【課題】容易に他のデバイスに組み込むことが可能なＳＯＡ−ＰＬＣハイブリッド集積偏波ダイバーシティ回路を提供する。
【解決手段】互いに導波路を結合したＰＬＣ−ＰＢＳチップとＳＯＡ−ＣＯＳとを備えるＳＯＡ−ＰＬＣハイブリッド集積偏波ダイバーシティ回路を提供する。ＰＬＣ−ＰＢＳチップは、第１および第２の光導波路と、マッハツェンダー干渉計回路と、ＴＭモードの光が伝播する第１の石英系光導波路中に形成された半波長板とを含む。ＳＯＡ−ＣＯＳは、第１の光導波路に接続された第３の光導波路と、第２の光導波路に接続された第４の光導波路と、少なくとも一方の第３および第４の光導波路に形成されたＳＯＡとを含む。第３と第４の光導波路のそれぞれ第１および第２の光導波路と接続しないもう一端同士は、Ｕターン部光導波路で接続される。 （もっと読む）

【課題】高周波電気信号のクロストークを小さくした光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、基板に形成された光を導波するためのマッハツェンダ光導波路を含んでなる光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号を印加するための高周波電気信号用として複数の中心導体及び複数の接地導体からなる進行波電極を具備する光変調器において、複数の中心導体のうちの少なくとも１つの中心導体の両側に位置する接地導体が、当該中心導体の上方をまたいで導体により接続されている。 （もっと読む）

【課題】光導波路型の電気光学素子において、コア層となる電気光学材料に電荷が注入されるのを抑制し、電気光学素子の内部を伝搬する光ビームのビーム形状の歪みを防止することを目的とする。
【解決手段】本発明の電気光学素子１は、電気光学材料の薄膜をコア層４とし、コア層４から順に誘電体クラッド層と電極層７ａ，７ｂとを積層して構成される光導波路２からなる。誘電体クラッド層は、第一のクラッド層５ａ，５ｂと第二のクラッド層６ａ，６ｂからなる。第二のクラッド層６ａ，６ｂの誘電率は、第一のクラッド層５ａ，５ｂの誘電率より大きく、第二のクラッド層６ａ，６ｂの膜厚６ｄ_ｃｌは、第一のクラッド層５ａ，５ｂの膜厚５ｄ_ｃｌより厚く設定されている。 （もっと読む）

【課題】デバイスサイズの縮小、シリーズ抵抗の低減、及びリーク電流の抑制を可能とする半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、デバイス動作にとって、本来は不要な電位段差を発生させる層をデバイスの構造内にあえて挿入したものである。この電位段差は、バンドギャップの小さな半導体がメサ側面に露出しても、その部分の電位降下量を抑制し、デバイス動作に不都合なリーク電流を低減できる、という機能をもたらす。この効果は、ヘテロ構造バイポーラトランジスタ、フォトダイオード、及び電界吸収形光変調器などに共通して得られる。また、フォトダイオードにおいては、リーク電流が緩和されるのでデバイスのサイズを縮小することが可能となり、シリーズ抵抗の低減による動作速度の改善のみならず、デバイスを高密度にアレイ状に配置できるという利点も生まれる。 （もっと読む）

【課題】出力信号光とモニタ光との位相関係のずれであるバイアスシフトを抑制させる。
【解決手段】電気光学効果を有する基板９１と、基板９１の表層部に形成され、入力光を変調する干渉型光変調器を構成する変調用光導波路７と、基板９１の表層部に形成され、変調用光導波路７の下流側箇所を分岐して接続される出力光導波路５および変調用光導波路７での光変調動作をモニタするための光を導波するモニタ用光導波路６′と、をそなえ、反射部における反射面１３の幅と、モニタ用光導波路６′による光伝搬方向についての切り出し幅とを実質的に同等とする。 （もっと読む）

【課題】分子一個であっても動作可能で、同時多波長処理および広帯域動作が可能な小型の高速光フィルターを提供する。
【解決手段】光フィルターは、入射する光に共鳴する２準位を有する半導体１１と、制御光である第１光パルス３および第２光パルス４を半導体１１に照射して、半導体１１の２準位を選択的に共鳴励起する制御光発生装置１と、信号光である第３光パルス５を半導体１１に照射する信号光発生装置２を備える。制御光発生装置１と信号光発生装置２とは、第３光パルスが半導体１１に入射する時間において、ブロッホ空間における第３光パルスのトルクベクトルと、第１光パルスおよび第２光パルスによって共鳴励起された２準位系半導体１１の量子状態を表すブロッホベクトルとが、平行か反平行である状態となる条件を満たすように、第１、第２、第３光パルスを制御する。 （もっと読む）

【課題】複数チャンネルのＷＤＭ光から所望のチャンネルの所望の波長を選択することができる光可変フィルタアレイ装置を校正すること。
【解決手段】光可変フィルタアレイ装置に用いられる波長選択素子１８をライン状に光反射状態とし、波長走査光を光可変フィルタアレイ装置に入射する。出力が得られるタイミングでの反射走査光の波長と光反射状態の位置から、波長選択素子１８のｘ座標と波長との関係を確定する。こうすれば波長選択素子１８の各画素の反射特性を変化させることによって、光フィルタの特性を変化させ、任意のＷＤＭ光の任意の波長を選択することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体マッハツェンダ型変調器を備える光変調装置の動作状態を調整する構成および方法を提供する。
【解決手段】光変調装置は、変調器、変調信号生成器、重畳器、およびバイアス制御器を備える。変調器は、電気光学効果を有する半導体基板に設けられた光導波路と、バイアス電圧および変調信号に応じた電界を前記光導波路に与える信号電極とを備える。変調信号生成器は、変調信号を生成する。重畳器は、バイアス電圧に所定の周波数の信号を重畳する。バイアス制御器は、変調器により生成される変調光信号から抽出される所定の周波数成分の位相に基づいて、変調器の変調方向のバイアス電圧および変調方向に直交する直交方向のバイアス電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】挿入損失で0.60dBを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（RIG）と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Ｇｄ₃（ＳｃＧａ）₅Ｏ₁₂で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜であって、化学式Ｌａ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂（但し、0<x<3、0<y<3）で示され、La、Gd、Biの組成割合が、La-Gd-Bi三元系組成図上において、組成点A、組成点B、組成点C、組成点Dを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を有することを特徴とする。
組成点A（La/0.15，Gd/1.66，Bi/1.19）、組成点B（La/0.32，Gd/1.88，Bi/0.80）、
組成点C（La/0.52，Gd/1.68，Bi/0.80）、組成点D（La/0.35，Gd/1.46，Bi/1.19）。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、光の挿入損失について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路と、高周波電気信号を印加するための進行波電極と、光にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極と、進行波電極に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部の両方にリッジ部を具備する光変調器において、バイアス用相互作用部に形成されたリッジ部の頂面における相互作用光導波路の端から当該頂面の端までの距離が、高周波電気信号用相互作用部に形成されたリッジ部の頂面における相互作用光導波路の端から当該頂面の端までの距離よりも大きく形成され、バイアス用相互作用部における光の伝搬損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】 出力光導波路に光強度検出電極を備えたマッハツェンダ型光変調器において、リーク電流を抑制すること。
【解決手段】 ２つの出力光導波路３８ａ及び３８ｂに合分波部３４を介して２つの光導波路３２ａ及び３２ｂが接続されたマッハツェンダ型光変調器であって、２つの光導波路３２ａ及び３２ｂのそれぞれに設けられたアーム電極４０及び４２と、２つの出力光導波路３８ａ及び３８ｂのそれぞれに設けられ、アーム電極４０及び４２よりも高い電圧が印加される光強度検出電極４４と、アーム電極４０及び４２と光強度検出電極４４との間の導波路に設けられ、アーム電極４０及び４２に印加される電圧よりも高いが印加されるリーク抑制電極６０と、を備えることを特徴とする光変調器。 （もっと読む）

【課題】小型化可能で、かつ良好な特性が得ることができる光学装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１出力光導波路２６ａと第２出力光導波路２６ｂとが接続された第２ＭＭＩ２５を備えたマッハツェンダ変調器１０と、第１出力光導波路２６ａから出力される第１出力光、及び第２出力光導波路２６ｂから出力される第２出力光の両方と光結合して設けられた光アイソレータ６０と、光アイソレータ６０を介して第１出力光と光結合し、第２出力光と光結合しない光ファイバ６４と、を具備する光学装置である。 （もっと読む）

【課題】熱干渉を抑制した小型な多連熱光学位相シフタおよびそれを用いた光干渉回路を提供すること。
【解決手段】２つの方向性結合器１０２ａ、１０２ｂとそれらを連結するアーム導波路１０３からなるマッハツェンダ干渉計と、二重コア、アーム導波路１０３上に設置された薄膜ヒータ１１１、およびそのヒータ１１１に電力を供給する配線１１２とからなる位相シフタと、アーム導波路１０３の両側に形成された断熱溝１２１とから構成されている。二重コアとその上方の薄膜ヒータ１１１は、アーム導波路１０３で（図１の紙面の縦方向に）整列しておらず、アーム導波路１０３の長手方向に対して垂直方向に平行移動した位置にそれぞれが重なることがないように、ずらして配置したことを特徴としている。隣接する二重コアおよび薄膜ヒータ１１１をずらず量としては、薄膜ヒータ１１１の長さ以上にずらずことが重要である。 （もっと読む）

【課題】電気光学部品の外部リードと回路基板との電気的接続部に発生する応力を抑制する光トランシーバを提供することを目的とする。
【解決手段】光トランシーバは、電気的な接続のための外部リード１２を有する電気光学部品１０と、外部リード１２がはんだ付けされた回路基板２２と、電気光学部品１０と回路基板２２を接着する接着部２６と、電気光学部品１０と回路基板２２を接着部２６よりも強固に固定する固定部２８と、を有し、固定部２８は、接着部２６よりも外部リード１２のはんだ付けされる部分から離れて設けられ、接着部２６の少なくとも一部は、固定部２８よりも外部リード１２のはんだ付けされる部分に近い位置に設けられる。 （もっと読む）

【課題】 位相雑音の少ない高周波発振器を得る。
【解決手段】 光源と、光変調手段と、第１の光伝送手段と、光電変換器と、電気信号を発生する信号発生手段と、この電気信号を分岐する第１の分岐手段と、分岐した電気信号の一方と光電変換器からの電気信号をミキシングする第１のミキサと、前記第１のミキサにより生成された差周波数を有する電気信号を通過させるバンドパスフィルタと、前記バンドパスフィルタを通過した電気信号と前記第１の分岐手段で分岐した電気信号の他方をミキシングし、前記光変調手段で光を変調する電気信号を生成する第２のミキサと、前記第１の電気信号または前記第２の電気信号の一部を分岐し出力信号として出力する第２の分岐手段と、前記第３の電気信号の一方、前記第３の電気信号の他方、および、前記第４の電気信号のいずれかの通過時間を調整する通過時間調整手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、任意の偏波方向の光入力信号に対するサンプリングが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、バルク材料からなる活性層１３、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造と、少なくともその一部が該導波路構造の上方に形成される上部電極２１と、を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Ｉと、光入射端面１０ａおよび光出射端面１０ｂのうちの少なくとも一方とハイメサ導波路構造Ｉとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Ｉと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bと、を含み、上部電極２１は、該導波路構造の少なくとも一部の上方に形成される主電極部２１ａと、ハイメサ導波路構造Ｉの導波方向の側方、かつ、半導体基板の上方に形成される電極パッド部２１ｂと、主電極部２１ａと電極パッド部２１ｂとを電気的に接続する接続部２１ｃと、を含む。 （もっと読む）

【課題】
光導波路素子の状態だけでなく、光導波路素子を製造するプロセスにおいても、補強基板による焦電効果で光導波路素子が損傷することを抑制し、光導波路素子の電気的な特性劣化を抑え、さらに、生産に係る歩留まりを改善することを可能とする光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する厚さが３０μｍ以下の基板に光導波路が形成された光導波路基板と、該光導波路基板が電気光学効果を有する補強基板と接着剤層を介して接合されている光導波路素子において、該補強基板の該接着剤層側の面には、半導体層が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】遅延干渉計モジュールと受光モジュールとを光ファイバを介して光学結合する場合に、光ファイバのスキューを簡単な構成で効果的に抑制することを可能とした光通信モジュールを実現する。
【解決手段】位相変調された光信号を遅延干渉計モジュールを介して差動強度変調信号に復調し、前記差動強度変調信号を一対の光ファイバを介して受光モジュールに導いて電気信号に変換する光通信モジュールにおいて、
前記一対の光ファイバの夫々を独立に過熱して温度差を与える、スキュー抑制のための加熱手段を備える。 （もっと読む）

【課題】
素子自体のサイズを増加させることなく、電極間のクロストークを抑制することが可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路（２１〜２３）と、該光導波路を伝播する光波を変調する変調電極とを有する光制御素子において、該変調電極は、少なくとも二つの信号電極（３１，３２）と該信号電極を挟むように配置された接地電極（４１〜４３）から構成され、二つの該信号電極の間に配置された該接地電極と、それ以外の該接地電極とを電気的に接続すると共に、該信号電極の一部を跨ぐように配置された電気的接続手段（５１，５２）を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】強誘電体結晶により構成される強誘電体基板に周期分極反転構造が形成される光学デバイスに関し、その強誘電体結晶の薄膜化および周期分極反転構造の高精度化を可能とする。
【解決手段】単分極化された強誘電体結晶により構成された強誘電体基板１１の一方主面Ｓ1Aと、強誘電体基板１１よりも厚い支持基板１４の一方主面Ｓ1Bとの間に接合部１３を介在させて強誘電体基板１１を支持基板１４で支持しながら一体化しているので、上記した平面研磨処理により強誘電体基板１１、つまり強誘電体結晶を薄膜化することができ、その結果、周期分極反転構造を薄くすることができる。そして、こうして薄膜化された強誘電体基板１１に対し、上記したように電圧印加法により分極反転部を形成する。 （もっと読む）