説明

Fターム[4G001BA62]の内容

セラミック製品 (17,109) | 原料組成 (4,418) | 金属、合金、金属間化合物 (398) | Si (195)

Fターム[4G001BA62]に分類される特許

21 - 40 / 195


【課題】耐酸化性や耐食性に優れた炭化ケイ素系耐熱性超軽量多孔質構造材を提供する。
【解決手段】有機多孔質構造体の有形骨格に樹脂類及びシリコン粉末を含んだ第一スラリーを含浸させ真空或いは不活性雰囲気下において炭素化し、真空或いは不活性雰囲気下において反応焼結させて炭化ケイ素化し、シリコンを溶融含浸してシリコン被覆層を形成し、次いで樹脂類を含む第二スラリーを含浸させ炭素化するとともにシリコン被覆層の少なくとも表面を炭化ケイ素化する。 (もっと読む)


【課題】パーティクルの発生個数の低減化が図られている多孔体の製造方法を提供する。
【解決手段】100重量部のSiC粉末と、5重量部以下のカーボン粉末または5重量部以下のカーボンを含む有機系バインダーと、20重量部以上の金属シリコン粉末との混合粉末をプレス成形して成形体とする。成形体を非酸化雰囲気中、1200〜1350[℃]で熱処理することにより金属シリコンの粒子同士をネッキングさせる。 (もっと読む)


【課題】強化繊維の形態を適切に調整することで、破壊エネルギーが高く、かつ熱伝導率や曲げ強度の特性も適切に制御された、炭素繊維強化炭化ケイ素系セラミックスを提供する。
【解決手段】炭素繊維31からなる短繊維を集合してその外表面に炭素被膜32を形成することで被膜付き繊維集合体3を作製する工程と、炭化ケイ素と炭素材料とを混合して基材部原料2を作製する工程と、これらに炭素被膜のない炭素繊維からなる短繊維4とを混合して混合体を作製する工程と、前記混合体を成型,加圧して成形体を作製し、前記成形体を還元雰囲気下で焼成して焼成体を作製したのち、焼成体に対して減圧下でシリコン含浸を行うことを特徴とする、炭素繊維強化炭化ケイ素系セラミックス1の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高剛性でかつ高熱伝導率のSiC/Si複合材料を支障なく提供する。
【解決手段】SiC粒子の間にSiが充填された構造を有するSiC/Si複合材料において、SiC粒子が、粒度が異なる粗粉及び微粉により構成され、SiCの充填率が、86〜94体積%となるようにする。この場合、SiC粒子の結晶相は、粗粉においてはα相のみであり、微粉においてはβ相のみであるか又はβ相及びα相が混在しており、α相及びβ相の結晶の含有率をそれぞれα体積%及びβ体積%とすれば、64≦β/(100−α)≦86が成立する。 (もっと読む)


【課題】 低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素発熱体,ハニカムを製造することができる製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明の製造方法は、炭化ケイ素と、ケイ素と、炭素と、アルミニウム原料と、を混合する工程と、混合物を焼成する工程と、を有する製造方法である。そして、アルミニウム原料の割合,焼成条件を調節することで、優れた抵抗値特性が得られるものとなっている。 (もっと読む)


【課題】耐摩耗性を向上でき、またそのばらつきを効果的に抑制することができる窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】 単結晶試料についてラマン分光分析を行ったときの1200cm−1での散乱強度を基準散乱強度レベルX0として、その基準散乱強度X0からの増分散乱強度にて表した、500〜530cm−1に出現する最強の散乱ピークの高さをYkとし、また、焼結体のラマン分光分析を行ったときのスペクトルプロファイルの、1200cm−1における基準散乱強度X0からの増分散乱強度Y1として、Y1のYkに対する比Y1/Ykを0.4以上とする。これにより、窒化珪素質焼結体の耐摩耗性を向上させることができ、また、そのばらつきも抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】 機械的特性および耐熱衝撃性に優れ、信頼性が高く長期間にわたって使用することのできる窒化珪素質焼結体からなる溶湯金属用部材を提供する
【解決手段】 窒化珪素を主成分とする柱状結晶1と、金属元素の酸化物を主成分とする粒界相2とを有する窒化珪素質焼結体からなり、窒化珪素質焼結体の表面に開気孔3を有し、開気孔3の内部に、窒化珪素焼結体の内部に存在する第1の柱状結晶1aよりも径の太い第2の柱状結晶1bが互いに交錯するように複数存在している溶湯金属用部材である。溶湯金属による開気孔3の内面の粒界相2の浸食が抑制されることで、窒化珪素質焼結体自体の機械的特性および耐熱衝撃性を向上することができる。また、溶湯金属が粒界相2と反応して強固に付着することも少なくなるため、長期間にわたって使用することができる。 (もっと読む)


【課題】過酷な条件下に耐え得る立方晶窒化硼素焼結体が強固かつ高剛性に接合されてなる立方晶窒化硼素焼結体工具を提供する。
【解決手段】本発明の立方晶窒化硼素焼結体工具は、立方晶窒化硼素焼結体が接合層を介して工具母材に接合されたものであって、立方晶窒化硼素焼結体は、30体積%以上95体積%以下の立方晶窒化硼素粒子と5体積%以上70体積%以下の結合相とを含有し、立方晶窒化硼素焼結体と接合層との接合面のうちの面積が最大となる接合面に垂直な面で立方晶窒化硼素焼結体工具を切断したときの少なくとも1つの切断面において、点Aと点Bとを結ぶ線分の長さの4分の1の長さだけ離れた点を点Dとすると、点Cと点Dとを結ぶ線分と、第1立方晶窒化硼素粒子と、第2立方晶窒化硼素粒子と、結合相とによって囲まれる領域の面積を、点Aと点Bとを結ぶ線分の長さで除したときの値が、0.14μm以上0.6μm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 常圧焼結方法により、割れや欠け等を生じさせずに焼結させることができ、生産性を向上させるチタンシリコンカーバイドの製造方法を提供する。
【解決手段】 チタンシリコンカーバイドの製造に使用する原料粉末を構成するTi粉末の一部をTi繊維に置換したチタン繊維混合粉末を調製する工程と、前記チタン繊維混合粉末を加圧してチタン繊維を含有する圧粉体を形成する工程と、前記圧粉体を常圧下において加熱して焼結させる工程とを備え、前記チタン繊維混合粉末を調製する工程においては、Ti成分と、Si成分と、C成分とがチタンシリコンカーバイドのTiとSiとCのモル比に一致するように、Ti繊維と各粉末の分量比を設定することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】セラミックス部材と金属部材とを、ろう付けによって高い導電性を確保した状態で接合するセラミックス−金属接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のセラミックス−金属接合体の製造方法は、導電性を有するセラミックス材料からなるセラミックス部材131の接合面131aに、還元性を有する還元剤134を塗工して上記接合面131aにおける酸化膜を還元除去し、その後、セラミックス部材131と金属部材132とをろう材133を介して接合する工程を備えたセラミックス−金属接合体の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】二相構造を有する共晶シリコン合金の焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】重量%で、シリコン30〜70、窒素10〜45、アルミニウム1〜40、及び酸素1〜40を含有するシリコン合金であって、β’サイアロン相とο’サイアロン相からなる共晶組織を有する二相共晶シリコン合金の粉末からなる成形体を、その熱容量の10倍以上の熱量を投入できる焼結炉内に保持し、常圧又は常圧以上で、且つシリコン気体のモル分率が10%以上である窒素雰囲気において、1400℃以上1750℃以下の温度範囲内の異なる温度において2段階で焼結を行う。各相に適した異なる温度で2段階で焼結することにより、高密度焼結体を得ることが出来る。 (もっと読む)


【課題】溶解材料の含浸時に十分に炭化ホウ素とケイ素との反応を抑制し、クラックの発生を防止できる。
【解決手段】本発明の複合材料の製造方法は、炭化ホウ素の強化材と金属ケイ素のマトリックスとからなる複合材料の製造方法であって、金属ケイ素に対して10重量%以上の炭化ホウ素が含有されるように、炭化ホウ素含有材料を溶融金属ケイ素に混合し事前溶解させ、1420℃以上1500℃以下で事前溶解材料を、炭化ホウ素のプリフォームに含浸させる。このように、金属ケイ素に対して10重量%以上の炭化ホウ素が含有されるように事前溶解材料を生成し、低温の1420℃以上1500℃以下でプリフォームへの含浸させるため含浸時に炭化ホウ素と金属ケイ素との反応が生じにくい。その結果、反応生成物によるクラックを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】耐熱性や機械的強度の他に、焼成するセラミック電子部品と反応しない特性を備えた上で、更に、エネルギー効率や窯効率に優れたセッターを提供すること。
【解決手段】基材と、その上層に表面コート層を有し、該基材が、SiCを70〜99質量%、Siを1〜30質量%含有する。 (もっと読む)


【課題】 高温耐酸化性に優れ、自己温度調節機能を有し、加工を容易に行うことができる抵抗発熱体として使用可能な導電性快削セラミックス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
312チタンアルミニウムカーバイド(TiAlC)とチタンシリコンカーバイド(TiSiC)の固溶体を主成分とする高温耐酸化性に優れた導電性快削セラミックス及びその製造方法であって、312チタンアルミニウムカーバイド(TiAlC)とチタンシリコンカーバイド(TiSiC)の固溶体におけるチタンシリコンカーバイド(TiSiC)の固溶量xを特定の範囲とする。 (もっと読む)


【課題】平均熱膨張係数(23〜150℃)が2〜6ppm/Kの範囲に任意に調節可能で、ヤング率が高くかつ機械的強度が大きく、焼結性に優れる窒化珪素・メリライト複合焼結体を用いた基板を提供する。
【解決手段】ヒーター基板300は、板状の基板310と、ヒートパターン320とを備える。基板310は、窒化珪素結晶相と、メリライト結晶相(Me2Si3O3N4、Meはメリライトを形成する金属元素)と、粒界相とを有する窒化珪素・メリライト複合焼結体を材料として作成されている。窒化珪素・メリライト複合焼結体の切断面におけるメリライト結晶相の占める割合は20面積%以上である。 (もっと読む)


【課題】流体の温度を安定的にかつ短時間に上昇させることができる流体昇温用フィルターおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンおよび炭化ケイ素を含有しており、マイクロ波によって加熱されて用いられる。 (もっと読む)


【課題】高充填率であっても加工コストを抑えられるSiC/Si複合材料の製造方法を提供する。
【解決手段】SiC粉末及び有機バインダーを含む混合物を準備する行程と、前記混合物を成形してプリフォームとする成形工程と、前記プリフォームを所定雰囲気で脱脂する脱脂工程と、脱脂した後の前記プリフォームに加工を施す加工工程と、Siを浸透させる浸透工程と、を含むSiC/Si複合材料の製造方法。前記有機バインダーの添加量は、前記SiC粉末をタップした際にできる空隙の容積の25〜100体積%に調整する。 (もっと読む)


【課題】焼結助剤の種類や量にかかわらず、相対密度の高い窒化ケイ素系セラミックスを容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】金属Si粉末と焼結助剤との混合物の圧粉体を窒素雰囲気中で焼成することにより、圧粉体中の金属Siの少なくとも一部が窒化された反応焼結体を得る窒化工程S6と、反応焼結体を窒素雰囲気中で焼成することにより緻密化された最終焼結体を得る緻密化工程S7とを含む。そして、窒化工程S6において、金属Siの重量分率が0〜10wt%、α−Siの重量分率が50〜95wt%、β−Siの重量分率が5〜40wt%であり、かつ、相対密度が75%以下である反応焼結体を生成する。 (もっと読む)


【課題】接合強度が大きく、且つセラミックス材料と金属材料とを簡便に接合することが可能なセラミックス−金属接合体を提供する。
【解決手段】本発明のセラミックス−金属接合体100は、骨材としての炭化珪素粒子、及び炭化珪素粒子を結合させる結合材としての珪素を含有する多孔質のセラミックス材料からなるセラミックス部材31と、金属部材32とが、ろう材33を介して接合されたものであり、セラミックス部材31を構成するセラミックス材料が、セラミックス材料100質量%に対して、結合材としての珪素を、30〜80質量%含有するものである。 (もっと読む)


【課題】従来よりも高強度な炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクを提供する。
【解決手段】炭素繊維と、樹脂とを混合後、焼成成形してなる焼成体にシリコンを溶融含浸して得られる炭素繊維複合材であって、X線回折法による、前記炭素繊維の炭素002面の面間隔d002が、3.36〜3.43であることを特徴とする炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクである。炭素繊維はピッチ由来の前駆体から焼成して得られた炭素繊維であることが好ましい。 (もっと読む)


21 - 40 / 195