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Fターム[5F136DA08]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 冷却対象 (4,540) | 樹脂封止型装置 (813) | パッケージ基板を使用した樹脂封止型装置 (143)

Fターム[5F136DA08]に分類される特許

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【課題】 ロジックチップとメモリチップとを実装しながら、メモリチップで誤動作を生じさせない電子部品及びその製造方法を提供することにある
【解決手段】 放熱部材300がロジックチップ90A及びメモリチップ90B上に取り付けられる。放熱部材300には、メモリチップ90Bの上面と当接する部位に開口308が設けられている。このため、ロジックチップ90Aからの熱が放熱部材300を介してメモリチップ90Bへ伝わり難いため、ロジックチップからの熱的影響でメモリチップが誤動作し難くなる。 (もっと読む)


【課題】ヒートスプレッダや新たな部材の追加や、金型の変更、後加工の追加を行うことなく放熱特性が優れる半導体素子搭載用配線板とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】配線板に搭載された少なくとも1つの半導体素子を有する半導体装置であって、配線板の内層と半導体素子との電気的な接続のために必要な部分8及び基板加工上必要な部分14を除き、半導体素子搭載面の配線パターン2を、半導体素子投影面から配線板端部まで設け、熱伝導路とした半導体素子搭載用配線板。前記半導体素子搭載用配線板に半導体素子を搭載した半導体装置。 (もっと読む)


【課題】信頼性向上を図ることができるパワーモジュールの提供。
【解決手段】パワーモジュールは、半導体チップ156,328が搭載された導体板315,318を、導体板315,318の放熱面が露出するように樹脂で封止した一次封止体302と、放熱面と対向するように配置された放熱部307A,307Bと、一次封止体302と放熱部307A,307Bとの間に配置された絶縁層333と、を備え、絶縁層333は、含浸用樹脂が含浸されたセラミックス溶射膜333Aおよび良熱伝導性のフィラーが混入された接着用樹脂層333Bを積層したものであって、放熱部307A,307Bおよび少なくとも放熱面の全域と接するように設けられている積層体と、積層体の端部を全周にわたって覆うように、放熱部307A,307Bと一次封止体302との隙間に設けられた応力緩和用樹脂部333Cとを有する。 (もっと読む)


【課題】 高い放熱性を維持しつつ、装置の小型および薄膜化、回路基板への実装等にお
いて、高い自由度を備えることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体素子と、その半導体素子を配置するパッケ
ージ10と、を備えた半導体装置であって、上記パッケージ10は、上記半導体素子に接
続される導体配線の下に熱伝導性部材12を有しており、その熱伝導性部材12は、上記
半導体素子の下に配置されており、上記パッケージ10を構成する絶縁性部材の内部に埋
設されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】従来に比して熱抵抗が小さく、効率良い冷却により、トランジスタのジャンクション温度を確実に所定温度以下に保持可能とする。
【解決手段】冷却装置は、発熱性電子部品であるIGBT1を収納する収納ケース2を有し、収納ケース2の頂面は、外部から供給される冷却液4が流通せしめられる冷却液通路3cが形成されたフィン3aを複数有してなるヒートシンク3が設けられて閉鎖される一方、収納ケース2内には、絶縁性冷却液としてハイドロフルオロエーテル6が、冷却液非充填空間7が確保されるように充填されてなり、ハイドロフルオロエーテル6の気化によるIGBT1の冷却が可能に構成されたものとなっている。 (もっと読む)


【課題】片面配線基板を用いたフリップチップ実装が可能であり、放熱性及び光反射性に優れた発光素子搭載用基板及びこれを用いたLEDパッケージを提供する。
【解決手段】発光素子搭載用基板は、絶縁性を有する基板と、前記基板の一方の面上に形成され、第1の間隔を有して離間する一対の配線パターンと、前記基板を厚さ方向に貫通し、第2の間隔を有して離間する一対の貫通孔が形成され、前記一対の配線パターンに接触するとともに前記基板の前記一方の面と反対側の面に露出するように前記一対の貫通孔に充填された金属からなる一対の充填部と、前記一対の配線パターンを覆うように前記基板の前記一方の面上に形成された光反射性を有する絶縁層とを備える片面配線基板であって、前記一対の充填部のそれぞれの充填部は、前記一対の配線パターンのそれぞれの配線パターンの面積の50%以上の水平投影面積を有し、前記絶縁層は、前記一対の配線パターンがそれぞれ露出する開口を備える。 (もっと読む)


【課題】高発熱が予想される半導体素子と相対的に発熱が低い半導体素子との間を熱的に分離するためのパワーモジュールパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるパワーモジュールパッケージ100は、複数の半導体素子実装領域の間に形成された溝111を有するベース基板110と、ベース基板110の半導体素子実装領域に実装された半導体素子130と、溝111の内部を含み、ベース基板110上に形成されたモールディング160と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】素子で生じた熱を放出し易くでき、かつ、基板からの実装高さを低くすること。
【解決手段】一方主面20aと他方主面20bと貫通孔22とを有する基板20と、貫通孔22を塞ぐように配設され、基板20の一方主面20aよりも他方主面20b側に凹む実装面232を有する熱伝導部330と、実装面232上に固定された素子40とを備える。基板の一方主面に第2の配線28が形成され、熱伝導部330は導電性を有しており、素子は、前記熱伝導部を介して前記第2の配線に電気的に接続され、基板320にスルーホール323が形成され、熱伝導部330は、基板の他方主面側で貫通孔の開口を閉塞するように広がる板状の本体部234と、本体部に設けられ、スルーホールに基板の他方主面より挿入可能に形成されると共にスルーホールに挿入された状態で第2の配線に電気的に接続される挿入端子部338とを有する。 (もっと読む)


【課題】素子で生じた熱を放出し易くでき、かつ、基板からの実装高さを低くすること。
【解決手段】一方主面20aと他方主面20bと貫通孔22とを有する基板20と、貫通孔22を塞ぐように配設され、基板20の一方主面20aよりも他方主面20b側に凹む実装面232を有する熱伝導部230と、実装面232上に固定された素子40とを備える。基板の一方主面に第2の配線28が形成され、熱伝導部230は導電性を有しており、基板220の他方主面であって貫通孔の開口周縁部に、第2の配線に電気的に接続された介在配線229が形成され、熱伝導部230は、基板の他方主面側で貫通孔の開口を閉塞するように広がる板状の本体部234を有し、前記熱伝導部の本体部が、前記介在配線に電気的に接続された状態で、前記基板の他方主面であって前記貫通孔の開口部に配設されている。 (もっと読む)


【課題】高い信頼性を実現し得る半導体装置、及び、半導体素子が搭載される配線基板を提供する。
【解決手段】半導体装置は10、絶縁性基板121と、縁性基板121の第1の主面121a上に形成される配線層122と、配線層122上に搭載される半導体素子14と、を備える。この半導体装置10において、配線層122は、銅と、銅より熱膨張係数が小さい金属とを含む第1の銅含有材料から構成されており、第1の銅含有材料の熱膨張係数は、銅の熱膨張係数より小さい。また、絶縁性基板121の第1の主面121aと反対側の第2の主面121b上に形成される放熱層123と、放熱層123を介して絶縁性基板121と接合されるヒートシンク16とを備える。この放熱層123は、銅を含む第2の銅含有材料から構成される。 (もっと読む)


【課題】回路基板上に搭載された半導体素子の上面と回路基板とを接続部材を介して電気的に接続するとともに、半導体素子の上面に放熱用のヒートシンクを設けてなる半導体装置において、ヒートシンクの樹脂バリ付着を防止しつつ、半導体素子の上面と回路基板の一面側との電気的接続、および、半導体素子の上面からの放熱を適切に行う。
【解決手段】接続部材は、板状をなすリードフレーム30であり、リードフレーム30は、一端部31側が半導体素子20の上面21の周辺部に電気的に接続され、他端部32側が回路基板10の一面11まで延びて当該他端部32が回路基板10の一面11側に電気的に接続されたものであり、ヒートシンク30は、半導体素子20の上面21の中央部、および、リードフレーム30の一端部31側の上面30bに放熱性接続材50を介して接続されている。 (もっと読む)


【課題】熱伝導性のベース板に回路基板を接着固定して、回路部品をモールド樹脂で一体化した樹脂封止形電子制御装置の小型化を図る。
【解決手段】ベース20は、第一の露出部21a及び第二の露出部21bと、中間窓穴22aに隣接した隣接平坦部22bを有しており、背高の低発熱部品である第一の回路部品31は、中間窓穴22aに配置されており、背低の高発熱部品である第二の回路部品32は、隣接平坦部22bに配置されている。背高の第一の回路部品31の高さ寸法は、ベース板20の厚さ寸法と重なっているので、全体としての厚さ寸法が抑制されるとともに、高発熱部品と低発熱部品とが分離配置されているので、低発熱部品の実装密度を高めて回路基板30の面積を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】回路基板及びリードフレームの放熱性を高め、且つ装置全体の大型化を効果的に抑制し得る構成を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、電子部品8が実装される回路基板9と、回路基板9の一部と電気的に接合されると共に、ヒートシンク2に接合されるリードフレーム5と、ヒートシンク2、及びリードフレーム5を一体的に封止するモールド樹脂7とを備えている。そして、ヒートシンク2の第1の接合面2aが回路基板9の一方面に接合され、第2の接合面2bがリードフレーム5に接合されており、リードフレーム5が第2の接合面2bに接合されてなる接合部20と回路基板9とが回路基板9の板面と直交する方向において少なくとも部分的に重なっている。 (もっと読む)


【課題】
回路基板にフリップチップ実装した複数のLEDが直列接続しているLED発光装置では、熱伝導性の悪い基板材料を使うと直列接続部における回路基板裏面側への放熱が十分でなかった。
【解決手段】
回路基板上2に複数のLED1a〜cをフリップチップ実装し、そのLED1a〜cを回路基板2上に設けた接続電極2c、2fにより直列接続したLED発光装置10において、回路基板2の裏面側に放熱用電極3c、3dを備え、接続電極2e、2fと放熱用電極3c、3dとをビア4c、4dで接続する。 (もっと読む)


【課題】電子部品を配線基板に実装し樹脂封止した電子装置において、小型化が可能な電子装置を提供することにある。
【解決手段】電子装置において、メタルコア配線基板2の相対する両面に電子部品9,11が実装される。電子装置は、電子部品の発熱を放熱するためのヒートシンク14と、メタルコア配線基板2を外部と接続する配線用リード5とを有する。メタルコア配線基板2及び電子部品が封止樹脂1により封止されている。ヒートシンク14は、メタルコア配線基板のコアメタル3の一部であり、一体的に形成されている。 (もっと読む)


【課題】装置全体が大型化することなくセラミック基板の破壊を防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この発明の半導体装置1は、剛性を有する板状のベース体2、ベース体2上に配置されるセラミック基板31とセラミック基板31の表裏面に張り合わされた銅板32,33を有し、ベース体2、セラミック基板および銅板がトランスファーモールド法によりモールド樹脂5で封止されるものである。ベース体2の上面22の少なくともセラミック基板31のコーナー部と対応する位置に屋根部221を設ける。ベース体22の側面に、屋根部221とベース体2の底面23とを連結することによって形成される庇状の凸部25が設けられている。 (もっと読む)


【課題】ベアチップで発生した熱の放熱性が悪化する課題がある。また、放熱性を改善するために、ヒートシンクを露出するように封止樹脂に埋設すると剥離やクラック発生の課題がある。
【解決手段】自動車の変速機及び駆動機を制御するための電子回路組立体と、前記電子回路組立体を固定するベースと、前記電子回路組立体を電気的に接続したリード端子とを、モールド樹脂で封止した電子回路装置において、発熱回路素子(ベアチップ)下部に回路基板及びベースを貫通する開口部を有し、発熱素子の両面が封止樹脂と熱的に連結したことを特徴とする放熱構造とした。 (もっと読む)


【課題】放熱性が向上された回路装置を提供する。
【解決手段】本発明の混成集積回路装置10Aは、回路基板12と、回路基板12の上面に配置された制御素子23およびチップ素子24と、回路基板12を部分的に開口させた開口部18と、開口部18を下面から塞ぐ実装基板28と、実装基板28の上面に実装されたパワー素子22とを備えている。回路基板12よりも熱伝導性に優れる材料からなる実装基板28にパワー素子22を実装することにより、パワー素子22から発生した熱を実装基板28を経由して良好に外部に放出することができる。 (もっと読む)


【課題】 信頼性を向上可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体パッケージ1は、パッケージ基板80、およびパッケージ基板80の上に実装されるチップ積層体10を備える。チップ積層体10とパッケージ基板80とは、チップ積層体10の第1半導体チップ100とパッケージ基板80との間に配置されるソルダボール110を介して電気的に連結される。第1半導体チップ100の上には第2半導体チップ200が積層される。第2半導体チップ200の上面200sは、平坦化されたモールディング膜350に覆われることなく露出し、放熱膜401と直接接触する。これにより、第1半導体チップ100および第2半導体チップ200で発生する熱は、放熱膜401を通じて容易に放出することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の放熱性を向上させる。
【解決手段】実装基板40と、実装基板40上に実装された半導体チップ30と、一面に凹部14を有し、凹部14内に半導体チップ30が配置されるように、一面を実装基板40に対向させて、実装基板40上に設けられたヒートスプレッダ10と、ヒートスプレッダ10と半導体チップ30の上面との間、およびヒートスプレッダ10と半導体チップ30の側面との間に充填された放熱樹脂20と、を備える。 (もっと読む)


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