【課題】基板を処理するためのプラズマ処理システムの処理の均一性を改善する。
【解決手段】プラズマ処理システムは、処理チャンバを備え、処理チャンバ内では、処理のためにプラズマが点火および維持される。プラズマ処理システムは、さらに、処理チャンバの下端に配置された電極１５２を備える。電極１５２は、処理チャンバ内に電界を発生させるよう構成されている。プラズマ処理システムは、さらに、電極とプラズマとの間のインピーダンスを制御するための要素を備える。インピーダンスは、電界に影響を与えることにより、基板の表面にわたって処理の均一性を改善するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスを用いて縦型反応炉内をクリーニングする際あるいは成膜中に粉末状の粒子が発生することを防止する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、モータ６の回転軸に固定される下部接続部５と、下部接続部５上に固定される上部接続部４と、上部接続部４上に固定されて被処理基板１０を支持するボート２とを有する上下移動可能な回転構造と、回転構造を収容する反応室を形成する反応管１と、を備え、上部接続部４を下部接続部５の熱膨張率とボート２の熱膨張率との中間の熱膨張率を有する材料で構成する半導体製造装置である。上部接続部４は、反応室で使用するクリーニングガスおよび反応ガスに対し耐腐食性を有するコーティング膜によってコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】プラズマの均一性を高める。
【解決手段】平行平板型のプラズマ処理装置用の上部電極１０５であって、所望の誘電体から形成された基材１０５ａと、前記基材１０５ａの表面のうち、少なくとも前記プラズマ処理装置の下部電極２１０側の表面の一部に形成された導電体層１１０と、を含み、前記導電体層１１０は、前記下部電極２１０側の表面の外側が内側より密になるように疎密のパターンを有する上部電極１０５が提供される。 （もっと読む）

【課題】エッチング層内に特徴をエッチングするための方法であって、エッチング層の上に配されたアモルファスカーボン又はポリシリコンのパターン化疑似ハードマスクに対するコンディショニングを提供する。
【解決手段】コンディショニングは、炭化水素ガスを含む無フッ素蒸着ガスを供給することと、無フッ素蒸着ガスからプラズマを形成することと、５００ボルト未満のバイアスを提供することと、パターン化疑似ハードマスクの上端上に蒸着を形成することとを含む。エッチング層は、パターン化疑似ハードマスクを通してエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】防着板へのエッチング生成物の付着の影響を抑制することが可能なエッチング装置及びエッチング方法を提供すること
【解決手段】本発明のエッチング装置１は、チャンバＣと、ステージ４と、防着天板６と、防着板５と、第１の加熱部９とを具備する。チャンバＣは、電磁波を透過する窓部３が設けられている。ステージ４は、チャンバＣに収容され、エッチング対象物Ｗが載置される。防着天板６は、窓部３とステージ４の間に配置される。防着板５は、防着天板６と共にステージ４の周囲を囲う。第１の加熱部９は、第１の加熱部９はチャンバの外部Ｃに配置され、窓部３を介して防着板天６を加熱する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、全体としてコイルをなす銅棒３が、石英ブロック４に設けられた銅棒挿入穴１２内に配置され、石英ブロック４は、銅棒挿入穴１２及び冷却水配管１５内を流れる水によって冷却される。トーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、銅棒３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】識別表記の視認性を阻害することがなく、プラズマ処理時において、識別表示を起点として生じる割れ等の弊害を防止することができるプラズマ処理装置用部品及び識別表示の刻印方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１内に配置される電極板３の背面に、断面形状がＵ字状の凹溝３１により形成された識別表示３０が付されており、凹溝３１は、深さＨに対する幅Ｗの比率が０．３以上２．０以下であり、その凹溝３１の底部３３の半径Ｒが３０μｍ以上の曲率半径で形成されている。 （もっと読む）

【課題】大型基板を処理できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に必要なガスを供給するガス供給部と、前記チャンバ内に配置され、高周波電力が印加される第１電極と、前記第１電極上に形成されて前記第１電極と電気的に接続されるコンデンサ部と、前記コンデンサ部上に形成されて前記コンデンサ部と電気的に接続される複数の第２電極と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型の基板であっても、その表面全体を均一にエッチングすることができ、また、エッチング形状の悪化が生じないプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ生成空間９に誘導電界を生じさせ、プラズマ生成空間９に処理ガスを供給してプラズマ化するプラズマ生成段階と、接地された導電性の材料から構成されるとともに、上部及び下部が開口し、その下端部の内径が、その上端部の内径及びプラズマ生成空間９を形成する胴部内径よりも小径となった漏斗状に形成されてなるプラズマ密度調整部材２０の上端部を、プラズマ生成空間９と基台１０との間の、チャンバ２の内壁に配置し、プラズマ密度調整部材２０の開口部に、プラズマ生成空間９で生成されたプラズマを通過させることにより、前記プラズマの平面内密度を調整して基台１０上の基板Ｋに導くプラズマ密度調整段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】 プラズマエッチングによって生じる表面の凹凸を抑制し、均一なエッチングが可能になるプラズマエッチング用シリコン電極板を提供すること。
【解決手段】 プラズマエッチング用シリコン電極板が、ＢとＡｌとがドーパントとして添加された単結晶シリコンで構成され、Ａｌの濃度が、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上である。このプラズマエッチング用シリコン電極板では、単結晶シリコンの電気特性が面内で均一化され、プラズマエッチングにおいて表面が消耗する際に凹凸を極めて少なくすることができると共に、割れを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマエッチングによって生じる表面の凹凸を抑制し、均一なエッチングが可能になるプラズマエッチング用シリコン電極板を提供すること。
【解決手段】 プラズマエッチング用シリコン電極板が、Ｎｉ，Ｃｒのうち一種以上とＢとがドーパントとして添加された単結晶シリコンで構成され、Ｎｉ，Ｃｒのうち一種以上の濃度が、２×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上である。このプラズマエッチング用シリコン電極板では、単結晶シリコンの電気特性が面内で均一化され、プラズマエッチングにおいて表面が消耗する際に凹凸を極めて少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】水素ラジカルを被処理基板に効率良く作用させて効率的なプラズマ処理を行えるとともに、水素イオンによる誘電体窓のダメージ及びプラズマからの入熱による高周波コイルのダメージを軽減することのできるプラズマ処理装置等を提供する。
【解決手段】水素を含む処理ガスをプラズマ励起させて発生した水素ラジカルを被処理基板に作用させて処理を施すプラズマ処理装置であって、高周波アンテナは、両端を開放するとともに中間部を接地し、高周波電源からの高周波電力の１／２波長で共振するように構成したアンテナ素子を具備し、プラズマ生成室とプラズマ処理室とを隔てる隔壁部材は、水素ラジカルを通すための複数の開口を有し、紫外線が通過しない絶縁材料からなる複数の板状部材を夫々間隔を設けて重ね、かつ、板状部材の開口は夫々他の板状部材の開口と重ならないようにずらして配置して構成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中に生じる石英系のダストの発生を従来に比して抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、プラズマ処理装置１０は、チャンバ１１内に処理対象保持手段とプラズマ生成手段とを備える。処理対象保持手段は、ウェハ１００が載置される支持テーブル２１と、支持テーブル２１上に載置されるウェハ１００の周囲に導電性材料からなるリング状のフォーカスリング２３が載置されるべきフォーカスリング載置領域の下部に設けられるリング状の石英製の下部インシュレータリング２２１と、下部インシュレータリング２２１上のフォーカスリング載置領域の外周に配置される上部インシュレータリング２２２と、を備える。上部インシュレータリング２２２は、イットリア製であり、下部インシュレータリング２２１上のフォーカスリング載置領域以外の全面を覆うリング状の構造を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ槽の冷却のための方法を提供する。
【解決手段】システム１２００は、槽１２１０、槽１２１０に隣接するヒートシンク１２２０、および槽１２１０とヒートシンク１２２０との間に配置される熱インターフェイス１２３０（機械的調節層）を備える。ヒートシンク１２２０の中、上または接して流れる水、オイルまたは空気などの冷却流体によって、前記ヒートシンクを冷却する。システム１２００は、オプションとして、ヒートシンク１２２０に制御可能に圧力を加えるバネ式機構１２９０を備える。 （もっと読む）

【課題】貫通孔の中心軸と円筒部材の中心軸とを一致させ、円筒部材を貫通孔に同心状に装着させることができる円筒部材装着治具を提供する。
【解決手段】リフターピン２１が貫通する貫通孔４１と、貫通孔４１に連通し、貫通孔４１よりも径が大きい座繰り穴４２とを有する基材１３において貫通孔４１にスリーブ４５を装着するための治具であって、座繰り穴４２に嵌合する台座部５１と、台座部５１から突出し、リフターピン２１の外形よりも太く且つスリーブ４５の内径よりも細い位置合わせピン５２を備え、この位置合わせピン５２は、台座部５１を座繰り穴４２に嵌合させた際、位置合わせピン５２の中心軸５２ａが貫通孔４１の中心軸４１ａと重なるように位置決めされている。 （もっと読む）

【課題】研削抵抗の相違に由来する、緻密質体と多孔質体との境界における段差の低減または解消を図ることができる緻密質−多孔質接合体等を提供する。
【解決手段】本発明の緻密質−多孔質接合体によれば、緻密質体１と前記多孔質体２との接合界面が実質的に隙間なく一体的に焼成されている。緻密質体１が酸化アルミニウムの焼結体からなり、ＸＲＤのピーク強度により算出される結晶配向度Ｉ_３００／（Ｉ_３００＋Ｉ_１０４）が０．１〜０．２である。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンガスを用いずに銅部材のエッチングレートを高くすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０において、円滑化された表面５０を有するＣｕ層４０を得た後、水素ガスにメタンガスを添加した処理ガスを処理室１５の内部空間へ導入し、該処理ガスからプラズマを生じさせて、酸化層４２のエッチングの際に生じた酸素ラジカル５２、並びにメタンから生じた炭素ラジカル５３を処理室１５の内部空間に存在させ、酸素ラジカル５２や炭素ラジカル５３から有機酸を生成し、該有機酸をＣｕ層４０の銅原子と反応させて銅原子を含む有機酸の錯体を生成し、さらに、該生成された錯体を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のパーティクル汚染を減少させるプラズマ処理装置の炭化シリコン部品を提供する。
【解決手段】半導体基板処理装置のシャワーヘッド電極１０の下側バッフル板２２ａに用いられる炭化シリコン部品について、シリコン蒸気と炭素との反応により生成した後、パーティクル汚染の要因となる遊離炭素を、少なくともその表面から除去するために、およそ７５０℃かおよそ１２００℃の温度で加熱する処理を行なう、あるいは酸素プラズマで処理する。 （もっと読む）

【課題】中密度プラズマ領域のプラズマを用い、高い制御性を得るとともに大口径ウエハにおける処理の均一性を得る。
【解決手段】真空排気手段により排気される真空処理室と、該真空処理室にガスを供給するためのガス供給手段と、プラズマを生成するためのマイクロ波電力供給手段と、ウエハを載置するための基板ステージと、前記基板ステージを介してウエハに高周波バイアス電力を印加するための高周波バイアス電源と、前記真空処理室内に磁場を発生させるためのソレノイドコイルと、ヨークと、中央部あるいは外周部を、他の部分に対して、誘電体中のマイクロ波の波長の略１／４ 突出させて形成した誘電体製マイクロ波透過窓とを備えたプラズマ処理装置において、前記誘電体製マイクロ波透過窓は、平板部と、該平板部上に載置された突出部と、該突出部を平板部に位置決めする位置決め用凹凸部を備えた。 （もっと読む）

【課題】実質的に一人で操作可能な、最適化された上部部材を備えたプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】プラズマ処理システムは、基板を保持するように構成されたチャックを含む下部部材を有している。また、プラズマ処理システムは、基板を処理するプラズマを発生させるための電磁場を形成するように構成された誘導コイルと、その末端部に加熱及び冷却プレートを収容するための中が空洞で円筒形の部分を有する上部部材であって、下部部材と結合する最適化された上部部材を含んでなる。前記加熱及び冷却システムが、最適化された上部部材によって電磁場とは実質的に遮断され、該上部部材は実質的に一人で操作可能であることを特徴とする。 （もっと読む）