【課題】モジュールの小型化のため、ＳＭＤ部品と半導体チップの部品間隔を狭くし、両部品を効率よく混載実装することができる小面積の実装構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】回路基板１０１の第一の電極部１０３に、ＳＭＤ部品１１３の電極部１１４と接続させるための電極接合材１０５を形成する工程と、ＩＣチップ１０７が搭載される領域に絶縁性樹脂１１０を供給する工程と、ＩＣチップ１０７を絶縁性樹脂１１０が供給された領域に搭載すると共に、絶縁性樹脂１１０を外周囲に選択的に流し広げる工程と、ＳＭＤ部品１１３を電極接合材１０５上に搭載する工程と、電極接合材１０５と絶縁性樹脂１１０とを一括して加熱する工程とを有する製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 アンダーフィル材を用いずに、半導体装置の接合部の耐圧迫性や長期信頼性を改善することができる実装構造を提供することを課題とする。
【解決手段】 電子部品４の電極４ｃを接続端子８を介して配線基板２の電極パッド２ａに接合する。配線基板２を貫通して延在する貫通開口２ｂが、配線基板２の電子部品４が実装される領域の周囲に設けられる。クランプ部材１０は貫通開口２ｂを貫通して延在する。クランプ部材１０は、貫通開口２ｂを貫通して延在する中間部１０ｃと、中間部１０ｃの両端において屈曲された先端部１０ａ，１０ｂとを有する。先端部１０ａ，１０ｂの間で電子部品４と配線基板２とを挟み込む。 （もっと読む）

【課題】製造工程の簡略化を図ると共に、優れた高周波特性を示すインターポーザを提供する。
【解決手段】基板１１に貫通電極１２を設け、基板１１上に誘電体層１４Ａを形成したのち誘電体層１４Ａ上に配線１６Ａ，１６Ｂおよびアンテナ１７を形成する。次に、基板１１の下面および誘電体層１４Ａ上にそれぞれ誘電体層１４，１４Ｃを積層したのち、基板１１に凹部１９Ａを設けることにより、インターポーザ１０Ａが完成する。基板１１の上面側に半導体チップ２０を接合したのち、基板１１の下面側をプリント基板３０に実装する。基板１１上に半導体チップ２０とプリント基板３０とを接続するための配線１６Ａ，１６Ｂを設けたことにより製造工程が簡略化される。 （もっと読む）

【課題】搭載されるチップキャパシタ等の電子部品と基板表面との隙間に封止樹脂が完全に充填されるようにし、絶縁信頼性の向上に寄与すること。
【解決手段】複数の配線層が絶縁層を介在させて積層され、各絶縁層に形成されたビアを介して層間接続された構造を有する配線基板１０において、チップ搭載面側の最外層の絶縁層１３に、複数の電子部品搭載用のパッド１２が絶縁層１３の表面に露出するよう形成され、絶縁層１３の、電子部品３１の搭載領域に対応する部分に、凹部ＤＰが形成されている。凹部ＤＰは、絶縁層１３において、搭載される電子部品３１の各電極端子３２がそれぞれ接続される各パッド１２間に挟まれた領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】低周波発振と高周波発振とを共に抑制することができる高周波回路を提供する。
【解決手段】高周波回路は、複数のトランジスタ１２、複数の入出力整合回路１４−１，１４−２、複数の抵抗体１８、低周波発振抑制回路１７を含む。複数のトランジスタは、半導体基板１１上に並列に配列形成される。複数の入出力整合回路は、それぞれ第１の絶縁基板１３−１上、第２の絶縁基板１３−２上に、複数のトランジスタにそれぞれ接続されて設けられている。低周波発振抑制回路は、所望の周波数帯域を透過帯域として有し、並列に配列形成された複数のトランジスタのうち、両側のトランジスタのゲート端子に接続される。複数の抵抗体は、複数の入出力整合回路間のうち、トランジスタに最も近い位置に形成されるとともに、透過帯域の最も低い周波数の発振に対して低周波発振抑制回路を作用させることが可能な長さで、複数の入出力整合回路間に形成される。 （もっと読む）

【課題】小型化を実現しつつ、耐衝撃性に優れた圧電振動子、及び圧電デバイスを提供する。
【解決手段】パッケージ１２の内部において収容された圧電振動片２６を有する圧電デバイスであって、前記圧電振動片２６を前記パッケージ１２の前記内部において支持する複数の支持部材３８を備え、前記複数の支持部材３８は、前記圧電振動片２６を挟む位置に配置され、前記圧電振動片２６が、前記複数の支持部材３８を介して前記パッケージ１２の互いに対向する内面により挟持されて、支持されてなる。 （もっと読む）

【課題】配線回路の高密度化を図る。
【解決手段】複数の接続端子１０１ａ，１０２ａが露出する半導体装置１の表面に絶縁層１０３を形成し、絶縁層の表面に樹脂被膜１０４を形成し、樹脂被膜の表面側から樹脂被膜の厚みと同じ又は厚みを超える深さの溝１０５を接続対象の接続端子の近傍を通過するように形成すると共に、その近傍通過部分から接続対象の接続端子に到達する連通孔１０６，１０７を形成し、溝及び連通孔の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させ、樹脂被膜を溶解又は膨潤させることにより除去し、無電解メッキを行うことによりメッキ触媒又はメッキ触媒前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部分のみにメッキ膜を形成することにより、絶縁層の表面に位置する本体部と、この本体部から分岐して絶縁層の内部に延び、接続対象の接続端子に到達する分岐部とを有する配線１０８を設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造コストが安価で、封止樹脂層の信頼性が向上する、封止樹脂層から導電性ポストの一部が露出した電子部品モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明に係る電子部品モジュール１の製造方法は、回路基板１１の一方の面に電子部品１２、１３を実装し、回路基板１１の一方の面、及び／又は回路基板１１の一方の面に実装した電子部品１２、１３の上に、少なくとも１つの導電性ポスト１４を形成し、回路基板１１の一方の面に、電子部品１２、１３及び導電性ポスト１４を覆う半硬化状態の封止樹脂層１５を形成する。封止樹脂層１５の天面に弾性部材１６を載置し、弾性部材１６を介して封止樹脂層１５を押圧して導電性ポスト１４の一部を弾性部材１６に埋め込み、封止樹脂層１５から弾性部材１６を剥離し、封止樹脂層１５に熱を加えて硬化する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の表面に対して平坦化する工程を行わなくても、コイルの延設方向が構成部材の積層方向に対して傾くことを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】平坦な一面を有する支持基板８０を二枚用意する工程と、支持基板８０それぞれの平坦な一面上に構成部材３０〜６０を形成する工程と、二枚の支持基板８０に配置された構成部材３０〜６０を対向させて配置した後加圧しながら貼り合わせ、当該構成部材３０〜６０に備えられている支持基板８０それぞれの平坦な一面を平行としつつ、構成部材３０〜６０それぞれの配線部３２〜６２を接続部３２ａ、３２ｂ〜６２ａ、６２ｂを介して連結する工程を含む工程を行うことにより、配線部３２〜６２および接続部３２ａ、３２ｂ〜６２ａ、６２ｂで構成されるコイル２０を内部に含み、積層方向の両端部分に支持基板８０を備えたコイル層２１を形成する工程と、を行う。 （もっと読む）

【課題】対湿性に優れ、信頼性が高く、製造コストの低い高周波モジュール及びその製造方法を得ること。
【解決手段】電子部品７と、電子部品７が実装された多層セラミック基板１と、電子部品７を覆うように多層セラミック基板１上に低融点はんだ６で接合されたキャップ９と、多層セラミック基板１の電子部品７の実装面とは反対側の面に高融点はんだ４で接合された複数のバンプ５とを備えた高周波パッケージ２０と、バンプ５に対応する基板側パッド１１を備えた制御回路基板１０と、低融点はんだ６の融点よりも低温で硬化する導電性接着剤１４によって形成され、バンプ５の各々と基板側パッド１１の各々とを接着するとともに電気的に接続する接着導通部とを有する。 （もっと読む）