【課題】クラッドによるＸ線の閉じ込め効果を高めることで、高い伝搬効率で位相の揃ったＸ線を導波することが可能なＸ線導波路を提供する。
【解決手段】波長が１ｐｍ以上１００ｎｍ以下のＸ線１５を導波させるためのコア１０とクラッド１１、１２を有するＸ線導波路において、コア１０は、Ｘ線１５の導波方向に垂直な方向において屈折率実部が異なる複数の物質を含む周期構造を有し、コア１０とクラッド１２間に平坦化層１３が設けられており、平坦化層１３とクラッド１２の界面における全反射臨界角は、コア１０の周期性に起因するブラッグ角よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】内部での光の散乱及び反射を抑制することができる光半導体集積素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１の半導体層３２が埋め込まれた高抵抗半導体基板３１と、第１の半導体層３２上に形成された光活性層３３及び第２導電型の第２の半導体層３４と、高抵抗半導体基板３１上に形成された導波路コア層３６を含む導波路部と、が設けられている。そして、光活性層３３と導波路コア層３６とが光の伝播方向に沿って互いに接触している。 （もっと読む）

【課題】光導波路の表裏両面に光学素子を設置することができ、光学素子の設置個数を増加することが可能なミラー付き光導波路を提供する。
【解決手段】下部クラッド層２と、前記下部クラッド層２上に間隔をおいて並設された複数本の棒状のコア３ａ〜３ｄと、前記複数本の棒状のコア３ａ〜３ｄを通過する光信号の光路変換を行う複数個のミラー面６，６Ａとを有するミラー付き光導波路５であって、前記複数個のミラー面６，６Ａは、前記コア３ａ〜３ｄの長手方向に対してミラー付き光導波路５の表面側に傾斜する表面通信用ミラー面６Ａ及び裏面側に傾斜する裏面通信用ミラー面６を有しており、前記複数本の棒状のコア３ａ〜３ｄとミラー付き光導波路５の表裏両面との間で光信号の送受信が可能とされていることを特徴とするミラー付き光導波路５。 （もっと読む）

【課題】熱分布の発生を抑制して、ビーム品質を高めることができるようにする。
【解決手段】入射面２ａから励起光６を導入して、その励起光６を伝搬させる平板状の励起光導入部２と、励起光導入部２より高い屈折率を有しており、その励起光導入部２により伝搬された励起光６を導入する入射面が、その励起光導入部２の下面２ｃに接合され、その入射面から導入した励起光６を吸収して利得を発生する平板状のレーザ媒質１とを備え、その励起光導入部２における励起光６の入射方向の長さがレーザ媒質１より長く、その励起光導入部２の入射面２ａ付近にはレーザ媒質１が接合されていないように構成する。 （もっと読む）

【課題】光伝送性能を損なうことなく、コア層とクラッド層の密着力を向上させた光導波路を提供すること。
【解決手段】光導波路１は、コア部２１と前記コア部２１より屈折率の低いクラッド部２２とを有するコア層２と、前記コア層２を挟んで配置される２つのクラッド層３、４とを備え、前記コア層２と前記２つのクラッド層３、４の少なくとも一方との間に厚さが１から１００ｎｍの薄膜層５を含む。薄膜層５はコア部２１よりも屈折率の高い材料からなるものであることが好ましい。薄膜層５は、コア層２とクラッド層３、４の密着力を向上させ、層間剥離を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】安価で容易に作製可能な光カプラを実現すること。
【解決手段】光カプラ１は、石英基板１０と、石英基板１０の両面にそれぞれ形成されたＡｇからなる金属膜１１、１２と、を有している。金属膜１１は、石英基板１０の一方の表面１０ａに形成され、金属膜１２は、石英基板１０の他方の表面１０ｂの全面に形成されている。金属膜１１には、その金属膜１１を貫通する孔１３が複数形成されている。孔１３の石英基板１０の主面に平行な面での断面は円形である。孔１３の直径は、１５０ｎｍである。孔１３は正方格子状に配列されており、その孔１３の間隔は５００ｎｍである。この光カプラ１では、石英基板１０内の入射光１４の一部を、入射光１４の伝搬方向に対して１１１°の方向に分岐光１５として放射させることができる。 （もっと読む）

【課題】強誘電体結晶により構成される強誘電体基板に周期分極反転構造が形成される光学デバイスに関し、その強誘電体結晶の薄膜化および周期分極反転構造の高精度化を可能とする。
【解決手段】単分極化された強誘電体結晶により構成された強誘電体基板１１の一方主面Ｓ1Aと、強誘電体基板１１よりも厚い支持基板１４の一方主面Ｓ1Bとの間に接合部１３を介在させて強誘電体基板１１を支持基板１４で支持しながら一体化しているので、上記した平面研磨処理により強誘電体基板１１、つまり強誘電体結晶を薄膜化することができ、その結果、周期分極反転構造を薄くすることができる。そして、こうして薄膜化された強誘電体基板１１に対し、上記したように電圧印加法により分極反転部を形成する。 （もっと読む）

【課題】サブバンド間遷移素子とシリコン細線によるハイブリット集積化において、シリコン細線との結合効率の向上、及び光路長増大による位相変調効果の増大を実現させ、光ゲートスイッチのＳＮ比改善と低エネルギー動作化等の高性能化を実現する。
【解決手段】ＩｎＧａＡｓやＡｌＡｓＳｂなどの量子井戸構造を形成可能な半導体材料を用い、その量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって引き起こされる位相変調効果を有するサブバンド間遷移導波路に、ＴＥ光信号に対する反射構造（Ｒ１）を設けてサブバンド間遷移スイッチ導波路１０を構成する。導波路端面（Ｐ１）から入力された信号光５は、導波路で位相変調効果を受け、光導波路に設けた反射構造（Ｒ１）にて反射され、再び、導波路内で位相変調効果を受けて、導波路端面（Ｐ１）から出力されるので、シリコン細線導波路との入出力端の同一化および光路長増大を実現できる。 （もっと読む）

【課題】曲率半径が導波路方向に変化する任意曲線形状の導波路パターンをＥＢ描画等により滑らかに描画する。
【解決手段】設計データの最小の曲率半径から所定の長さΛを決定し、光導波路パターンを前記光導波路パターンの露光開始位置の曲率半径とΛで決定される長さＬ_１′だけ、サブ露光量ｄでレジストを露光する第１回目の一次サブ露光工程と、光導波路パターンのＬ_１′の終点位置において、終点位置の曲率半径とΛで決定される長さＬ_２′だけ、サブ露光量ｄでレジストを露光する第１回目の２次サブ露光工程と、第１回目のサブ露光工程を光導波路パターンの終点まで２次サブ露光工程と同じ手順で順次繰り返す第１回目のサブ露光工程と、光導波路パターンの露光開始位置から長さＬ_１′に対する曲率中心からの見込み角の1／Ｎだけ移動した位置を露光開始点として、１回目のサブ露光工程と同じ手順で第２回目以降のサブ露光工程を繰り返して行う。 （もっと読む）

【課題】基板面から非平行な方向へ出射された光の発散を防止することができる光導波路を形成する。
【解決手段】まず、ＳＯＩ基板を用意する。次に、ＳＯＩ基板のＳｉ層上に、レジスト層を形成する。次に、レジスト層から、一定方向に沿って順次に厚みが増加していく形状のレジストパターンを、Ｓｉ層のコア形成予定領域を被覆するように形成する。次に、レジストパターンをマスクとして用いてＳｉ層をエッチングすることによって、コア形成予定領域に残存したＳｉ層の残部から、一定方向に沿って順次に厚みが増加していく形状のコア３７を形成する。次に、レジストパターンを除去した後、ＳｉＯ_２層１５の上側全面に、コアを被覆する上部ＳｉＯ_２層３７を形成することによって、ＳｉＯ_２層及び上部ＳｉＯ_２層からクラッド４１を形成する。 （もっと読む）

【課題】光の吸収損や電気信号の導波損を低減し得る半導体光素子及びマッハツェンダー型光変調素子を提供する。
【解決手段】マッハツェンダー型光変調素子１Ａの位相制御部１０は、ｎ型下部クラッド層１３、コア層１４ａ及び１４ｂ、並びに上部クラッド層１５ａ及び１５ｂをそれぞれ含むメサ構造部１９ａ及び１９ｂを有する。メサ構造部１９ａの上部クラッド層１５ａは、コア層１４ａ上に配置された第一領域１５１ａと、第一領域１５１ａ上に並んで配置された第二領域１５２ａ及び第三領域１５３ａとを含む。メサ構造部１９ｂの上部クラッド層１５ｂは、コア層１４ｂ上に配置された第四領域１５１ｂと、第四領域１５１ｂ上に並んで配置された第五領域１５２ｂ及び第六領域１５３ｂとを含む。領域１５１ａ，１５２ａ，１５１ｂ，及び１５２ｂはｐ型半導体からなり、領域１５３ａ，１５３ｂはアンドープ半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】複数のグレーティングカプラを一括して評価することができる、グレーティングカプラを含む光学素子の製造方法を提供する。
【解決手段】先ず、単一基板１０のチップ列領域２０に複数のグレーティングカプラ３０を形成するとともに、単一基板の評価用領域４０に、評価用グレーティングカプラ５０及び多分岐導波路５５を形成する。この多分岐導波路は、複数のグレーティングカプラのそれぞれと評価用グレーティングカプラとを光学的に接続する。次に、複数のグレーティングカプラを評価する。この評価は、評価用グレーティングカプラに評価用光信号を入射し、複数のグレーティングカプラからの回折光を測定し、及び、回折光の強度と、予め設定された基準値とを比較することにより行われる。次に、チップ列領域と評価用領域とを分離するとともに、チップ列領域を、それぞれグレーティングカプラを含む、複数のＯＮＵチップに個片化する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で信号光と同位相のモニタリングを行うことのできる光導波路デバイスおよび光導波路デバイス製造方法を得ること。
【解決手段】ＬＮチップ１１の出力側端面は、導波路１１ａにおける信号光の進行方向に対して傾斜した構成を有する。傾斜は、信号光の一部が上方向に反射するように形成する。加えて、出力側端面の上方に設けた補強部材３１＿２の上に受光素子４１を配置し、出力側端面で反射した信号光を受光する。かかる構造によって、受光素子４１が取り出すモニタ光と出力側端面から透過する信号光は同位相となり、モニタ光に基づいて制御を行うことでバイアスシフトの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信号伝送特性を向上させる要求に応える光導波路部材を提供するものである。
【解決手段】本発明の一形態にかかる光導波路部材６は、上記課題を解決するため、第１クラッド層１５ａと、該第１クラッド層１５ａ上面に積層された第２クラッド層１５ｂと、第１クラッド層１５ａ及び第２クラッド層１５ｂに取り囲まれ、第１クラッド層１５ａ及び第２クラッド層１５ｂよりも屈折率が高いコア層１６と、を備え、コア層１６は、第１クラッド層１５ａ上面に面当接する第１当接面１６ａ１を有する下面と、第２クラッド層１６ａ２に面当接し、第１当接面１６ａ１と少なくとも一部が平面視で重畳する第２当接面１６ａ２を有する上面と、第１当接面１６ａ１及び第２当接面１６ａ２よりも外側に突出した突出部１６ｂを有する側面と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】特性の低下を回避しながら高次横モードの励振を抑制することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の領域１１内のコア層１７及び第２の領域１２内のコア層１７は、光の伝搬方向に連続して延びている。第１の領域１１には、コア層１７の側面を露出する第１の突起部が形成され、第２の領域１２には、コア層１７の側面の少なくとも一部を露出する第２の突起部が形成されている。第１の突起部の底部は、コア層１７の下面よりも下方に位置し、第２の突起部の底部は、第１の突起部の底部よりも上方に位置する。 （もっと読む）

【課題】電子回路チップの配置制限がない。
【解決手段】受発光素子を具えた電子回路チップが配置されたプリント配線基板10、2次元光導波路20-1及び20-2、及び円偏光板16-1、16-2を具えている。第1電子回路チップ12-1が具えている発光素子14-1の出力光が円偏光板16-1に入力されて円偏光に変換されて第1回折格子22-1に入力される。第1回折格子に入力された光束は回折されてその回折光が2次元光導波路20-1に入力される。2次元光導波路に入力された回折光は、2次元光導波路を伝播してその一部が第2回折格子22-2に到達する。第2回折格子に到達した回折光は回折されてこの回折光が受光素子14-2に入力される。 （もっと読む）

【課題】光導波路層、光電気混載基板の小型化・高性能化を実現し、また、それらの製造の生産性向上を図ることを課題とする。
【解決手段】第１クラッド層２１ａの上に設けられた第１のコア２２ａと、第２クラッド層２１ｂの上に設けられた第２のコア２２ｂとを有し、第１クラッド層２１ａの第１のコア２２ａ側の面と、第２クラッド層２１ｂの第２のコア２２ｂ側の面とが対向し、第１クラッド層２１ａと第２クラッド層２１ｂとの間に共有クラッド層２５を設け、かつ、第１のコア２２ａと第２のコア２２ｂとが互いに離間していることを特徴とする光導波路層２０Ａ。 （もっと読む）

【課題】一体化される光導波路基板に形成すべき導通ビアのファインピッチ化を実現可能にするとともに、導電性材料の充填不足による歩留りの低下を防止すること。
【解決手段】配線基板１０上に積層された第１クラッド層２１にビア開口を行い、その開口されたビアを導電性材料で充填して、第１クラッド層２１の面からきのこ状に突出した形状を有する第１の導体部分２４（導通ビアの一部）を形成する。さらに、この第１の導体部分２４と共にコア層２２及び第１クラッド層２１を被覆して形成された第２クラッド層２３にビア開口を行い、その開口されたビアを導電性材料で充填して、第１の導体部分２４と接続される第２の導体部分２５（導通ビアの残りの部分）を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンコアより構成されたキャリア注入型の可変光減衰器における偏波依存損失が低減できるようにする。
【解決手段】シリコンより構成されたコア１０１よりなる光導波路と、印加される電流に対応してコア１０１にキャリアを注入するキャリア注入部１１０とを備える。加えて、コア１０１よりなる光導波路は、ＴＭ偏光に対して求められる光導波路の実効屈折率の虚部の値と、ＴＥ偏光に対して求められる光導波路の実効屈折率の虚部の値との差が、所望の値以下となる状態に形成されている。 （もっと読む）

【課題】光導波路を、容易に形成でき、例えばスポットサイズ変換の変換比が大きい場合であっても、変換効率が高く、短い距離でスポットサイズ変換を行なえる構造とする。
【解決手段】光導波路を、第１の幅を有する第１導波路コア部１と、第１の幅よりも広い第２の幅を有する第２導波路コア部２と、第１導波路コア部１と第２導波路コア部２とを接続するテーパ状導波路コア部３とを備えるものとし、テーパ状導波路コア部３を、第１導波路コア部１から第２導波路コア部２へ向けて幅が広くなるテーパ形状を有するものとし、第１導波路コア部１に接続される側の幅を第１の幅と同一にし、第２導波路コア部２に接続される側の幅を第２の幅よりも狭くする。 （もっと読む）