【課題】希土類窒化物は、イットリア以上の耐蝕性を持つ半導体製造装置用部材を作製できると期待されるが、希土類窒化物単体では酸化しやすい性質であり、例えば大気中では希土類酸化物に変化してしまう問題があった。
【解決手段】希土類窒化物からなるプラズマ耐蝕性材料であって、金属元素としてＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの中から少なくとも１種類の元素を金属元素の割合として０．１〜２０原子％含有することを特徴とするプラズマ耐蝕性材料は、プラズマに対する耐性が高く、このようなプラズマ耐蝕性材料は、希土類窒化物粉末に金属を混合した粉末を使用して溶射膜を形成することで製造することが出来る。 （もっと読む）

【課題】反応焼結窒化ケイ素基焼結体を作製する際に、低温短時間で従来製品と同等の反応焼結窒化ケイ素基焼結体を作製する方法及びその製品を提供する。
【解決手段】ケイ素原料に対して、窒化触媒の効果を有するＺｒＯ_２を添加するとともに従来法に比べて低温短時間で反応焼結を行うことで、従来製品の反応焼結窒化ケイ素と同等の機械的特性を有する反応焼結窒化ケイ素基焼結体材料を作製する。
【効果】従来法と比べて低温かつ短時間の反応焼結によって、窒化ケイ素基反応焼結体が作製可能なため、低エネルギー消費で従来品と同等の機械的特性を有する反応焼結窒化ケイ素基焼結体を作製し、提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子からの４３０〜４８０ｎｍの範囲の光によって高効率で安定に発光する窒化物蛍光体および酸窒化物蛍光体、これらの蛍光体の製造方法、ならびに、高効率で特性の安定した発光装置を提供する。
【解決手段】一般式（Ａ）：Ｅｕ_aＳｉ_bＡｌ_cＯ_dＮ_eで実質的に表される、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、一般式（Ｂ）：ＭＩ_fＥｕ_gＳｉ_hＡｌ_kＯ_mＮ_nで実質的に表され、、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、または、一般式（Ｃ）：(ＭＩＩ_1-pＥｕ_p)ＭＩＩＩＳｉＮ₃で実質的に表され、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活窒化物蛍光体、これらの蛍光体の製造方法、ならびに、これらの蛍光体を用いた発光装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、相対的に低温領域である６００℃以下の温度領域において、二珪化モリブデンの過度な酸化による低温劣化現象を改善する。
また、本発明は、フリット成分から生じる高温加工性を良好にし、複雑な形状を一層容易に製造することができ、二酸化ケイ素などのフリット成分を原料の合成段階で添加することで、成形のための二珪化モリブデン粉末の混合工程を減らすか、混合効率の向上によって工程時間を短縮する。
さらに、本発明は、電気伝導性を向上させる物質を二珪化モリブデン組成物に添加することで、電気抵抗性の過度な増加を補償する。
【解決手段】モリブデン（ＭｏＳｉ_２）とケイ素（Ｓｉ）とのモル比が１：２.０１〜１：２.５の範囲である二珪化モリブデン組成物を構成する。 （もっと読む）

【課題】バーナーの小型化、少台数化、短時間の熱交換を図ることができ、しかも熱膨張、酸化、腐食等により損耗し難い蓄熱部材及び熱交換器を提供する。
【解決手段】理論密度比で９５％以上の緻密質セラミックスからなる蓄熱部材であって、緻密質セラミックスが、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比１０未満、純度８５質量％以上のアルミナ質セラミックス、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比１０未満、純度９０質量%以上のムライト質セラミックス、平均結晶粒径１〜２０μｍ、平均アスペクト比１５未満、純度８５質量%以上の窒化珪素質セラミックス、又は、平均結晶粒径０．５〜１０μｍ、平均アスペクト比１２未満、純度９０質量%以上の炭化珪素質セラミックスから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする蓄熱部材、及び、この蓄熱部材を少なくとも用いてなる熱交換器である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、立方晶窒化硼素（ｃＢＮ）砥粒製造時に導入された欠陥及び微視的亀裂を解消し、耐磨耗性、耐欠損性が原料砥粒よりも高い立方晶窒化硼素粒子を含んだ立方晶窒化硼素焼結体を提供することを目的とする。
【解決手段】立方晶窒化硼素及び、結合材からなる立方晶窒化硼素焼結体であって、該立方晶窒化硼素焼結体の断面において、立方晶窒化硼素が二以上の角部を有し、該角部のうち二以上の角度が９０°以下であることを特徴とする立方晶窒化硼素焼結体により解決される。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率を有し、しかもチッピング幅の分布が小さい窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】下記条件（１）および（２）を充足する窒化アルミニウム粒子からなることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。 （１）Ｄ₉₀−Ｄ₁₀＝３．０〜６．０μｍ〔Ｄ₉₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積個数％が９０％のときの粒子径であり、Ｄ₁₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積個数％が１０％のときの粒子径である。〕 （２）平均粒子径（Ｄ_av）＝３．０〜７．０μｍ （もっと読む）

【課題】高強度、高靭性特性に加えて、特に転がり特性が優れた耐摩耗性部材の製造方法を提供する。
【解決手段】酸素を１．５質量％以下、α相型窒化けい素を９０質量％以上含有し、平均粒径が１．０μｍ以下の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物に換算して２〜１０質量％，ＭｇＡｌ_２Ｏ_４スピネルを２〜７質量％，炭化けい素を１〜７質量％，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｒからなる群より選択される少なくとも１種を酸化物に換算して５質量％以下添加した原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成形体を非酸化性雰囲気中で温度１６００℃以下で焼結することにより粒界相に存在する凝集偏析の幅の最大値を５μｍ以下にすることを特徴とする窒化けい素製耐摩耗性部材の製造方法である。なお上記ＭｇＡｌ_２Ｏ_４スピネルに代えて、ＭｇＯとＡｌ_２Ｏ_３との混合物を用いても同様な作用効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】有用な透明酸化物薄膜を安定且つ高速に製造するためのスパッタリングターゲット用焼結体、透明酸化物薄膜、及びガスバリア性透明樹脂基板を提供すること。
【解決手段】焼結体は、導電性酸化物と炭化シリコンで構成されている。焼結体中のシリコン含有量が、焼結体中の全金属元素含有量に対して０．５〜９９．５原子％の割合であることを特徴とする。透明酸化物薄膜は、前記焼結体を原料として用いて、スパッタリング法で製造され、シリコンを含むことを特徴とする。ガスバリア性透明樹脂基板は、樹脂フィルム基材の少なくとも一方の面側に前記透明酸化物薄膜を形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】 微粒超硬合金作製に有用な微粒ＷＣ粉とこれを安価に製造する製造方法とこの原料からなる高硬度微粒超硬合金を提供すること。
【解決手段】 ＷＣ粉は、結合炭素量が５．１０〜５．９０質量％、窒素含有量が０．１０〜０．２０質量％とＷ_２Ｃを含有するＷＣ粉において、Ｗ_２Ｃ／ＷＣ＝０．０７〜０．８８であり、Ｗ_２Ｃ／ＷＣの値はＸ線回折により、ＪＣＰＤＳ ２５−１０４７のＷＣ（１０１）とＪＣＰＤＳ ３５−０７７６のＷ_２Ｃ（１０１）の強度の割合である。このＷＣ粉は、Ｗ酸化物とカーボン粉、あるいはＷ酸化物とＣｒ酸化物とカーボン粉を混合し、窒素雰囲気中で加熱し、還元、炭化することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】加熱時のガス放出量を低減させたセラミックスとその製造方法、及びこのセラミックスで構成された長寿命のボートを提供する。
【解決手段】０．２〜７．５質量％の酸化ストロンチウムと０．８質量％以下（０は含まない）の酸化硼素とを含み、二硼化チタン及び窒化硼素を主成分とする相対密度が９０％以上のセラミックス。二硼化チタンを４０〜６０質量％、窒化硼素を３０〜６０質量％、平均粒径が１０μｍ以下の酸化ストロンチウムを０．５〜８．５質量％を含む混合原料粉末を成形した後、非酸化性雰囲気下、温度１７００〜２２００℃、圧力１０ＭＰａ以上で焼結することを特徴とするセラミックスの製造方法。上記セラミックスで構成されてなる金属蒸発用容器。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性や潤滑性に優れ、かつ高い硬度を有し、高速度の切削に好適に使用される切削工具を、被膜形成等を要することなく提供することができる立方晶窒化硼素焼結体を得ること。
【解決手段】 立方晶窒化硼素及び、結合材からなる立方晶窒化硼素焼結体であって、前記結合材中における炭素の含有量が、立方晶窒化硼素焼結体全体に対して、０．０１〜３質量％であることを特徴とする立方晶窒化硼素焼結体とする。前記炭素がグラファイトとして含有されている場合には、その粒径が３０ｎｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
焼入鋼の切削加工など切削時に刃先温度が高くなる加工において、優れた性能を発揮する立方晶窒化硼素焼結体の提供を目的とする。
【解決手段】
立方晶窒化硼素：立方晶窒化硼素焼結体全体に対して５５〜７５体積％と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌの金属、炭化物、窒化物、酸化物、硼化物およびこれらの相互固溶体の中から選ばれた少なくとも１種の結合相：残部とからなり、立方晶窒化硼素は、粒径が０．５〜２．０μｍの微粒立方晶窒化硼素：立方晶窒化硼素全体に対して３０〜７０体積％と、粒径が２．０μｍ超〜１０μｍの粗粒立方晶窒化硼素：立方晶窒化硼素全体に対して３０〜７０体積％とからなり、結合相厚みの平均値は０．５〜１．０μｍである立方晶窒化硼素焼結体。 （もっと読む）

【課題】従来の六方晶窒化ホウ素焼成体の製造方法の問題点を解決し、ホットプレス等の
加圧装置を用いず、かつ非酸化性雰囲気とすることなく、大気中で常圧でｈＢＮを焼成す
る方法とその焼成体を提供すること。
【解決手段】本発明は、六方晶窒化ホウ素と、焼成温度において液相を形成し六方晶窒化
ホウ素と濡れる性質を有する焼成用助剤とを混合し、大気中、無加圧で焼成することを特
徴とする窒化ホウ素焼成体の製造方法と、このようにして得られた六方晶窒化ホウ素とガ
ラス質物質からなる窒化ホウ素焼成体である。焼成用助剤としては、曹長石、ＮａＡｌＳ
ｉ₃Ｏ₈、カリ長石、ＫＡｌＳｉ₃Ｏ₈などのアルミノケイ酸塩が好ましい。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造工程あるいは液晶パネル製造工程で用いられる基板処理装置用部材等を構成する窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】
β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主成分とし、β−ＲＥ_２Ｓｉ_２Ｏ_７（ＲＥは周期律表第３族元素）を３体積％以上、２０体積％以下の範囲で含有してなり、室温における熱膨張係数が１．４×１０^−６／Ｋ以下、室温における熱伝導率が２５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の窒化珪素質焼結体を提供することができ、特に半導体製造装置用部材・液晶製造装置用部材として用いた際に、温度変化が生じた際においても熱膨張の非常に小さい焼結体であるため、位置精度を高いものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素焼結体本来の特性である高強度、耐摩耗性、耐熱性等を損なうことなく、さらに酸やアルカリ等の化学薬品に対しても優れた耐薬品性（耐腐食性）を示す窒化けい素焼結体の製造方法、それを用いた耐薬品性部材の製造方法および軸受部材の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ・Ａｌ_２Ｏ_３スピネル構造体を０．５〜６重量％、炭化けい素を０．１〜２０重量％、酸化けい素を１重量％以下、酸化アルミニウムを０．５〜３重量％含み、残部が実質的に窒化けい素から成るセラミックス混合体を調製し、得られたセラミックス混合体を成形後、焼成することを特徴とする窒化けい素焼結体の製造方法である。得られる窒化けい素焼結体は、耐薬品性部材や軸受部材１，２，３として使用される。 （もっと読む）

【課題】紫外ＬＥＤや青色ＬＥＤを光源とする白色ＬＥＤに好適な蛍光体のα型サイアロン粉末を再現性良く、安定して、多量に製造する方法を提供する
【解決手段】（Ｍ１）_Ｘ（Ｍ２）_Ｙ（Ｓｉ、Ａｌ）_１２（Ｏ、Ｎ）_１６（Ｍ１はＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ及びランタニド金属（ＬａとＣｅを除く）からなる群から選ばれる１種以上の元素で、Ｍ２はＣｅ、Ｐｒ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｙｂ及びＥｒからなる群から選ばれる１種以上の元素で、０．３＜Ｘ＋Ｙ＜１．５、かつ０＜Ｙ＜０．７）で示され、金属シリコンと、窒化アルミニウムと、Ｍ１含有化合物と、Ｍ２含有化合物と、必要に応じて、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、及びα型サイアロンからなる群から選ばれる１種以上と、からなる混合粉末を窒化性雰囲気中１３００〜１５５０℃で加熱処理後、非反応性又は窒化性雰囲気中１６００〜１９００℃で加熱処理し、粉砕することを特徴とするα型サイアロン粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】現在、主に使用されている高強度セラミックス材料（例えば、アルミナ、Ｓｉ含浸型ＳｉＣや再結晶型ＳｉＣ質耐火物）と遜色無い強度を有するとともに、量産性の向上と大型品の製造を容易にし、複雑形状の製品も容易に作製することができるだけでなく、製造コストを大幅に軽減することができる酸化物結合炭化珪素質材料を提供する。
【解決手段】炭化珪素から実質的に構成され、炭化珪素の結晶粒子とその粒界部及び気孔とを有し、且つ炭化珪素の結晶粒子を、二酸化珪素を主成分とする酸化物で結合した構造を有する酸化物結合炭化珪素質材料である。常温及び高温時における曲げ強度が１００ＭＰａ以上であり、且つ嵩比重が２．６５以上である。 （もっと読む）

再生処理等で熱応力がかかった際に、炭化珪素の粒子が破壊されることによって大きなクラックが発生するのを抑制でき、また、再生処理を繰り返し行った際に、担持した触媒が劣化するのを抑制でき、長期にわたって安定して使用することができるセラミック焼結体ならびにセラミックフィルタを提供することを目的とする。 本発明は、セラミック粗粒子、およびこのセラミック粗粒子群間にあってこれらを繋ぐように存在し、該セラミック粗粒子よりもその平均粒子径が小さなセラミック微粒子および／またはこれらの集合体からなる多結晶体の接合層とからなること特徴とするセラミック焼結体、ならびにこのセラミック焼結体を用いて作製されたセラミックフィルタ。
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【課題】発光効率に優れた発光素子などの半導体素子製造用基板として使用され、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜基板を提供する。
【解決手段】セラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることにより、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成される。該単結晶薄膜と焼結体との接合体を用いて、電子素子および電子部品を製造する。 （もっと読む）