【課題】信号処理回路に対する電源電圧の供給及び遮断を選択することができるスイッチとして機能する回路（電源供給制御回路）として好ましい回路を提供する。
【解決手段】信号処理回路に対する電源電位の供給を担う第１の配線と、電源電位を供給する第２の配線との電気的な接続を制御するトランジスタ、及び、信号処理回路に対する電源電位の供給を担う第１の配線を接地させるか否かを制御するトランジスタとを設け、当該２つのトランジスタの少なくとも一方として、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタを適用する。これにより、２つのトランジスタの少なくとも一のカットオフ電流に起因する消費電力を低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制しつつ、カラー発光及び白色発光の双方を行うことのできる光源駆動装置を実現する。
【解決手段】駆動装置１０は、ＬＥＤ１００、２００、及び３００に対して電流を供給可能な電流供給部１５と、ＬＥＤ１００及び２００にそれぞれ接続された抵抗１３及び抵抗１４と、電流供給部１５を、上記複数のＬＥＤの何れか１つに対して、抵抗１３及び抵抗１４を介することなく選択的に接続または遮断するスイッチ部１１と、電流供給部１５を、上記抵抗が接続された各ＬＥＤに対して、上記抵抗を介して接続または遮断するスイッチ部１２と、を備えており、第１の発光モードにおいて、上記複数のＬＥＤの何れか１つをスイッチ部１１により電流供給部１５に接続し、第２の発光モードにおいて、スイッチ部１２を接続状態に設定すると共に、上記抵抗が接続されていないＬＥＤをスイッチ部１１により電流供給部１５に接続する。 （もっと読む）

【課題】 リカバリー電流を低減させつつ、出力ＭＯＳトランジスタのスイッチング応答性を高くすることができるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】 制御信号Ｓｃｄの信号レベルが所定の第１レベルＬから第２レベルＨへ遷移する第１遷移を契機として出力ＭＯＳトランジスタ２のゲートへ充電を開始する第１チャージ回路６と、制御信号Ｓｃｄの第１遷移または第１期間Ｔｐ１の経過を契機として出力ＭＯＳトランジスタ２のゲートへの充電を開始する第２チャージ回路７と、制御信号Ｓｃｄの第１遷移から第１期間Ｔｐ１より長い所定の第２期間Ｔｐ２経過後に出力ＭＯＳトランジスタ２のゲートへ充電を開始する第３チャージ回路８とを備え、第２チャージ回路７の単位時間あたりの充電量は、第１チャージ回路６および第３チャージ回路８の単位時間あたりの充電量より少ない。 （もっと読む）

【課題】耐圧の向上が図られる半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ-型半導体領域には、ドレイン領域となるｎ-型の拡散領域が形成されている。ｎ-型の拡散領域の周囲を取囲むようにｐ型の拡散領域が形成されている。ｐ型の拡散領域には、ソース領域となるｎ+型の拡散領域が形成されている。ｎ-型の拡散領域の直下には、ｐ-型の埋め込み層１３が形成されている。ｎ-型の半導体領域の領域には、高電位が印加されるｎ+型の拡散領域が形成され、そのｎ+型の拡散領域の表面上には電極が形成されている。電極とドレイン電極とは、配線２０によって電気的に接続されている。配線２０の直下に位置する部分に、ｐ-埋め込み層１３に達するトレンチ３ａが形成されて、ポリシリコン膜８１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電源投入時に、ノイズの影響により誤ってリセット信号が出力されることを防止できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１００は、レギュレータ１１、第１のパワーオンリセット回路１２、第２のパワーオンリセット回路１３及び制御回路１４を有する。レギュレータ１１は、電源線ＶＬ１１を介して電源ＶＳ１１から供給される第１の電圧に基づいて、第１の電圧よりも小さい第２の電圧を生成する。第１のパワーオンリセット回路１２は、電源投入後の第１の電圧が検出閾値Ｖｔ１２まで上昇したことを検出し、第１のリセット信号Ｒ＿１２を出力する。第２のパワーオンリセット回路１３は、電源投入後の第２の電圧が検出閾値Ｖｔ１３まで上昇したことを検出し、第２のリセット信号Ｒ＿１３を出力する。制御回路１４は、第１のリセット信号Ｒ＿１２及び第２のリセット信号Ｒ＿１３の論理積である第３のリセット信号Ｒ＿Ｃを出力する。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を小さく抑えながらも、スイッチ素子の駆動に必要な電力を小さく抑えることができるスイッチ装置を提供する。
【解決手段】スイッチ装置１は、スイッチ素子１０のドレイン電極１２とソース電極１３との間を流れるドレイン電流Ｉｄｓを計測する電流モニタ部２３を駆動回路２０に備えている。制御部２２は、スイッチ素子１０がオンしている状態において、スイッチ素子１０のオン抵抗が規定値以下になるように電流モニタ部２３の計測値（ドレイン電流Ｉｄｓ）に応じてゲート電圧Ｖｇｓの下限値を設定する。制御部２２は、設定した下限値を下回らない範囲で、電圧印加部２１から印加可能な最小の大きさにゲート電圧Ｖｇｓを調節する。電圧印加部２１は、制御部２２に制御され、制御部２２で決定された大きさのゲート電圧Ｖｇｓをスイッチ素子１０に印加する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧回路の素子破壊を防止する際、半導体チップ面積の増大を軽減する。
【解決手段】半導体集積回路ＩＣは、高電源電圧で動作する高耐圧回路１００、２００と低電源電圧で動作する低耐圧回路３００、４００を内蔵する。入力信号Ａに応答して、高耐圧回路の第１素子５と第２素子３はオン状態とオフ状態に、低耐圧回路の第３素子７と第４素子８はオフ状態とオン状態に制御される。この状態において、高電源電圧供給端子に所定レベルのサージ電圧が供給される。この状態で、初期サージ電流が第１素子５と第２素子３の容量を介して低耐圧回路の出力端子Ｙに流入する。出力端子Ｙの電圧降下は、高耐圧回路の第２素子３のターンオン電圧に設定される。第２素子３はオフ状態からオン状態に制御されて、サージ電圧のエネルギーを吸収するサージ吸収電流が第１素子５と第２素子３に流入する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子、特にＩＧＢＴの特性の違いや温度変化があっても、最適なパラメータを自動的に設定することのできる半導体装置の短絡保護装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴのゲート電荷Ｑ_Gに対応する電圧Ｖ_QGを検出する電荷検出手段２２と、ＩＧＢＴの定格動作時の入力部の電荷から負荷短絡が発生したかどうかを判断するための基準電圧Ｖ_REFを発生する基準電圧発生手段２５と、電荷検出手段２２で検出された電圧Ｖ_QGがＩＧＢＴの定格動作時の電荷に対応する電圧か、あるいは負荷短絡時の電荷に対応する電圧かを判断する判断手段２７と、判断手段２７が短絡状態を検出したときにＩＧＢＴを動作停止する信号を出力するゲート駆動手段２１とを持つ半導体装置の短絡保護装置において、基準電圧発生手段２５に、ＩＧＢＴの定格動作時の入力部の電荷に対応するゲート電荷電圧Ｖ_QGのハイレベルで安定した電圧Ｖ_PEAKを検出して記憶する記憶手段２６を設ける。 （もっと読む）

【課題】屋外装置が一般の購入品である場合は屋内装置との接続正誤確認のために特別な加工を必要とする。
【解決手段】屋外装置１７，１８は送信装置または受信装置であって異なる電源入力条件を採り得る。屋外装置１７，１８とケーブルで接続された屋内装置１６に設けられた誤接続防止回路１は、ケーブル接続の誤りを内部回路の切替えにより自動的に修正する。セレクタ１〜４は電源入力条件に適合するように屋外装置１７，１８への電源６，７および電源供給経路を選択し、セレクタ３，４は屋内装置１６の中核部（不図示）との間の送受信と整合するように屋外装置１７，１８との信号接続経路を選択する。信号接続経路は電源供給経路の一部を形成する。 （もっと読む）

【課題】高音の音声信号が所定のレベル以上で所定時間以上入力されたときに、利得を低減させて高音過電流が発生することを防止する。
【解決手段】出力ドライバのパワートランジスタに流れる電流が所定時間以上にわたって所定値を超えた場合に高音過電流検出信号を発生する高音過電流検出手段と、前記高音過電流検出信号が発生されると前記プリアンプの通過周波数帯域を低くさせる通過周波数帯域切替手段とを設けた。 （もっと読む）

【課題】表示装置の走査信号線の駆動回路において、走査信号線の出力波形なまりを改善し、表示品質を高めた表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、複数の信号線Ｇ_ｎに対して、順に画素トランジスタを導通させる電位であるアクティブ電位を印加する駆動回路２１０を備え、前記駆動回路２１０は、前記複数の信号線のうちの一の信号線である出力信号線の一端に、より上位の前記出力信号線において出力されるアクティブ電位が入力されることに起因して、クロック信号を印加してアクティブ電位を出力させる主駆動回路２４０と、前記出力信号線の他端、及び前記クロック信号の信号線が、ソース／ドレインを介して接続されたトランジスタである補助トランジスタを含む補助駆動回路２５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時間のばらつきが小さな半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ノードＮ１，Ｎ２間に直列接続された高耐圧、高ＧｍのトランジスタＱ１および低耐圧、低ＧｍのトランジスタＱ２と、トランジスタＱ２に並列接続された低耐圧、高ＧｍのトランジスタＱ３とを含む。トランジスタＱ２をオンさせるとトランジスタＱ１がオンし、さらにトランジスタＱ３をオンさせるとノードＮ１，Ｎ２間が導通状態になる。したがって、低耐圧のトランジスタＱ２をオンさせて高耐圧のトランジスタＱ１をオンさせるので、ターンオン時間のばらつきが小さくなる。 （もっと読む）

【課題】クロック信号が切り替えられた際の不具合の発生を低減する。
【解決手段】本発明に係るタイマ回路１１０は、入力クロック信号１１５を用いてカウント値１３４をカウントするカウンタ１２３と、入力クロック信号１１５が変更された際に、基準値１３５として第３設定値１３３を選択する選択部１２５と、カウント値１３４が基準値１３５分変化したタイミングで変化するタイマ出力信号１１６を生成する比較部１２７と、現在のカウント値より大きい値を第３設定値１３３として演算する第３設定値演算部１２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】よりゲート電圧の傾きのバラツキを小さくすることで、スイッチング損失や電圧サージおよびピーク電流のバラツキを小さくする。
【解決手段】オフ保持デバイス５に対してオフ許可信号が禁止状態から許可状態に切り替わったことが伝わることを制御遅延演算回路６によって遅延時間だけ遅らせるようにする。これにより、遅延時間経過後に、既に定電流の狙い値まで達して安定した値になっている定電流駆動回路３０の出力電流をスイッチング素子１のゲート１ａに供給されるようにできる。したがって、ゲート電圧の立ち上がり傾きのバラツキを小さくすることができ、スイッチング損失や電圧サージおよびピーク電流のバラツキを小さくすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】クランプ回路が未使用状態なのか断線状態なのかを判別する。
【解決手段】温度センサ１ｈの出力が入力される温度検出端子１４ａ〜１４ｃを利用し、クランプ回路５ａ〜５ｃや温度検出回路７ａ〜７ｃの一部がパワーモジュール１に接続されないときには温度検出端子１４ａ〜１４ｃの電位に基づいて温度センサ１ｈが接続されていない断線無効状態を検出する。例えば、温度検出端子１４ａ〜１４ｃのうち温度センサ１ｈに接続されない端子に断線検出無効化閾値Ｖｔｈ３以上の電圧を印加することで、温度検出端子１４ａ〜１４ｃが温度センサ１ｈに接続されていないことを検出する。これにより、クランプ回路５ａ〜５ｃに接続されるクランプ端子１１ａ〜１１ｃの電位に基づいて断線検出を行う際に、断線状態なのか断線無効状態なのかを温度検出端子１４ａ〜１４ｃの電位に応じて判定できる。 （もっと読む）

【課題】サージの発生を抑制すると共に半導体スイッチング素子のスイッチング速度を向上しつつ、回路規模を小さくすることができる半導体スイッチング素子駆動装置を提供する。
【解決手段】時間設定手段４０から短絡検出区間が終了したことを示す時間設定信号を入力すると、この時間設定信号の入力をトリガとして駆動手段６０に対して半導体スイッチング素子１０の制御端子１１に印加する駆動電流を増加するための電流制御信号を出力する。これにより、サージの発生が予想されるミラー区間後に行われる短絡状態の検出が終了した後は制御端子１１に印加される駆動電流ｉが増加するため、サージの発生を抑制しつつ、スイッチング速度が向上する。また、時間設定信号を利用して制御端子１１に流す駆動電流ｉの電流量を制御しているため、制御端子１１の電圧を検出するための構成が不要となり、回路規模が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サージ電圧の低減及び発生ノイズの低減を可能とするスイッチング装置、スイッチングモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるスイッチング装置は、スイッチング素子１と、エミッタ電極１００と、エミッタ電極１００を外部の主配線に接続するための主配線用エミッタ端子４と、エミッタ電極１００と主配線用エミッタ端子４との間の主電流経路に介在する、複数の制御用エミッタ端子５、制御用エミッタ端子６、制御用エミッタ端子７と、隣接する制御用エミッタ端子間の主電流経路に介挿されたインダクタンス８、インダクタンス９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチング素子の温度変化によるサージ電圧の発生および変動を抑制すると共にスイッチング損失を低下させることができる半導体スイッチング素子駆動装置を提供する。
【解決手段】各切替スイッチ４２ａ、４２ｂが駆動信号に従ってオン／オフすることにより、駆動手段４０が半導体スイッチング素子１０の制御端子１１に駆動電流を供給する。一方、温度検出手段２０によって半導体スイッチング素子１０の素子温度または半導体スイッチング素子１０の動作環境温度を検出する。そして、駆動手段４０は、温度検出手段２０によって検出された素子温度または動作環境温度に従って制御端子１１に印加する駆動電流の大きさを変更する。これにより、半導体スイッチング素子１０の温度変化によるサージ電圧の発生および変動が抑制され、スイッチング損失が低下する。 （もっと読む）

【課題】短絡時にクランプ解除が為されてしまうことでスイッチングデバイスに過電流が流れることを防止する。
【解決手段】短絡状態が検出されたことを示す短絡信号Ｙが短絡検出フィルタ６を介することなくクランプ回路３に直接入力されるようにする。これにより、短絡時動作として、クランプ解除フィルタ時間の経過が短絡検出フィルタ時間の経過よりも先であった場合にも、クランプ回路３によるクランプ動作を継続することが可能となる。したがって、短絡時にクランプ解除が為されてしまうことでＩＧＢＴ１に過電流が流れることを防止することができる負荷駆動装置とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】スイッチポート切替時間が短く、かつ低消費電力、低面積を同時に満たす高周波スイッチモジュールを提供する。
【解決手段】デコーダ３は、前記スイッチポートを切替える制御信号ＣＮＴに応答し、スイッチ７を制御するためのスイッチ制御信号ＳＷＣＮＴを生成して、スイッチ切替タイミング検出器は、スイッチ制御信号ＳＷＣＮＴに応答し、スイッチ切替え検出信号ｔ＿ｓｗを生成し、周波数制御信号生成器は、スイッチ切替え検出信号ｔ＿ｓｗに応答し、周波数制御信号ＩＣＯＮＴ、ＣＣＯＮＴを生成し、負電圧発生回路は、周波数制御信号ＩＣＯＮＴ、ＣＣＯＮＴに応答し、前記負電圧発生回路内で生成したクロック信号の周波数を２つ以上のそれぞれ異なる周波数に切替つつ、負電圧出力信号ＮＶＧ＿ＯＵＴを生成し、スイッチ７は、スイッチ制御信号ＳＷＣＮＴと前記負電圧出力信号ＮＶＧ＿ＯＵＴに応答し、複数の高周波信号ポート間の経路を切替える。 （もっと読む）