【課題】ブロックコポリマーのミクロ相分離を利用したパターン形成方法において、ブロックコポリマーの配向を容易に制御でき、より短時間で微細なパターンを形成できる方法を提供する。
【解決手段】実施形態のパターン形成方法は、基板１１上に熱架橋性分子を塗布し熱架橋性分子層１２を形成する工程と、前記熱架橋性分子層１２上に感光性ポリマーを塗布して感光性ポリマー層１７を形成する工程と、前記熱架橋性分子層１２と前記感光性ポリマー層１７とを加熱による架橋反応により接着する工程と、前記感光性ポリマー層１７を選択的に露光することにより、露光部および未露光部の感光性ポリマーパターンを形成する工程と、前記感光性ポリマー層１７上に、第１および第２のブロック鎖を含むブロックコポリマー層１４を形成し、前記ブロックコポリマー層をミクロ相分離させ、前記ポリマー層１３の表面エネルギーに基づいて前記第１および第２のブロック鎖のパターンを形成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンのトップロスを抑制させ、ＬＷＲを向上させるとともに、レジストパターンを不溶化することによりレジストパターンの硬化性を向上させることができるレジストパターンコーティング剤を提供する。
【解決手段】水酸基を有する樹脂と、一般式（１）Ｒ^１−Ｏ−Ｒ^２で表される化合物（一般式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はフッ素で置換されてもよい炭素数３〜１０のアルキル基など）及び一般式（２）Ｒ^３−ＯＨで表される化合物（一般式（２）中、Ｒ^３は、フッ素で置換されてもよい炭素数１〜５のアルキル基など）の少なくともいずれかを含む溶剤と、を含有し、一般式（１）Ｒ^１−Ｏ−Ｒ^２で表される化合物及び前記一般式（２）Ｒ^３−ＯＨで表される化合物の合計の含有割合が、溶剤１００質量％中、１０質量％以上であるレジストパターンコーティング剤。 （もっと読む）

【課題】支持体に設けられた樹脂基材に対して凸状となることなくパターンを簡便に形成するためのパターン形成方法を提供する。
【解決手段】パターン形成工程において、支持体１上にネガ型の感光性樹脂層１２を形成し、この感光性樹脂層１２上にパターン３を形成し、埋め込み・硬化工程において、感光性樹脂層１２のガラス転移温度以上の温度で熱処理を施してパターン３を感光性樹脂層１２に埋め込み、これと同時に感光性樹脂層１２を硬化させて樹脂基材２とし、これにより、支持体１上に設けられた樹脂基材２に凸状となることなくパターン３を形成する。 （もっと読む）

【課題】ダブル露光技術において、保護膜の膜厚を増加せずに現像液耐性を向上させ、微細パターニングを実現する半導体デバイスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、基板上に形成された複数の第１のレジストパターンの上に保護膜を形成し、この保護膜の上であって複数の第１のレジストパターンの間に第２のレジストパターンが形成され、夫々異なる方法を用いて少なくとも２層に分けて保護膜を形成する保護膜形成工程を有する半導体デバイスの製造方法を有する。 （もっと読む）

【課題】酸の拡散の選択性及び除去性に優れた酸転写樹脂膜が得られる酸転写樹脂膜形成用組成物、これを用いてなる酸転写樹脂膜、及びこの酸転写樹脂膜を用いて既存のフォトリソプロセスによりパターン形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】オキシムスルホネート系感放射線性酸発生剤、及び式（１）に示す構成単位を有する重合体、を含有する組成物。この組成物を用いてなる酸転写樹脂膜。酸解離性基を有する樹脂を含有し且つ感放射線性酸発生剤を含有しない第１樹脂膜上に、上記酸転写樹脂膜としての第２樹脂膜を形成する第２樹脂膜形成工程を備えるパターン形成方法。
【化１】
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本発明は、デバイス上に反転トーン像を形成するための方法であって、ａ）基材上に吸光性下層を形成し； ｂ）下層の上にポジ型フォトレジストの被膜を形成し； ｃ）フォトレジストパターンを形成し； ｄ）この第一のフォトレジストパターンを硬化化合物で処理し、それによって硬化したフォトレジストパターンを形成し； ｅ）硬化したフォトレジストパターンの上に、ケイ素コーティング組成物からケイ素被膜を形成し； ｆ）ケイ素被膜をドライエッチングし、ケイ素被膜がフォトレジストパターンと概ね同じ厚さとなるまで、ケイ素被膜を除去し、及びｇ）ドライエッチングを行ってフォトレジスト及び下層を除去し、それによってフォトレジストパターンが元々在った位置の下にトレンチを形成することを含む、前記方法に関する。更に本発明は、上記方法の製造物及び上記方法を用いて製造される微細電子デバイスにも関する。 （もっと読む）

【課題】感光性導体ペースト中の感光性樹脂成分の含有量を少なくしても露光・現像に際して残査の問題のない積層チップ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】感光性導体ペースト２４のうちの未露光部分を洗い流す現像処理に際して、感光性導体ペースト２４の下層が、感光性誘電体ペースト１０が露光硬化された第２誘電体層２０であるため、残査の発生が大幅に抑制されているので、感光性導体ペースト２４の樹脂成分を１０wt％以下に少なくしても、露光・現像に影響がなく、乾燥密度ρ_D が従来の導体ペーストと同様に５ｇ／ｃｍ³ 以上となり十分に得られる。したがって、感光性導体ペースト２４中の感光性樹脂成分の含有量を少なくしても露光・現像に際して残査の問題のない積層型チップ素子の製造方法が得られる。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて工程の簡略化と製造コストの低減を図ることができ、生産性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びプログラム記憶媒体を提供する。
【解決手段】フォトレジスト１０３のパターンの上にＳｉＯ₂膜１０４を成膜する成膜工程と、ＳｉＯ₂膜１０４をフォトレジスト１０３のパターンの側壁部にのみ残るようにエッチングするエッチング工程と、フォトレジスト１０３のパターンを除去してＳｉＯ₂膜１０４のパターンを形成する工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】レジストをエッチングマスクとして用いず、またリフトオフ法を用いることなくパターン形成が可能となるパターンの形成方法等を提供する。
【解決手段】パターンの形成方法であって、
母材上の薄膜の表面に、レジストによるパターンを形成する工程と、
レジストによるパターンの上に、反転層を形成する工程と、
反転層を前記レジストの表面が露出するまで除去した後に、レジストを除去することにより、レジストによるパターンと相補的な前記反転層による反転パターン形成する工程と、
反転層による反転パターンをマスクとして前記薄膜をエッチングし、該薄膜上に反転層を有する該薄膜によるハードマスク層を形成し、該ハードマスク層をマスクとして、または薄膜上の前記反転層を除去したハードマスク層をマスクとして、母材をエッチングする工程と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】基材との密着性に優れたグラフトポリマーパターンを、基材表面の所望の領域にのみ簡便に形成しうるグラフトポリマーパターン形成方法、エッチング工程を行うことなく微細な導電性パターンの形成が可能であり、且つ、基材界面の凹凸が少ない場合であっても基材との密着性に優れた導電性パターンを形成しうる導電性パターン形成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基材上に光硬化性樹脂組成物層を形成する工程、（ｂ）該光硬化性樹脂組成物層上に、重合性の二重結合を有する化合物を含有する光反応性層を形成する工程、及び、（ｃ）該光反応性層をパターン状に露光して、露光した領域にグラフトポリマーを生成させて、グラフトポリマーパターンを形成する工程を有することを特徴とするグラフトポリマーパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ限界以上のピッチを有する微細パターンを形成することができる方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の微細パターン形成方法に関し、被食刻層が形成された半導体基板上に第１フォトレジスト組成物を塗布して第１フォトレジスト膜を形成する段階と、前記第１フォトレジスト膜に露光及び現像工程を行って第１フォトレジストパターンを形成する段階と、前記結果物上に前記第１フォトレジストパターンと非反応性の第２フォトレジスト膜を形成する段階と、前記第２フォトレジスト膜に露光及び現像工程を行って前記第１フォトレジストパターンの間に第２フォトレジストパターンを形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】３５０〜４５０ｎｍの波長を有する露光光源に対する感度、解像度、密着性、及びサンドブラスト耐性に優れ、スカム発生量の少ない、アルカリ現像性感光性樹脂組成物の提供。
【解決手段】（ａ）α，β−不飽和カルボキシル基含有単量体を共重合成分として含む、酸当量で１００〜６００、重量平均分子量が５０００〜５０００００の熱可塑性共重合体：２０〜７０質量％、（ｂ）末端に水酸基を有するポリマーまたはモノマーと、ポリイソシアネートと、活性水素を有する官能基とエチレン性不飽和基を分子内に共に有する化合物より得られるポリウレタンプレポリマー：２０〜７０質量％、（ｃ）少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する付加重合性モノマー：３〜７０質量％、（ｄ）ヘキサアリールビスイミダゾールを含む光重合開始剤：０．０１〜３０質量％、及び（ｅ）特定のピラゾリン化合物：０．００１〜１０質量％、を含有する感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】支持体上に高精細かつ高アスペクト比のパターンを形成できるパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体上に下層膜を形成する工程、該下層膜上にシリコン系ハードマスクを形成する工程、該ハードマスク上に化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程、第一のマスクパターンを介して該レジスト膜を選択的に露光・現像して第一のレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクとし、ハードマスクをエッチングして第一のパターンを形成する工程と、前記第一のパターン上に化学増幅型ポジ型シリコン系レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程、第二のマスクパターンを介して該レジスト膜を選択的に露光・現像して第二のレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクとし、下層膜をエッチングして第二のパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストパターンを溶解し所望のレジストパターンを形成するリフロー処理において、充分な膜厚均一性を有するレジストパターンを形成することができ、且つ、生産効率の低下を抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｇが載置されると共に、基板載置面の温度を所定温度として基板温度を調整するための温調プレート１１と、チャンバ１０内にフォトレジストの溶剤雰囲気を供給する溶剤雰囲気供給手段１４〜１８と、チャンバ１０内の雰囲気温度を検出する雰囲気温度検出手段２３と、前記温調プレート１１の設定温度を制御すると共に前記雰囲気温度検出手段２３による検出温度が入力される制御手段２４とを備え、前記制御手段２４は、設定している前記温調プレート１１の温度と、前記雰囲気温度検出手段２３により検出された雰囲気温度とを比較し、該比較結果に基づいて温調プレート１１の設定温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】パターン形成方法に関し、パターン疎密に依るエッチング形状の差を解消することが可能であり、また、エッチングシフト量の変動などに対して即応性に優れ、且つ、低コストのパターン形成方法を提供しようとする。
【解決手段】パターン密度が異なる回路パターンの形成を必要とする被エッチング膜２のエッチングに於いて、パターン密度にかかわらずエッチング後に所望の寸法をもつ被エッチング膜２を形成する為、所望のエッチングシフト量が得られるレジスト膜厚をそれぞれのパターン密度に応じて決定し、前記パターン密度に対応して膜厚を変化させたレジスト膜４をマスクとしてエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】下地層を高精度にパターニングすることができ、下地層にスクラッチおよび腐食が生じるのを防ぐことができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】第１のフォト工程にて、下地段差４ａを有するポリシリコン４上にポジレジストを塗布した後、このポジレジストに対して露光および現像を行って、ポジレジスト５を形成する。第２のフォト工程にて、ポジレジスト５の周囲にネガレジストを塗布した後、このネガレジストに対して露光および現像を行って、ネガレジスト２９を形成する。ネガレジスト２９は、第１のフォト工程で下地段差４ａからの反射光によりポジレジスト５に形成されたくびれ部５ａを補う。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターンを有する無機物層を作業性良く形成できる製造方法を備えたプラズマディスプレイパネルを提供する。
【解決手段】（Ｉ）基板１上に無機物粒子を有する樹脂組成物層２を圧着、（ＩＩ）感光性樹脂組成物層３を積層圧着、（ＩＩＩ）活性光線５を照射、（ＩＶ）現像によりパターンを形成、（Ｖ）パターンの上部から圧力をかけ、樹脂組成物層に、パターンを埋め込む工程、（ＶＩ）パターンを除去して凹凸パターンを形成、（ＶＩＩ）焼成して凹凸パターンを有する無機物層を形成する工程、を少なくとも含む凹凸パターンを有する無機物層の製造法。 （もっと読む）

【課題】印刷パターンから塗布物の一部が外側に滲み出すのを防止できるスクリーン印刷版を提供する。
【解決手段】感光性乳剤層４が形成されたスクリーン印刷版１の開孔部３を、導入開孔部３ａと、この導入開孔部３ａに連なる印刷開孔部３ｂとから構成し、印刷開孔部３ｂを導入開孔部３ａより平面視において外側にはみ出させ、かつ、深さを浅くした構成とすることによって、印刷開孔部３ｂの開口縁と印刷物の印刷面との隙間から塗布物の一部が漏れ出すのを防止して、印刷パターンから塗布物の一部が外側に滲み出すのを防止する。 （もっと読む）

【課題】 露光装置を使用しては製造が不可能であった微細構造を製造する方法を提供する。
【解決手段】 ウエハ１上にレジスト２を塗布する。このレジスト２としては、γ特性のなだらかなレジストを使用する。そしてマスク３を使用して露光を行う（ａ）。このとき、Ｌ／Ｓの像のピッチがｇ線ステッパの解像限界に近いため、レジスト２を現像するとレジスト２の形状がほぼ正弦波となる（ｂ）。このレジスト２の表面に、保護膜４を塗布し、さらにその上に、γ特性がシャープなレジスト５を塗布する（ｃ）。続いてマスク６を使用して露光を行う（ｄ）。レジスト５を現像すると（ｅ）に示すような形状が形成される。次にこれらの全体を減厚し、（ｆ）に示すような形状を得る。続いて残ったレジストをマスクとしてウエハ１をエッチングし（ｇ）、その後レジスト溶解除去すると、ウエハ表面に細かなＬ／Ｓパターンを形成することができる（ｈ）。 （もっと読む）

【課題】複数回の露光やベークを実施することなく、一回の露光処理で容易に逆テーパー形状のレジストパターンを得ることが可能な露光用マスクならびに当該マスクを用いたポジ型フォトレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】外周部が遮光領域１０１で区画された光透過領域102を有し、ポジ型フォトレジスト２０７への選択的露光を行う露光システムにおいて用いる、露光用マスク１００であり、前記マスク１００の光透過領域内の一部に、ポジ型フォトレジストの塗布厚み以下の幅を有するダミー遮光領域１０３、１０５が、少なくともレジストパターンとして逆テーパー形状を形成したい部分に対応する前記外周部遮光領域の縁１０１ａ、ｂ、ｃ、ｄのいずれかの縁の近傍に少なくとも１個以上形成されている露光用マスク。 （もっと読む）