【課題】光出力の低下を防ぐことができる光半導体装置を得る。
【解決手段】半導体レーザ１に光導波路２がバットジョイント接合されている。半導体レーザ１は、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層５と、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層５の側面を覆う埋め込み層１７とを有するメサ構造である。光導波路２は、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層５とは異なる層構造からなるＡｌＧａＩｎＡｓ量子井戸光導波路層９と、ＡｌＧａＩｎＡｓ量子井戸光導波路層９の側面を覆う埋め込み層１７とを有するメサ構造である。光導波路２のメサ幅Ｗ２は、半導体レーザ１のメサ幅Ｗ１より狭い。 （もっと読む）

【課題】井戸層数、変調器長を変化させないまま消光比を増大することができる光半導体装置の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体混晶からなる基板と、前記基板の上に形成される、量子井戸層、バリア層を含む多重量子井戸構造の活性部と、前記活性部の上下をそれぞれ覆う上下クラッド部とを有し、前記上クラッド部の一部をエッチングし、光波長程度の幅のリッジメサ部をもつ、リッジ導波路構造を作製し、前記リッジメサ部の両脇を熱伝導率の小さい有機材料で埋め込んだ構成の電界吸収型光変調器と、注入電流により光を出力する半導体レーザと、前記半導体レーザと前記電界吸収型光変調器との間に設けられ、前記半導体レーザから出力された光が導波する光導波装置とを具備する光半導体装置の制御方法であって、前記電界吸収型光変調器の消光比を、前記半導体レーザへの注入電流を変化させることにより制御するものとする。 （もっと読む）

【課題】光注入同期の維持能力を従来と同等に保ちつつ、構成を簡易にする。
【解決手段】光利得領域３、光変調領域２、及び受動導波路領域４を備えたコア３０並びにクラッド５及び６を有する光導波路４０を含み、光注入同期を発現可能な連続波光ＣＷが注入されて、この連続波光に波長が等しい縦モードを含む光パルス列Ｌ_Ｂを出力するモード同期半導体レーザ素子１と、光パルス列に含まれる第１及び第２光成分Ｌ１及びＬ２を、その強度比が光パルス列の全光強度に対する主縦モードの比率を反映するように分離する分離手段６０と、第２光成分の光強度を用いた制御指標により、光注入同期を維持可能な波長に主縦モードを制御する制御手段６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】マストランスポートを抑制したバットジョイントを有する光集積デバイスを得る。
【解決手段】基板と、マストランスポートが基板より遅い材料で基板上に形成され、基板のマストランスポートを抑制する抑制層と、抑制層上に形成された第１導波路層と、第１導波路層上に形成され、第１導波路層の端面より内側に端面を有する上部層と、抑制層上に形成され、第１導波路層の端面に接する第２導波路層と、を備える光集積デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】本願発明は、ディスク状の光共振器を備えた発光素子において、発光のメカニズムを解明することによって、新たな構造を提案してレーザ発振の可能な発光素子を実現することを目的とする。
【解決手段】本願発明は、基板上に積層されたディスク状の光共振器を備える発光素子であって、前記光共振器は光を伝搬させる半導体からなるコアと前記コアに対して積層方向の前記基板側又はその反対側のうち少なくとも前記基板側に積層されたクラッドとを有し、前記コアは少なくともディスク外周側が空間又は前記クラッドよりも屈折率の低い透明体で覆われており、前記クラッドはディスク外周側の一部が空間又は前記クラッドよりも屈折率の低い透明体で覆われていることを特徴とする発光素子である。 （もっと読む）

【課題】偏向方位分解能の向上、偏向角の拡大、搭載自由度の向上、および構造の簡略化を実現する
【解決手段】光偏向素子１は、内部を光が導波する光ガイド層１３と、光ガイド層１３の上面および下面に形成されたＤＢＲ１４およびＤＢＲ１２とを備え（以下、光ガイド層１３とＤＢＲ１２，１４とをまとめて「導波路」という）、さらに、ＤＢＲ１４の両面のうち導波路と非接触となる側の面に形成された光入射口２６と、光入射口２６から入射して導波路内を導波する光を出射させるための光出射口２７とを備える。そして、光入射口２６から導波路内に光が入射すると、導波路内の光は、光ガイド層１３の上面および下面に設けられたＤＢＲ１２，１４で反射しながら光導波層内を導波し（矢印Ｄ１を参照）、その後、光出射口２７から出射する（矢印Ｄ２を参照）。 （もっと読む）

【課題】 光導波層の断熱性を効率よく高めることができる光半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 光半導体素子の製造方法は、半導体基板上に、半導体中間層を形成する工程と、半導体中間層上に光導波層を含む半導体積層体を形成する工程と、その内面に半導体中間層が露出する溝を半導体積層体に形成する工程と、溝の内面に露出した半導体中間層を選択的ウェットエッチングによって除去することで、空隙を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】共振器構造を有する半導体基板上の半導体レーザであって、単一モード特性を損なうことなく、光出力の使用割合を増大させることのできる半導体レーザを提供すること。
【解決手段】半導体レーザの共振器構造が、その両端面に関する対称軸を有する。そして、半導体レーザからの第１及び第２の光出力を半導体基板の単一の端面から取り出すため、共振器構造の第１の端面に第１の出力導波路、第２の端面に第２の出力導波路を接続する。第１及び第２の出力導波路からの第１及び第２の光出力を等しくするために、半導体レーザと第１及び第２の出力導波路の方位を９０度傾ける。半導体レーザとしてλ/４位相シフトを中央に設けたＤＦＢレーザを用いることができる。また、図６のような構成も考えられる。出力導波路を設けず、共振器構造を構成する導波路自体を曲げることで、共振器構造の両端面からの第１及び第２の光出力を同一方向から出射させる。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子間の光結合効率の向上と、光半導体素子で生じた熱の放熱性の向上を図る。
【解決手段】光半導体装置１は、第１光半導体素子１０及び第２光半導体素子２０を備える。第１光半導体素子１０は、半導体基板１１上に絶縁層１２を介して設けられた第１光導波路層１５、及び半導体基板１１が露出する凹部１６を含む。第２光半導体素子２０は、第１クラッド層２３、光学的に接続された光活性層２１及び第２光導波路層２２、光活性層２１上の第２クラッド層２４、及び第２光導波路層２２上の薄い第３クラッド層２７を含む。第２光半導体素子２０は、第２クラッド層２４が凹部１６に配置されて、半導体基板１１と熱的に接続され、且つ、第３クラッド層２７が第１光導波路層１５上に配置されて、第２光導波路層２２が第１光導波路層１５と光学的に接続される。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の出力を向上させつつ基本横モードのレーザ光を出力する。
【解決手段】半導体レーザモジュール１は、レーザ光を励起する光増幅部３と、光増幅部3と結合し光増幅部３で励起されたレーザ光を導波する第１の導波路１０と、第１の導波路１０から基本横モードのレーザ光を選択的に分岐して導波する第２の導波路２０とを含む光方向性結合器５と、を含み、第１の導波路１０の少なくとも一部における導波路幅を高次横モードカットオフ幅以上とした。 （もっと読む）

【課題】素子を駆動したときに素子内部で発生する熱を速やかに素子外へ排出することができ、かつ、それを行うためのコストや消費電力の上昇を抑えることができる半導体素子、半導体光素子及び半導体集積素子を提供する。
【解決手段】例えば、ｎ型半導体基板１３上に形成された、ｐ型半導体層１７とｎ型半導体層１２の間の活性層１１の領域で、電子とホールが再結合することにより動作する半導体レーザにおいて、電子とホールが再結合する活性層１１の領域よりもｎ型半導体基板１３側に、トンネル接合層１６を形成した構成とする。 （もっと読む）

【課題】メサ部を形成するためのエッチング深さを精度良く制御できる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、エッチングマーカー層４２を半絶縁性基板２０上に成長させる工程と、下部クラッド層２５、光導波層２６および上部クラッド層２７をエッチングマーカー層４２上に順に成長させる工程と、下部クラッド層２５、光導波層２６および上部クラッド層２７に対してプラズマエッチングを行うことにより、所定の光導波方向に延びるメサ部２２〜２４を形成するメサエッチング工程とを備える。エッチングマーカー層４２のプラズマ発光強度は、該エッチングマーカー層４２に接するｎ型コンタクト層２１及び下部クラッド層２５のプラズマ発光強度より大きい。メサエッチング工程の際、プラズマ発光強度の変化に基づいてプラズマエッチングを停止する。 （もっと読む）

【課題】十分に放熱することができるとともに発光点間隔を小さくすることができる半導体レーザアレイを提供する。
【解決手段】複数の半導体レーザ素子２０１〜２０５を備える半導体レーザアレイ１００であって、複数の半導体レーザ素子２０１〜２０５のそれぞれは、第１の端面３０１及び第２の端面３０２を両端とする光導波路２０１ａ〜２０５ａを有し、複数の半導体レーザ素子２０１〜２０５の少なくとも一つの半導体レーザ素子２０１は、光導波路２０１ａにおける第１の端面３０１と第２の端面３０２との間に形成された反射面２２１ｂを有し、反射面２２１ｂは、導波光を反射させて導波光の進行方向を変える。 （もっと読む）

【課題】高速変調可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００上に形成され、基板と垂直方向にレーザ光を発する発光部１３０と、基板上に形成され、発光部で発せられた光の一部を基板と水平方向に伝播させる光伝播部１４０と、光伝播部で伝播された光を発光部に向けて反射させる反射部１５０とを備える。光伝播部は、発光部の屈折率よりも屈折率が小さいトレンチ１２０と、トレンチと反射部との間に配されたトレンチよりも屈折率が高いスローライト部１２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】 Ｂｕｔｔ−Ｊｏｉｎｔ数が抑制された半導体レーザを提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、両端が回折格子によって挟まれたスペース部と回折格子部とが連結されたセグメントが複数設けられた第１反射器と、前記第１反射器に対応して設けられた導波路とを備え、前記導波路は、前記セグメントのうち隣接する２つのセグメントの両方にまたがって延在する利得領域と、前記セグメントのうち隣接する２つのセグメントの両方にまたがって延在する屈折率可変領域とを有している。 （もっと読む）

【課題】 迷光対策された波長可変半導体レーザを提供する。
【解決手段】 波長可変半導体レーザは、１０％以上の反射率を有する第１端面と、第２端面と、前記第１端面と前記第２端面との間に配置された波長選択部と、前記第１端面と前記波長選択部との間に設けられた光吸収領域と、を備えることを特徴とする。前記光吸収領域は、ｐ型半導体とｎ型半導体で挟まれてなり、前記ｐ型半導体と前記ｎ型半導体とを共通に接続する導体を有する構成とすることができる。 （もっと読む）

【課題】光半導体集積素子の信頼性及び性能の向上を図る。
【解決手段】光半導体集積素子１は、基板３０の（００１）面上方に形成された第１光半導体素子１０と、基板３０の（００１）面上方で、第１光半導体素子１０の［１１０］方向に、第１光半導体素子１０と光学的に接続されて形成された第２光半導体素子２０とを含む。第１光半導体素子１０は、第１コア層１１と、第１コア層１１上方に形成され、第２光半導体素子２０側の側面に、（００１）面となす角度θが５５°以上９０°以下の結晶面を有する第１クラッド層１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減できる光変調器を得る。
【解決手段】マッハツェンダ型光変調器３は、入力光の強度又は位相を変調させる。マッハツェンダ型光変調器３の出力に出力光導波路４が接続されている。マッハツェンダ型光変調器３から出力された変調光は出力光導波路４を伝播する。出力光導波路４に近接して受光部５，６が配置されている。受光部５，６は、出力光導波路４からの漏洩光を検知する。これらのマッハツェンダ型光変調器３、出力光導波路４、及び受光部５，６は、１つのｎ型ＩｎＰ基板１上にモノリシックに集積されている。 （もっと読む）

【課題】Ｉ−Ｌカーブの温度変換を低減可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１の導波路コア１７及び第２の導波路コア１９は、第１導電型クラッド領域１３と第２導電型クラッド領域１５との間に設けられる。伝搬定数同調コア２３は活性導波路コア２５に中間半導体層２１を介して光学的に結合される。第１の導波路コア１７は例えば伝搬定数同調コア２３を含み、第２の導波路コア１９は活性導波路コア２５を含む。伝搬定数同調コア２３に係るフォトルミネセンス波長は活性層２７に係るフォトルミネセンス波長より短い。活性導波路コア２５に係る分散特性は伝搬定数同調コア２３に係る分散特性と異なる。活性導波路コア２５における光伝搬に係る位相速度は、ある波長で、伝搬定数同調コア２３における光伝搬に係る位相速度に等しくなる。活性導波路コア２５及び伝搬定数同調コア２３における位相速度に等しくなる波長でレーザ発振が生じる。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子間の光学的な接続損失を低減可能な、半導体光集積素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の部分６ａ及び第１のエリア１ｂと第２のエリア１ｃとの境界Ｌ１を横切るように配置される第２の部分６ｂを含むマスク６を形成し、マスク６を用いてエッチングし、第１の導波路メサ７及び半導体メサ８を形成し、第１の導波路メサ７及び半導体メサ８を埋め込み、第１の部分１１ａ及び半導体メサ上で第１の部分１１ａと接続された第２の部分１１ｂを含むマスク１１を形成し、マスク１１を用いてエッチングし、第２の部分１１ｂにより規定される第２の導波路メサ１２を形成する。第２の部分６ｂの幅は、ｘ軸の方向に単調に広くなっており、第２の部分１１ｂの幅Ｗ２は、少なくとも第２の部分６ｂの幅Ｗ１よりも狭い。 （もっと読む）