【課題】金属の無電解めっきの触媒として使用される、安定で、コスト効果的な金属ナノ粒子を提供する。
【解決手段】一般式：


（式中、Ｒ１は非置換（Ｃ１４〜Ｃ３０）アルキルであり、Ｒ２およびＲ３は同じかまたは異なっており、非置換（Ｃ１〜Ｃ６）アルキルである）を有するアミンオキシドで封入された金属ナノ粒子を含む組成物で、金属ナノ粒子が、銀、金、白金、インジウム、ルビジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジウム、銅、コバルト、ニッケルおよび鉄から選択される。 （もっと読む）

【課題】ビアホール加工性に優れた回路基板、回路基板の製造方法および半導体装置を提供すること
【解決手段】絶縁層２１と、絶縁層２１の少なくとも一方の面側に厚さが２.０μｍより大きく、１２μｍ以下である金属層１１とが積層された積層板を用意する工程と、 金属層１１を選択的に除去した後、選択的に除去した部分にレーザを照射することにより絶縁層２１に貫通孔１９を形成する工程と、金属層１１をエッチングにより所望の厚みを除去する工程と、金属層１１および貫通孔１９内壁面に導体層１５を形成する工程と、を含むことを特徴とする回路基板１の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】洗浄および無電解銅めっき液などの表面処理において、微細化した貫通スルーホールおよび非貫通バイアホールに処理液を供給し処理液の供給不足による銅めっき欠損などの不具合発生を抑える。
【解決手段】本発明は、洗浄および無電解銅めっきなどの表面処理において、装置コストの安い洗浄および無電解銅めっきなどの表面処理を行なうバーチカル方式を使用し、処理液を微細な貫通スルーホール、非貫通バイアホールに処理液を供給するため、カゴに銅張り積層板と、処理液の流れを制御するための、取付け、取外し可能な整流板を配置し処理する。 （もっと読む）

【課題】表面実装部品をはんだ付けにより実装する際のはんだボイドの発生およびそれによるショート不良の発生を防止することが可能なセラミック多層基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】焼結金属からなる外部電極４を備えたセラミック多層基板において、外部電極４の表面の所定の領域にめっき金属層１１を形成し、外部電極４の表面の一部にはめっき金属層を形成しないようにして、外部電極のめっき金属層が形成されていない領域から水蒸気などのガスが効率よく排出されるようにする。
外部電極の一部を、表面にめっき金属層が付着しない無機絶縁材料からなる多孔質層により被覆し、外部電極の表面の、多孔質層が配設されていない領域にのみめっき金属層を形成するようにして、多孔質層が形成された領域から水蒸気などのガスが効率よく排出されるようにする。
外部電極を、セラミック粒子を含む焼結金属からなるポーラスな電極とする。 （もっと読む）

【課題】高周波回路用の疎水性基板であるＰＴＦＥ基板表面に、均質かつ緻密な銅メッキ被膜を容易に形成させること。
【解決手段】本発明のメッキ方法では、ＰＴＦＥ基板をヘリウムガス存在下でプラズマ処理する工程（１）と、前記基板をアミノシランカップリング剤と反応させ、前記基板の表面に自己集積化単分子膜（ＳＡＭ）を形成する工程（２）と、ＳＡＭを形成した前記基板を、パラジウム塩を含有する水溶液である無電解メッキ用触媒液で活性化処理する工程（３）と、前記基板に固定化されたパラジウムイオンを金属パラジウムに還元する工程（４）と、前記基板を無電解銅メッキ液で処理することにより、前記基板上に無電解銅メッキ被膜を形成する工程（５）と、前記基板を電解銅メッキ液で処理することにより、前記無電解銅メッキ被膜の上に電解銅メッキ被膜をさらに形成する工程（６）と、を順次行う。 （もっと読む）

【課題】コア層の少なくとも一方の主面上において導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる、いわゆるＢＧＡタイプの配線基板において、導体層と半田ボールとの密着性を改善した新規な配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】コア層の少なくとも一方の主面上において導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成され、このソルダーレジスト層に形成された開口部から前記少なくとも１層の導体層が露出してなる配線基板を準備する。次いで、前記少なくとも１層の導体層上にＳｎを含む下地層をメッキにより形成し、さらに前記下地層を加熱して溶融させた後、溶融した前記下地層上に半田ボールを搭載し、この半田ボールを前記下地層と直接接続する。 （もっと読む）

【課題】層間接続用のバイアホールの構造を部品実装用のランドパターンに適用してもバイアホールの実装面の平坦性を確保して部品実装の信頼性及び実装密度を高める。
【解決手段】プリント配線基板は、絶縁基材１の一方の面側の第１導電層２ａに部品実装用のランドパターン１０が形成され、ランドパターン１０には、その内側に外形円と同心の開口領域５０が形成され、この開口領域５０は、環状の溝（除去部）２０とその内側の残存部４を含む。環状の溝２０は、第１導電層２ａ及び絶縁基材１を環状に除去することにより形成されている。開口領域５０では、溝２０の底部において露出した第２導電層２ｂと第１導電層２ａとが、第１導電層２ａの表面、第２導電層２ｂの露出した表面、及び溝２０の内壁面に形成されためっき層３により層間接続される。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板上に銅配線パタ―ンを強い密着力で形成する。
【解決手段】回路基板の製造方法は、無機フィラー粒子の表面に、ＵＶオゾン処理によりＯＨ基を形成する工程と、前記ＯＨ基が結合した無機フィラーを、ビニル基を有するシランカップリング剤により処理する工程と、前記シランカップリング剤により処理した無機フィラー粒子に、トリアジンチオールあるいはトリアジンチオール系化合物を結合する工程と、前記トリアジンチオールあるいはトリアジンチオール系化合物を結合した無機フィラー粒子を樹脂前駆体中に混合する工程と、前記樹脂前駆体を硬化させることにより樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に銅パタ―ンをメッキにより形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】配線導体の幅および間隔が例えば３０μｍ以下の高密度配線を有する薄型の配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】上下面を有する絶縁層１にその上下面間を貫通する貫通孔２を設け、次に少なくとも貫通孔２内およびその周囲の上下面に貫通孔２を充填する第１のめっき導体４を被着させ、次に第１のめっき導体４をエッチングして上下面の第１のめっき導体４を除去するとともに、少なくとも貫通孔２の上下方向の中央部を充填するように第１のめっき導体４を残し、次に貫通孔２内の第１のめっき導体４よりも外側の部分を充填するとともに上下面で配線導体を形成する第２のめっき導体６をセミアディティブ法により形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板の接続面に垂直及び水平方向の衝撃が加えられても、十分に優れた落下強度を実現することが可能な端子構造及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】 金、銀及び銅から選ばれる少なくとも一種の金属を含む導体層４０、導体層の上にニッケル及びリンを含む第一の層５２、第一の層の上に第一の層よりもリンに対するニッケルの原子比が小さく、かつＮｉ_３Ｐを含む第二の層５４、第二の層の上にＮｉ−Ｐ−Ｓｎ系の第一の金属間化合物を含む第三の層５６、並びに第三の層の上にＮｉ−Ｃｕ−Ｓｎ系の第二の金属間化合物を含む第四の層５８、が積層された端子１２と、端子の第四の層の上にはんだ層７５と、を備える端子構造１４であって、第三の層の第二の層側の表面粗さをＲａ１とし、第三の層の第四の層側の表面粗さをＲａ２とするときに、Ｒａ２がＲａ１よりも大きい端子構造１４、及び当該端子構造を備える電子デバイス３００。 （もっと読む）

【課題】絶縁樹脂層表面の凹凸形状が小さい状態でも、配線導体に対して容易に高い接着力を発現し得る絶縁樹脂、配線板及び配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、ヘキサンジオール構造を含有したエポキシ樹脂、（Ｂ）紫外線活性型エステル基含有化合物、及び（Ｃ）エポキシ樹脂硬化促進剤を含む樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】金属箔を除去するという余分な工程を経ずに、ガラス転移温度と引っ張り弾性率を維持しつつ、平滑な絶縁層表面に剥離強度に優れる導体層が形成される積層板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層のガラス転位温度が１５０℃以上２７０℃以下、引っ張り弾性率が１０ＧＰａ以上３５ＧＰａ以下の硬化性樹脂組成物に、無機充填材を４０質量％以上８０質量％以下含有するプリプレグを支持体の間に配置し、減圧下で加熱及び加圧して硬化させた後、支持体を除去し、絶縁層表面を粗化処理し、無電解めっきにより絶縁層表面に金属膜層を形成する積層板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】コネクタとの嵌合など大きな外部応力がかかる環境下においても、コネクタの端子およびフレキシブルフラットケーブルの導体に形成されるめっき層やはんだから、ウィスカが発生するおそれの少ない、あるいは発生してもその長さが５０μｍ未満であり、かつ優れた耐屈曲特性を備えたフレキシブルフラットケーブルを提供する。
【解決手段】Ｓｎ系めっき層を被覆した端子１２を備えたコネクタ１１に嵌合され、端子１２と接する導体１６が内部に配設されたフレキシブルフラットケーブル１３において、導体１６の素線の周囲にＳｎ−Ｂｉ系めっき層が形成されていると共に、素線とＳｎ−Ｂｉ系めっき層との間に合計厚さが１μｍ以下の金属間化合物層が形成され、Ｓｎ−Ｂｉ系めっき層のＢｉ濃度が１０ｍａｓｓ％以上であるものである。 （もっと読む）

【課題】絶縁樹脂層表面の凹凸形状が小さい状態でも、配線導体に対して容易に高い接着力を発現し得る絶縁樹脂、配線板及び配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、（Ｂ）紫外線活性型エステル基含有化合物、（Ｃ）イソシアネートシラン、及び（Ｄ）エポキシ樹脂硬化促進剤を含む樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】プライマー樹脂に残存する防錆物質を除去することにより、未メッキ現象の発生を防止して均一なメッキ層を形成することができ、プライマー樹脂に形成された粗さが、防錆物質の除去過程で損傷されることなく、メッキ層とプライマー樹脂との接着力を高めることができるメッキ層の形成方法及びこれを用いた回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるメッキ層の形成方法は、粗さが形成された一面に、プライマー樹脂層がコーティングされた金属箔を提供するステップと、粗さが形成されたプライマー樹脂層を絶縁層に転写するステップと、残存する金属箔の防錆物質を除去するためにプライマー樹脂層を還元処理するステップと、粗さが形成されたプライマー樹脂層にメッキを施すステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板に強固に結合した銅層を有する銅配線基板、多層配線板を提供すること。
【課題を解決する手段】樹脂成分を含む絶縁基板と、その表面に固定された１以上のウレタン結合層と、該ウレタン結合層に結合したアルコキシシリル基の層と、該アルコキシシリル基の層と化学的に結合した銅層を有することを特徴とする配線基板、多層配線板及びそれらの製造方法。 （もっと読む）

【課題】絶縁層に対して強固に密着した微細な配線導体を有する配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁層１の表面に算術平均粗さＲａが３００ｎｍ以下の粗化面１ａを形成し、次に粗化面１ａに無電解銅めっき層２を被着させ、次に無電解銅めっき層２の表面を黒化処理し、次に黒化処理された表面にドライフィルムレジスト３を貼着するとともに配線導体６のパターンに対応する開口を有するように露光および現像してめっきレジスト層３Ａを形成し、次にめっきレジスト層３Ａの開口内の無電解銅めっき層２上に電解銅めっき層５を配線導体６に対応するパターンに被着させ、次に無電解銅めっき層２上からめっきレジスト層３Ａを剥離し、次に電解銅めっき層５および無電解銅めっき層２を、配線導体６のパターン間の無電解銅めっき層２が消失するまでエッチング処理することにより配線導体６を形成する。 （もっと読む）

【課題】回路基板の高密度化を阻害せずにクロストークを十分に抑制することができるクロストーク抑制回路基板を提供する。
【解決手段】本発明のクロストーク抑制回路基板２は、樹脂製の絶縁基板４と、絶縁基板４の一方の面に位置付けられたグランド層８と、絶縁基板４のグランド層８とは反対側の面に位置付けられた配線回路１２とを備え、この配線回路１２は、所定のパターンにて形成された信号線１６と、信号線１６の外表面を覆う磁性体からなる被覆材１４と、信号線１６及び被覆材１４を埋設する樹脂製の保護絶縁層１８とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線間隔を狭くすることができ、微細化に適した回路基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層とを有する回路基板であって、上記配線層が、第一配線部と、上記第一配線部の側面にめっき法により形成された第二配線部とを有し、上記第一配線部および上記第二配線部の頂面の位置が一致していることを特徴とする回路基板を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｎメッキ層で被覆された金属パッドの半田濡れ性を向上させることが可能な配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の配線基板の製造方法においては、配線積層部のソルダーレジスト層に複数の開口部を形成して複数の金属パッドを露出させた状態の配線基板を準備し（ステップＳ１０）、金属パッドの表面をＳｎメッキ層で被覆し（ステップＳ１１：Ｓｎメッキ工程）、Ｓｎメッキ層で被覆された金属パッドを加熱し（ステップＳ１３：リフロー工程）、加熱後のＳｎメッキ層の表面を、アミンを含むアルカリ洗浄液により洗浄する（ステップＳ１５：アルカリ洗浄工程）。これにより、Ｓｎメッキ層の表面の不純物が除去されて半田濡れ性が向上し、金属パッドにおけるチップ立ち不良を防止することができる。 （もっと読む）