【課題】光半導体装置とその製造方法において、光半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】半導体基板１を途中の深さまでエッチングすることにより、断面形状が凸状のコア４ａを半導体基板１に形成する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘと他方の側面４ｙの各々に酸化防止膜２２を形成する工程と、酸化防止膜２２が形成された状態で、コア４ａの両脇の半導体基板１の表面を熱酸化する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘの横の半導体基板１に第１の不純物領域を形成する工程と、コア４ａの他方の側面４ｙの横の半導体基板１に第２の不純物領域を形成する工程とを有する光半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光バースト信号のＧＴを狭くしても光強度を制御可能である光強度制御装置を提供することを目的とする。
【解決手段】光強度制御装置３０１は、入力される複数のフレームからなる入力バースト信号の光強度を電気信号として検出する検出部１０と、前記入力バースト信号の光強度をフレーム毎に調整して出力バースト信号として出力する光出力部２０と、検出部１０で検出した前記入力バースト信号の光強度の電気信号から前記入力バースト信号のフレーム毎の光強度を取得し、前記出力バースト信号のフレーム毎の光強度が所定の値となるようにフレーム毎に調整量を算出して光出力部２０へ調整信号として送信する制御部３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】周波数特性の劣化を防ぐことができる光デバイスを得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１上に、光分波器２、マッハツェンダ光変調器３，４、及び光合波器５が設けられている。光分波器２は入力光を第１及び第２の入力光に分波する。マッハツェンダ光変調器３，４は、第１及び第２の入力光をそれぞれ変調する。光合波器５は、マッハツェンダ光変調器３，４により変調された光を合波する。マッハツェンダ光変調器３の位相変調電極８ａ，８ｂとマッハツェンダ光変調器４の位相変調電極１４ａ，１４ｂは、マッハツェンダ光変調器３，４の光導波路６ａ，６ｂ，１２ａ，１２ｂの延在方向に対して垂直な方向から見て互いに重ならない。 （もっと読む）

【課題】
安全な光通信において利用する揺らぎは、白色性及び安定性が高く、大きさの調整が可能で、揺らぎが重畳された光の伝送特性が良好である必要があり、これを実現するのが課題である。
【解決手段】
（１）揺らぎ生成用の光源と伝送用の光源を分離し、伝送特性を向上させる。
（２）伝送用の光源に揺らぎを重畳する際にアンプで揺らぎの大きさを調整する。
（３）揺らぎの拡大過程用の光ファイバは高分散のものを利用し、ソリトン次数を維持して伝播させる。これによりラマン効果と環境変動の影響が抑制され、白色性が高く、大きさの安定した揺らぎが得られる。 （もっと読む）

【課題】 光波長多重信号の偏光面を波長成分ごとに調整することができ，しかも各成分に時間的なずれが生じない，波長選択偏波制御器を提供する。
【解決手段】 この波長選択偏波制御器は，光波長多重信号が入射するテレセントリック光学系１１と，テレセントリック光学系から出力された光の偏波面を調整する偏波制御器１２と，偏波制御器からの出力を光路へと出力するための出力光学系１３と，を有する。テレセントリック光学系１１は，光波長多重信号が入射する第１の回折格子１５と，回折格子１５を経た光波長多重信号を集光する第１の集光レンズ１６と，を有する偏波制御器１２は，複数の位相変調器２１，２２，２３を有する。 （もっと読む）

【課題】熱光学素子における温度分布を抑制し、光学収差の小さい光学位相調整素子、及びそれを用いた復調器の提供。
【解決手段】本発明に係る光学位相調整素子は、入力される光信号に対する屈折率が温度に依存して変化する熱光学素子と、前記熱光学素子の一端側に接するとともに前記熱光学素子が所望の温度となるよう温度変化する温度変化部と、前記温度変化部に対して前記熱光学素子と反対側に配置されるとともに前記温度変化部の温度とは異なる温度で熱平衡状態となる放熱部と、前記温度変化部と前記放熱部の間にそれぞれ接して配置されるとともに前記放熱部より大きい熱抵抗を有する温度緩衝部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光導波損失を低下させることが可能な半導体光変調器の製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体光変調器の製造方法は、ｐ型半導体基板３上に、ｐ型半導体層５を形成する工程と、ｐ型半導体層５を表面５Ｓからエッチングしてｐ型半導体基板３の主面３Ｓに沿った第１の方向に沿って延びる孔部５Ｈを形成することにより、一対のストライプ構造５Ｐを形成する工程と、孔部５Ｈに埋め込み層１５を形成する工程と、埋め込み層１５上にコア層１７を形成する工程と、コア層１７上に、ｎ型半導体材料からなる上部クラッド層２３を形成する工程と、ｎ電極３７及びｐ電極３９を形成する工程と、を備える。埋め込み層１５は、ノンドープの半導体材料、ｐ型半導体層５よりもｐ型不純物濃度の低いｐ型半導体材料、又は、ｎ型不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下のｎ型半導体材料からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光変調部のバイアス制御を効果的に行って安定した伝送信号特性を得ることのできる光送信装置と光変調制御方法を提供する。
【解決手段】 光送信装置は、第１導波路と第２導波路を含み、前記第１導波路と前記第２導波路の各々において、２ｎ値（ｎは１以上の整数）の強度レベルを有する変調駆動信号で搬送光を変調する光変調器と、前記第１導波路から出力される第１の光信号と、前記第２導波路から出力される第２の光信号との間に所定の位相差を与える位相シフト部と、
前記位相差が与えられた前記第１の光信号と前記第２の光信号を合波して得られる多値光変調信号の一部を光電変換する光検出器と、前記検出された変調信号の交流成分の変化を検出するモニタ部と、前記検出された交流成分の変化に基づいて、前記第１導波路に与える第１バイアス電圧と前記第２導波路に与える第２バイアス電圧の少なくとも一方を、前記検出される交流成分のパワーが大きくなるように制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光源出力がシャットダウンしたときに駆動電圧の増加を抑え、光源出力の復帰時に速やかに出力光を安定化させること。
【解決手段】この光送信器１の制御方法は、外部変調器５を含む光送信器１において、外部変調器５に印加するバイアス電圧を調整することによって、光送信器１からの出力光を制御する光送信器１の制御方法であって、光検出素子７による出力光のモニタ信号を基にしてバイアス電圧を帰還制御し、出力光の断を検出した際には、バイアス電圧が直前の電圧に維持されるようにバイアス電圧を帰還制御する。 （もっと読む）

【課題】空間光変調器を用いた分散補償器において、所望の位相シフト関数を再現すること。
【解決手段】複数波長の信号光が多重された波長多重信号光は、光ファイバを通じて、光サーキュレータ１０の第１のポート１１から入力されて第２のポート１２から出力され、スラブ導波路を1つだけ有するアレイ導波路回折格子２０へ入力される。アレイ導波路回折格子２０において、波長多重信号光はそれぞれの波長毎に空間分離され、アレイ導波路回折格子２０の集光レンズ３０の側に取り付けられたレンズ（図示せず）によりコリメートされた後、集光レンズ３０で空間位相変調器４０上に集光される。異なる波長の信号光は、それぞれ空間位相変調器４０上の異なる領域にスポットサイズｗで集光される。スポットサイズｗは、空間位相変調器４０が有する位相付与素子の幅Ｘ、チャネル帯域Ｂ₀等との関係で所定の不等式を満たすように制限されている。 （もっと読む）

【課題】入力された光信号を、強度変動が抑制されて光強度安定性が向上した光信号に変調する光信号の安定化装置および安定化方法。
【解決手段】光信号安定化装置１００は、入力光パルス列を光分岐回路１０１で光受信器１０２と遅延線１０３とに分岐する。光受信器１０２は、入力光パルス列を光電変換して包絡線信号を生成する。ドライバ１０４は、光受信器１０２から出力された包絡線信号を正負反転したものに、予め推定された入力光パルス列の光強度の下限値以下のオフセットをかけて、光パルス列の光強度からオフセット量を引いた量を消光させる制御信号を生成する。消光型光強度変調器１０５は、ドライバ１０４が生成した制御信号に基づき、遅延線１０３を介して入力された光パルス列の光強度を変調することにより、全光パルスの光強度がオフセット量に等化された光パルス列を出力する。 （もっと読む）

【課題】入力信号の振幅の変動に対して光出力波形を補償することができる光送信機を提供する。
【解決手段】光送信機は、入力信号から駆動信号を生成する変調器駆動回路と、駆動信号に応じて変調光信号を生成する変調器と、入力信号の振幅である入力振幅を検出する振幅検出器と、振幅検出器により検出される入力振幅に基づいて波形制御信号を生成するコントローラ、を備える。変調器駆動回路は、波形制御信号に応じて駆動信号の波形を制御する。 （もっと読む）

【課題】光導波路にＴＯ効果を低消費電力で発現できるとともに、光導波路の偏波保持特性の低下を抑制できること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる光導波回路は、基板上に形成されたクラッド層と、クラッド層内に形成された光導波路と、クラッド層の上部であって光導波路の上方に形成され、光導波路を加熱するヒータとを備える。クラッド層は、光導波路の両側方に、この光導波路の延伸方向に沿って形成された溝領域を有する。この溝領域には、クラッド層の上面に平行であって光導波路の延伸方向に垂直な方向に向けて、少なくとも光導波路の側面に至る深さの溝部と中実部とが交互に形成される。この中実部は、この垂直な方向に溝領域の両端をつなぐように連続する。 （もっと読む）

【課題】基板の同じ側面側に２つの信号電極の入力部がある場合でも、電気的クロストークを抑制し、製造コストの増加も抑えた進行波型光変調素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路２と、光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを備える。変調電極は、マッハツェンダー型光導波路の２つの分岐導波路２１，２２に対して、別々の変調信号を印加する第１の信号電極３１と第２の信号電極３２とを有し、各信号電極は、基板の同じ側面側に変調信号入力部Ｔ１，Ｔ２を有する。信号電極の変調信号入力部Ｔ１、Ｔ２から作用部Ｓまでの少なくとも一部の領域では、第１の信号電極３１と第２の信号電極３２との間に配置された接地電極が、第１の信号電極に沿う第１の接地電極４１と第２の信号電極に沿う第２の接地電極４２に分離されている。 （もっと読む）

【課題】電気光学結晶への電荷の残留を解消することで、電気光学結晶の内部に形成される回折格子の回折効率のオフセットを抑え、回折格子による適切な光変調の実現する。
【解決手段】交流信号をデータ信号によって振幅変調させた振幅変調信号を電気光学結晶に印加する。これによって、電気光学結晶には正側負側の両側に振動する信号が印加されることとなり、電気光学結晶への電荷の残留が解消することができる。その結果、電気光学結晶の内部に形成される回折格子の回折効率のオフセットを抑えて、回折格子による適切な光変調の実現が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 電圧依存性位相変調特性の補正、及び電圧非依存性歪みの補正を高い精度で行うことが可能な位相変調装置を提供する。
【解決手段】 ＬＣｏＳ型位相変調装置１は、駆動電圧の印加に応じて入力光に対し位相変調を行なう。ＬＵＴマップ１５は、各画素を、その位相変調特性に基づいて、複数のグループの内の１つと関連付ける。ＬＵＴ１１は、複数のグループに対して１対１に対応して設けられる。画素位置検出装置３７は、ＬＵＴマップ１５を用いて、各画素に対して、当該画素が関連付けられたグループに対応したＬＵＴ１１を特定する。ＬＵＴ処理装置３６は、各画素に対して入力された制御入力値Ａを、特定されたＬＵＴ１１を参照して、ＤＡ入力値Ｂに変換する。 （もっと読む）

【課題】クロストークを抑制して伝送品質の向上を図る。
【解決手段】波長選択スイッチは、波長分光素子、波長集光素子、複数の透過制御素子および制御部を含む。波長分光素子は、入力信号光の波長分光を行う。透過制御素子は、入力信号光をチャネル帯域内で波長帯域別に分割して透過または遮断する。波長集光素子は、透過制御素子から出力された各波長の信号光を集光して出力する。制御部は、チャネル帯域内の低周波側または高周波側の少なくとも一方の透過制御素子の透過率を制御する。また、低周波側の所定帯域または高周波側の所定帯域の少なくとも一方を遮断域にして、波長多重化すべき入力信号光の透過帯域の狭窄化を行い、光スペクトルの重複した帯域部分を削除して、透過信号光を出力することで、クロストークを抑制する。 （もっと読む）

【課題】挿入損失で０．６ｄＢを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Ｇｄ₃（ＳｃＧａ）₅Ｏ₁₂で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜において、化学式Ｐｒ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示され、ｘとｙが１．２０≦ｘ≦１．５６、０．８０≦ｙ≦１．１９であることを特徴とする。化学式Ｐｒ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示される本発明のＲＩＧは、従来のＲＩＧと比較して挿入損失で０．６ｄＢを下回り、かつ、波長１μｍ程度の光吸収に起因した発熱量の低減が図れるため、加工用高出力レーザー装置の光アイソレータ用ファラデー回転子に使用するできる顕著な効果を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、長延化を図る光送信器を、無温調動作させることで、装置低廉化及び消費電力低減化し、光アクセス網への適用を容易にすることを目的とする。
【解決手段】本発明は、変調した光信号を出力するＤＭＬ１２及びＥＡ変調器１３と、ＤＭＬ１２及びＥＡ変調器１３での温度を測定する温度測定部１４と、ＤＭＬ１２及びＥＡ変調器１３での温度変化によらずＤＭＬ１２及びＥＡ変調器１３での周波数変動が予め定められた条件を満たすように、ＤＭＬ１２及びＥＡ変調器１３での各温度におけるＤＭＬ１２及びＥＡ変調器１３での駆動条件を設定したテーブルを格納する駆動条件設定テーブル格納部１５と、温度測定部１４が測定した温度及びテーブルが設定した当該温度における駆動条件に基づいて、ＤＭＬ１２及びＥＡ変調器１３を制御する変調制御部１６と、を備えることを特徴とする光送信器１である。 （もっと読む）

【課題】複数のＭＺ干渉計を含む光変調器における個々のＭＺ干渉計の特性を評価する方法を提供する。
【解決手段】光変調器１は、第１のＭＺ干渉計２と第２のＭＺ干渉計３を含み第１のＭＺ干渉計２は分波部５と、２つのアーム６，７と合波部８と電極を含む。２つのアームは分波部と接続され、合波部は２つのアームと接続され、電極は２つのアームにバイアス電圧を印加でき、電極は２つのアームに変調信号を印加でき、ＭＺ干渉計に駆動信号を印加し、ＭＺ干渉計の２つのアームから出力される光の位相差をπかあるいは０となるようにバイアス電圧を調整し、バイアス電圧が調整された後ＭＺ干渉計の出力強度のうち２次成分のサイドバンド成分の強度を用いてＭＺ干渉計の特性を評価する。 （もっと読む）