに対し、研磨ツールが回転軸の軸線と直交する方向及び軸線方向から、レンズの光学面に回転軸を中心に同心円状又は螺旋状のいずれかの研磨軌跡を描くように光学面を非球面形状に研磨するレンズ研磨方法であって、レンズを、研磨軌跡の旋回中心から離間した位置に配置する工程と、研磨ツールが光学面を研磨する時に、研磨ツールと光学面との間に所定の圧力を付与する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】研磨液中の遊離砥粒として酸化セリウムの代替として、酸化セリウムと同等の研磨効果が得られる研磨工程によって、次世代のハードディスク用基板に求められる、機械的強度が高い材料を低コストで高精度の表面性状に加工する製造方法を提供すること。
【解決手段】情報記録媒体用基板の製造方法は、少なくともＳｉＯ_２成分を含むガラス又は結晶化ガラスからなる板状の無機材料を、研磨液及び研磨パッドを用いて研磨する研磨工程を含む情報記録媒体用基板の製造方法であって、研磨液は、Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる砥粒を少なくとも含有し、研磨開始時における研磨液中の砥粒濃度が１５ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲であり、研磨液中の砥粒の全重量に対する、Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる砥粒の含有量が７０ｗｔ％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、インサートのホルダーへの実装を想定した形態でインサートに外周面研削加工を施すことで、インサートのホルダーへの実装時の刃先位置のバラツキを減らすことである。
【解決手段】平板状のインサートの貫通穴の内面には、第１の加工用治具の基準面が接触する凸形状面が形成され、第１の加工用治具と、駆動装置と連結された回転軸を持つ第２の加工用治具とによって挟み込むように固定され、研削加工用工具との位置関係が決められた状態でインサートの外周面を研削することを特徴とするインサートの外周面研削方法である。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＤ低減剤を用いて研磨した後の研磨対象物表面における６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を低減することが可能なＬＰＤ低減剤、シリコンウエハの欠陥低減方法、及びシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＬＰＤ低減剤は、ＬＰＤ低減剤中のナトリウムイオンの濃度が１０ｐｐｂ以下であり、シリコンウエハ研磨において用いられる。ＬＰＤ低減剤は、さらにアルカリを好ましくは含有する。ＬＰＤ低減剤は、シリコンウエハの仕上げ研磨に用いられ、ＬＰＤの大きさが６５ｎｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】研磨液中の遊離砥粒として酸化セリウムの代替として、酸化セリウムと同等の研磨効果が得られる研磨工程によって、次世代のハードディスク用基板に求められる、機械的強度が高い材料を低コストで高精度の表面性状に加工する製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくともＳｉＯ_２成分を含む板状の無機材料を、研磨液及び研磨パッドを用いて研磨する研磨工程を含む情報記録媒体用基板の製造方法であって、前記研磨液は、Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる研磨砥粒を少なくとも含有し、前記研磨液中の砥粒濃度が２ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲であることを特徴とする情報記録媒体用基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、かかる従来技術の背景に鑑み、研磨パッド表面への研磨屑付着を抑制することで被研磨物表面のスクラッチやディフェクトの発生を低減させて、製品の歩留まりを向上させ、かつ、高い平坦性と適度な研磨速度が得られる研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、被研磨物と相対する研磨面のゼータ電位が−５５ｍｖより小さく−１００ｍｖ以上であることを特徴とする研磨パッドである。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーにおいて、加工液に混ざった切削屑を除去し、切削屑の除去された加工液を再度ワイヤソーに供給する。
【解決手段】走行するワイヤ４１にワーク４４を押し当てて切断するワイヤソー２と、ワイヤソー２に加工液８を供給する供給槽６と、加工液８の回収槽５とを備えたワイヤソー２の加工液循環装置１であって、回収槽５は、回収された加工液８が供給される加工液貯留部１２と、加工液貯留部１２の一端に設けられた傾斜部１３と、回収槽５の幅方向両端に沿って周回可能な無端チェーン１８と、加工液貯留部１２の底面３５に沈降した切削屑２８を傾斜部１３上方へ掻き上げる複数のスクレーパー２３と、切削屑２８の排出口１１と、加工液貯留部１２の加工液８をオーバーフローさせて供給槽６に供給する加工液流出部７とから構成し、供給槽６は、回収槽５からオーバーフローする加工液８を貯留するとともにワイヤソー１に供給するように構成する。 （もっと読む）