【課題】ドクターブレードの摩耗や損傷を防止するとともに、良好な均一性を有する塗工膜を得られるグラビア印刷版等を提供する。
【解決手段】頂部（３２）と、当該頂部に対して高さ方向に所定の距離を隔てて配置される底部（３４）と、前記頂部と前記底部を接続する傾斜部（３６）と、が形成された版面（２６ａ）を有し、前記傾斜部は、一方の端部が前記頂部に接続しており、第１の傾斜角度を有する第１斜面（３８）と、前記第１斜面の他方の端部に接続しており、前記第１の傾斜角度より大きい第２の傾斜角度を有する第２斜面（４０）と、を有し、前記第１斜面の算術平均粗さＲａが０．１μｍ以下であり、前記一方の端部が接続する前記頂部の延長線（Ｌ１）と、前記他方の端部が接続する前記第２斜面の延長線（Ｌ２）とが交わる点から、前記第１斜面までの距離（Ｈ）が５μｍ以下であるグラビア印刷版。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ接続の信頼性および配線板としての機能性を保全した上で、低コストで製造が可能な部品内蔵配線板を提供すること。
【解決手段】積層状に位置する、第１、第２の絶縁層と、端子パッドを有し該端子パッドを有する面が第１の絶縁層に対向するように、第２の絶縁層中に埋設された半導体チップと、第１の絶縁層上に、第２の絶縁層との間に挟まれるように設けられた、すずが含有される金属の皮膜によって被覆されたフリップ接続用のランドを含みかつ該ランドの表層を除いては該皮膜で被覆されていない第１の配線パターンと、半導体チップの端子パッドと第１の配線パターンのランドとの間に挟設された金バンプと、金バンプをその内部に封止するように設けられたアンダーフィル樹脂と、第１の絶縁層の第１の配線パターンが設けられた側の面とは反対の側の面上に設けられた第２の配線パターンとを具備する。 （もっと読む）

【課題】多層配線が簡易な方法によって低コストで形成される電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１配線層３０の上に、絶縁層２２の上に金属層３２ａが積層された積層膜ＣＦを形成する工程と、積層膜ＣＦの上に開口部２３ａが設けられたレジスト２３を形成する工程と、レジスト２３の開口部２３ａを通して金属層３２ａをエッチングすることにより金属層３２ａに開口部３２ｘを形成する工程と、ウェットブラスト法により、金属層３２ａの開口部３２ｘを通して絶縁層２２をエッチングすることにより、第１配線層３０に到達するビアホールＶＨを形成する工程と、ビアホールＶＨに導電性ペースト４０又ははんだからなるビア導体を形成することにより、第１配線層３０と第２配線層３２となる金属層３２ａとをビア導体で接続する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗が低く配線間の絶縁性の高い回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、Ｃｕを含む導電性材料の配線構造体を形成し、配線構造体の表面に、Ｃｕ−Ｎ結合を有する絶縁性の拡散防止膜を形成した後、拡散防止膜が形成された配線構造体を覆うように、絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】樹脂基材上に支持された金属微細パターンの表面をメッキ処理の対象とし、そのようなメッキ処理対象面に無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを行う際に、下地である樹脂表面に金属の異常析出が起きるのを抑えることができるメッキ処理品の製造方法によって得られる、金メッキ金属微細パターン付き基材を提供する。
【解決手段】樹脂からなる支持表面を有する基材の当該支持表面上に、金属微細パターンと、当該金属微細パターンを設けた領域を被覆するソルダーレジスト層が設けられ、前記ソルダーレジスト層は、前記金属微細パターンの少なくとも一部の表面を露出させ、且つ、前記支持表面が露出していない開口部を有し、前記開口部において露出した部分が、ニッケル−パラジウム−金メッキ層及びニッケル−金メッキ層よりなる群から選ばれる複合金メッキ層で被覆されていることを特徴とする、金メッキ金属微細パターン付き基材。 （もっと読む）

【課題】絶縁層と密着層との密着性を保ちつつ、電極層と銅配線層との接続を確保する。
【解決手段】インターポーザ１００において、配線パターン１１１は銅から形成される。また、貫通電極１１４も銅から形成される。また、酸化膜１１５は、貫通電極１１４に隣接して配置される。そして、酸化膜１１５と配線パターン１１１とは、密着層であるチタン膜１１７を介して積層される。また、貫通電極１１４と配線パターン１１１とは、チタン膜１１７に隣接して形成された銅合金層１１９を介して積層される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子接続の信頼性および配線板としての機能性を保全した上で、低コストで製造が可能な部品内蔵配線板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の絶縁層と、第１の絶縁層に対して積層状に位置する第２の絶縁層と、第２の絶縁層に埋設された、端子パッドを有する半導体素子と、第１の絶縁層と第２の絶縁層とに接触して挟設された、銀粒子または金粒子が凝集して形成の銀皮膜または金皮膜によって被覆された部品接続用のランドを含みかつ該ランドの表層を除いては銀皮膜、金皮膜で被覆されていない第１の配線パターンと、半導体素子の端子パッドと第１の配線パターンのランドとを電気的に導通させる接続部材と、接続部材をその内部に封止するように設けられた樹脂と、第１の絶縁層の第１の配線パターンが設けられた側の面とは反対の側の面上に設けられた第２の配線パターンとを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応え配線基板の製造方法及びその実装構造体の製造方法を提供するものである。
【解決手段】本発明の一形態にかかる配線基板の製造方法は、ポリイミド樹脂を含む第１樹脂層１０ａの一主面を金属層１２で被覆する工程と、金属層１２上に部分的に複数の導電層１１を形成する工程と、アルカリ性の水溶液を用いて、導電層１１の表面を粗化する工程と、導電層１１の露出した表面を粗化する工程の後、第１樹脂層１０ａの一主面を露出させるために、平面視にて導電層１１同士の間に配された前記金属層１２の一部をエッチングする工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】金属−セラミックス接合回路基板の断面形状を少ない工数または低コストで容易に制御することができ、且つ耐熱衝撃性または絶縁性に対してより高信頼性を有する金属−セラミックス接合回路基板を製造することができる、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１０の両面にろう材１２を介してＣｕ板１４を接合した後、 Ｃｕ板１４の表面の所定の部分にＵＶ硬化アルカリ剥離型レジスト１６を塗布してＣｕ板１４の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジスト１６を維持したまま、不要なろう材１２およびろう材１２とセラミックス基板１０との反応生成物を除去し（あるいは、不要なろう材１２およびろう材１２とセラミックス基板１０との反応生成物を除去し、金属回路部の側面部をエッチングし）、その後、レジスト１６を剥離し、 Ｎｉ−Ｐ無電解メッキ１８を施す。 （もっと読む）

【課題】 金属層表面に微小な凹みが無い銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法を提供し、金属層表面の凹みや配線パターニング時に欠陥を減少させる。
【解決手段】 ポリイミドフィルムを１級アミド化合物及びポリアルキレングリコールを含有する水溶液に浸漬させて洗浄する。洗浄するタイミングは、導体となる銅層を形成する前であれば、乾式法で１次金属層を形成する前でも良く、後でも良い。乾式法で１次金属層を形成する前後の２回処理することも有効である。 （もっと読む）

【課題】耐酸化性、耐電食性を向上させた金属銅膜の製造方法及び金属銅パターンを提供する。
【解決手段】銅酸化物を含む銅系粒子から成る金属銅膜の製造方法において、銅酸化物を含む銅系粒子から成る層を基板表面に形成する工程と、前記銅系粒子から成る層をガス状のギ酸及び／又はホルムアルデヒドに接触させる工程とを有し、前記銅系粒子から成る層をギ酸、ホルムアルデヒドおよび酸素が存在しないガス中あるいは減圧下で１１０℃以上２５０℃以下で後加熱処理する工程、又は、前記銅系粒子から成る層を防錆作用のある薬剤の溶液あるいはガスに接触させる工程を有する、金属銅膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子接続パッドを形成する配線導体とソルダーレジスト層との間に半田が滲入して潜り込むことを有効に防止することが可能な配線基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】上面に配線導体２から成る複数の半導体素子接続パッド３および半導体素子接続パッド３の外周部を覆い、且つ半導体素子接続パッド３の中央部を露出させる開口部４ａを有するソルダーレジスト層４を順次被着させるとともに、開口部４ａから露出する半導体素子接続パッド３に半田バンプ５を溶着させて成る配線基板であって、配線導体２は、ソルダーレジスト層４で覆われた面が十点平均粗さＲｚで２．５〜４μｍの粗化面であり、且つ開口部４ａから露出する面を開口部４ａの下端から１〜４μｍの深さに漸次凹んだ凹面とした。 （もっと読む）

【課題】銅回路パターンを形成する際に、膜厚を揃えて膜厚分布を均一にし、生産性が向上したプリント基板の製造方法及びこれを用いたプリント基板を提供する。
【解決手段】銅シート２の両面に配線パターンとなる第１の開口部を有する第１のレジスト４を形成し、前記第１の開口部を通じて露出した前記銅シート２の部位に銅めっきし、前記銅シート２の両面に前記配線パターンからなる銅回路７を形成し、前記第１のレジスト４を除去し、前記銅シート２の片面に絶縁基材を積層し、前記銅シートにおける前記銅回路以外の部位を除去する。 （もっと読む）

処理される材料（１０）、特に、処理される平坦な材料（１０）の湿式化学処理のためのデバイス（１）は、処理される材料（１０）を処理液（９）で処理するための処理容器（２）と、処理される材料（１０）を処理容器（２）を通して輸送するための輸送デバイス（２４）と、不活性気体（１６）を処理容器（２）に供給するための供給デバイス（１１）とを備える。
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【課題】積層配線基板の配線層をキャパシタ下部電極として利用する場合に、密着強度を上げる微細凹凸の形成がキャパシタ特性や信頼性に不利益を与えないようにする。
【解決手段】配線層（１４）の一部を被覆するＭＩＭ構造体を形成し、これに覆われていない配線層表面に微細凹凸を形成する。その上に絶縁基板１９ａを貼り合わせ、容量素子部分の絶縁基板１９ａを開口させて、そこに容量素子の電極取出し配線（２４）を形成する。 （もっと読む）

【課題】ビスムチオールを添加した感光性ポリイミド樹脂組成物を用いてフレキシブルプリント配線板を作成する際に、導体パターンの表面の赤変色を除去する。
【解決手段】フレキシブルプリント配線板の製造方法は、（ａ）基材上に導体パターン２を形成して基板を取得する工程、（ｂ）基板の、導体パターンが形成された側の面上に、ポリイミド樹脂と、感光剤と、架橋剤と、ビスムチオールとを含有する感光性ポリイミド樹脂組成物からなる感光性樹脂層５を形成する工程、（ｃ）感光性樹脂層に対しフォトリソグラフ処理を施すことにより所望の領域（端子部４）の導体パターンが露出するように、対応する領域の感光性樹脂層を除去する工程、（ｄ）露出した導体パターン（端子部４）を、化学研磨液でソフトエッチング処理する工程、及び（ｅ）感光性樹脂層を架橋処理して架橋剤を架橋させ、それにより感光性樹脂層をカバーレイ層５とする工程を有する。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板の端子部分、他の電子部品の端子部分、或いは、その他の金属微細パターン付き樹脂基材などのめっき処理対象面に、無電解ニッケル−パラジウム−金めっきを行う際に、下地である樹脂表面の金属異常析出が抑えられ、めっき処理面の品質に優れる方法を提供する。さらに本発明は、めっき処理面の品質に優れためっき処理物、特に、インターポーザ、マザーボード、及び、それらを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】プリント配線板の端子部分などの被処理部分に金属微細パターン付き基材の無電解ニッケル−パラジウム−金めっきを行う方法であって、パラジウム触媒付与工程の後、無電解パラジウムめっき処理を行う前の任意の段階において、ｐＨ１０〜１４の溶液による処理およびプラズマ処理よりなる群から選ばれる少なくとも一つの表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】
微細な銅または銅合金配線とレジストや層間絶縁材等の樹脂との密着性に優れる該銅または銅合金表面を低エッチング量（エッチング量０．５μｍ以下）で所望の程度に粗化するための金属表面処理剤および表面処理方法を提供する。
【解決手段】
過酸化水素、無機酸、ハロゲンイオン、トリアゾール類を含有する金属表面処理剤で、銅または銅合金表面を低エッチング量（エッチング量０．５μｍ以下）で所望の程度に粗化することにより、微細な銅配線において銅配線とレジストや層間絶縁材等の樹脂との密着性が優れることを見出した。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の電極端子と半田を介して接続するための素子接続パッドの幅を十分に確保し、半導体素子の電極端子と素子接続パッドとを半田を介して強固に接続することが可能な配線基板を提供することにある。
【解決手段】 絶縁基体１上に半導体素子接続用の帯状配線導体２が複数並んで形成されているとともに、帯状配線導体２の一部に半導体素子Ｓの電極端子がフリップチップ接続される素子接続パッド３が形成されており、かつ絶縁基体１上および帯状配線導体２上に、素子接続パッド３を露出させる開口部４を有するソルダーレジスト層５が被着されている配線基板１０であって、帯状配線導体２は、ソルダーレジスト層７が被着する表面が粗化処理されているとともに素子接続パッド３の露出面が前記粗化処理された表面よりも外側に膨出した平滑面である。 （もっと読む）

【課題】ＳＵＳ箔層と液晶ポリマー層とが積層された積層体において、界面の密着性を改善する。
【解決手段】ＳＵＳ箔の表面をその十点平均高さが４０ｎｍ以上となるように化学的に粗化してＳＵＳ箔層２を形成する。一方、ハロゲン原子を含まない非プロトン性溶媒に液晶ポリマーを溶解させて液晶ポリマー溶液を調製する。次いで、この液晶ポリマー溶液をＳＵＳ箔層２上に塗工する。最後に、液晶ポリマー溶液に含まれる非プロトン性溶媒を除去して液晶ポリマー層３を形成する。これにより、腐食性が高くて取扱いが難しいという問題を生じることなく、ＳＵＳ箔層２と液晶ポリマー層３との密着性を改善することができる。 （もっと読む）