【課題】サージ印加時における内部回路の誤動作を防止する。
【解決手段】半導体チップ（１０）は、複数のパッド（Ｐ１１、Ｐ１２）と、複数のパッド（Ｐ１１、Ｐ１２）と電源ライン（１５、１６）との間に接続された複数の静電破壊保護素子（１１Ｈ、１１Ｌ、１２Ｈ、１２Ｌ）と、複数のパッドのうち少なくとも２つのパッド（Ｐ１１、Ｐ１２）に現れる印加電圧（Ｓ１１、Ｓ１２）が同一の論理レベルか否かを監視するサージ検出部（１３）と、サージ検出部（１３）の検出結果（Ｓ１３）に応じてその動作が許可／禁止される内部回路（１４）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電界吸収型光変調器に供給する駆動信号の直流電圧可変に伴う駆動信号波形の劣化を防止する。
【解決手段】電圧連動可変手段３０は、ドライバ回路２５の終段トランジスタＴＲの出力用の特定端子の直流電圧と他の端子の直流電圧とを、同一方向に連動可変させて、終段トランジスタＴＲの動作点の変動を抑制しつつ、電界吸収型光変調器１に与える駆動信号Ｄの直流電圧を変化させて、駆動信号Ｄの直流電圧可変に伴う駆動信号波形の劣化を防止し、波形劣化の無い変調光を出力させる。 （もっと読む）

【課題】基準信号の精度を維持しつつスタンバイ時の電流低減を図ることが可能なパワーオンリセット回路、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】基準信号生成部は、少なくとも外部電源電圧検出器用基準信号を生成する第１の生成部と、記内部電源電圧検出器用基準信号を生成する第２の生成部と、を含み、第１の生成部は、電源起動時に外部電源電圧検出器用基準信号を生成可能となり、第２の生成部は、制御部からの起動信号を受けて内部電源電圧検出器用基準信号を生成可能となり、制御部は、スタンバイ期間が経過すると、起動信号を基準信号生成部の第２の生成部および内部電源電圧の生成系に出力する。 （もっと読む）

【課題】低濃度ドープのＰＭＯＳトランジスタを用いて、高電圧ストレスに耐える電圧スイッチ回路を提供する。
【解決手段】該電圧スイッチ回路は、出力回路２１０、第１の電圧降下制御回路２２０、第２の電圧降下制御回路２３０、第３の電圧降下制御回路２４０、および入力回路２５０を備えている。また、高電圧源ＨＶの電圧振幅は、基準電圧源Ｖｒｅｆの電圧振幅よりも高く、基準電圧源Ｖｒｅｆの電圧振幅は、論理電圧源ＶＤＤの電圧振幅よりも高い。 （もっと読む）

【課題】所定の動作の期間においてクロックを停止させ、消費電力を低減する半導体装置を提供すること。
【解決手段】発振器１１からの第１クロックＣＬＫ_oriをＮ分周した第２クロックＣＬＫ_divを出力する分周回路１２０−１と、前記第１クロックと前記分周回路からの前記第２クロックとを選択し、選択したクロックを出力する選択回路１２０−２と、前記第１クロックまたは前記第２クロックをカウントするタイマ回路１２０−３と、前記タイマ回路のカウント結果をデコードし、第１結果を出力するデコーダ１２０−４と、前記デコーダからの前記第１結果に基づき、前記選択回路が前記第２クロックを選択するよう第１選択信号を出力するステートマシン１２０−９と、前記第１選択信号に基づき、前記ステートマシンの動作を停止する停止信号を出力する論理回路１２０−６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】アナログデータ出力にクロック信号が混入しないアナログマルチプレクサを提供する。
【解決手段】アナログマルチプレクサは、２つのアナログデータ信号Ｄ１，Ｄ２の非反転信号を入力とし、クロック信号ＣＬＫに応じて２つのアナログデータ信号Ｄ１，Ｄ２のうち何れか一方を選択的に出力する第１のセレクタ４と、２つのアナログデータ信号Ｄ１，Ｄ２の反転信号を入力とし、クロック信号ＣＬＫに応じて２つのアナログデータ信号Ｄ１，Ｄ２のうち何れか一方を選択的に出力する第２のセレクタ５と、第１のセレクタ４の出力信号と第２のセレクタ５の出力信号との差信号を出力する減算回路６とを備える。 （もっと読む）

【課題】設定に用いる端子数を減らすことができ、且つ回路規模の小型化を図りうるモード選択回路を提供する。
【解決手段】モード選択回路１には、通電経路５の電流状態に応じた定電流を複数の電流比較経路７に流す定電流生成回路９が設けられている。更に、複数の電流比較経路７に対してそれぞれ比較電流を流す定電流源４０が設けられ、定電流源４０によって複数の電流比較経路７に流される比較電流が互いに異なる電流値となるように構成されている。更に、電流比較部２０は、それら複数の各比較電流と前記定電流とを比較したときの比較結果をモード判定部３０に出力しており、モード判定部３０はこのような比較結果を得ることで通電経路５の状態に応じたモードに設定している。 （もっと読む）

【課題】過電圧保護回路を提供することを課題とする。
【解決手段】過電圧保護回路であって、電圧源とポータブル電子デバイスの間に提供された入力電圧が該ポータブル電子デバイスの許容定格耐電圧を超えないように設計する過電圧保護（ｏｖｅｒｖｏｌｔａｇｅ ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ）を提供する。該回路は入力ユニットを通じて該電圧源から発生した入力電圧を受け、該入力電圧が分圧モジュールを通じて分圧電圧を生成することで、電圧安定モジュールが第１のスイッチングユニットを短絡状態、或いは、開路状態に入ることができる第１の制御信号を生成させ、また間接的に第２のスイッチングユニットを該第１のスイッチングユニットと逆の短絡状態、或いは、開路状態に入るよう制御し、該入力電圧が該定格電圧を上回った時、該第２のスイッチングユニットを通じて該入力電圧を該ポータブル電子デバイスに供給停止することで、温度の影響を受けることなく過電圧保護を実現できる。 （もっと読む）

【課題】ＰＶＴ変動に応じて動作駆動力を変更することが可能な、プリエンファシス動作をサポートするデータ出力回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】インピーダンスコードＰＣＯＤＥ＜０：２＞，ＮＣＯＤＥ＜０：２＞の変動に応じて値が調節されるプリエンファシスコードＥＭ＿ＰＣＯＤＥ＜０：１＞，ＥＭ＿ＮＣＯＤＥ＜０：１＞を生成するコード生成部３６０と、出力データＰ＿ＤＡＴＡ，Ｎ＿ＤＡＴＡを受信してデータ出力パッドＤＱに駆動し、インピーダンスコードに応じて駆動力が調節されるメイン駆動部３１１〜３１３，３２１〜３２３と、出力データを受信してデータ出力パッドに駆動し、プリエンファシスコードに応じて駆動力が調節される補助駆動部３１４〜３１５，３２４〜３２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】グランド端子からグランド電位の供給を受けることなく、スイッチ素子をオン状態に維持することを可能とするスイッチ素子駆動回路を提供する。
【解決手段】本発明によるスイッチ素子駆動回路（１００）は、電源と負荷との間に接続されたスイッチ素子を駆動するためのスイッチ素子駆動回路であって、前記電源と前記負荷との間に設けられた電圧降下素子（１０）と、前記電圧降下素子の端子間に発生する電圧を動作電源として該電圧を昇圧し、該昇圧により得られた電圧から前記スイッチ素子を制御するための制御信号を生成する信号生成部（２０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】駆動回路の供給電圧スイッチの性能を検査する方法及び装置を提供する。
【解決手段】ポジショナシステム１は、アクチュエータ２と、アクチュエータ２を駆動する駆動回路３と、駆動回路３に電気的エネルギーが供給されるように駆動回路３に直列に接続された供給電圧スイッチ４と、供給電圧スイッチ４が閉じるよう駆動される場合に、アクチュエータ２の駆動のために十分な電圧が駆動回路３内で検出されるかによって、供給電圧スイッチ４の性能を確認するための制御ユニット５を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチング装置を制御する制御装置の動作用電力を負荷の形態にかかわらず安定に確保し、もって、負荷を安定に制御することが可能な電子式スイッチを提供する。
【解決手段】負荷８がＬＥＤ電球のように負荷電流が小さく、第２の制御用電源装置１５では制御装置９に十分な動作用電力を供給できない場合には、切換え装置１６を操作して制御用電源装置１０から制御装置９に給電可能にする。本体１の制御電力入力端子１３、１４に、外部の交流電源１７からの給電線を接続する。 （もっと読む）

【課題】ソレノイドに流れる電流を検出するタイミングと、ＰＷＭ信号を出力するタイミングとのずれを抑制可能なソレノイドの通電制御装置を提供する。
【解決手段】ソレノイドの通電制御装置１００は、ソレノイド５０に流れる電流の電流値の取得用の電流取得用タイマ１０と、当該電流取得用タイマ１０の計数結果に基づいて、ソレノイド５０の通電を制御するスイッチング素子５１を駆動するＰＷＭ信号の１周期内において予め設定された回数だけ電流値を取得する電流値取得部１１と、ＰＷＭ信号の出力用のＰＷＭ制御用タイマ２０と、１周期内に取得された電流値に基づき、次の１周期にスイッチング素子５１に通電する通電時間を設定し、当該設定した通電時間に応じたＰＷＭ信号を出力するＰＷＭ制御部２１と、ＰＷＭ制御用タイマ２０の計時結果に基づき、電流取得用タイマ１０の計時値を更新する計時値更新部４１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路において、ノーマリオン型トランジスタを利用したスイッチング素子への貫通電流を抑制する。
【解決手段】本発明による電力変換回路は、相互に直列接続されハーフブリッジ回路を構成するハイサイドトランジスタ１１及びローサイドトランジスタ１２と、ハイサイドトランジスタ１１及びローサイドトランジスタ１２のゲートを相補に駆動する２つの駆動回路２１、２２とを具備する。ハイサイドトランジスタ１１はノーマリオフ型トランジスタであり、ローサイドトランジスタ１２は、ノーマリオン型トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】外部から印加された電圧のノイズを減少させて電圧を安定化させる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】本発明は、電圧ノイズを減少させて電圧を安定化させる半導体集積回路において、第１電流が流れる第１内部回路と、第２電流が流れる第２内部回路と、前記第１電流のうちの一部と前記第２電流のうちの一部は第１接地パッドに流れ、残りの前記第１電流と残りの前記第２電流は第２接地パッドに流れるように構成された電圧安定化部とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】消費電力が小さく抑えられ、出力される電位の振幅が小さくなるのを防ぐことができる、単極性のトランジスタを用いた半導体装置。
【解決手段】第１電位を有する第１配線、第２電位を有する第２配線、及び第３電位を有する第３配線と、極性が同じである第１トランジスタ及び第２トランジスタと、第１トランジスタ及び第２トランジスタのゲートに第１電位を与えるか、第１トランジスタ及び第２トランジスタのゲートに第３電位を与えるかを選択し、なおかつ、第１トランジスタ及び第２トランジスタのドレイン端子に、１電位を与えるか否かを選択する複数の第３トランジスタと、を有し、第１トランジスタのソース端子は、第２配線に接続され、第２トランジスタのソース端子は、第３配線に接続されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を改善した半導体スイッチ及び無線機器を提供する。
【解決手段】電源回路と、駆動回路と、スイッチ部と、第１の電位制御回路と、を備えた半導体スイッチが供給される。前記電源回路は、負の第１の電位を生成する第１の電位生成回路と、電源電位を降圧した正の第２の電位を生成する第２の電位生成回路と、を有する。前記駆動回路は、前記第１の電位と第３の電位とが供給され、端子切替信号に基づいて前記第１の電位及び前記第３の電位の少なくとも一方を出力する。前記スイッチ部は、前記駆動回路の出力に応じて複数の高周波端子のいずれか１つに共通端子を接続する。前記第１の電位制御回路は、第１のトランジスタを有する分割回路と、第２のトランジスタを有する増幅回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】スタンバイ状態時にＳＲＡＭにデータを保持できる電圧が与えられている場合に、パワーオンリセットがかからないようにすることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】ＣＰＵ５は、スタンバイ状態に遷移することを通知する。電源制御回路１１は、スタンバイ状態時に、ＳＲＡＭ４における電力消費を低減させる。ＰＯＲ回路２は、外部電源電圧の値と、現在の状態がスタンバイ状態であるかに応じて、パワーオンリセット信号の活性化を制御する。 （もっと読む）

【課題】電力制御回路、それを含む半導体装置及び該電力制御回路の動作方法を提供する。
【解決手段】本発明の電力制御回路は、電源電圧とロジック回路との間に連結されてロジック回路への電源供給をスイッチングする回路であって、外部から並列的にモード転換信号を受信する複数の第１パワーゲーティングセルと、第１パワーゲーティングセルのうちの何れか１つと連結される少なくとも１つの第２パワーゲーティングセルと、第２パワーゲーティングセルと直列連結される複数の第３パワーゲーティングセルと、直列連結された複数の第３パワーゲーティングセルのうち、先端の第３パワーゲーティングセルと並列連結される複数の第４パワーゲーティングセルとを含み、モード転換信号は、第１パワーゲーティングセルのうちの何れか１つ、第２及び第３パワーゲーティングセルを経て第４パワーゲーティングセルに伝達され、第１ないし第４パワーゲーティングセルのそれぞれは、各自のセルに入力されるモード転換信号に応答して電源供給をスイッチングする。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト基準電位が下がった場合にスイッチング素子を安全且つ確実に停止できるレベルシフト回路。
【解決手段】レベルシフト電源に接続された抵抗R1にドレインが接続されソースがグランドに接続されたＭＯＳＦＥＴMN3、R1と同じ抵抗値を有しレベルシフト電源に接続された抵抗R2にドレインが接続されソースがグランドに接続されたＭＯＳＦＥＴMN4、入力信号に基づきMN3,MN4のオン／オフを制御するパルス生成回路10、MN3がオンである場合にセット信号を生成しMN4がオンである場合にリセット信号を生成する制御部MN1,MN2,R5,R6、制御部で生成されたセット信号とリセット信号とに基づき入力信号をレベルシフトした出力信号を出力しスイッチング素子Q1を動作させるフリップフロップFF1、レベルシフト基準電位が負電位に下がったことを検出してスイッチング素子を停止させるスイッチング動作停止部INV3,FF2,AD1を備える。 （もっと読む）