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Fターム[4M109AA02]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆構造と材料 (27,768) | 封止の種類 (3,502) | 樹脂封止 (3,435) | 多層樹脂封止(保護膜層を含む) (373)

Fターム[4M109AA02]に分類される特許

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【課題】虫等のリードへの侵入を防止することができ、湿気等によるリードのトラッキングを防止でき、低コストかつ組立て容易な電子部品、電子装置、電子機器および電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品1は、回路部2と、回路部2を封止する第1樹脂3と、回路部2に電気的に接続され、かつ第1樹脂3から突出するように延びる端部4aを有するリード4と、リード4より小さいヤング率を有する第2樹脂5とを備えている。第2樹脂5は、端部4aの先端部分4b以外を接して覆うように構成されている。 (もっと読む)


【課題】耐湿性が確保された複数の樹脂材料で回路基板が樹脂封止された回路装置を提供する。
【解決手段】本発明の混成集積回路装置は、上面に回路素子が配置された回路基板14の上面および側面を第1封止樹脂18で被覆し、回路基板14の下面および第1封止樹脂18の側面を第2封止樹脂20で被覆している。また、第1封止樹脂12の下面を部分的に突起させて樹脂突起部12とし、この樹脂突起部12の側面を第2封止樹脂20で被覆することで、第1封止樹脂18と第2封止樹脂20との密着強度を向上させている。 (もっと読む)


【課題】温度差が生じても従来よりは絶縁部材の剥離を抑止することができる半導体モジュールを提供することである。
【解決手段】複数の半導体素子16と、各半導体素子16で生じる熱を放出する放熱部15と、少なくとも半導体素子16を覆う絶縁部材14とを備える半導体モジュール10において、絶縁部材14は、半導体モジュール10の全表面を覆うか、または、複数面を周回して覆うことを特徴とする構成である。この構成によれば、絶縁部材14は半導体モジュール10の全表面を覆うか、または、複数面を周回して覆う。放熱部15と絶縁部材14との間に生じる温度差に基づく線膨張係数差による応力が発生しても、従来よりは絶縁部材14の剥離を抑止することができる。 (もっと読む)


【課題】複数の樹脂材料から構成される封止樹脂が界面から破壊することを抑止する構成を備えた回路装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の混成集積回路装置10では、第1封止樹脂18と第2封止樹脂20から成る封止樹脂16で回路基板14を樹脂封止している。また、第2封止樹脂20の側辺を内側に窪ませて固定部19を設け、この固定部19に隣接する第1封止樹脂18の側辺を内側に窪ませて凹状領域13を形成している。これにより凹状領域13が設けられた部分において、第1封止樹脂18と第2封止樹脂20の界面が固定部19から離間され、この界面に使用状況下にて作用するストレスが軽減される。 (もっと読む)


【課題】高い光反射性を有し、耐熱性及び耐光性に優れ、なおかつ強靭であり、光反射性が経時で低下しにくい硬化物を与える硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】脂環式エポキシ化合物(A)と、アルミナ(B)と、25℃における粘度が8000mPa・s以上の脂肪族ポリグリシジルエーテル(C)と、白色顔料(D)とを含むことを特徴とする硬化性エポキシ樹脂組成物。上記硬化性エポキシ樹脂組成物は、さらに、硬化剤(E)及び硬化促進剤(F)、又は硬化触媒(G)を含むことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】従来の発光装置では、配線基板に設けられた凹部に発光素子を実装し、透明なエポキシ樹脂が発光素子を覆うように盛り上がった状態で封止されており、このような状態では、発光素子を覆うエポキシ樹脂の厚みの分、薄型化が阻まれるという課題があった。
【解決手段】従来の課題を解決するために、本発明の発光装置は、基板と発光素子を備えた発光装置であって、基板は、凹部と、配線とを備え、凹部は、底面と底面に接続された側面とからなり、配線の一部は、ボンドエリアであり、配線の他の一部は、外部接続電極であり、凹部内には発光素子が配置され、発光素子の下面と前記ボンドエリアはバンプにより電気的に接続されており、凹部の底面と発光素子の下面との間、及び凹部の側面と発光素子の側面との間には充填材が充填されており、発光素子の上面は充填材から露出することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】LEDパッケージ製造システムにおいて、個片のLED素子の発光波長がばらつく場合にあってもLEDパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させるとともに、発光色の多様な色調調整が可能な樹脂塗布装置および樹脂塗布方法を提供することを目的とする。
【解決手段】LED素子を蛍光体を含む樹脂によって覆って成るLEDパッケージの製造に用いられる樹脂塗布において、種類の異なる蛍光体を含む2種類の樹脂8を順次試し塗布し、試し塗布された樹脂8を対象として発光特性を測定した測定結果に基づいて2種類の樹脂8についてそれぞれ適正樹脂塗布量を導出し、導出された適正樹脂塗布量を塗布制御部36に指令して複数のディスペンサ33A,33Bによって2種類の樹脂8を同一のLED実装部4bのLED素子に順次塗布する。 (もっと読む)


【課題】部品点数を増加させることなく、半導体素子間の沿面放電の発生を効果的に抑制し、小型であって耐久性に優れたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】基板2と、基板2の一側面2Aに所定の間隔を置いて載置固定された複数の半導体素子1a,1bと、基板2の一側面2A上の複数の半導体素子1a,1bの間に形成されたプライマー層40と、基板2の一側面2A上に複数の半導体素子1a,1bとプライマー層40を封止する封止樹脂体30と、を具備し、複数の半導体素子1a,1bの間に形成されたプライマー層40と封止樹脂体30との界面40Aは凹凸形状を呈している。 (もっと読む)


【課題】SiCを材料とする半導体素子に適した構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置2は、SiCを材料とする半導体素子20と、半導体素子20の外周を被覆する第1モールド樹脂50と、第1モールド樹脂50よりも耐熱性が低く、第1モールド樹脂50の外周を被覆する第2モールド樹脂70と、第2モールド樹脂70内に配置される温度センサ60と、を備える。温度センサ60は、第2モールド樹脂70内であって、第1モールド樹脂50と接する位置に配置され、半導体素子20の表面と対向している。 (もっと読む)


【課題】基板と半導体チップとを電気的に接続する複数の導電性ワイヤが固定された後における、当該導電性ワイヤ同士の短絡を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の樹脂材料RSが塗布された後に、導電性ワイヤWRにより接続パッドPD1と電極パッドPD2とがワイヤボンディングされ、ワイヤボンディングされる工程以降に、第1の樹脂材料RSが固化される。基板SUBと半導体チップCHPとは、第2の樹脂材料MRSが供給および硬化されることにより封止される。ワイヤボンディングする工程においては、第1の樹脂材料RSの内部における複数の導電性ワイヤWR同士が互いに接触しない。第1の樹脂材料RSが軟化する温度は、第2の樹脂材料MRSが供給および硬化されることにより封止される工程以降の工程における処理温度より高い。 (もっと読む)


【課題】水分の排出経路の確認を容易にしながら、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを抑制することが可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】この高周波モジュール1は、IC2および部品3が搭載された基板4と、IC2および部品3を封止する絶縁性の樹脂層5と、樹脂層5の表面に設けられた導電性のシールド層6と、を備える。シールド層6には、樹脂層5まで達するとともに1μm以上の開口幅W1を有する開口部6cが形成されている。 (もっと読む)


【課題】インサート成形時の樹脂材料の圧力による半導体素子モジュールの不具合を防止することが可能な電装ユニットを提供する。
【解決手段】半導体スイッチング素子22を第1モールド樹脂部26で封止した半導体素子モジュール21を金型50内に配し、金型50に設けられた流入口54Aから第2樹脂材料を金型50内に流入させて行うインサート成形により第2モールド樹脂部33が第1モールド樹脂部26を包囲するように形成される電装ユニット10であって、半導体素子モジュール21は、半導体スイッチング素子22と電気的に接続される複数の端子23B,24B,25Bを備え、第1モールド樹脂部26は、端子の並び方向に沿った扁平な形状をなし、第1モールド樹脂部26のうち端子の並び方向における端部には、当該端部を先細とする先細部28Aが形成されており、この先細部28Aは、金型50における流入口54Aに対応する位置に設けられている。 (もっと読む)


【課題】LED点灯時に発生する自己発熱に起因した信頼性低下を防止する。
【解決手段】発光装置は、LEDチップ11と実装基板12とを電気的に接続するボンディングワイヤ18を備える。このワイヤは、絶縁性基板15の窓孔16の側面とサブマウント17の側面との隙間23を跨ぎ、かつコイル状に形成されて伸縮可能である。 (もっと読む)


【課題】高周波特性の悪化を防ぎ、耐湿性を向上させる。
【解決手段】半導体基板1の主表面上の素子領域内に、ドレイン電極2が設けられている。一端がドレイン電極2に接続されたドレイン配線5が主表面上に設けられている。主表面上の素子領域外に、ドレイン配線5とは離間したドレイン電極パッド12が設けられている。Auメッキ層9が主表面上に設けられ、主表面との間に空隙10が形成されている。空隙10はドレイン配線5の一端とドレイン電極2を内包する。硬化されたポリイミド膜14が空隙10の開口部11を閉塞し、ドレイン電極パッド12を覆うことなく、ドレイン配線5の他端を覆っている。空隙10の内面に撥液膜15が設けられている。硬化されたポリイミド膜14に設けられた開口16を介してAuメッキ層18により、ドレイン配線5の他端とドレイン電極パッド12が接続されている。ドレイン配線5の他端はポリイミド膜14から出ていない。 (もっと読む)


【課題】封止材のクラック及び剥離の発生を抑制し、高信頼性の半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース板10と、実装基板30と、半導体素子50と、ホルダ20と、ホルダ端子21と、ケース90と、第1封止層71と、第2封止層72とを備えた半導体装置110が提供される。実装基板30は、ベース板10の上に設けられる。半導体素子50は、実装基板30の上に設けられる。ホルダ20は、実装基板30の上方に設けられる。ホルダ端子21は、ホルダ20に保持され、半導体素子50と電気的に接続される。ケース90は、実装基板30を実装基板30の側面に沿って取り囲み、ホルダ20をホルダ20の側面に沿って取り囲む。第1封止層71は、ケース90で取り囲まれた空間内において実装基板30及び半導体素子50を覆う。 (もっと読む)


【課題】封止剤のメニスカス制御を可能とする半導体発光デバイスのパッケージを提供する。
【解決手段】LEDチップ114を搭載するためのサブマウントは、基板110と、基板の上面上にLEDチップを受け入れるように構成されたダイ取り付け台と、ダイ取り付け台を取り囲み、基板の上面の第1の封止剤用領域を区画する、基板上の第1のメニスカス制御用部材116と、第1の封止剤用領域を取り囲み、基板の上面の第2の封止剤用領域を区画する、基板上の第2のメニスカス制御用部材118とを含む。第1および第2のメニスカス制御用部材はダイ取り付け台と実質的に共平面であってもよい。パッケージされたLEDは上記のサブマウントを含み、更に該ダイ取り付け台上のLEDチップと、第1の封止剤用領域内の、基板上の第1の封止剤130と、第2の封止剤用領域内の、第1の封止剤を覆う、基板上の第2の封止剤140とを含む。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、スタックド構造のMCP製造時における作業性の欠点である接着剤の塗布などの工程を改善し接着剤を使用することなく半導体チップを積層することができ、かつ各種の信頼性に優れた半導体装置を提供するものである。
【解決手段】 エポキシ基を有する環状オレフィン系樹脂(A)と光酸発生剤(B)を含む感光性樹脂組成物の樹脂層を半導体チップの回路素子形成面上に有し、かつ該半導体チップ上に積層する別の半導体チップの裏面が該樹脂層に直接接触していることを特徴とするスタックド構造のMCPの樹脂封止型半導体装置。 (もっと読む)


【課題】基板(K)等と半導体素子(S)の金属層とが多孔質状金属層により接合されためっきやスパッタよりも接合強度にすぐれ信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】基板(K)またはリードフレーム(L)に設けられたパッド部(P)と、半導体素子(S)の金属層とが、多孔質状金属層(C)を介して接合され、該半導体素子(S)と他の電極端子(T)間とが金属製ワイヤで接続され、かつ前記パッド部(P)、多孔質状金属層(C)、半導体素子(S)、被覆樹脂部(I)、及び半導体素子(S)と電極端子(T)間を接続する金属製ワイヤが封止樹脂(H)で封止されている半導体装置であって、
前記多孔質状金属層(C)の外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子(S)の外周側面の少なくとも一部に被覆樹脂部(I)が配置され、かつ、前記被覆樹脂部(I)と前記封止樹脂(H)との間に界面が存在している
ことを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】回路基板が薄くとも、パッケージ反りを抑制することができる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】(A層)弾性率が5GPa以上25GPa以下である薄膜層2、(B層)弾性率が0.1GPa以上1GPa以下である封止層3、(C層)回路基板層4、を順番に有し、A層2の厚みが1〜200μmであり、B層3の厚みが100〜600μmであり、C層4の厚みが1〜100μmであり、パッケージ反りが235μm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】製造歩留りや信頼性の高い電子装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】石英ガラス支持基板46の一方の主面の親水部48上に形成された粘着層54上に電子部品16a,16bを配する工程と、支持基板上に電子部品を覆うようにシリコーン被覆層14を形成する工程と、被覆層上に樹脂層10を形成し、電子部品を樹脂層により埋め込む工程と、支持基板の背面から紫外線を照射し粘着層の粘着力を低下させ支持基板を除去する工程とを有している。 (もっと読む)


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