【課題】高い光利得を得ながら閾値電流値を低減することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に形成された複数の量子ドット層１２と、複数の量子ドット層１２間に位置する中間層と、が設けられている。量子ドット層１２に含まれる量子ドット１２ａの組成が、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ_yＳｂ_1-y（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）で表わされる。中間層には、組成がＩｎ_aＧａ_1-aＡｓ_bＰ_1-b（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１）で表わされ、厚さが１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下のＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５と、ＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５の底面から１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満の高さに位置し、厚さが０．３ｎｍ以上２ｎｍ以下のＩｎＰ層１４と、が含まれている。 （もっと読む）

【課題】井戸層数、変調器長を変化させないまま消光比を増大することができる光半導体装置の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体混晶からなる基板と、前記基板の上に形成される、量子井戸層、バリア層を含む多重量子井戸構造の活性部と、前記活性部の上下をそれぞれ覆う上下クラッド部とを有し、前記上クラッド部の一部をエッチングし、光波長程度の幅のリッジメサ部をもつ、リッジ導波路構造を作製し、前記リッジメサ部の両脇を熱伝導率の小さい有機材料で埋め込んだ構成の電界吸収型光変調器と、注入電流により光を出力する半導体レーザと、前記半導体レーザと前記電界吸収型光変調器との間に設けられ、前記半導体レーザから出力された光が導波する光導波装置とを具備する光半導体装置の制御方法であって、前記電界吸収型光変調器の消光比を、前記半導体レーザへの注入電流を変化させることにより制御するものとする。 （もっと読む）

【課題】キャビティモードを崩すことなくＱスイッチでのレーザ発振が可能となるナノスケールのビーム構造によるキャビティを備えたナノキャビティレーザを提供する。
【解決手段】ナノスケールのビーム構造によるキャビティを備えたナノキャビティレーザであって、
前記キャビティは、所定周期で形成された孔を備えた二つのミラー領域と、該二つのミラー領域で挟まれたキャビティ領域と、を有し、
前記キャビティ領域は、電源からのキャリアが注入される活性層と、発振周波数の光子エネルギーよりも広いバンドギャップをもつワイドギャップ半導体と、を備えると共に、
前記ワイドギャップ半導体に、キャリア分布を発生させるキャリア分布発生手段を備え、
前記キャリア分布発生手段によるキャリア分布の発生により、キャビティモードを崩すことなく、キャビティの損失を制御する。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層とＡｌＧａＡｓ系活性層を有する分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）半導体レーザにおいて、分布ブラッグ反射領域を精度よく形成し、発振波長が安定で高出力の半導体レーザを得る。
【解決手段】 この発明の半導体レーザは、ＡｌＧａＩｎＰ系のクラッド層中にＡｌＧａＡｓ系の回折格子層を有し、分布ブラッグ反射領域における回折格子層は、厚み方向に回折格子層が残るように凹凸が形成されるとともに、凹凸部が薄いＡｌＧａＡｓ系の回折格子埋め込み層により埋め込まれる。 （もっと読む）

【課題】光導波路を高速光伝送に適した長さにすることが可能で、かつモノリシックに集積することができる半導体光素子及びそれを用いた光送受信装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に形成した少なくとも２種類の屈折率の異なる半導体層からなる反射器７と、反射器７の上に形成した下部クラッド層３と上部クラッド層４に挟持された光導波路２と、光導波路２の少なくとも一方の端面に基板１面に対して４５°の角度をもって配置された反射鏡５と、反射鏡５に対向した位置の基板１の裏面に形成した反射防止膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】光強度を向上したレーザ装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】第１のレーザと、第２のレーザと、外部共振器と、制御部と、を備えたレーザ装置が提供される。前記第１のレーザは、第１のレーザ光を出射する。前記第２のレーザは、第２のレーザ光を出射する。前記外部共振器は、前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光とが入射される。前記制御部は、前記外部共振器の共振波長を制御して前記第１のレーザ光に共振させ、前記第２のレーザを制御して前記第２のレーザ光を前記外部共振器に共振させる。 （もっと読む）

【課題】共振器端面でＣＯＤが起こりにくい、高出力かつ長寿命の窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層２０と、窒化物半導体層２０に設けられた共振器と、共振器の互いに向かい合う端面に形成された端面コート膜１８、１９とを備えた窒化物半導体レーザ素子１０において、少なくともレーザ光出射側の端面に形成された端面コート膜１８の窒化物半導体層２０に接する層は膜密度が２．８３ｇ／ｃｍ³以上のＡｌＮからなる。 （もっと読む）

【課題】
装置全体の小型化が可能であると共に、複数のレーザー光源から出力された超短パルスであり高出力なパルス光を、容易かつ正確に位相を調節して、対象物に同時に照射することが可能な光パルスレーザー装置及び光パルスレーザー発生方法を提供すること。
【解決手段】
光ゲート制御手段４、１４は半導体レーザー１、１１からの光パルスを一定間隔で間引くタイミングのパルス信号を生成し、遅延調整手段１０は該パルス信号の遅延量を調整し、光ゲート３、１３は信号発振器２からの駆動信号により該半導体レーザー１、１１から発生する光パルスを一定間隔で間引き、該光ゲート３、１３を通過した光パルスが光増幅手段５、１５に入力され、該光増幅手段５、１５から出力されるパルス光が対象物に出射されるタイミングを調整することを特徴とする光パルスレーザー装置である。 （もっと読む）

【課題】高出力化に適した半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード７０は、基板１と、基板１上に結晶成長によって形成された半導体積層構造２とを含む。半導体積層構造２は、ｎ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層１４およびｐ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層１７と、これらのクラッド層１４，１７に挟まれたｎ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層１５およびｐ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層１６と、これらのガイド層１５，１６に挟まれた活性層１０とを含む。活性層１０は、Ａｌ_ｙＧａ_{（１−ｙ）}Ａｓ_{（１−ｘ３）}Ｐ_ｘ３層からなる量子井戸層２２１とＡｌ_ｘ４Ｇａ_{（１−ｘ４）}Ａｓ層からなる障壁層２２２とを交互に複数周期繰り返し積層して構成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い高出力レーザを実現する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、基板と、基板上のｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上の窒化物半導体の活性層と、活性層上のｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層に形成されるリッジストライプと、リッジストライプの伸長方向に垂直な、ｎ型窒化物半導体層、活性層およびｐ型窒化物半導体層の端面に形成され、活性層よりもバンドギャップの広い端面窒化物半導体層とを有し、端面窒化物半導体層の、少なくともｐ型窒化物半導体層の端面に形成される領域のＭｇの濃度が、５Ｅ１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高出力用途に好適なレーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るレーザ素子は、基板と、該基板の上に形成された下部クラッド層と、該下部クラッド層の上に形成された活性層と、該活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層の上方の層に１００μｍ×１００μｍ以上の大きさで形成された、該活性層で発生した光を該上部クラッド層の上方に回折する２次の回折格子と、該下部クラッド層、該活性層、及び該上部クラッド層を有する共振器の第１端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第１反射膜と、該共振器の該第１端面と反対側の端面である第２端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第２反射膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高出力化が可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子は、共振器スペーサー層１０３，１０５と、活性層１０４とを備える。活性層１０４は、共振器スペーサー１０３，１０５間に共振器スペーサー層１０３，１０５に接して形成される。共振器スペーサー層１０３は、格子整合するＧａ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。活性層１０４は、ＧａＩｎＰＡｓからなる井戸層１０４Ｂ，１０４Ｄ，１０４Ｆと、Ｇａ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる障壁層１０４Ａ，１０４Ｃ，１０４Ｅ，１０４Ｇとが交互に積層された量子井戸構造からなる。共振器スペーサー層１０５は、（Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。 （もっと読む）

【課題】高出力の単一横モード発振のため長共振器化した際においても、縦モードホッピングの発生を抑制することができ、より安定した単一縦モード発振が可能となる面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上の、第１および第２のミラーとで共振器が構成され、第１と第２のミラーとの間に設けられた第１の活性層と、第１の活性層と第１のミラーとの間に設けられた第２の活性層と、を有する発振波長λの垂直共振器型面発光レーザであって、第１の活性層は、実効的な共振器長Ｌを構成する実効共振器の端から３Ｌ／８〜５Ｌ／８となる第１の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置され、第２の活性層は、実効共振器の端から３Ｌ／８Ｍ〜５Ｌ／８Ｍ（Ｍは２以上の整数）となる第２の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置されている。 （もっと読む）

【課題】製作工程が複雑になることなく、電流経路を狭窄できる半導体レーザ構造を提供すること。
【解決手段】（ａ）ｎ型クラッド層２、８、（ｂ）発光層４、１０、及び（ｃ）ｐ型クラッド層６、１２を積層して成るレーザ構造単位１０１、１０３を複数備えるとともに、前記レーザ構造単位１０１、１０３間の境界における一部の領域に、ｐ型導電型層７ａ及びｎ型導電型層７ｂから成るトンネル接合層７を備え、前記境界に、以下の（イ）、（ロ）のうちの一方又は両方を備えることを特徴とする半導体レーザ構造。（イ）前記一部以外の領域において、前記ｎ型クラッド層８に接し、そのｎ型クラッド層８よりもバンドギャップエネルギーが大きいｎ型の層２１。（ロ）前記一部以外の領域において、前記ｐ型クラッド層６に接し、そのｐ型クラッド層６よりもバンドギャップエネルギーが大きいｐ型の層。 （もっと読む）

【課題】単一基本横モードの出力を容易に向上可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 面発光レーザ素子は、活性層１０５、共振器スペーサー層１０４，１０６、反射層１０３，１０７、並びに酸化領域１０８ｂが電流狭窄層及び抑制層として機能する選択酸化層１０８を備える。共振器スペーサー層１０４，１０６は、活性層１０５の両側に設けられる。反射層１０３，１０７は、共振器スペーサー層１０４，１０６の両側に設けられ、活性層１０５において発振した発振光を反射する。電流狭窄層は、活性層１０５へ電流を注入するときの反射層１０３，１０７の領域を制限する。抑制層は、活性層１０５において発振した高次モード成分を抑制する。 （もっと読む）

【課題】迷光を抑制し、かつ発光強度を向上させることができるリッジ型半導体レーザ素子を得る。
【解決手段】半導体基板１上に下クラッド層２、活性層３、及び上クラッド層４が順に積層されている。上クラッド層４にリッジ５が設けられ、リッジ５の両側に凹部６が設けられている。凹部６の底面に回折格子７が設けられている。リッジ５の上面にｐ電極９が接続されている。このｐ電極９は回折格子７の上方に延在している。 （もっと読む）

【課題】光の波長変換に伴う光や熱による特性低下や変質を抑制して、大きな光量を安定に出力できると共に、高速で光変調ができる光源装置を提供すること。
【解決手段】レーザダイオード１０と、該レーザダイオード１０から放射された励起光を導光する光ファイバ１４と、該光ファイバ１４により導光された励起光を所望の波長変換光に波長変換して出射する波長変換ユニット１６と、を備える光源装置において、波長変換ユニット１６を、少なくとも半導体部材２４を有するものとし、該半導体部材２４は、励起光を所望の波長変換光に変換する半導体活性層２８を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】ハイパワー化を達成することができるレーザ光を出射し得る半導体レーザ素子組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子組立体は、半導体レーザ素子１０及び光反射装置７０を備えており、半導体レーザ素子１０を構成する積層構造体はリッジストライプ構造５６を有し、リッジストライプ構造５６の一方の端面５７Ａにおいてレーザ光が出射され、光反射装置７０においてレーザ光の一部が反射されて半導体レーザ素子１０に戻され、レーザ光の残部は光反射装置から外部に出射され、リッジストライプ構造５６の他方の端面５７Ｂにおいてレーザ光が反射され、リッジストライプ構造の最小幅をＷ_min、最大幅をＷ_maxとしたとき、１＜Ｗ_max／Ｗ_min＜３．３、又は、６≦Ｗ_max／Ｗ_min≦１３．３を満足する。 （もっと読む）

【課題】高光密度側端面近傍において電流集中を緩和し、また、放熱を悪くすることなく、さらに、閾値電流付近に過飽和吸収による光出力の飛びがなく、高出力・高信頼を有する半導体レーザを提供することにある。
【解決手段】半導体基板１０９と、バッファー層１０６，１０７と、第１のＳＣＨ層１０２と、活性層１０１と、第２のＳＣＨ層１０３と、第２のクラッド層１０５と、キャップ層１０８と、電極１１３とを備え、第２のクラッド層１０５およびキャップ層１０８がリッジに形成され、キャップ層１０８のリッジ頂上以外における電極１１３との間に絶縁膜１１０が挿入され、光密度の高い側端面近傍のバッファー層１０７がこれ以外のバッファー層１０６と比べ抵抗率が高くなるようにした。 （もっと読む）