【課題】 絶縁層が光の反射層となることができ、個片のセラミック基板への分割も容易な多数個取りセラミック基板および個片のセラミック基板を提供することにある。
【解決手段】 複数の基板領域２を有する母基板１と、母基板１の上面に、基板領域２の境界に沿って設けられた分割溝３とを備えており、母基板１が、第１のセラミック焼結体からなる絶縁層１ａと、第１のセラミック焼結体よりも結晶化温度が低い第２のセラミック焼結体からなる拘束層１ｂとが交互に、最上層が絶縁層１ａとなるように積層されて形成されているとともに、母基板１の上面に分割溝３に沿って、第２のセラミック焼結体からなる帯状拘束層４が付着している多数個取りセラミック基板９である。帯状拘束層４により、分割溝３が形成された部分における絶縁層１ａの収縮を抑制して分割溝３の変形を抑制できる。そのため、分割が容易な多数個取りセラミック基板９を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 厚みを薄くできるとともに部品集積度の向上も図ることができる基板内蔵用電子部品および部品内蔵型基板を提供する。
【解決手段】 基板内蔵用電子部品（１００）は、一対の磁性体層（１０１、１０２）と、前記一対の磁性体層（１０１、１０２）の間に挟み込まれた複数の層からなる絶縁体層（１０３〜１０５）と、前記絶縁体層の少なくとも一の層内に形成された平面型コイル（１１０、１１１）と、前記平面型コイル（１１０、１１１）の周囲を一巡して同層内に形成されたシールドパターン（１２１、１２２）とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施例によると、ベース基板と、ベース基板の上部に形成された内層絶縁層と、内層絶縁層の上部に形成された内層回路層と、内層回路層の上部に形成された内層回路保護層と、内層回路層の上部に形成された外層絶縁層と、外層絶縁層の上部に形成された外層回路層と、を含むプリント回路基板が提供される。 （もっと読む）

【課題】リードピンへの応力の集中を抑制すると共に、張り合わせ時のボイドの発生を抑制することができる半導体装置用多層配線基板を提供することにある。
【解決手段】導体層１０４〜１０９と誘電体層１１１〜１１７とが交互に積層され、最上面と最下面が導体層１０１，１０２ａ，１０２ｂ、１０９で構成されると共に、最上面の導体層１０１，１０２ａ，１０２ｂが、半導体装置が備えるリードピン１１，１２ａ，１２ｂを当接接合可能な接合領域１２１で構成された半導体装置用多層配線基板１００であって、前記接合領域１２１の下部に位置する導体層１０４〜１０８は２次元アレイ状に整列配置された複数個の孤立パタンで構成されるようにした。 （もっと読む）

【課題】セラミックからなる基板本体の表面および裏面に個別に形成された導体層同士間の位置ずれが少ないセラミック基板、および該基板を確実に製造できる方法を提供する。
【解決手段】複数のセラミック層を積層し、主面３に形成された第１導体層５と、主面４に形成され且つ第１導体層５よりも平面視の直径ｄ２が小さい第２導体層６と、第１・第２導体層５，６に接続された導体柱７，８と、耳部(周辺部)９に形成された複数の位置決め部１０ａと、を備え、該位置決め部１０ａは、セラミック層ｓ１ａ〜ｓ２を個別に貫通し、断面積が異なる第１貫通孔ｈ１ａと第２貫通孔ｈ２ａが軸方向に沿って連なって形成された連通孔であり、セラミック層ｓ２を貫通する第２貫通孔ｈ２ａの断面積は、第１貫通孔ｈ１ａの断面積よりも小さく、主面３側から第２貫通孔ｈ２ａの内周面１１の周縁１１ａの少なくとも一部が平面視で視覚可能とされている、セラミック基板。 （もっと読む）

【課題】透光性配線基板において、熱サイクル印加後に配線パターンの透光性アルミナ基板への接着を維持し、かつ配線基板の透光性が得られるようにする。
【解決手段】透光性配線基板８は、透光性アルミナ基板１と、透光性アルミナ基板１上に形成されている配線パターン２とを備える。透光性アルミナ基板１を構成する透光性アルミナにおけるＳｉＯ_２の含有量が１５０〜３００質量ｐｐｍであり、ＭｇＯの含有量が１００〜２５０質量ｐｐｍであり、ＳｉＯ_２の含有量がＭｇＯの含有量より多く、ＳｉＯ_２およびＭｇＯを除くアルミナ純度が９９．９質量％以上であり、結晶粒子径が２０μｍ以上である。透光性アルミナ基板１の配線パターン２以外の部分の前方全透過率が５０％以上である。 （もっと読む）

【課題】 層間接続信頼性が高い多層プリント基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 スルーホールと、両面に形成された導体パターンと、前記スルーホールに前記導体パターンと一体に導体が充填形成された充填スルーホールとをそれぞれ有する樹脂フィルムが複数枚重ね合わされており、前記導体パターンと前記充填スルーホールとを一体形成する前記導体は、Ｎｉ−Ｐ合金でめっきを施して２３０℃〜２５０℃で３０秒〜３０分加熱することにより形成された下地金属層と該下地金属層上に形成された導体層とを有し、前記樹脂フィルムは、ガラス転移点および融点が１５０℃以上３５０℃以下である熱可塑性樹脂であり、複数の前記樹脂フィルムのうちの隣接する２つの樹脂フィルム間に、対向する２つの前記導体パターンと金属間結合した導電体が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 高い信頼性を有する半導体実装部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第２基板３００が、上方へ突き出る第２接続導体３３２Ｐを備える。第１基板５００が、上方へ突き出る第１接続導体８７２Ｐを備える。例えば半導体実装部材を外部基板に実装する際に生じる応力を、第１接続導体３３２Ｐで第１基板側へ逃がすと共に、第２接続導体８７２Ｐで第２基板側へ逃がし、靱性が高く脆い半導体素子９０へ加わる応力を緩和することができる。 （もっと読む）

【課題】両方の面上に実装された外付け実装部品のそれぞれとの関係として電気的特性を向上するような部品内蔵を実現すること。
【解決手段】内蔵部品を接続するための第１の接続領域を備えた第１の配線層と、第１の配線層の第１の接続領域に接続された第１の部品と、第１の部品を埋め込むように、第１の配線層上に積層して位置する板状絶縁層と、板状絶縁層が第１の部品を埋め込むため要している該板状絶縁層の空間領域を避けるように、該板状絶縁層の厚み内に内層配線層として設けられた、内蔵部品を接続するための第２の接続領域を備えた第２の配線層と、第２の配線層から見た方向が、第１の配線層から見た第１の部品の方向とは反対になるように、板状絶縁層に埋め込まれて、該第２の配線層の第２の接続領域に接続された第２の部品とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 寸法安定性に優れる硬化物が得られ、低温溶融性にも優れる絶縁層が得られ、しかも、溶剤に対する溶解安定性にも優れる熱硬化型樹脂組成物と、該絶縁層を得るための層間接着フィルムを提供すること。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される構造と、５員環イミド骨格に直結するジメチルビフェニル骨格を有し、該ジメチルビフェニル骨格の含有率が２０〜４０質量％であるポリイミド樹脂（Ａ）と、エポキシ樹脂（Ｂ）とを含有する熱硬化性樹脂組成物。
【化１】


（式中、Ｘは１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有し、重量平均分子量が５００〜１０，０００である樹脂から２個のフェノール性水酸基を除いた残基を示す。） （もっと読む）