【課題】 素子特性の劣化を抑制可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダー型光変調素子１Ａは、光導波路１０，２０、入射側分波器３０及び出射側合波器４０を備える。光導波路１０、光導波路２０、入射側分波器３０及び出射側合波器４０の各々は、ｎ型半導体基板２上に順に積層された下部クラッド層、コア層、中間半導体層及び上部クラッド層を有する。光導波路１０の光導波領域１１，１３、光導波路２０の光導波領域２１，２３、入射側分波器３０及び出射側合波器４０の各上部クラッド層は、半絶縁半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は，複数の信号の強度を小さくせずに，効果的に多値の光信号を得るための装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の偏波合成回路は，第１の光位相変調器１１と，第１の偏波面調整部１２と，第２の光位相変調器１３と，第２の偏波面調整部１４と，合波部１５と，調整部１６と，分離部１７とを有する。そして，第１の偏波面調整部１２及び第２の偏波面調整部１４は，第１の位相変調信号及び第２の位相変調信号の一方がＴＥ波で残りがＴＭ波となるように偏波面を調整する。 （もっと読む）

【課題】入射光を２つの偏波に分離して光回路に入射する光回路装置において、ＰＤＬ及び挿入損失を低減する。
【解決手段】光回路と、入射波から２つの偏波への分離、及び２つの偏波から出射波への合成を行う偏波分離合成器と、前記光回路及び前記偏波分離合成器の間を接続し、前記分離された２つの偏波が個々に入射される第１及び第２の光導波路と、
前記第１の光導波路に配置され、前記偏波分離合成器により分離された一方の偏波の偏波面を、前記分離されたもう一方の偏波の偏波面となるよう回転する偏波回転素子と、を平面基板上に集積したことを特徴とする光回路装置。 （もっと読む）

【課題】光変調装置の周波数応答特性が平坦ではないことに起因する光出力波形の劣化を抑制すること。
【解決手段】光変調装置に、光素子と、前記光素子を変調するための変調電気信号が入力される入力信号端子と、前記変調電気信号を増幅して光素子に供給する駆動回路と、前記入力信号端子と前記駆動回路の入力との間に接続された補償回路とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 光強度がオン・オフ変調された光強度変調信号光の強度揺らぎを低減する。
【解決手段】 本発明は、入力信号光の一部を分岐する光分岐手段と、分岐された信号光Ａの光強度を検出する光検出手段と、光分岐手段から信号光Ｂの光強度を変調する、透過特性が印加電圧に対して正弦波状である光強度変調手段と、光検出手段の検出信号に基づいて、光強度変調手段を駆動する駆動手段と、駆動手段による光強度変調手段への信号印加時刻と光強度変調手段への光信号入力時刻とのタイミングを、光検出手段で検出した光強度を元にして、該光強度変調手段に対して、光強度変化を打ち消すように調整する遅延調整手段と、を有し、光強度変調手段のバイアスは、入力信号のオンレベルでの動作点が透過特性の傾きが−１である点に設定され、光検出手段と光強度変調手段と駆動手段は、光強度変調信号のシンボルレートと同等またはそれ以上の帯域であることとする。 （もっと読む）

【課題】電気的終端中のコンデンサが壊れた場合でもバイアス電源を保護でき、またバイアス電源で使用されているオペアンプの発振を抑圧できる光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光を導波するための光導波路２と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体３ａ及び接地導体３ｂ、３ｃからなる電極とからなる光変調器５０と、前記光変調器の前記電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端２４と、前記光変調器と前記電気的終端とを内部に配置する筐体７と、を有する光変調器モジュールにおいて、前記電気的終端は終端抵抗２５とコンデンサ１４とを含んでおり、前記終端抵抗の所定の位置にして当該位置で前記終端抵抗が実質的に分割された状態でバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来技術による光パルスシンセサイザが離散的な透過スペクトルを有する、ある周波数間隔のモードを独立に制御することは可能であるものの、連続したスペクトルを制御することはできないという問題点を解決する導波路型分散補償回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の導波路型分散補償回路は、第１のアレイ導波路回折格子と、第２のアレイ導波路回折格子と、上記２つのアレイ導波路回折格子を結合する位相制御導波路アレイとを備える導波路型分散補償回路において、上記位相制御導波路アレイの導波路本数が、第１及び第２のアレイ導波路回折格子のアレイの導波路本数の２倍以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電極間の光導波路が電気分離され、かつ、単純な構成で電極容量を低減可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に下部クラッド層１０２、活性層１０３、上部クラッド層１０５が前記順序で積層され、上部クラッド層１０５の一部が除去されて形成されたリッジ導波路１０７の上部クラッド層１０５上に、その方向に沿って断続的に上部電極１０９ａ、１０９ｂが配置され、上部クラッド層１０５より電気抵抗率の高い半導体の高抵抗層１０８は、上部クラッド層１０５における前記両上部電極間の領域１１３を覆うように形成され、かつリッジ導波路１０７側方に延び、高抵抗層１０８上に配置された引き出し電極１１１により上部電極１０９ａに電気的に接続されるパッド電極１１０は、高抵抗層１０８上のリッジ導波路１０７から離れた位置に配置されていることを特徴とする半導体光素子１００。 （もっと読む）

【課題】マッハツェンダ部間のクロストークを抑制すること。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１０と、前記基板に設けられたメイン導波路１４と、前記基板に設けられ前記メイン導波路に結合された複数の第１導波路と、少なくとも前記第１導波路間と前記第１導波路上とに設けられ前記第１導波路内にＤＣ電界を発生させる第１ＤＣ電極２４と、を備える第１マッハツェンダ部５０と、前記第１導波路それぞれに対応し、前記基板に設けられ前記第１導波路のそれぞれに複数結合された第２導波路１６と、前記第２導波路内にＤＣ電界を発生させる第２ＤＣ電極２６と、を備える複数の第２マッハツェンダ部５２と、を具備し、前記複数の第２マッハツェンダ部のうち少なくとも１つは、前記第２ＤＣ電極が前記第２導波路間に設けられておらず少なくとも前記第２導波路上に設けられている光デバイス。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣ導波路およびＬＮ導波路を備える光変調器において、ＬＮ導波路の高周波電気配線のためのＲＦコネクタをパッケージの自由な位置に配置可能とするとともに、高周波電気配線のクロストークを抑制すること。
【解決手段】光変調器１００は、ＰＬＣ−ＬＮ導波路１１０と、ＰＬＣ−ＬＮ導波路１１０を囲むパッケージ１２０と、パッケージ１２０に設けられた高周波（ＲＦ）コネクタ１２１と、ＲＦコネクタ１２１とＰＬＣ−ＬＮ導波路１１０を構成するＬＮ導波路１１１の高周波電極１１１Ａとの間の高周波電気配線１３０とを備える。光変調器１００では、高周波電気配線１３０としてフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）を用いる。ＦＰＣは、例えばポリイミドや液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の基板上に銅配線が形成されたものだが、これらの材料は比誘電率がセラミックよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】波長を時間的に変化させたレーザ光を用い、スペックルを除去できるスペックル除去光源を得る。
【解決手段】縦モードがシングルモードであるレーザ光を出力する光源と、レーザ光の波長を変化させる光周波数変調手段と、長手方向に長尺で屈曲されている多モード光ファイバと、レーザ光を光ファイバへ導く少なくとも１つ以上の集光レンズとを備え、集光レンズは、レーザ光の集光サイズを光ファイバのコア径とほぼ同等に変換し、かつレーザ光の開口数を光ファイバを伝送可能な開口数とほぼ同等に変換し、光ファイバは、光のモードが少なくとも２つ以上であり、光ファイバ内での反射回数で増幅された伝搬時間の異なる基本モードの光から最高次モードまでの光が、出射端面において空間分布で重ね合わせられ、かつ光ファイバの少なくとも光を出力する端面を含む一部、横断面のコア外径形状が略多角形である。 （もっと読む）

【課題】 広い周波数帯域を持ち、かつ超電導デバイスが置かれる低温域への熱流入を抑制できる、超電導デバイスからの光出力方法を提供する。
【解決手段】 第一、第二の低温度領域１１、１２を近接して設け、第一の低温度領域に、超電導デバイス１４及び該超電導デバイスの出力を増幅する超電導ドライバ１５を配置して、該第一の低温度領域を、超電導デバイスが機能する温度域に冷却する。一方、第二の低温度領域には、超電導ドライバと電気的に接続した半導体アンプ１６及び入力電圧に応じて位相が回転する光変調器１７を配置し、該第二の低温度領域を、半導体アンプが機能する温度域に冷却する。これにより、超電導デバイスの微小信号を光信号２０として出力する。 （もっと読む）

【課題】電圧を印加することにより屈折率が可変な半導体コア領域と屈折率が可変ではないコア領域との接続部において、屈折率が可変な半導体コア領域から屈折率が可変ではないコア領域を経由した不要なリーク電流を低減することが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光学素子ＷＧ１のコア１は、第１導電型の第１半導体コア領域３２と、第１半導体コア領域３２とギャップ部４０を挟んで対向配置された第２導電型の第２半導体コア領域３３と、第１半導体コア領域３２と光の導波方向において隣接する第２導電型又は無極性の第３半導体コア領域２２と、第２半導体コア領域３３と光の導波方向において隣接し、第３半導体コア領域２２とギャップ部４０を挟んで対向配置された第１導電型又は無極性の第４半導体コア領域２３と、を部分領域として含み、第１半導体コア領域３２と第２半導体コア領域３３とに電極が接続されている。 （もっと読む）

【課題】コアを光の導波方向に分割してそれぞれ独立に屈折率を調整しようとした場合に、分割されたコア間に発生する光の導波方向のリーク電流を低減することが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】半導体のコア１をブロッキング領域１３，１４，１７，１８によって複数の領域に分離する。光の導波方向において対向配置された導電性コア１１，１２をそれぞれＰ型、Ｎ型とし、それとブロッキング領域を挟んで対向する導電性コア１５，１６をそれぞれＰ型、Ｎ型とする。導電性コア１１と導電性コア１５との間に配置するブロッキング領域１３をＮ型とし、導電性コア１２と導電性コア１６との間に配置するブロッキング領域１４をＰ型とする。 （もっと読む）

【課題】光導波路素子の変調電極が有するインピーダンスと、光導波路素子の外部から変調信号を入力する伝送線路のインピーダンスとが異なる場合でも、変調信号の反射を抑制し、かつ、変調信号の減衰を抑制すると共に、光導波路素子の変調電極に変調信号を入力する線路上に、コンデンサを含むフィルタ回路を配置した場合でも、数十ＧＨｚの広帯域に渡り光応答周波数特性を平坦化可能な光導波路素子モジュールを提供する。
【解決手段】中継基板７上に形成され、外部信号線が接続されるコネクタ８と変調電極３とを接続する中継線路について、中継線路は信号電極を接地電極で挟むコプレーナ型線路であり、中継線路のインピーダンスが段階的又は連続的に変化し、光導波路素子モジュール内での変調信号の反射を抑制するよう構成される。また、中継線路の途中にはコンデンサを含むフィルタ回路が配置されている。 （もっと読む）

【課題】表示画像の画質の劣化を抑制しながら、スペックルノイズの低減率を向上させることができないという問題を解決する投射型画像表示装置を提供する。
【解決手段】光源１１は、映像信号に応じて変調された光ビームを出射する。投射部１２は、光源１１から出射された光ビームを投射する。光路長調整部１３は、光ビームの光路長を調整する。制御部１４は、光源１１から出射された光ビームから波面形状がそれぞれ異なる複数の調整ビームが生成され、かつ、各調整ビームが映像信号に応じた表示画像の各画素位置に対して時分割されて投射されるように、映像信号に基づいて、光路長調整部１３を制御して、光源１１から出射された光ビームの光路長を変更する。 （もっと読む）

【課題】画素を構成する光変調素子が、単独でも階調表示を行うことが可能な空間光変調器を提供する。
【解決手段】磁気光学効果により光の変調を制御する磁気光学型の空間光変調器１０であって、空間光変調器１０を構成する画素２０が、光変調素子１３を備え、光変調素子１３は、画素２０のサイズよりも小さく、かつ、光変調素子１３の上面および下面が、それぞれ直径１００ｎｍの円の面積以上の面積を有し、光変調素子１３は、光変調素子１３に流れる電流の大きさにより、磁区の状態を単磁区状態または多磁区状態として、当該単磁区状態および多磁区状態を光の階調に割り当てることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の別の目的は、調心精度向上が可能な光信号処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明による光信号処理装置は、信号光入力導波路および調心光入力導波路と、信号光入力導波路および調心光入力導波路に接続したスラブ導波路と、スラブ導波路に接続したアレイ導波路とを有するアレイ導波路回折格子と、アレイ導波路回折格子より空間に出射した信号光をアレイ導波路回折格子からの出射角度に応じた位置に集光する集光光学系と、集光光学系により信号光が集光される位置に配置された、信号光を位相変調、強度変調または偏向する光信号処理手段とを備える。当該光信号処理装置は、調心光入力導波路の導波光のスラブ導波路に接続する面での基本モード径が、信号光入出力導波路の導波光のスラブ導波路に接続する面での基本モード径に比べて大きい。基本モード径の差が、組み立て時の調心精度向上につながる。 （もっと読む）

【課題】意図しない挿入損失の増大を抑制することができる熱光学効果光部品を提供する。
【解決手段】光導波路コア１の上方に、ヒータ、電極パッド、及びヒータと電極パッドとを結ぶ配線領域からなる金属薄膜領域２が形成されている。
電極パッドと配線領域とが光導波路コア１の直上に配置されるのを避けるようにして金属薄膜領域２が形成されているため、従来の２入力２出力型光スイッチでは、光導波路コア１と金属薄膜領域２との重複領域を生じるのに対して、本発明においては、このような重複領域を生じない。 （もっと読む）

【課題】位相雑音の検出に光強度の変化を用いず、レーザ光の周波数帯で動作する可変移相器を不要とする位相雑音低減装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１の出力を２分岐する光分岐器２の一方の出力を遅延する遅延線３と、ＲＦ帯で発振するＲＦ帯発振器１０と、光分岐器２の他方の出力をＲＦ帯発振器１０の出力で振幅変調する光強度変調器４と、遅延線３の出力と振幅変調信号の上側波帯信号とを加算又は減算して出力する光結合器６と、その出力を入力するバランス型フォトダイオード７と、ＲＦ帯発振器１０の発振周波数帯で入力信号の位相を変更する可変移相器１１と、バランス型フォトダイオード７の出力と、ＲＦ帯発振器１０の出力を可変移相器１１で位相変更したものとを混合するミキサ８と、その出力の低周波成分を選択するローパスフィルタ９とを備え、半導体レーザ１の光発振信号の位相を制御する。 （もっと読む）