【課題】試料に対して均一なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】試料をプラズマ処理する真空処理室と、前記真空処理室の上面を形成する誘電体窓と、前記真空処理室内にガスを導入するガス導入手段と、前記真空処理室内に配置され前記試料を載置する試料台と、前記誘電体窓の上方に設けられた誘導コイル４ｄと、誘導コイル４ｄに高周波電力を供給する高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、誘導コイル４ｄの下方に配置された平板の導体１２を備え、誘導コイル４ｄは、交差した給電部を有し、導体１２は、前記給電部の下方に配置され、誘導コイル４ｄの給電部の誘導磁場分布を調整して試料上でのプラズマ分布を補正する。 （もっと読む）

【課題】強度及び熱伝導率に優れた耐プラズマ性部材を提供する。
【解決手段】 一態様の耐プラズマ性部材は、少なくとも２相以上のセラミックスであり、イットリウム、ジルコニウムと第３の元素の中から選ばれる１種以上の酸化物を含み、前記イットリウム、前記ジルコニウムと前記第３の元素は、それぞれ酸化物換算で４０ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、３５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする。
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【課題】イットリアを主成分とする皮膜で被覆された部材であって、主に、半導体や液晶製造用等のプラズマ処理装置部材として用いることができ、緻密で表面が滑らかであり、プラズマ処理時にパーティクルや金属不純物の発生によって被処理品を汚染することがなく、かつ、強度及び耐久性に優れた耐食性部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス又は金属からなる基材の少なくともプラズマ又は腐食性ガスに曝される部位の表面に、少なくとも１層の耐食膜が形成された耐食性部材において、前記耐食膜が、イットリアを主成分とし、タンタル又はニオブの少なくともいずれか１種を前記イットリアに対して五酸化物換算で０．０２〜１０ｍｏｌ％含有し、かつ、未溶融部が存在しないものとする。 （もっと読む）

【課題】被処理物の大型化に対応して吹出ノズルが長大化しても、吹出ノズルのメンテナンスを容易に行うことができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１の吹出ノズル２は、吹出口２ｃを有して巾方向Ｗに延びている。吹出ノズル２は、巾方向Ｗの第１側の第１分割ノズル１０と、巾方向Ｗの第２側の第２分割ノズル２０とに分割されている。分割ノズル１０，２０どうしの接合面３０が、巾方向Ｗに互いにずれた一対の当接面３１，３２を有し、これら当接面３１，３２間に段差３３が形成されている。分割ノズル１０，２０が、それぞれ吹出口２ｃを挟んで搬送方向Ｙの両側の一対の分割ノズル部材１１，１２，２３，２４に分割されている。 （もっと読む）

【課題】撓みによって生じる搬送アーム先端の下方への傾斜を低減することができる搬送装置及びプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】筐体内へ被搬送物を搬送する搬送装置である。搬送装置は、搬送アーム５２、アーム軸５３、複数の電磁石５０及び制御部４０を備えている。搬送アームは、被搬送物を載置するピック部５２ｂを先端に有し、水平方向に伸縮する。アーム軸５３は、搬送アーム５２を支持する。複数の電磁石５０は、筐体内部に磁場を発生させることにより搬送アーム５２に上昇方向の力を作用させる。制御部４０は、搬送アーム５２が水平方向に伸縮する際にアーム軸５３から搬送アーム５２先端までの長さが長くなるほど搬送アーム５２に作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石５０を制御する。 （もっと読む）

【課題】複雑な構成を必要としない、スパッタエッチングの均一性を調整する手段を備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】対向する一対の電極5a,5bの外周部に異極同士が対向するように永久磁石8a,8bを設置し、各電極の外周の前方近傍から中心寄りの電極表面に至る部分にマグネトロン磁場（半円筒形磁場）が、一対の電極の外周部間に電極表面に垂直方向の対向磁場が形成できるようにし、各電極にプラズマ電力を供給し、導入口2よりアルゴンなどを供給して、一方の電極5b上に載置した被処理基板13に対しプラズマエッチングを行う。各電極の背面に磁場調整手段12a,12bを設けてプラズマ空間の磁場を調整してエッチングの均一性を調整する。 （もっと読む）

【課題】リング状シールド部材の構成部品と基板載置台との間の隙間の発生を防止するとともに、構成部品の破損を防止することができるリング状シールド部材を提供する。
【解決手段】シールドリング１５は４つのリング構成部品４１〜４４からなり、各リング構成部品４１〜４４の長手方向に関する固定端には全方位移動規制部４５が設けられ、一方向移動許容部４６が全方位移動規制部４５から離間して設けられ、例えば、一のリング構成部品４１の固定端４１ａの端面が、隣接する他のリング構成部品４３の自由端４３ｂの側面に当接し、一のリング構成部品４１の自由端４１ｂの側面が、隣接する別のリング構成部品４４の固定端４４ａの端面に当接するように、各リング構成部品４１〜４４が組み合わせられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素膜成膜後に成膜チャンバー内に付着した炭化珪素を含む付着物をｉｎ−ｓｉｔｕで精度よく除去可能な炭化珪素成膜装置及び炭化珪素除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段１３と、酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給手段１４と、フッ素含有ガス供給手段１３及び酸素含有ガス供給手段１４と接続され、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化したフッ素含有ガス及びプラズマ化した酸素含有ガスを成膜チャンバー１１内に供給するプラズマ発生手段１５と、成膜チャンバー１１からの排ガスを分析する排ガス分析手段１９と、排ガス分析手段１９の分析結果に基づき、フッ素含有ガス供給手段１３、酸素含有ガス供給手段１４、及びプラズマ発生手段１５を制御する制御手段２１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの周縁部の温度調節が容易にできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理を施す基板Ｗを載置させる載置台１１は、所定の温度に温度調節される載置台本体１２と、載置台本体１２の上部に配置された、基板Ｗを吸着するための静電チャック１３を備え、静電チャック１３の上面に、中央に配置される第１の熱伝達用ガス拡散領域４７と、周縁部に配置される第２の熱伝達用ガス拡散領域４８とが形成され、第１の熱伝達用ガス拡散領域４７に熱伝達用ガスを供給する第１の熱伝達用ガス供給部５１と、第２の熱伝達用ガス拡散領域４８に熱伝達用ガスを供給する第２の熱伝達用ガス供給部５２とを備え、第１の熱伝達用ガス拡散領域４７と第２の熱伝達用ガス拡散領域４８において、冷却能力をそれぞれ任意に設定して別々に制御し、第２の熱伝達用ガス拡散領域４８は、静電チャック１３の上面の周縁部に形成された環状の凹部である。 （もっと読む）

【課題】パーティクルを発生させるネジを用いず、熱効率にも優れた新規な構造のウェハ支持装置を提供する。
【解決手段】静電チャック１１と薄板部材１５と固定部材１７とを備えて構成されるウェハ支持装置１０であり、固定部材１７の脚部１８は、ウェハ載置領域を囲むように薄板部材に配置された開口１６を貫通してその上面より上方にまで突出し、その上端から係合部１９が内方に突出している。薄板部材および固定部材が静電チャックの静電吸着面に吸着固定されることにより、該薄板部材と該固定部材の係合部との間にウェハの周縁部を挟んでウェハを固定する。ウェハを上下から挟んだ状態で固定するので、通常の上向き使用だけでなく、下向きや垂直にして使用してもウェハが脱落しない。 （もっと読む）

【課題】保護ポリマーコーティングを、プラズマ処理チャンバのシリコンまたはシリコンカーバイド電極上に形成する方法が提供される。
【解決手段】ポリマーコーティングは、プラズマ成分およびガス反応物への露出に対して、下にある電極表面への保護となる。この方法は、チャンバ１０２をクリーニングするプロセス中、またはチャンバ１０２内で半導体基板１０をエッチングするプロセス中に実施することができる。 （もっと読む）

【課題】均熱部材を載置台内に一体的に埋め込むようにして被処理体の面内温度の均一性を高めると共に、被処理体に対する加熱効率を高めることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器４内にて被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施すために前記被処理体を加熱する加熱手段３８が埋め込まれると共に、前記被処理体を載置する載置台３２と、前記載置台を前記処理容器の底部より起立させて支持する支柱３０とを有する載置台構造において、前記載置台内に、前記埋め込まれている前記加熱手段の上方に位置させて平面方向に広がった均熱部材４０を埋め込むように構成する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上のイオンエネルギーを所望の範囲の値に調節して、高精度な加工または長期間安定して処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に配置され内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内に配置されその上部の載置面に処理対象のウエハが載せられるステージと、このステージ内部に配置された電極にバイアス電位を形成するための高周波電力を供給する電源とを備え、前記電源から前記高周波電力を供給しつつ前記プラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、前記ステージの前記載置面の外周側に配置されその上方に形成される前記バイアスの電圧の値から最大値及び最小値との差の成分Ｖppと直流の成分Ｖdcとを検出する検出器と、この検出器からの出力に基づいて前記処理中Ｖpp／２＋｜Ｖdc｜の値を一定になるように高周波バイアス電力の出力を調節する制御器とを備えた。 （もっと読む）

【課題】フィーチャの微細化や基板サイズの大型化に対応し、プラズマの密度や基板面にわたる均一性のためのプラズマのパラメータの制御が可能となる装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバは、大気負荷を中立化するように構成されたカンチレバー組立体を含む。前記チャンバは壁を含み、前記壁は、内部領域を囲み、かつ、該壁に形成された開口部を有する。前記カンチレバー組立体は、前記チャンバ内で基板を支持する基板体を含む。前記カンチレバー組立体は、一部分が前記チャンバの外に配置されるように開口部を通って伸びている。前記チャンバは、前記壁に対して相対的に前記カンチレバー組立体を動かすように動作する駆動機構を含む。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面のエッチング量の均一さを悪化させずに、エッチング量を増加せしめる酸化膜除去方法及びこの方法に用いるバッチ式半導体デバイス製造装置の提供。
【解決手段】フッ化水素又はフッ化アンモニウムをシリコンウェハ表面上の酸化膜と反応させる第１の工程と、この反応によって生じた反応生成物を２００℃乃至５３０℃で加熱・蒸発させて除去する第２の工程とを有するドライエッチング工程を、隣接するシリコンウェハ同士の間隔を２ｍｍ乃至５ｍｍに設定して実施する。エッチング室と、マイクロ波励起機構と、ロードロック室と、クリーンブースとで構成され、処理されるシリコンウェハの隣接するウェハ同士を２ｍｍ乃至５ｍｍの間隔で載置し得るウェハボートを有している。 （もっと読む）

【課題】付着物の発生を抑制可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】一実施形態のプラズマ処理装置は、処理容器、ガス供給部、導入部、保持部材、及びフォーカスリングを備えている。処理容器により画成される処理空間において、導入部から導入されたエネルギーにより、ガス供給部から供給された処理ガスのプラズマが発生される。この処理空間に、被処理基体を保持するための保持部材と該保持部材の端面を囲むように設けられたフォーカスリングとが配置されている。保持部材の端面とフォーカスリングとの間には、３５０μｍ以下の間隙が画成されている。 （もっと読む）

【課題】試料台カバーの温度を安定させ、試料台カバーから発生するガス量を安定させることで、プラズマ処理性能の経時変化が小さいプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内の下部に配置されプラズマに面してその上面にプラズマを用いた処理対象の試料Wが載置される試料台２０７を備え、この試料台２０７が、試料Ｗの載置される面の外周側にこれと段差を有して配置され誘電体製のリング状部材３０１が配置される凹み部及びこのリング状部材３０１の下方に配置されこれを加熱する手段３１５とを有し、リング状部材３０１の外周側上方に配置されて試料台２０７と連結されリング状部材３０１を下方に押し付けて位置決めする金属製の部材３０３，３０４と、凹み部の上面とリング状部材３０１の下面との間のすき間に熱伝達性ガスを供給する手段３０８とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理できるバッフル及びこれを含む基板処理装置が提供される。
【解決手段】本発明の基板処理装置はプラズマを発生させるプラズマ生成部３００と、プラズマ生成部３００の下部に位置し、内部に空間が形成されたハウジング１１０と、ハウジング１１０の内部に位置し、基板Ｗを支持するサセプタ１１２と、プラズマ生成部３００で供給されたプラズマを基板Ｗへ噴射する噴射ホール１４２ａ，１４２ｂが形成されたバッフル１４０と、を含み、バッフル１４０は噴射ホール１４２ａ，１４２ｂが形成され、中心領域の厚さが縁領域より厚いベース１４１を含む。 （もっと読む）

【課題】Low-k膜を有する試料のプラズマアッシング処理において、高速にアッシング処理を行いつつ、Low-k膜に対する膜ダメージを抑制または低減する処理方法を提供する。
【解決手段】Low-k膜１５を有する試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、前記試料をプラズマエッチングする工程と、炭化水素系ガスであるメタン(CH₄)ガス１９と希ガスであるアルゴン(Ar)ガスとからなる混合ガスを用いて、プラズマエッチング工程でプラズマエッチングされたレジストマスク１３、炭素ハードマスク１４、反応生成物１６が付着したLow-k膜１５を有する試料を、メタン(CH₄)ガス１９からの炭素（C+)ラジカル１８と水素(H+)ラジカル１９により、プラズマアッシングする工程を有するプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】腐食性が極めて強い不活性ガスや水素及び酸素ガス等の高密度プラズマに完全な耐腐食性を有するとともに、水分を全く放出せず、しかも、安定した整流状態のガス放出が得られる無数のガス放出穴を有するＡｌ合金系材料のシャワープレートを提供すること。
【解決手段】Ａｌ合金系材料の薄板に、溝の深さが０．０２〜０．５ｍｍで、横巾が０．０２〜１０ｍｍで、長さが３〜３０ｍｍで、無数の溝と溝との間隔が０．１乃至２ｍｍの範囲内の角状溝を形成し、次いで、表面粗さが０．１ｓ以内のＡｌ_２Ｏ_３保護膜を生成させたシートを積層してシャワープレートを形成した。 （もっと読む）