【課題】パーティクルの発生が少なく、半導体製造装置またはフラットパネルディスプレイ製造装置に好適な多孔体を提供する。
【解決手段】１００質量％のＳｉＣ粉末と、５質量％以下のカーボンと、２０質量％以上の金属シリコンからなることを特徴とする多孔体であって、前記金属シリコンの粒子同士がネッキングした構造を有する。１００質量％のＳｉＣ粉末と、５質量％以下のカーボン粉末または５質量％以下のカーボンを含む有機系バインダーと、２０質量％以上の金属シリコン粉末との混合粉末をプレス成形して成形体とする工程と、前記成形体を非酸化雰囲気中、１２００〜１３５０℃で熱処理することにより金属シリコンの粒子同士をネッキングさせる工程を含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】靱性を高くすることができる炭化硼素質焼結体および防護部材を提供する。
【解決手段】炭化硼素を主成分とし、炭化珪素およびグラファイトを含む炭化硼素質焼結体であって、炭化硼素からなる主結晶粒子１の粒界に針状の炭化珪素粒子５が存在するとともに、該針状の炭化珪素粒子５と主結晶粒子１との間に、炭化珪素からなる介在結晶相６が存在するので、炭化珪素からなる介在結晶相６が針状の炭化珪素粒子５と主結晶粒子１とに接触し、炭化硼素を介在結晶相６、針状の炭化珪素粒子５で連結し、アンカー効果により靱性を向上できるとともに、仮に、クラックが発生したとしても、介在結晶相６および針状の炭化珪素粒子５でクラックの進展が抑制され、炭化硼素質焼結体の靱性を大きくすることができ （もっと読む）

【課題】靱性を向上できる炭化硼素質焼結体およびその製法ならびに防護部材を提供する。
【解決手段】炭化硼素を主成分とし、炭化珪素およびグラファイトを含む炭化硼素質焼結体であって、前記炭化硼素からなる主結晶粒子１の粒界に、針状の炭化珪素５が存在するとともに、任意の断面における針状の炭化珪素５が５００〜５０００個／ｍｍ^２存在するため、針状の炭化珪素５のアンカー効果により炭化硼素からなる主結晶粒子１同士を連結し、靱性を向上でき、仮に、クラックが発生したとしても、針状の炭化珪素５でクラックの進展を抑制することができ、これにより、防護部材の破損を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、耐脆化性に富むハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＨｆＳｉ_{０．８２−０．９８}からなるゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットに関する。ＨｆＳｉ_{０．８２−０．９８}からなる組成の粉末を合成し、これを１００メッシュ以下に粉砕したものを１７００°Ｃ〜２１２０°Ｃ、１５０〜２０００ｋｇｆ／ｃｍ^２で、ホットプレス又は熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）することによりゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】所望形状の炭化ケイ素質ヒーターを容易に製造可能な炭化ケイ素質ヒーターの製造方法を提供する。
【解決手段】ケイ素（Ｓｉ）粉体を含む坩堝内にカーボン（Ｃ）製のシートを配置する第１工程と、坩堝を窒素雰囲気下で加熱し、前記シートにケイ素ガスを含浸して反応焼結させる第２工程とを有する。窒素雰囲気下でケイ素ガスを含浸して反応焼結させることによりカーボン製のシートが炭化ケイ素化し、滑、導電性が付与されるので、カーボン製シートを予め所望の形状に加工しておくことにより所望形状の炭化ケイ素質ヒーターを容易に製造できる。 （もっと読む）

【課題】反応焼結窒化ケイ素基焼結体を作製する際に、低温短時間で従来製品と同等の反応焼結窒化ケイ素基焼結体を作製する方法及びその製品を提供する。
【解決手段】ケイ素原料に対して、窒化触媒の効果を有するＺｒＯ_２を添加するとともに従来法に比べて低温短時間で反応焼結を行うことで、従来製品の反応焼結窒化ケイ素と同等の機械的特性を有する反応焼結窒化ケイ素基焼結体材料を作製する。
【効果】従来法と比べて低温かつ短時間の反応焼結によって、窒化ケイ素基反応焼結体が作製可能なため、低エネルギー消費で従来品と同等の機械的特性を有する反応焼結窒化ケイ素基焼結体を作製し、提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 炭化硼素粉末の表面に形成された親油性膜は完全に水と炭化硼素粉末との反応を押さえることができず、温度が２００〜３００℃付近に上昇すると、親油性膜が熱で分解され、高温の水蒸気が浸入して炭化硼素粉末は酸化するため、この粉末から得られた焼結体は気孔が多く、炭化硼素が有する本来の高い硬度や高い強度が発現しない。
【解決手段】 炭素単体または珪素単体を含有するとともに、水酸化硼素を含む層を表面に有した炭化硼素粉末であって、該炭化硼素粉末の比表面積をＸ（ｍ^２／ｇ）、前記層における前記水酸化硼素の酸素の含有量をＹ（質量％）としたとき、０＜Ｘ≦１８、０．３≦Ｙ／Ｘ≦１．２を満足する炭化硼素粉末であり、気孔が少なく、硬度、強度等の機械的特性が高い炭化硼素質焼結体を得ること。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド粒子からダイヤモンド−炭化ケイ素−ケイ素複合材料を製造する方法、および、この方法により製造されたダイヤモンド−炭化ケイ素−ケイ素複合材料を提供する。
【解決手段】加工物を形成し、その加工物を加熱し、その加熱温度と加熱時間を、ある一定の、所望とされる量の黒鉛がダイヤモンド粒子の黒鉛化により造り出されるように制御し、それによって中間物を造り、そしてその中間物にケイ素を浸透させることにより、２０〜７５容積％のダイヤモンド粒子、少なくとも５容積％、好ましくは１５容積％より多い炭化ケイ素、およびケイ素を含んで成る、ヤング率が４５０ＧＰａを越える物体を作製する。 （もっと読む）

【課題】高い強度のチタンシリコンカーバイド基複合材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多結晶チタンシリコンカーバイドの結晶粒を配向させ、大部分の結晶のｃ面が一方向に揃った組織のチタンシリコンカーバイドに微細な炭化チタン粒子が分散した組織で、その強度が従来の多結晶チタンシリコンカーバイドより大きいことを特徴とするチタンシリコンカーバイド基複合材料、及びこの複合材料に１０〜２０体積パーセントの炭化ケイ素ウィスカが分散した組織で、更に、高強度であることを特徴とするチタンシリコンカーバイド基複合材料、及びチタン、ケイ素、炭化チタンの混合粉末、又はチタン、炭化ケイ素、炭素の混合粉末を用いて、上記チタンシリコンカーバイド基複合材料を製造する方法。 （もっと読む）

この発明は少なくとも95％の炭化珪素ＳｉＣを含む多孔質セラミック物質からなる構造物を得る方法に関し、前記方法は前記構造物が少なくとも
― 中位数径が5ミクロン未満であるα-ＳｉＣ結晶粒子の第１画分；
― 中位数径がα-ＳｉＣ結晶粒子の第１画分より少なくとも２倍大きく、しかも中位数径が5ミクロン以上であるα-ＳｉＣ結晶粒子の第２画分；および
― β-ＳｉＣ結晶粒子もしくは少なくともβ-ＳｉＣ結晶粒子の先駆物質の画分
を含むα-ＳｉＣ結晶粒子の混合物から得られることを特徴とする。
この発明はまた当該方法により得られる多孔構造物に関する。 （もっと読む）

【課題】被焼成物の転倒を防止することができ、製作コストが安価であり、燃費が良好な棚組構造を提供する。
【解決手段】カートップ１に支柱２、３を立設し、その上に棚板４を載せた棚組み構造であり、支柱２を上部支柱２ａと下部支柱２ｂに分割するとともに、上部支柱に縦穴２ｃを設け、この縦穴２ｃに対応する棚板４の端部に貫通孔４ａまたは切欠きを設け、被焼成物の転倒を防止するためのセラミック棒５の下部を、棚板４の貫通孔４ａまたは切欠きを介して上部支柱２ａの縦穴２ｃに挿入して保持させる。全部の棚板４を厚さが１０ｍｍ以下の薄板とし、熱容量を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】摩耗や損傷が生じにくく、長寿命な窯炉用構造部材を提供する。
【解決手段】熱伝導率が３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、強度が５０ＭＰａ以上、ヤング率が２００ＧＰａ以上、見掛け気孔率が１０％以下のセラミックス材料からなる窯炉用構造部材であって、当該セラミック材料は、炭化珪素、窒化珪素、炭化珪素と窒化珪素との複合材料、炭化珪素と珪素との複合材料、及び炭化珪素と珪素化合物との複合材料の内の何れかである。 （もっと読む）

【課題】肉厚形状にしても、酸化劣化、破損等が生じ難いＳｉ−ＳｉＣ質焼結体を提供する。
【解決手段】骨材としての複数の炭化珪素（ＳｉＣ）粒子と、結合剤として前記炭化珪素粒子間の隙間に充填された珪素（Ｓｉ）とを有するＳｉ−ＳｉＣ質焼結体であって、前記炭化珪素粒子の最大粒子径が、０．５ｍｍ以上であり、前記珪素の含有率が５〜４０質量％であり、気孔率が０〜５％であるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体。好ましくは、厚さ２０〜２００ｍｍの肉厚形状であるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基複合材における織物中の空隙へのマトリックスの充填の程度を改善する。
【解決手段】 炭素よりなる粉末と、シリコンよりなる粉末と、有機溶媒を含む媒質と、を含む混合物を調製し、無機物の繊維よりなる織物を前記混合物に埋没し、前記混合物を前記織物に含浸せしめるべく前記混合物を加振し、含浸した前記沈殿を含む前記織物を焼成する、ことにより、セラミックス基複合材を製造する。 （もっと読む）

【課題】複雑な立体形状を備える炭化ケイ素ヒータの製造方法を提供する。
【解決手段】炭素繊維に炭素源を含浸させる工程と、炭素源を含浸させた前記炭素繊維に溶融したケイ素源を含浸させ、炭素源と前記ケイ素源を反応させて炭化ケイ素ヒータを得る工程と、を含む炭化ケイ素ヒータの製造方法。更には、炭素繊維に炭素源を含浸させる工程において、円柱状に成形したシート状の炭素繊維或いはコイル状に成形した炭素繊維に炭素源を含浸させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】傾斜機能材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】所定の形状の成形空間を有する型内で金属及び／又はセラミックスの被焼結材料を直接通電により加圧焼結して傾斜機能材料を製造する方法であって、型内の成形空間に被焼結材料を配置して、被焼結材料の焼結特性に応じて、被焼結材料を任意の焼結温度分布により焼結することからなる傾斜機能材料の製造方法、Ｔｉ_３ＳｉＣ_２とＴｉＣの２相組織の焼結体からなる傾斜機能材料であって、炭化チタンが、段階的又は傾斜的である組成を有し、炭化チタンの組成が異なる材料が全体の緻密性を確保しながら一体成形されている、チタンシリコンカーバイド−炭化チタン系傾斜機能材料、及びその製造方法。
【効果】被焼結材料の全体の緻密性を確保しながら焼結温度の異なる材料を一体成形した傾斜機能材料を提供できる。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属類を多量に含む製品を焼成しても炉材が浸食されることがない、フラット天井式の焼成炉炉体構造を提供する。
【解決手段】天井壁を側壁２、２間に横架された剛性部材５で保持したフラット天井式の焼成炉である。本発明では剛性部材をＳｉ含浸ＳｉＣ製のビームとして天井壁の厚みの中間高さに位置させ、そのビームの下方にセラミックスピン９で断熱材を保持させる。これによりＳｉ含浸ＳｉＣ製の剛性部材６は断熱材の内部に埋設されることとなり、アルカリ金属蒸気を含む腐食性ガスと剛性部材６とが直接接触することがなくなる。また仮に腐食性ガスが浸入してきても、温度が低いので剛性部材６の溶融が防止される。 （もっと読む）

【課題】窒化ケイ素と比較して安価なケイ素を主原料として用いて、ケイ素の窒化過程を利用して作製した反応焼結窒化ケイ素基複合材料を提供する。
【解決手段】ケイ素を含む原料を用い、窒素中においてケイ素を窒化せしめる反応焼結の行程を経た後、緻密化された窒化ケイ素基複合材料であって、Ｚｒの酸化物及び／又は窒化物が分散した状態で含まれている、かつ、粒界相が少なくともＡｌとＳｉを含む酸化物又は酸窒化物の非晶質相である、ことを特徴とする窒化ケイ素基複合材料、その製造方法、及び出発原料として、ケイ素を含む原料を用い、酸化ジルコニウム及び焼結助剤を所定の配合によって混合、成形し、窒素中においてケイ素を窒化せしめる反応焼結を行った後、昇温し、緻密化させることを特徴とするβサイアロン基セラミックスを含む窒化ケイ素基複合材料の製造方法。
【効果】低コストで信頼性に優れた窒化ケイ素基複合材料を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】剛性が高く、軽量で、低コストで平滑な面を持つ、大型化のセラミック構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板等の被処理物を乗せた状態で加工処理を行うための架台として用いられるセラミック構造体であって、該架台は、剛節架構構造を有する複数のユニットが結合・一体化された構造を有している、上記架台の表面は、緻密な膜で被覆されている、上記架台を構成する固体部分は、反応焼結窒化ケイ素又は反応焼結炭化ケイ素を主成分とする材料で構成されている、上記架台の部分の応力の大きさに応じて異なる気孔率を有するユニットが配設されている、ことを特徴とするセラミック構造体。
【効果】半導体や液晶の露光装置に必要なステージやテーブル等について、剛性が高く、軽量で、平滑な面を持ち、大型化に対応できる製品を低コストで製造し、提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 ハニカム成形体のサイズが大型化したり、また分割型ハニカム（セグメント）焼成においてセグメント密度が大型化した場合でも、クラックやハニカム成形体の変形が発生しない窒化ケイ素質ハニカムフィルタの製造方法の提供。
【解決手段】 金属ケイ素粒子と気孔形成材とを含むハニカム成形体を加熱炉に載置し、窒素を炉内に導入して金属ケイ素を窒化ケイ素とし、焼結して窒化ケイ素からなる窒化ケイ素質ハニカムフィルタの製造方法において、熱処理時のガス雰囲気が、（１）室温〜窒素ガス導入開始温度までは、真空又はＡｒ等を大気圧以下に含む雰囲気として昇温する第１段階と、（２）炉内圧力を２０〜９０ＫＰａの範囲の一定減圧圧力に調整し、窒素ガス導入量を特定量として加熱、窒化する第２段階と、（３）窒素ガス導入量制御終了温度からは窒素を大気圧以下に含む雰囲気として加熱、焼結する第３段階とを順次実施する。 （もっと読む）