【課題】短時間で確実に誘電体層と基板との吸着を解除する。
【解決手段】被処理基板１３を吸着する誘電体層１４ａと、断熱プレート１４ｂとが積層されてなる静電チャック１４であって、断熱プレートの誘電体層側上面１４ｆと側面１４ｇとが帯電電荷逃避用導体膜１４ｃで覆われてなる。真空処理装置１０は、静電チャックが内部に設けられ気密性を有するチャンバ１２と、電気的にフローティング状態とされて導体からなるステージ１５と、を有し、ステージに静電チャックが載置されて、帯電電荷逃避用導体膜の下端がその全周でステージに接続され、
ステージの電気的容量を増大するために、ステージの面積および厚さが静電チャックより大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理できる基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置は、基板処理が遂行される空間を提供する工程チャンバーと、前記工程チャンバーと連結され、前記工程チャンバー内のガスが外部に排気される通路を提供する排気管と、前記排気管に設置されるポンプと、前記工程チャンバーと前記ポンプとの間の区間で前記排気管に設置され、前記排気管の通路を開閉するバルブと、を含む。前記バルブは、複数の排気ホールが形成された第１プレートと、前記複数の排気ホールが前記排気管の通路上に又は前記通路の外側に位置するように前記第１プレートを移動させる第１駆動器と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板表面処理量の面内均一性も改善することができるアンテナ、誘電体窓、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】アンテナは、誘電体窓と、前記誘電体窓の一方面に設けられたスロット板とを備えている。前記誘電体窓の他方面は、環状の第１凹部１４７に囲まれた平坦面１４６と、平坦面１４６の重心位置を囲むように、平坦面１４６内に形成された複数の第２凹部１５３とを有している。前記スロット板の主表面に垂直な方向からみた場合、前記スロット板におけるそれぞれのスロット１３３内に、それぞれの第２凹部１５３の重心位置が重なって位置している。 （もっと読む）

【課題】温度分布の制御精度の向上を図ることができるセラミックスヒータを提供する。
【解決手段】本発明のセラミックスヒータ１によれば、各発熱抵抗体Ｑｋ（ｋ＝１〜５）から発せられた熱を、セラミックス基板２から伝熱面としての接合界面Ｓｊ（ｊ＝１〜３）を通過させた上で、セラミックス支持部材４の低温箇所に流れ込ませることができる。セラミックス基板とセラミックス支持部材との接合界面Ｓｊは、セラミックス基板２の載置面Ｓに対して垂直な軸線を取り囲むとともに、当該軸線に対して垂直な方向に離散的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】コイルからの誘電結合作用によって広域に均一で旺盛なプラズマを発生させることができるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置は、減圧可能なチャンバー１、チャンバーの内部の下側に設けられ被処理物２を保持する載置部３、チャンバー１の上部開口に臨むように配置され、交流電力が印加されてチャンバー１内の反応ガスを誘導結合によりプラズマ化し、載置部３に保持された被処理物２をエッチングするためのコイル４ａ，４ｂを備える。コイル４ａ，４ｂは、周辺部側環状域が高密度分布領域である第１のコイル系４ａと、中央部側環状領域が高密度分布領域である第２のコイル系４ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合方式のように電磁界強度が強い場合にも異常放電することなく、試料全面にわたって均一なプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
処理室１と、第１誘電体の真空窓４と、誘導コイル９と、高周波電源１３と、ガス供給手段と、被処理体３を載置する試料台２０とを備えたプラズマ処理装置において、ガス供給手段は、真空窓４の下方に近接して設置され、中央部にガス放出口を備えた第２誘電体のガス放出板６と、真空窓４とガス放出板６との隙間に設けられ、第１及び第２誘電体よりも比誘電率の高い第３の誘電体の島状の部材とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対するプラズマ処理の均一化を損なうことがなく、また、プラズマ処理によって消耗したときの交換部分を極力少なくすることができるプラズマ処理装置用トレイ及びそのようなトレイを備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置用トレイ１０は、反応容器２内に設けられた基板載置台２７の上面に、被処理基板１１を収容した状態で載置されるトレイであって、前記基板載置台２７の上面に載置されるトレイ本体１０１と、前記トレイ本体１０１に設けられた、該トレイ本体１０１の厚み方向に貫通する開口１０２と、開口１０２に着脱可能に装着される環状の基板保持部材と１０３とを備える。基板保持部材１０３は、開口１０２に係合する係合部１０６と、該基板保持部材１０３の内周縁の下部に形成された被処理基板１１の下面の外周縁を支持する基板支持部１０５とを有する。 （もっと読む）

【課題】矩形基板の外側領域におけるプラズマ分布制御を行うことができる誘導結合プラズマ用アンテナユニットを提供すること。
【解決手段】アンテナユニット５０において、アンテナ１３は、誘導電界を形成する部分が全体として矩形基板Ｇに対応する矩形状平面を構成し、かつ、複数のアンテナ線を渦巻状に巻回してなる第１のアンテナ部１３ａと第２のアンテナ部１３ｂとを有し、第１のアンテナ部１３ａの複数のアンテナ線は、矩形状平面の４つの角部を形成するとともに、矩形状平面とは異なる位置において、４つの角部を結合するように設けられ、第２のアンテナ部１３ｂの複数のアンテナ線は、矩形状平面の４つの辺の中央部を形成するとともに、矩形状平面とは異なる位置において、４つの辺の中央部を結合するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】全体工程の時間を減らすことができる基板処理装置が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置は内部に空間が形成された工程チャンバーと、前記工程チャンバーの内部に位置し、基板を支持するチャックと、前記工程チャンバー内部に反応ガスを供給するガス供給部と、前記チャックの上部に位置し、前記反応ガスに高周波電力を印加する上部電極と、前記上部電極に設置され、前記上部電極を加熱するヒーターを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの端部に欠けが発生するのを抑制することが可能で、且つ、製造歩留まりの向上を図ることが可能な半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１２１の表面側に薄膜部１２３を形成する薄膜部形成工程と、薄膜部１２３上にレジスト膜１２４を形成するフォトリソグラフィ工程と、レジスト膜１２４をエッチングマスクとして薄膜部１２３をエッチングすることで半導体ウェハ１２１の表面の一部１２１ｄを露出させる第１エッチング工程と、半導体ウェハ１２１の表面の一部１２１ｄから半導体ウェハ１２１をエッチングする第２エッチング工程とを備え、フォトリソグラフィ工程では、薄膜部１２３のうち半導体ウェハ１２１の端部１３１に形成されている部位１２３ｄにレジスト膜１２４を形成しないようにし、第１エッチング工程では、薄膜部１２３の上記部位１２３ａをエッチング装置に設けた遮蔽物１２６によって保護する。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理できるアンテナユニット、それを含む基板処理装置、及び前記装置を利用する基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置は、内部に空間が形成された工程チャンバー１００と、工程チャンバー１００の内部に位置し、基板Ｗを支持する基板支持部２００と、工程チャンバー１００の内部へ工程ガスを供給するガス供給部と、工程チャンバー１００の内部へ高周波電力を印加して工程チャンバー１００の内部へ供給された工程ガスを励起させるアンテナと、アンテナのサイズを可変させる駆動部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ガス供給系の簡略化を図るとともに、エッチング形状の異方性を向上することができるドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】酸化ケイ素膜を有する基板Ｓｂを収容する処理室１２と、高周波電力が供給されるとともに誘電体を介して基板Ｓｂと接触する基板電極ステージ２０と、基板電極ステージ２０上に直接接触した状態で配置されるカーボンリング２６と、処理室１２に、四フッ化炭素と不活性ガスとからなるエッチングガスを供給するガス供給系１５と、エッチングガスを誘導結合によりプラズマ化する高周波アンテナ３０及び高周波電源３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】反応器チャンバ内部のパーティクル汚染度を低減するプラズマ反応器の構成部品を提供する。
【解決手段】反応器１５０のプラズマ処理チャンバ１５２において、プラズマ閉じ込めリング（不図示）、チャンバ壁１７２、チャンバライナ（不図示）及び／又はシャワーヘッド１５４のプラズマ露出面は、ポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つプラズマ溶射された被膜１６０を備え得る。更に、基板支持体１６８のプラズマ露出面は、プラズマ溶射された被膜（不図示）も備え得る。高密度プラズマを閉じ込める実質的に全ての面がポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つことができ、反応器内のパーティクル汚染は実質的に減少され得る。 （もっと読む）

【課題】基板の周囲を整流部材で囲んだ状態でプラズマ処理を行う基板処理装置において、基板の搬入出の際にパーティクル等による基板の汚染を生じ難くすること。
【解決手段】チャンバ２の載置台３上に基板Ｇを載置し、その基板Ｇを整流部材９で囲繞した状態で、チャンバ２内に処理ガスのプラズマを形成して基板Ｇにプラズマ処理を行う基板処理装置１において、整流部材９は、角筒状をなす４つの側板９ａ、９ｂからなり、少なくとも基板搬入出口３１に対応する位置に存在する可動部材としての側板９ａが、載置台３に対する基板Ｇの搬入出が可能なように退避位置に移動可能に設けられ、側板９ａは、回転軸４７を回転させることにより、処理の際の処理位置と退避位置との間で回動するように構成され、回転軸４７と側板９ａとが連結部材４５で結合され、連結部材４５の回転により側板９ａを回動させる。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガスに対して高い耐食性を有すると共に、高い硬度を有し、耐擦傷性に優れた部材を提供すること。
【解決手段】基材表面の全部又は一部が、相対密度が50％以上98％未満である、ＣＶＤ法によって調製された、膜割れが生じない窒化アルミニウム（AlN）膜によって被覆された部材。前記窒化アルミニウム（AlN）膜が、ナノインデンテーション法によりダイヤモンドバーコビッチ圧子を用いて測定した室温におけるナノインデンテーション硬さが、10GPa以上30GPa未満であることが特徴である。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を低減ことが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理容器、ステージ、誘電体部材１６、マイクロ波を導入する手段２０ｂ、インジェクタ２２、及び、電界遮蔽部２４ｃを備えている。処理容器は、その内部に処理空間を画成する。ステージは、処理容器内に設けられている。誘電体部材は、ステージに対面するように設けられている。マイクロ波を導入する手段は、誘電体部材を介して処理空間内にマイクロ波を導入する。インジェクタは、誘電体製であり、一以上の貫通孔を有する。インジェクタは、例えば、バルク誘電体材料から構成される。このインジェクタは、一以上の貫通孔を有し、誘電体部材の内部に配置される。インジェクタは、誘電体部材に形成された貫通孔と共に処理空間に処理ガスを供給するための経路を画成する。電界遮蔽部は、インジェクタの周囲を覆う。 （もっと読む）

【課題】機械的特性に優れた酸化イットリウム材料を提供する。
【解決手段】本願発明の発明者らは、酸化イットリウム（Ｙ₂Ｏ₃）に炭化珪素（ＳｉＣ）とフッ化イットリウム（ＹＦ₃）を添加することにより酸化イットリウム材料が強靱化し、半導体製造装置用部材に適用した場合の歩留まり，ハンドリング性，及び信頼性を向上できることを知見した。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中に基板の縁部およびトレイに付着した副生成物の除去を行って、製品の品質を向上させる。
【解決手段】基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを基板ステージのトレイ支持部上に載置するとともに基板保持部上に基板を載置して、基板保持部の端縁よりはみ出した基板の縁部と基板支持部とを離間させる基板載置工程と、トレイおよび基板が基板ステージ上に載置された状態にて、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給し、基板に対するプラズマ処理を行う第１プラズマ処理工程と、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給してプラズマ処理を行い、第１プラズマ処理工程により基板の縁部と基板支持部とに付着した副生成物を除去する第２プラズマ処理工程とを実施する。第２プラズマ処理工程は、副生成物の基板保持部への付着を抑制する位置までトレイを上昇させて行う。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム被覆膜が基材表面に強固に密着してなる耐熱・耐腐食性部材を提供すること。
【解決手段】窒化アルミニウムを主成分とした被覆膜によって、基材の少なくとも一部が覆われた部材。前記被覆膜が、その最表面に0.5原子％以上40原子％以下のフッ素を含有する窒化アルミニウム膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造に用いられかつプラズマ耐食性に優れたドープ石英ガラスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造に用いられるプラズマ反応用治具材料としてプラズマ耐食性に優れかつ２種以上のドープ元素を併せて０．１〜２０質量％含有するドープ石英ガラスをベルヌイ法で石英粉から製造する方法であって、前記石英粉が、２種以上のドープ元素を併せて０．１〜２０質量％含有し、前記ドープ元素が、Ｎ、Ｃ及びＦからなる群から選択される１種以上の第１の元素と、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、ランタノイド及びアクチノイドからなる群から選択される１種以上の第２の元素とを含む混合石英粉であり、該混合石英粉を加熱溶融落下させ石英ガラスインゴットを作成する際、該石英ガラスインゴット表面温度を、１８００℃以上に加熱するようにした。 （もっと読む）