【課題】実質的に一人で操作可能な、最適化された上部部材を備えたプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】プラズマ処理システムは、基板を保持するように構成されたチャックを含む下部部材を有している。また、プラズマ処理システムは、基板を処理するプラズマを発生させるための電磁場を形成するように構成された誘導コイルと、その末端部に加熱及び冷却プレートを収容するための中が空洞で円筒形の部分を有する上部部材であって、下部部材と結合する最適化された上部部材を含んでなる。前記加熱及び冷却システムが、最適化された上部部材によって電磁場とは実質的に遮断され、該上部部材は実質的に一人で操作可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体および化合物半導体などを製造する装置内で高い耐プラズマ性、高い機械的強度や耐衝撃性を要求される部品に好適なCaF₂−MgF₂二元系焼結体の提供。
【解決手段】MgF₂を１．５〜１０wt.％含有するCaF₂−MgF₂焼結体からなり、該焼結体の嵩密度が３．００g/cm³以上の緻密な構造を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体処理に用いるハロゲン含有プラズマによる侵食に耐性のあるセラミック物品を提供する。
【解決手段】セラミック物品は、典型的に、少なくとも２つの相又は３つの相を有する多相のセラミックを含む。第１の実施形態において、セラミックは、モル濃度が約５０モル％〜約７５モル％の酸化イットリウム、モル濃度が約１０モル％〜約３０モル％の酸化ジルコニウム、及びモル濃度が約１０モル％〜約３０モル％の酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化スカンジウム、酸化ネオジム、酸化ニオブ、酸化サマリウム、酸化イッテルビウム、酸化エルビウム、酸化セリウム及びこれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つの他の成分から形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明により解決すべき課題は、反応生成物の堆積による電極板ガス分散孔の閉塞による、反応の均一性低下が起こらないプラズマ処理装置を提供することである。
【解決手段】本発明に関るプラズマ処理装置は、多数のガス分散孔が設けられたＲＦ印加電極板を有するプラズマ処理装置であり、前記、ＲＦ印加電極板ガス分散孔周囲に、それ以外の領域と較べ表面Ｒａが７０％以下とするか、１０μｍ〜２ｍｍの凹凸形状を設けた防塞領域を有することを特徴とし、この防塞領域はガス分散孔の外周と少なくとも一部を接し、ガス分散孔の中心から、ガス分散孔の孔径の２倍までの範囲に設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明では、処理室内壁や処理室内のパーツのＹ₂Ｏ₃表面の変質層に起因した異物の抑制または低減するプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は処理室内壁面を構成する材料、または処理室内パーツの材料がイットリアからなるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、前記処理室内に試料を配置し、前記試料をエッチングする工程と、前記エッチング工程により前記処理室内に堆積した堆積物を、フッ素または塩素を含むガスを用いたプラズマにより除去する堆積物除去工程と、前記堆積物除去工程後の前記処理室内を、希ガスのプラズマに曝す工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】シール部材のプラズマによる劣化を防止できる絶縁部材を提供する。
【解決手段】基板処理装置のチャンバ内でサセプタとチャンバの底部平面とを絶縁する絶縁部材１４が、内側部材４１と、外側部材４２と、その間に配置されたＯリング４３とを有し、外側部材４２は矩形のサセプタ１２の各辺に対応する長尺状物４４〜４７の組合せ体からなり、各長尺状物の一端の端面が隣接する他の長尺状物の一端の側面に当接し、他端の側面が別の長尺状物の一端の端面に当接するように組合せられ、各長尺状物の一端が固定用のねじ孔４８を介してチャンバ１１の底部平面５１に固定され、他端が支持用のねじ孔４９を介して変位自在に支持されて配列されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハなどの被処理基板をプラズマ処理するに際し、周縁部下面におけるデポジションの発生をより少なくすることを目的としている。
【解決手段】処理チャンバー１０内に配置された載置台１１上に被処理基板Ｗを載置させ、高周波電圧を与えることにより処理チャンバー１０内にプラズマを発生させて、被処理基板Ｗを処理するに際し、載置台１１上に載置された被処理基板Ｗの周縁部下方に、プラズマで生成されたイオンを被処理基板Ｗの周縁部下面に向けて加速させる電界を形成することにより、イオンを被処理基板Ｗの周縁部下面に衝突させ、デポジションの発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】フォーカスリングの消耗を抑制し、フォーカスリングの交換周期を長く保つとともに、エッチング等の処理コストの低減を図ることのできるプラズマ処理装置用フォーカスリングを提供する。
【解決手段】電極板３と対向して設けられ、内周部にウエハ８の周縁部を載置するための凹状段部７１を有する第１リング部材７ａと、第１リング部材７ａの下面を支持する第２リング部材７ｂとで構成されており、第１リング部材７ａ又は第２リング部材７ｂの少なくとも一方に、凹状段部７１の外周縁よりも半径方向外方に位置する空洞部７５が、周方向に沿うリング状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板の周縁部の温度上昇を抑制することによってプラズマ処理の面内均一性を向上させることができ、均一なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 内部を気密に閉塞可能とされた処理チャンバーと、処理チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、処理チャンバー内から排気するための排気機構と、処理ガスのプラズマを生成するためのプラズマ生成機構と、処理チャンバー内に設けられ、被処理基板と、当該被処理基板の周囲を囲むように配設されるフォーカスリングとが同一の平面に載置されるよう構成された載置台と、載置台の温度を調節する温調機構と、載置台の上面に配設され、フォーカスリングの下部にまで延在する吸着用電極を有する静電チャックとを具備したプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマ閉じ込めリングのプラズマに露出する面上のポリマー堆積を回避するために、これらの面上が十分な高温に達するように構成されたプラズマ閉じ込めリング組立体を提供する。
【解決手段】プラズマ閉じ込めリング１４、１６、１８および２０は、それぞれサーマルチョーク５４、５６、５８および６０を含む。プラズマエッチング処理中に、プラズマおよび他の加熱効果によって、プラズマ閉じ込めリング１４、１６、１８および２０に熱が供給される。サーマルチョーク５４、５６、５８および６０は、サーマルチョーク５４、５６、５８および６０の位置から外方向への放射状の熱伝導を低減し、それによって、サーマルチョーク５４、５６、５８および６０と内側リング状面３４、３６、３８および４０のそれぞれとの間に規定されたそれぞれのプラズマ閉じ込めリング１４、１６、１８および２０の内側部分の加熱を促進する。 （もっと読む）

【課題】基板のプラズマ処理において、動的な温度制御能力を有する基板支持体を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置に用いられる基板支持体４０であって、金属熱伝達部材４８と、基板支持表面を有した上に位置する静電チャック５０と、を備え、前記熱伝達部材４８は、当該熱伝達部材４８に加熱及び冷却の少なくとも一方を行うために、それを通して液体が循環される少なくとも１つの流路を有する。前記熱伝達部材は、小さい熱質量を有し、プラズマ処理の間に、前記基板温度を急激に変化させるように、前記液体によって所望の温度に急激に加熱及び／又は冷却することが出来る。 （もっと読む）

【課題】プラズマプロセスチャンバ用プラズマ閉じ込めリングのプラズマ曝露面の上へのポリマーの堆積を大幅に低減する。
【解決手段】プラズマプロセスチャンバ用プラズマ閉じ込めリングのプラズマ曝露面の上で十分に高い温度に達するようになされる。プラズマ閉じ込めリングは、リングの部分の加熱を効果的に向上させるＲＦ損失材料を含む。加熱効果を向上させるために低放射率材料をプラズマ閉じ込めリングアセンブリの部分に設けることができる。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウム（ＡｌＮ）被覆膜（層）を耐熱性部材の表面に被覆した際に、反り変形のない寸法精度に優れた耐蝕性部材を提供する。
【解決手段】 被覆膜の結晶粒のＡｌＮ中に酸素を０．１質量％以上２０質量％以下含有させて、被覆膜の熱膨張率を基材+に合わせるよう調整することを特徴とする。被覆膜の相対密度が５０以上９８％未満であることが好ましい。被覆膜が、化学気相成長法によって成膜され、その後、酸素雰囲気中で７００℃以上１１５０℃以下の温度で加熱されること、あるいは、大気中で暴露させて水和物を形成させた後に不活性雰囲気中で９００℃以上１３００℃以下の温度で加熱処理されること、が好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造を提供する。
【解決手段】
誘導結合プラズマを発生させて基板の処理を行うプラズマ処理装置であって、処理チャンバーの上部開口を覆うように設けられ誘電体窓を備えた上蓋と、上蓋に配設された複数のガス導入口と、処理チャンバー外の誘電体窓の上部に配設された高周波コイルと、誘電体窓の内側に位置するように前記上蓋に支持され、透孔を有する１枚の板体を具備し、板体と誘電体窓との間に設けられ端部が透孔の縁部に開口するとともにガス導入口と連通された複数の溝状のガス流路を介して、処理チャンバー内に複数の部位から水平方向に向けて処理ガスを供給するガス供給機構と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置のステージ電極の表面が損傷したとき、上記表面部分だけを容易に交換できるようにする。
【解決手段】ステージ電極２０を電極本体２１と電極板２２とに分割する。電極本体２１の周端面２１ｅと電極板２２の周端面２２ｅとは互いに面一になっている。ステージ電極２０の外周に沿って複数の枠部材３０を設ける。これら枠部材３０を進退機構５によって退避位置と進出位置との間で進退させる。枠部材３０を進出位置に位置させると、枠部材３０の位置決め面３３が上記周端面２１ｅ，２２ｅに当接し、電極板２２が位置決めされる。また、枠部材３０の段差３１によって被処理物９が位置決めされる。 （もっと読む）

【課題】任意の領域のみをエッチング処理ができるドライエッチング装置、ドライエッチング方法およびフォトマスク製造方法を提供する。
【解決手段】カソード２２上に載置された被エッチング材料１０に対して、被エッチング材料１０に対向するアノード２３からプラズマを発生させてエッチングするドライエッチング装置において、被エッチング材料１０とアノード２３との間に配置され、プラズマを通過させる開口の大きさを変更可能なシャッター３０を設け、シャッター３０は、被エッチング材料に対して離間接近する方向に対して直交する方向に移動可能に配置された複数のプレート３０ａと、各プレート３０ａを移動可能支持する支持体２９と、プレート３０を移動させる第１移動手段３０１を備える構成にした。 （もっと読む）

【課題】絶縁性セラミックスと導電性セラミックスとの間の熱膨張率差が極めて小さく、この熱膨張差によるミスマッチが生じる虞がなく、破損やクラックや剥離や破壊等の不具合が生じる虞がないセラミック部材を提供する。
【解決手段】本発明のセラミック部材１は、酸化イットリウムを主成分とし、カーボンナノチューブ等の繊維状導電性物質を０．１体積％以上かつ３体積％以下含有してなる導電性セラミックス２と、酸化イットリウムを主成分とする絶縁性セラミックス３とを、無機系接着材からなる接着層４を介して接着し一体化した。 （もっと読む）

【課題】吸着力を高めたプラズマ処理用トレイ及びこのようなトレイを備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理用トレイ１０は、化合物半導体から成る被処理基板を、静電気力を用いて載置部に静電吸着させてプラズマ処理するプラズマ処理装置１０において用いられるものであり、体積抵抗率が10⁷〜10¹³Ω・cmのトレイからなる。トレイは導電材料を分散させた窒化アルミニウム材料から成ることが好ましい。通常の窒化アルミニウムの体積抵抗率は10¹⁴Ω・cm程度であり、本発明のトレイは、通常の窒化アルミニウム等に炭化チタンや炭素繊維等の導電材料を含有させることで得ることができる。この場合、導電材料の含有量を調整することにより、窒化アルミニウム材料の体積抵抗率を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置のステージの表面が損傷したとき、上記表面部分だけを容易に交換できるようにする。
【解決手段】ステージ２０を、ステージ本体２１とその上側の表面板２２とに分割する。ステージ２０を挟んで両側には、処理ヘッド１０の移動に用いる一対のレール６１が設けられている。このレール６１上にステージ保守用クレーン３０を設置する。クレーン３０のフレーム３１の一対の支え部３２の下端部にスライダ３４をそれぞれ設け、これをレール６１にスライド可能に嵌合する。フレーム３１の天井部３３に吊具５１を昇降可能に垂下し、これに連結部５２を設ける。好ましくは、連結部５２をボルト５５にて表面板２２の端面に連結する。 （もっと読む）

【課題】半導体加工装置用部材として好適なエロージョン性に優れるサーメット溶射皮膜被覆部材とその製法を提供する。
【解決手段】Ｎｉ及びＮｉ−Ｃｒ系Ｎｉ基合金を主成分とする金属１０〜９０ｍａｓｓ％とＡｌ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＡＧ等からなる酸化物９０〜１０ｍａｓｓ％のサーメット溶射材料を用いて、各種プラズマ溶射法によって気孔率０．４〜１０％、膜厚５０〜５００μｍの皮膜を被覆形成する。 （もっと読む）