【課題】例えば幅および間隔が２０μｍ以下の微細な半導体素子接続パッドを含む配線を形成することが可能であるとともに、外部接続パッドを外部電気回路基板に接続したときに大きな応力が加わったとしても外部接続パッドに剥がれが発生することのない配線基板を提供すること。
【解決手段】絶縁基板１の一方の主面に半導体素子接続パッド５を含む第１の配線導体３がセミアディティブ法により被着形成されているとともに絶縁基板１の他方の主面に外部接続パッド６を含む第２の配線導体３がセミアディティブ法により被着形成されて成る配線基板であって、第１の配線導体３は一方の主面の絶縁層２上に被着された無電解めっき層３ａおよびその上の電解めっき層３ｂから成り、第２の配線導体３は、他方の主面の絶縁層２上に直接被着された金属箔３ｃおよびその無電解めっき層３ａおよびその上の電解めっき層３ｂから成る。 （もっと読む）

【課題】反りを低減可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】本配線基板は、複数の配線層と、同一組成の絶縁性樹脂から構成された複数の絶縁層とが交互に積層され、各絶縁層は、同一組成のフィラーを含有し、前記各絶縁層の前記フィラーの含有量は、何れも３０ｖｏｌ％以上６５ｖｏｌ％以下の範囲にあり、前記各絶縁層の熱膨張係数は、何れも１２ｐｐｍ／℃以上３５ｐｐｍ／℃以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板の端子部分のように、基材上に設けた金属微細パターンの表面に無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを行う際に、下地である樹脂表面に金属の異常析出が起きるのを抑えることができる金属微細パターン付き基材の製造方法を提供し、さらに、当該製造方法によって品質に優れためっき処理面を有する、金属微細パターン付き基材、プリント配線板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】下地となる樹脂からなる支持表面に設けられた溝に、金属微細パターンの下部を埋め込み、当該金属微細パターンの溝の表面と接していない部分に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを行う工程を含み、前記メッキを行う領域における支持表面からの突出高さＸと、パターン間の最小距離をＹの比（Ｘ／Ｙ）が０．８未満となるようにする金属微細パターン付き基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線パターンを形成する際に、同時にデカップリングキャパシタを形成することで、配線基板の製造の手間とコストを大幅に削減することができる配線基板形成方法等を提供する。
【解決手段】シリコン基板２に筒状のビア絶縁部３ａ，３ｂ、及びビア導電部４ａ，４ｂを形成する工程と、ビア導電部４ａの周囲領域に積層され、ビア絶縁部３ａの筒状端部の全周に亘って接続する絶縁材を延在させて誘電部５ａを形成する工程と、ビア導電部４ｂの周囲領域に積層され、ビア絶縁部３ｂの筒状端部に一部が接触しないように絶縁材を延在させて絶縁部５ｂを形成する工程と、誘電部５ａ及び絶縁部５ｂの表面に積層されると共にビア導電部４ａ，４ｂに接続される配線部６ａ，６ｂを形成する工程とを含み、配線部６ａが電源と接続され、配線部６ｂがグランドと接続され、配線部６ａとシリコン基板２とで誘電部５ａを挟むキャパシタが形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板の製造方法及びその実装構造体を提供するものである。
【解決手段】本発明の一形態にかかる配線基板３の製造方法は、樹脂部７ａ及び該樹脂部７ａに被覆された繊維７ｂを含む基体７に、ダイヤモンドライクカーボンで被覆されたドリルを用いて複数のスルーホールＴを形成する工程と、スルーホールＴのドリルによって形成された内壁に貴金属化合物及び有機珪素化合物を吸着させる工程と、前記貴金属化合物を触媒として無電解めっき処理を行うことによって、スルーホールＴの内壁に無電解めっき膜９ｘを被着させる工程と、無電解めっき膜９ｘを下地として電気めっき処理を行うことによって、スルーホールＴの内壁面にスルーホール導体９を形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基材と銅めっき層の常態での初期密着力、及び耐熱エージング試験（大気中、１５０℃、１６８時間）での密着力が０．４ｋｇｆ／ｃｍ以上となるフレキシブル基板用銅張り積層体に用いる無電解めっき前処理液、及び該無電解めっき前処理液を用いて作製されたフレキシブル基板用銅張り積層体を提供すること
【解決手段】フレキシブル基板用銅張り積層体の基材に用いる無電解めっき前処理剤であって、金属捕捉能を有するシランカップリング剤と、熱硬化性樹脂とを含み、該積層体の耐熱エージング試験（大気中、１５０℃、１６８時間）後の密着力（ピール強度）が０．４ｋｇｆ／ｃｍ以上となることを特徴とする無電解めっき前処理剤。 （もっと読む）

【課題】多層配線が簡易な方法によって低コストで形成される電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１配線層３０の上に、絶縁層２２の上に金属層３２ａが積層された積層膜ＣＦを形成する工程と、積層膜ＣＦの上に開口部２３ａが設けられたレジスト２３を形成する工程と、レジスト２３の開口部２３ａを通して金属層３２ａをエッチングすることにより金属層３２ａに開口部３２ｘを形成する工程と、ウェットブラスト法により、金属層３２ａの開口部３２ｘを通して絶縁層２２をエッチングすることにより、第１配線層３０に到達するビアホールＶＨを形成する工程と、ビアホールＶＨに導電性ペースト４０又ははんだからなるビア導体を形成することにより、第１配線層３０と第２配線層３２となる金属層３２ａとをビア導体で接続する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 長尺の一次金属層付樹脂フィルムを搬送しながら電気めっきにより二次金属層を形成し、得られた金属化樹脂フィルムを巻き取る際に局所的なシワの発生をなくすことができる金属化樹脂フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】 一次金属層付樹脂フィルムＦを巻出ロール１から巻取ロール７にロールツーロールで搬送しながら、電気めっき装置Ａで一次金属層付樹脂フィルムＦの一次金属層の表面に電気めっきにより銅の二次金属層を形成する。得られた金属化樹脂フィルムＳを、熱処理装置Ｂで単位断面積当たり２.４〜４.９Ｎ／ｍｍ^２の張力を加えながら１００〜１５０℃の温度で熱処理を施した後、二次金属層が表向きになるように巻取ロール７に巻き取る。 （もっと読む）

【解決手段】パラジウム化合物と、錯化剤としてアンモニア及びアミン化合物から選ばれる少なくとも１種と、還元剤として次亜リン酸及び次亜リン酸塩から選ばれる少なくとも１種と、不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物、不飽和カルボン酸塩及び不飽和カルボン酸誘導体から選ばれる不飽和カルボン酸化合物を少なくとも１種とを含有する無電解パラジウムめっき浴。
【効果】本発明の無電解パラジウムめっき浴は、浴安定性が高く、浴の分解が起こりにくく、従来の無電解パラジウムめっき浴に比べて浴寿命が長い。しかも、長時間使用してもめっき皮膜特性への影響もなく、優れたはんだ接合特性及びワイヤボンディング特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に光架橋性樹脂層を形成し、パターンの露光工程、現像工程を経て、めっきレジスト層を形成した後にめっき工程を行う金属パターンの作製方法において、膜厚が薄く、均一な光架橋性樹脂層を用いて、微細なめっきレジスト層を形成する方法を提供する。
【解決手段】めっき法による金属パターンの作製方法において、（ａ）基板２上に光架橋性樹脂層３を形成する工程、（ｂ）光架橋性樹脂層３を薄膜化する工程、（ｃ）パターンの露光工程、（ｄ）現像工程、（ｅ）めっき工程をこの順に含む金属パターンの作製方法。 （もっと読む）

【課題】基板材料に樹脂を用いて低損失なプリント回路基板、低損失かつ広帯域なアンテナ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】成形工程で所定形状の樹脂材１０１を作製し、発泡工程で樹脂材１０１を発泡させる。これにより、スキン層１１１と発泡部１１２が形成される。スキン層１１１はメッキを密着させないことから、スキン層除去工程で導体パターン形状にスキン層１１１を除去して内部の発泡部１１２を露出させる。導体層形成工程で無電解メッキを行うことにより、アンカー効果を有する発泡部１１２にメッキが密着されて導体層１２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング装置を用いずに形成することができるプリント配線板用基板、およびそのプリント配線板用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】このプリント配線板用基板１は、絶縁性基材と、この絶縁性基材１０に積層された第１導電層２１と、この第１導電層２１に積層された第２導電層２４とを含む。第１導電層２１は導電体粒子２２Ａにより形成されている。第１導電層２１が積層されている側の絶縁性基材１０の積層面１０Ａは、導電体粒子２２Ａと絶縁性基材１０との結合力を高める表面処理が行われている。 （もっと読む）

【課題】樹脂基材上に支持された金属微細パターンの表面をメッキ処理の対象とし、そのようなメッキ処理対象面に無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを行う際に、下地である樹脂表面に金属の異常析出が起きるのを抑えることができるメッキ処理品の製造方法によって得られる、金メッキ金属微細パターン付き基材を提供する。
【解決手段】樹脂からなる支持表面を有する基材の当該支持表面上に、金属微細パターンと、当該金属微細パターンを設けた領域を被覆するソルダーレジスト層が設けられ、前記ソルダーレジスト層は、前記金属微細パターンの少なくとも一部の表面を露出させ、且つ、前記支持表面が露出していない開口部を有し、前記開口部において露出した部分が、ニッケル−パラジウム−金メッキ層及びニッケル−金メッキ層よりなる群から選ばれる複合金メッキ層で被覆されていることを特徴とする、金メッキ金属微細パターン付き基材。 （もっと読む）

【課題】複合体の樹脂層に形成された高信頼性、算術平均粗さ（Ｒａ）が小さい微細配線及びビアを有する複合体の製造方法及び複合体を提供するものである。
【解決手段】本発明の複合体の製造方法は、樹脂層と導体層とを含む複合体を製造する方法であって、（Ａ）基板上に樹脂層を準備する工程と、（Ｂ）樹脂層上にレジスト層を形成する工程と、（Ｃ）レジスト層を介してレーザー光を照射することによって樹脂層表面に溝を形成する工程と、（Ｄ）前記樹脂層表面に導体を形成する工程と、（Ｅ）レジスト層を剥離する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第一固体層（first solid layer）上に第二層(second layer)を形成するための化学反応を活性化することのできる第一固体層を基板の表面に形成する方法を提供する。
【解決手段】この方法は基板の表面と、硬化性組成物及び第二層形成の化学反応のための活性化剤を含む第一液を接触させ、そして硬化性組成物を硬化させて基板の表面へのその材料の付着度を増し、それにより基板の表面に第一固体層を形成して付着させ、第二流体(second fluid)と接触させた後に第二層の形成の化学反応を活性化させうることを含む。 （もっと読む）

【課題】高周波領域での電気特性、特に低誘電率、低誘電正接を有する高周波回路基材用フィルム及びハンダ耐熱性、導体との密接接合性に優れた高周波回路基材を提供する。
【解決手段】（Ａ）：ポリフェニレンエーテルと、（Ｂ）：（Ａ）以外の熱可塑性樹脂とを、含有する熱可塑性樹脂組成物からなり、前記（Ａ）ポリフェニレンエーテルの含有量が、前記（Ａ）と前記（Ｂ）との合計量を１００質量部としたとき、８０質量部以上であり、７６．５ＧＨｚにおける比誘電率が２．７以下で、誘電正接が０．００３以下である高周波回路基材用フィルム、及び当該高周波回路基材用フィルムに厚み５〜５０μｍの銅層を積層した高周波回路基材を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＰプロセスでの無電解メッキ付き性に優れ、微細回路の形成を可能とし、かつ、金メッキ処理での異常析出を抑制して微細回路の配線間絶縁信頼性および接続信頼性を向上させることを可能とする金メッキ金属微細パターン付き基材の製造方法を提供し、前記製造方法によって、金メッキ金属微細パターン付き基材、特にプリント配線板、及び前記プリント配線板を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】樹脂からなる支持表面を有する基材を準備する工程と、当該支持表面上に、表面粗度が０．５μｍ以下であるプライマー樹脂層を形成し、その上にＳＡＰ法によって金属微細パターンを形成して金属微細パターン付き基材を得る工程と、当該金属微細パターンの少なくとも一部の表面に金メッキ処理を行う工程とを含み、前記金メッキ処理を行う前の任意の段階において、金属微細パターン付き基材に対し、パラジウム除去処理を行う。 （もっと読む）

【課題】セミアディティブ工法で形成する導体幅の微細化が限界に近づいており、微細なパターンを要するドライフィルムレジストのアスペクト比が２．５以上でかつ、導体配線ピッチ２０μｍ以下になると、現像工程にてドライフィルムレジストが倒れたり、銅との密着不良による剥がれが発生し、製造できないという問題がある。
【解決手段】ドライフィルムレジストの現像工程にて、水洗水で濡れたままの状態で、該レジストパターンの未架橋部を、紫外線や電子線、クロムにて架橋させることにより、アスペクト比が２．５以上でかつ、導体配線ピッチ２０μｍ以下の配線層を有するビルドアッププリント基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】無電界めっき後の配線部とセラミック基板との密着性を高めたセラミック基板を提供する。
【解決手段】導体粒子５とガラス成分を含む導体ペーストを用いてセラミック部２上に配線部３を形成する配線部形成工程と、その後、配線部３が形成されたセラミック基板１に熱を印加する事によって配線部３を焼成する第１の熱処理工程と、その後、第１の熱処理工程にて熱処理されたセラミック基板１に、前記第１の熱処理工程より低い温度の熱を印加し、配線部３とセラミック基板１との界面をガラスリッチにする第２の熱処理工程と、その後、第２の熱処理工程にて熱処理されたセラミック基板１の配線部３上に無電界めっき法によって金配線部４を形成する無電界めっき工程と、を備えたセラミック基板の製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】配線間での銅のマイグレーションを防止して高集積化を図ることができる多層配線基板を提供すること。
【解決手段】多層配線基板１０の配線積層部３０において、上面３１側には複数の開口部３５，３６を有するソルダーレジスト２５が配設され、ソルダーレジスト２５に接している最外層の樹脂絶縁層２３にＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２が埋設されている。ＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２は、主体をなす銅層４４と銅層４４の外面を覆うめっき層４６とにより構成される。ソルダーレジスト２５と樹脂絶縁層２３との界面に存在する導体層２６は、銅層２７と銅層２７の外面を覆うニッケルめっき層２８とにより構成される。 （もっと読む）