【課題】フィルタの軸方向及び半径方向の全体に亘ってススを均等に捕集することができると共に、均一に再生するのに有効で、しかも高い排ガス除去効率を長い間維持することができ、さらには耐久性に優れたセラミックフィルタを提供する。
【解決手段】ハニカム構造を有する柱状の、多孔質セラミック焼結体からなるフィルタユニットの複数個を、シール材層を介して組み合わせ一体に結束してなる集合体において、その集合体を、種類の異なるフィルタユニットを組み合わせたものにて構成すると共に、種類の異なるこれらのフィルタユニットは、担持量もしくは種類の異なる触媒を担持してセラミックフィルタとする。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の簡易な高純度化方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体を不活性ガス雰囲気下で１７００℃〜２０００℃で加熱する炭化ケイ素焼結体の高純度化方法。 （もっと読む）

【課題】多孔質炭化ケイ素焼結体の作製に適した炭化ケイ素焼成用原料であって、鉄化合物粉末が均一に分散した炭化ケイ素焼成用原料を提供する。
【解決手段】少なくとも炭化ケイ素粉末と鉄化合物粉末とを湿式混合又は湿式粉砕混合する工程を含むことを特徴とする製造方法により炭化ケイ素焼成用原料を製造する。このような炭化ケイ素焼成用原料を用いることにより、炭化ケイ素の焼結が確実に進行することとなり、製造したハニカム構造体の気孔径及び気孔率のバラツキを少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】靱性を向上できる炭化硼素質焼結体およびその製法ならびに防護部材を提供する。
【解決手段】炭化硼素を主成分とし、炭化珪素およびグラファイトを含む炭化硼素質焼結体であって、前記炭化硼素からなる主結晶粒子１の粒界に、針状の炭化珪素５が存在するとともに、任意の断面における針状の炭化珪素５が５００〜５０００個／ｍｍ^２存在するため、針状の炭化珪素５のアンカー効果により炭化硼素からなる主結晶粒子１同士を連結し、靱性を向上でき、仮に、クラックが発生したとしても、針状の炭化珪素５でクラックの進展を抑制することができ、これにより、防護部材の破損を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】純水や超純水中であっても、エロージョン等による損傷を抑えて、長期に亘って安定して使用できる純水用セラミックス摺動部材を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ焼結体からなり、超純水または純水中で使用されるセラミックス摺動部材３０，３８，３９であって、β−ＳｉＣのＳｉＣ焼結体中に占める割合は２０％以上で、平均的な結晶組織のアスペクト比は２以上である。 （もっと読む）

【課題】 耐熱衝撃性に優れたハニカム構造体を提供すること。
【解決手段】 本発明のハニカム構造体１は、多孔質のセラミックスよりなり、軸方向にのびる複数のセルをもつハニカム基材２と、ハニカム基材２の周方向の外周面を被覆したセラミックスよりなる外周材層４と、を有するハニカム構造体であって、ハニカム基材２の３００〜９００℃での熱膨張係数をα_Ｉ（ｐｐｍ／Ｋ）、外周材層４の３００〜９００℃での熱膨張係数をα_ＩＩ（ｐｐｍ／Ｋ）としたときに、α_Ｉ−α_ＩＩの値が１．０〜５．０（ｐｐｍ／Ｋ）であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コーティング層とＣＭＣ基材との熱膨張係数ミスマッチを緩和することができ、コーティング層とＣＭＣ基材との密着性を向上させることができるセラミックス基複合部材を提供する。
【解決手段】セラミックス基複合材料からなる基材１と、コーティング層３とを有するセラミックス基複合部材１０であって、基材１の被コーティング面１ａ側に、熱膨張係数が基材１とコーティング層５との間の値である応力緩和材料が含浸されてなる応力緩和層２を有するセラミックス基複合部材１０とする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド粒子からダイヤモンド−炭化ケイ素−ケイ素複合材料を製造する方法、および、この方法により製造されたダイヤモンド−炭化ケイ素−ケイ素複合材料を提供する。
【解決手段】加工物を形成し、その加工物を加熱し、その加熱温度と加熱時間を、ある一定の、所望とされる量の黒鉛がダイヤモンド粒子の黒鉛化により造り出されるように制御し、それによって中間物を造り、そしてその中間物にケイ素を浸透させることにより、２０〜７５容積％のダイヤモンド粒子、少なくとも５容積％、好ましくは１５容積％より多い炭化ケイ素、およびケイ素を含んで成る、ヤング率が４５０ＧＰａを越える物体を作製する。 （もっと読む）

【課題】この発明は、バインダを用いないでも成形型へ充填されたナノＳｉＣの圧粉状態が維持されて優れた成形性をもち、正常な加圧焼結が出来るような成形性の良好な超微細ＳｉＣ粒子およびその製造方法を得ようとするものである。
【解決手段】粒径が10〜100nmでＣ−Ｈ結合およびＳｉ−Ｈ結合を含む成形性に優れた超微細ＳｉＣ粒子である。 （もっと読む）

【課題】アルコールと水などの様々な液体の吸液量をそれぞれ所定の範囲にコントロールすることができる吸液芯を提供すること。
【解決手段】一方面とそれに対向する他方面とを有し、多孔質セラミックスからなる吸液部と、該吸液部を一方面から他方面へかけて区画する緻密質材料からなる隔壁部とを有し、該隔壁部によって区画された部分吸液部の少なくとも一つと他の部分吸液部との平均気孔率が異なること。 （もっと読む）

【課題】高温環境下で粒界相中の金属イオンの移動を防ぐことができ、かつ耐腐食性及び高温特性に優れているセラミックヒータを提供すること。
【解決手段】モリブデンの珪化物、窒化物及び炭化物、並びに、タングステンの珪化物、窒化物及び炭化物のうち、少なくとも１種を主成分とする発熱体と、窒化珪素を主成分とし、かつ希土類元素を酸化物換算で４〜２５質量％含有し、かつアルミニウム成分を窒化アルミニウム換算で０．０２〜１質量％含有し、かつ全酸素量に対する希土類元素の酸素量の比が０．３〜０．６であり、かつモリブデン、バナジウム、タングステン及びクロムから成る群より選ばれる少なくとも１種の珪化物を１〜８体積％含有する基体とを備え、前記基体の表面には、希土類元素のモノシリケート及び／又はダイシリケートが主結晶相であり、前記発熱体が前記基体に埋設されて成ることを特徴とするセラミックヒータ。 （もっと読む）

【課題】 実用的な条件によって加工変質層を除去するＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のＳｉＣ基板１１は、実質的に平行な第１および第２の主面１１ａ、１１ｂを有し、第２の主面１１ｂのみが鏡面仕上げされており、反りが±５０μｍ以下であるＳｉＣ基板であって、第２の主面１１ｂの表面粗度Ｒａは１ｎｍ以下であり、第１の主面１１ａの加工変質層が除去されている。 （もっと読む）

本発明は、ＳｉＣ微粒子の部分から、およびＳｉＣのより大きいサイズの粒子の部分から出発して、熱処理および高温で焼結することによる、ＳｉＣでできた多孔質耐熱性セラミック製品の製造方法に関する、該方法は、熱処理および高温での焼結前ステップにおいて、ＳｉＣの最も微細な粒子が凝集され、次に、第２のステップにおいて、このように得られた粒体が、より大きいサイズの粒子を有するＳｉＣ粉末に加えられることを特徴とする。本発明はまた、本質的にα型の再結晶化されたＳｉＣでできた多孔質体、特にそうした方法によって得られた粒子フィルターに関する。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成により炭化珪素を容易に純化する。
【解決手段】酸素が存在しない雰囲気下において少なくとも炭化珪素を含む処理対象物の表面をフッ化物プラズマにより洗浄することによって炭化珪素を純化する。これにより、簡単な装置構成により炭化珪素を容易に純化することができる。 （もっと読む）

【課題】耐クリープ性及び耐熱衝撃性に優れるとともに、焼成クラックや焼成反りが少なく、更に、従来の焼結体よりも低い焼成温度にて製造することが可能な酸化物結合炭化珪素質焼結体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素を主成分とし、実質的に炭化珪素からなる骨材粒子と、骨材粒子を結合する二酸化珪素を含む結合部とから構成される、多孔質構造の酸化物結合炭化珪素質焼結体であって、結合部は、二酸化珪素の結晶相を主相とし、ＮａＶ_６Ｏ_１５及びＶ_２Ｏ_４を、ＮａＶ_６Ｏ_１５の結晶相及びＶ_２Ｏ_４の結晶相の状態でそれぞれ含有するものである酸化物結合炭化珪素質焼結体。 （もっと読む）

【課題】高い強度のチタンシリコンカーバイド基複合材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多結晶チタンシリコンカーバイドの結晶粒を配向させ、大部分の結晶のｃ面が一方向に揃った組織のチタンシリコンカーバイドに微細な炭化チタン粒子が分散した組織で、その強度が従来の多結晶チタンシリコンカーバイドより大きいことを特徴とするチタンシリコンカーバイド基複合材料、及びこの複合材料に１０〜２０体積パーセントの炭化ケイ素ウィスカが分散した組織で、更に、高強度であることを特徴とするチタンシリコンカーバイド基複合材料、及びチタン、ケイ素、炭化チタンの混合粉末、又はチタン、炭化ケイ素、炭素の混合粉末を用いて、上記チタンシリコンカーバイド基複合材料を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】気孔などの欠陥が少ない炭化ケイ素焼結体の製造が可能な炭化ケイ素顆粒を提供すること。
【解決手段】炭化ケイ素粒子を含み、０．５Ｎ／ｍｍ^２の強度で圧縮した際の歪量の平均値が２０％以上であることを特徴とする炭化ケイ素顆粒。 （もっと読む）

【課題】炉材を消耗させることなく体積抵抗率が低い炭化珪素焼結体を製造する。
【解決手段】粉砕粉を窒素雰囲気下で焼成することにより焼成粉を生成し、焼成粉を粉砕することにより再粉砕粉を生成し、再粉砕粉を焼結させることにより炭化珪素焼結体を生成する。 （もっと読む）

【課題】例えば成形型としての耐久性等の機械強度を改善し、表面の気孔の発生を十分抑制することができる炭素含有炭化ケイ素セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素、炭素原料及び焼結助剤を含む原材料の混合物Ｘを造粒する工程と、前記工程で得た造粒物を成形して焼成する工程とを有する炭素含有炭化ケイ素セラミックスの製造方法であって、前記造粒物の体積基準の粒度分布におけるＤ１０が３０〜６０μｍ、Ｄ５０が５０〜８５μｍ、Ｄ９０が９０〜１３５μｍである。 （もっと読む）

【課題】純度を低下させることなく化学気相成長法により形成された炭化珪素を、炭化珪素層の抵抗を低くして炭化珪素層を導電化させることができる炭化珪素導電化方法の提供。
【解決手段】化学気相成長法により炭化珪素焼結体表面に炭化珪素層を形成する工程と、表面に炭化珪素層が形成された炭化珪素焼結体を窒素雰囲気下で加圧処理することにより、炭化珪素層の抵抗を低下させて、当該炭化珪素層を導電化する工程を有する事を特徴とする炭化珪素導電化方法により得られる。 （もっと読む）