【課題】ヒータの長寿命化を図り、高温下での使用を可能とする成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１内に設けられて半導体基板６が載置されるサセプタ７と、サセプタ７の上方に位置する上部ヒータ１８と、サセプタ７の下方に位置する下部ヒータ８とを有し、上部ヒータ１８と下部ヒータ８とが不活性ガス雰囲気に置かれる。サセプタ７の周囲の空間Ａの圧力は、上部ヒータ１８の周囲の空間Ｂの圧力および下部ヒータ８の周囲の空間Ｃの圧力のいずれよりも低いことが好ましい。また、不活性ガスはアルゴンガスであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】反応基質として有機溶媒を使用することなく、化合物ナノ粒子を十分に高度な収率で製造することが可能な化合物ナノ粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】レーザー光Ｌを発生させるためのレーザー発振器１０と、溶媒１３を保持するための処理容器１２と、処理容器１２内に保持されている溶媒１３と、処理容器１２内に配置したターゲット１４とを備える液相レーザーアブレーション装置を用い、ターゲット１４として、レーザー光Ｌを吸収する材料を２種類以上含有するものを用い、ターゲット１４の密度が前記溶媒の密度よりも大きくなるようにターゲット１４及び溶媒１３を選択して用い、ターゲット１４を処理容器１２の底部Ｂに沈殿させて配置し、ターゲット１４に対してレーザー光Ｌを照射して液相レーザーアブレーションを行い、発生させた各微粒子同士を反応た化合物からなるナノ粒子を形成することを特徴とする化合物ナノ粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】平均粒子径が５０ｎｍ以下であり、大きな凝集粒子も無く、均質な炭化ケイ素粉体を得るための炭化ケイ素前駆物質の製造方法、及び、この炭化ケイ素前駆物質を基に平均粒子径が５０ｎｍ以下の均質な炭化ケイ素粉体を得る炭化ケイ素粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素前駆物質の製造方法は、液状の炭素源と平均粒子径が４０ｎｍ以下の二酸化ケイ素粉体とを混合し、得られた混合物を乾燥し、次いで炭化処理を行い、嵩密度が０．３ｇ／ｃｍ^３以上かつ１．３ｇ／ｃｍ^３以下の炭化ケイ素前駆物質とする。 （もっと読む）

【課題】連続した試薬流のレーザ熱分解によりナノメートルサイズまたはサブミクロンサイズの粉体を高いエネルギー収率で製造するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】第１の軸に沿ってレーザ光線１１を照射するレーザ１０と、第１の軸と垂直な方向から試薬流１３を流し第１の相互作用ゾーン１５でレーザ光線と交差するように構成された第１の注入装置と、第１の軸に沿って第１の相互作用ゾーンの下流側に第２の相互作用ゾーン１５’を形成する第２の試薬流１３’を与える第２の注入装置と、レーザ光線のエネルギーをレーザ光束の幅及び高さを独立して変更可能な光学部材１２を備え、レーザ光密度が第１の相互作用ゾーンと第２の相互作用ゾーンにおいて同一の水準にすることが可能なシステムを用い、試薬流のレーザ熱分解によりナノメートルサイズまたはサブミクロンサイズの粉体を高いエネルギー収率で製造する。 （もっと読む）

【課題】大面積かつ低抵抗のグラフェンシートを備えたグラフェンシート付き基材、及び、このグラフェンシート付き基材を安価に製造することが可能なグラフェンシート付き基材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンシート付き基材１は、結晶方位が（１１１）面のシリコン基板２に、エピタキシャル成長させた立方晶炭化珪素層３、グラフェンシート４が順次積層されている。 （もっと読む）

【課題】音声再生装置に関し、特にマグネシウム基複合材料を利用した音声再生装置を提供する。
【解決手段】音声再生装置は、筺体及び音声装置を備える。前記筺体の前部１２及び後部１６の少なくとも一つは、マグネシウム基複合材料からなる。該マグネシウム基複合材料は、マグネシウム基材料及び該マグネシウム基材料の中に分散したナノ材料を含む。該ナノ材料は、カーボンナノチューブ、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化チタン、炭化ホウ素、黒鉛のいずれか一種又はその多種の混合物である。 （もっと読む）

【課題】 凝集性を改良した炭化ケイ素微粉を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素粗粉体に、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子を加えてなる炭化ケイ素微粉であって、そのＢＥＴ比表面積比（＝金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子のＢＥＴ比表面積／炭化ケイ素粗粉体のＢＥＴ比表面積）が２０〜８０で、且つ、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子の含有量が１〜１０％であることを特徴とする。前記炭化ケイ素粗粉体のＢＥＴ比表面積が１〜１０ｍ^２／ｇであること、前記金属酸化物が、ケイ素、アルミニウム、チタンの酸化物の少なくとも１種からなること、が好ましい。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の耐酸化性を向上させることにより、炭化ケイ素焼結体の再利用性を高める。
【解決手段】窒化アルミニウムを含有する原料物質と、炭化ケイ素を含む原料物質と、焼結助剤としてイットリアとフェノール樹脂とを混合する工程と、混合して得られた混合体の粉体をホットプレスにより焼成する工程とを有し、混合物中における炭化ケイ素と窒化アルミニウムとの比が９０／１０〜５０／５０である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数のハニカムユニットに安定して通電すると共に、高容量バッテリーから端子を経て電極間に電圧を印加しても断線及び接触抵抗による発熱を抑制することが可能なハニカム構造体及び該ハニカム構造体を有する排ガス浄化装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ハニカム構造体１０は、複数の貫通孔が長手方向に並設されていると共に、導電性セラミックスを含むハニカムユニット１１が接着層１２を介して４個接着されており、ハニカムユニット１１の外周面には、一対の帯状電極１３が形成されており、４個の一対の帯状電極１３と電気的に接続されている一対の導電部材１４が設置されている。 （もっと読む）

【課題】還元法による高純度シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素とシリカとを粉砕し、洗浄した後、各々を所定の比率の割合で混合し、これをルツボ７に収容し、これを加熱手段により加熱して反応させ、炭化珪素をシリカで酸化し、さらにシリカを炭化珪素で還元することにより、シリコン５５を製造・抽出するとともに、加熱反応時に生成される活性ガス５６、５７を原料として、気相成長、エピタキシャル成長により、シリコンカーバイド膜１０を形成し、これを回収することによりシリコンカーバイド５９を作製するシリコンとシリコンカーバイドとを同時に製造する製造方法及び装置である。 （もっと読む）

【課題】コストを抑え、エネルギーを十分に有効利用し、環境保護にも適し、炭化ケイ素原料を製造しケイ素原料の生産効率を高める新たなシステムと方法を提供する。
【解決手段】工場から排出される二酸化炭素を回収し、二酸化ケイ素と回収された二酸化炭素を利用した炭化ケイ素原料と酸素を製造するものである。他の実施形態では、炭化ケイ素原料の製造方法は、工場から排出される二酸化炭素を回収し、ケイ素と回収された二酸化炭素を利用し炭化ケイ素原料と酸素を製造するものである。 （もっと読む）

【課題】微細かつ均一な粒径を有する品質の高い、珪素微粒子が炭化珪素に被覆されてなる珪素／炭化珪素複合微粒子を高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の珪素微粒子が炭化珪素で被覆された珪素／炭化珪素複合微粒子の製造方法は、酸化珪素の粉末を、炭素を含む液体状の物質に分散させてスラリーにし、このスラリーを液滴化させて酸素を含まない熱プラズマ炎中に供給して珪素／炭化珪素複合微粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板に不純物が均一にドーピングされた炭化珪素膜を成膜することができる半導体製造装置及び基板の製造方法及び基板処理装置を提供する
【解決手段】反応室内に延在されて設けられる第１のガス供給ノズル６０及び第２のガス供給ノズル７０と、第１のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第２のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され1以上の第１のガス供給口６８を有する第１の分岐ノズルと、第２のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第１のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され、1以上の第２のガス供給口７２を有する第２の分岐ノズルとを備え、第１のガス供給口と第２のガス供給口とが基板の積層方向に隣接するように設けられた基板処理装置によって課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高強度な炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクを提供する。
【解決手段】炭素繊維と、樹脂とを混合後、焼成成形してなる焼成体にシリコンを溶融含浸して得られる炭素繊維複合材であって、Ｘ線回折法による、前記炭素繊維の炭素００２面の面間隔ｄ００２が、３．３６〜３．４３であることを特徴とする炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクである。炭素繊維はピッチ由来の前駆体から焼成して得られた炭素繊維であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】繊維強化複合セラミックス材料の全領域におけるセラミックス繊維に、厚さ寸法がほぼ均一な被膜（すべり層）を、容易に形成することができる繊維強化複合セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】加熱分解で炭素を生成する有機材料を溶媒に溶解させた液体に、セラミックス繊維を浸漬する工程（Ｓ１）と、前記有機材料を溶解させた液体からセラミックス繊維を取り出し、前記セラミックス繊維を乾燥させ、セラミックス繊維に有機材料膜を形成する工程（Ｓ３）と、前記セラミックス繊維とセラミックススラリーとにより、所定形状の成形体を形成する工程と、前記成形体を焼成し、前記有機材料を加熱分解させ、セラミックス繊維に形成された有機材料膜を炭素質層となす工程（Ｓ４）とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反応ガス及び未反応ガスを円滑で、かつ均一に排出できる真空熱処理装置用熱処理容器を提供することをその目的とする。
【解決手段】本発明に従う真空熱処理装置用熱処理容器は、底部と側壁とを含み、側壁の上部に排気通路が形成される。 （もっと読む）

【課題】液体を混合する場合、特に混ざり難い性質を有する液体を混合する場合に、攪拌効率を向上させ、混合時間を短縮できる液体攪拌機を提供する。
【解決手段】液体攪拌機１は、支持部２０の回転軸心Ｏと直交する面において、外羽根部３０の長手方向端部３０Ａ及び長手方向端部３０Ｂにおいて、回転軸心Ｏから最も遠い点をそれぞれ端点Ａ、端点Ｂとし、回転軸心Ｏから最も近い点をそれぞれ点ａ、点ｂとし、端点Ａ及び端点Ｂを通る直線を直線Ｍとし、点ａ及び点ｂを通る直線を直線ｍとし、回転軸心Ｏを通り、直線Ｍと直交する直線を直線Ｌとし、直線Ｍと直線Ｌとの交点を交点Ｔとすると、回転軸心Ｏは、直線Ｍと直線ｍとの間の領域Ｍｍから外れた位置にあり、端点Ａ及び端点Ｂの少なくとも一方は、外羽根部３０の回転方向Ｒ１において、交点Ｔよりも後ろに位置する。 （もっと読む）

【課題】目的の粒子径の炭化ケイ素粉体を効率よく得ることができるα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法、及び、この粒径制御方法により粒径が制御されたα型炭化ケイ素粉体を用いることで不純物が少なくかつ均質な炭化ケイ素単結晶を提供する。
【解決手段】本発明のα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法は、β型炭化ケイ素または炭化ケイ素前駆体を非酸化性の雰囲気中にて加熱し、前記β型炭化ケイ素、または前記炭化ケイ素前駆体から生成するβ型炭化ケイ素をα型炭化ケイ素に相転移させて生成するα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法であり、雰囲気の圧力を変化させてβ型炭化ケイ素からα型炭化ケイ素への相転移温度を制御し、平均粒子径が１０μｍ以上のα型炭化ケイ素粉体を生成する。 （もっと読む）

【課題】高温での耐久性に優れ、しかも高温における貴金属粒子の触媒活性の低下を抑制することができる貴金属担持炭化ケイ素粒子とその製造方法及びそれを含有する触媒並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の貴金属担持炭化ケイ素粒子は、平均一次粒子径が０．００５μｍ以上かつ５μｍ以下の炭化ケイ素粒子の表面に、貴金属粒子を担持させた酸化ケイ素層を備えたもので、この炭化ケイ素粒子の比表面積は１．０ｍ^２／ｇ以上かつ４００ｍ^２／ｇ以下であり、この酸化ケイ素層は、炭化ケイ素粒子に貴金属粒子を担持させた後、酸化性雰囲気中にて酸化することにより、生成した。 （もっと読む）

【課題】光透過性が低く、かつ、伝熱性が高く、半導体製造等における熱処理工程、特に、急速加熱・急速冷却熱処理に好適に用いることができる炭化ケイ素材料を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法により成膜されたβ−ＳｉＣからなり、成膜方向に対する垂直断面において、結晶面（３１１）／（１１１）のＸ線回折によるピーク強度比が０．８よりも大きい層が、厚さ４０μｍ以上で形成された炭化ケイ素材料を半導体製造装置の熱処理用部材に用いる。 （もっと読む）