【課題】絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、絶縁膜を高速かつ低研磨傷で研磨でき、また酸化珪素膜とストッパ膜との高い研磨速度比を有する研磨剤を提供する。
【解決手段】水、４価の金属水酸化物粒子及び添加剤を含有する研磨剤であって、該添加剤はカチオン性の重合体および多糖類の少なくとも一方を含む。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの磨耗とドレッサの汚染を防ぎながらドレッシングを行なうこと。
【解決手段】研磨パッド１のドレッシング処理に用いるドレッシング液として、純水に微細気泡を混ぜたものを用いる。さらにドレッサ１０を円環状とし、この円環状の中空部分にドレッシング液を供給しながらドレッシング処理を行なう。ドレッサの中空部分に供給された、微細気泡を含有するドレッシング液は、ドレッサの中空部分に一定時間滞留し、ドレッシング液中の微細気泡が、研磨パッド１やドレッサ１０等についたゴミを吸着、除去する。 （もっと読む）

【課題】ソーワイヤを用いてワークを切断したときに、加工変質層深さが浅く、平滑な表面の切断体が得られる樹脂被覆ソーワイヤを提供する。
【解決手段】樹脂被覆ソーワイヤは、ソーマシンでワークを切断するときに用いられるソーワイヤであって、鋼線の表面に、砥粒を含有せず、且つ１２０℃での硬さが０．０７ＧＰａ以上の樹脂皮膜が被覆されており、樹脂皮膜は、ワークを切断するときに吹き付けられる砥粒が樹脂皮膜に食い込むことを抑制するように硬さが制御されている。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨に関し、金属層が希望の厚さまで平坦かされたかどうかを確実に判断する方法を提供する。
【解決手段】化学機械研磨装置は、研磨パッド３０と、研磨面の第１の側に当接して基板１０を保持するためのキャリア７０と、研磨パッド３０及びキャリヤヘッド７０の少なくとも一方に接続されて両者間に相対運動を生じさせるモータとを備え、渦電流監視システムは、基板１０の近くに交番磁界を発生させるように位置決めされており、光学監視システムは、光ビームを発生して基板１０からの該光ビームの反射光を検出し、コントローラは、渦電流監視システム及び光学監視システムからの信号を受信する。 （もっと読む）

【課題】バリア膜の研磨速度が高速であり、層間絶縁膜を高速に研磨でき、かつ、ＣＭＰ研磨液中の砥粒の分散安定性が良好あるＣＭＰ研磨液と研磨方法を提供する。
【解決手段】ダマシン法においてバリア膜を研磨するためのＣＭＰ研磨液であって、媒体と、前記媒体に分散している砥粒としてシリカ粒子とを含み、（Ａ１）前記シリカ粒子のシラノール基密度が５．０個／ｎｍ^２以下であり、（Ｂ１）前記シリカ粒子を走査型電子顕微鏡により観察した画像から任意の２０個を選択したときの二軸平均一次粒子径が２５〜５５ｎｍであり、（Ｃ１）前記シリカ粒子の会合度が１．１以上であるＣＭＰ研磨液、およびこれを用いた研磨方法。 （もっと読む）

【課題】 下地層の周側面に防水層を設けることにより、研磨パッドの下地層内にスラリーが浸透することを防止して、研磨特性に悪影響を及ぼさず、また研磨レートの検出精度を上げるようにする。
【解決手段】 研磨パッド１は、下地層１１と下地層１１の表面に積層されたパッド本体１０とを有する。下地層１１の周側面にスラリーの浸透を防止し得る防水層１２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】精密機器に用いられる基盤やレンズ、液晶ガラス等における研磨加工時に剥がれが少なく安定生産ができ、かつ圧縮弾性率が低く被研磨面の高い平坦性を得られる研磨用吸着パッド素材とその製造方法を提供すること。
【解決手段】基材上に、高分子弾性体（Ａ）からなる接着層と、架橋剤を含有しかつ多孔の高分子弾性体（Ｂ）からなる表面層とが、順に存在する研磨用吸着パッド素材。さらには、架橋剤がイソシアネート系架橋剤であることや、圧縮時の圧縮変形量が多孔層上部よりも多孔層下部において大きいこと、高分子弾性体（Ｂ）の１００％伸張モジュラスが２〜５ＭＰａであること、架橋剤がブロックイソシアネート系架橋剤であることが好ましい。また研磨用吸着パッド素材の製造方法は、基材上の高分子弾性体（Ａ）からなる接着層上に、架橋剤を含有する高分子弾性体（Ｂ）からなる処理液を塗布し、湿式凝固することを特徴とする。さらには、架橋剤が末端封鎖されたものであり湿式凝固後に熱処理を行うことや、湿式凝固表面を熱プレス処理することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】研磨定盤に対し、砥粒の埋め込みばらつきを抑制しつつ、効率よく砥粒を埋め込む。
【解決手段】研磨定盤の表面に砥粒を含む砥液を供給しつつ押圧手段で砥液を介して研磨定盤を押圧するとともに押圧手段と研磨定盤とを摺動させて砥液に含まれる砥粒を研磨定盤の表面に埋め込む砥粒埋め込み装置において、押圧手段は、１以上の押圧部材と、押圧部材の上方に配設され押圧部材を研磨定盤に押しつける錘部材と、押圧部材に超音波を付与する超音波振動子とを有し、押圧部材が、複数の円盤状の押圧チップが配設された押圧面を有することにより、押圧手段と研磨定盤との相対摺動方向に対して各押圧面を互いに同じ長さとし、流体応力のばらつきを抑えることで、研磨定盤に対する砥粒の埋め込みばらつきを抑制する。 （もっと読む）

【課題】バリア膜の研磨速度が高速であり、層間絶縁膜を高速に研磨でき、かつ、ＣＭＰ研磨液中の砥粒の分散安定性が良好あるＣＭＰ研磨液と研磨方法を提供する。
【解決手段】媒体と、金属防食剤と、酸化金属溶解剤と、前記媒体に分散している砥粒としてシリカ粒子とを含み、ｐＨが酸性領域にあるＣＭＰ研磨液であって、（Ａ１）前記シリカ粒子のシラノール基密度が５．０個／ｎｍ^２以下であり、（Ｂ１）前記シリカ粒子を走査型電子顕微鏡により観察した画像から任意の２０個を選択したときの二軸平均一次粒子径が２５〜５５ｎｍであり、（Ｃ１）前記シリカ粒子の会合度が１．１以上であるＣＭＰ研磨液、およびこれを用いた研磨方法。 （もっと読む）

【課題】研磨布のドレッシング状態の変化によって生じる研磨速度の変化による研磨代のばらつきを抑制し、仕上がり厚さを高精度に制御できるシリコンウェーハの研磨方法及び研磨装置を提供する。
【解決手段】所定の研磨代となるように研磨時間を設定し、タンク内に貯蔵された研磨剤を研磨布に供給しながらシリコンウェーハを研磨布に摺接させて設定した研磨時間で研磨し、供給した研磨剤を前記タンク内に回収して循環させながらシリコンウェーハの研磨をバッチ式に繰り返すシリコンウェーハの研磨方法において、研磨布をドレッシングした後のバッチ回数の増加に伴って変化する研磨速度を予めデータベースに記録しておく工程と、所定の研磨代となるように研磨時間を設定する際に、データベースに記録された研磨布をドレッシングした後のバッチ回数の増加に伴って変化する研磨速度に基づいて研磨時間を設定する工程とを有するシリコンウェーハの研磨方法。 （もっと読む）

【課題】研磨速度安定性に優れる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】中空微小体を含むポリウレタン樹脂発泡体からなる研磨層を有する研磨パッドであって、前記ポリウレタン樹脂発泡体は、原料として下記一般式（１）で表されるポリシロキサン基含有ジオールを含み、前記ポリシロキサン基含有ジオールの含有量は、ポリウレタン樹脂発泡体の全原料に対して１〜１０重量％である。


（式中、Ｒ_１は炭素数が１〜１２のアルキル基であり、ｎは１０〜３８０の整数であり、ｍは１〜１２の整数である。） （もっと読む）

【課題】 本発明は、スラリー漏れを防止することができ、かつ光学的検知精度に優れる研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の研磨パッドは、研磨領域、クッション層、及び支持フィルムがこの順に積層されており、研磨領域及びクッション層を貫く開口部内かつ支持フィルム上に光透過領域が設けられており、前記光透過領域は、研磨定盤側の表面に、周囲部とくぼみ部とを有しており、前記周囲部には支持フィルムが積層されており、前記くぼみ部には支持フィルムが積層されておらず開口していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスに用いることができる窒化物結晶基板を効率的に得るため、効率よく窒化物結晶に平滑で品質のよい表面を形成する窒化物結晶の表面処理方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の表面処理方法は、窒化物結晶１であるＧａＮ結晶の表面を化学機械的にポリシングする表面処理方法であって、酸化物の砥粒１６が用いられ、砥粒１６の標準生成自由エネルギーが酸素分子１ｍｏｌ当たりの換算値で−８５０ｋＪ／ｍｏｌ以上であり、かつ、砥粒１６のモース硬度が４以上である。 （もっと読む）

【課題】ポリシングパッドの表面凹凸の加工に寄与している周波数成分や振幅を反映した構造を選択的に形成させることで、研磨性能の向上を図る。
【解決手段】ポリシングパッドは、基材層と、該基材層の表面に設けられ、かつ、該基材層の表面側から先端側に傾斜面を有する複数の突起を、ピーク材によって一体に形成する。この複数の突起は、基材層の表面において縦及び横方向にそれぞれ所定間隔を開けて配置する。 （もっと読む）

【課題】研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面における研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することが可能な研磨用組成物を用いたシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンウエハの製造方法は、ポリビニルピロリドン及びポリＮ−ビニルホルムアミドから選ばれる少なくとも一種類の水溶性高分子を含有する研磨用組成物を使用した予備研磨工程と、仕上げ研磨工程を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】化学機械的研磨の終点を正確に決定する方法を提供する。
【解決手段】スペクトルに基づく終点検出、スペクトルに基づく研磨速度調整、光学ヘッド５３頂面の噴射、または窓付きのパッド３０を含み、スペクトルに基づく終点検出は、具体的なスペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されるとターゲット厚さが達成されるよう、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理を経験的に選択された基準スペクトルを使用し、異なるトレースまたは一連のシーケンスを使用して研磨終点を決定でき、噴射システムは、光学ヘッド５３の頂面にかけて層状のガス流を作成し、真空ノズルと真空源は、ガス流が層状になるように構成され、窓は、柔軟なプラスチック部分と結晶質またはガラス質の部分を含み、スペクトルに基づく研磨速度調整は、基板上の異なるゾーンにスペクトルを得るステップを含む。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨工程において、オーバーポリッシュ実施時のエロージョン及びその速度を抑制できる化学機械研磨用水系分散体を提供すること。
【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、ウエハ上の絶縁膜に形成された孔または溝に銅または銅合金を埋め込んだ後、化学機械研磨により余剰の銅または銅合金を除去することによって配線を形成する手法に用いる化学機械研磨用水系分散体であって、ヒュームドシリカまたはコロイダルシリカと、水と、過酸化水素と、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウムおよびドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムから選択される少なくとも１種と、を含有し、前記ドデシルベンゼンスルホン酸カリウムおよび前記ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムの合計量が０．００２質量％以上１質量％未満であり、ｐＨが７．５以上９．０以下である （もっと読む）

【課題】被研磨物の表面に傷が付くことを十分に防止できる研磨体及びこれを用いた研磨方法を提供すること。
【解決手段】研磨面１０ａを有し、研磨面１０ａに溝１１が形成されている研磨体１０であって、溝１１は、研磨面１０ａ上にあって溝１１の開口１３を形成する一対の縁部１２ａ，１２ｂと、縁部１２ａ，１２ｂに沿って延びる底部１４と、底部１４と縁部１２ａとを結び、研磨面１０ａに対して傾斜する傾斜面１５ａと、底部１４と縁部１２ｂとを結び、研磨面１０ａに対して傾斜する傾斜面１５ｂとによって形成され、研磨面１０ａと、傾斜面１５ａ及び傾斜面１５ｂの各々とのなす角が鈍角である、研磨体１０。 （もっと読む）

【課題】 ニードルパンチ方式に比べて短時間で製造できるとともに短繊維で研磨面を形成可能な研磨パッドを提供することである。
【解決手段】 ウエーハ等の板状物を研磨する研磨パッドであって、基材と、基材上に繊維が静電植毛によって配設された研磨層とから構成される。好ましくは、繊維は親水性繊維から構成され、繊維の長さは１ｍｍ以下の短繊維である。 （もっと読む）

【課題】シリカ粒子が沈降しない安定性と、高いアルミニウム膜の研磨速度と、低いシリコン酸化膜の研磨速度の全ての特性を充足さする化学機械研磨用分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）スルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有するシリカ粒子と、（Ｂ）Ｎ−ビニルピロリドンおよびその誘導体からなる群から選択される少なくとも１種に由来する繰り返し単位を含む水溶性高分子とを含有し、ｐＨが２以上８以下である。 （もっと読む）