【課題】超微粒、均粒かつ均質なチタン系炭窒化物固溶体粉末の製造方法を提供すること。
【解決手段】チタン酸化物粉末、炭素粉末、およびモリブデン酸化物粉末もしくはタングステン酸化物粉末の１種類以上の粉末からなる混合粉末、また、必要に応じて、Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｈｆの各酸化物粉末の１種以上をさらに添加した混合粉末を、非窒化性かつ非酸化性雰囲気中で１４００℃以上まで加熱昇温し、その後、雰囲気を窒素雰囲気に切り替え、該窒素雰囲気中において、１４００〜１６００℃の温度範囲で熱処理することにより、一次粒子の平均粒径が２００ｎｍ以下の超微粒の均粒であり、さらに、均質な固溶体組織を有する超微粒かつ均質なチタン系炭窒化物固溶体粉末を得る。 （もっと読む）

【課題】構造部材等の用途において必要な高密度、高硬度の二硼化チタン焼結体を製造するに際し、焼結温度をより低くして製造コストをより低くする。
【解決手段】Al₃Tiまたは、MをNi,Cr,Fe,Mo,Cuの１種類または２種類以上の組み合わせとして、(Al,M)₃Tiを主成分とした焼結助剤を用い、焼結助剤の重量割合を１０％以上５０％以下とし、TiB₂を主成分とした金属硼化物基本成分との混合粉末とした焼結材料を１０００℃で焼結しビッカース硬度５００以上、曲げ強度２００ＭＰａ以上の高緻密性、高硬度の二硼化チタン系焼結体を製造することができる。(Al,M)₃Tiを主成分とした焼結助剤の重量割合を２０％以上４０％以下とすることにより、１０００℃の温度の焼結温度でビッカース硬度８００以上、曲げ強度３００ＭＰａ以上の高緻密性、高硬度、高強度の二硼化チタン系焼結体とすることができる。 （もっと読む）

【課題】二相構造を有する共晶シリコン合金の焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】重量％で、シリコン３０〜７０、窒素１０〜４５、アルミニウム１〜４０、及び酸素１〜４０を含有するシリコン合金であって、β’サイアロン相とο’サイアロン相からなる共晶組織を有する二相共晶シリコン合金の粉末からなる成形体を、その熱容量の１０倍以上の熱量を投入できる焼結炉内に保持し、常圧又は常圧以上で、且つシリコン気体のモル分率が１０％以上である窒素雰囲気において、１４００℃以上１７５０℃以下の温度範囲内の異なる温度において２段階で焼結を行う。各相に適した異なる温度で２段階で焼結することにより、高密度焼結体を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性に優れた新規な構成のＡｌＮ粒子を簡易に提供する。
【解決手段】カーボン粒子とアルミナ粒子とを混合して坩堝内に配置し、次いで、前記カーボン粒子及び前記アルミナ粒子に対して、窒素雰囲気下においてマイクロ波を照射し、アルミナ及び酸窒化アルミニウムの少なくとも一方からなるコアと、前記コアの表面に形成された、窒化アルミニウムからなる表面層とを具える窒化アルミニウム系粒子を製造する。 （もっと読む）

【課題】希土類多ホウ化物において、高温（９００Ｋ以上）で優れたｎ型の熱電的性質を有する新しい機能を示す多ホウ化物を使用したｎ型熱電変換素子を提供することを目的としている。
【解決手段】一般式ＲＥＢ_２２＋ＸＣ_４＋ＹＮ_１＋Ｚ（−６＜Ｘ＜６、−３＜Ｙ＜３、−１＜Ｚ＜１、ＲＥは、Ｓｃ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の希土類元素）で表される、三斜晶系または菱面体系に属する炭素、窒素をドープしてなる希土類多ホウ化物を提供することによって解決する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性フィラー及び高強度フィラーとして好適に用いることができる新規な形態のＡｌＮを簡易に提供する。
【解決手段】カーボン粒子とアルミナ粒子とを混合して坩堝内に配置する。次いで、前記カーボン粒子及び前記アルミナ粒子に対してマイクロ波を照射し、前記アルミナ粒子を前記カーボン粒子で還元窒化して窒化アルミニウムを得るとともに、この窒化アルミニウムを昇華させ、非加熱状態の部材に付着させ、直径が３０ｎｍ〜２μｍであって、長さが１０μｍ〜２ｍｍである窒化アルミニウムワイヤーを製造する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性に優れた新規な構成のＡｌＮ粒子を簡易に提供する。
【解決手段】カーボン粒子とアルミナ粒子とを混合して坩堝内に配置し、次いで、前記カーボン粒子及び前記アルミナ粒子に対して、窒素雰囲気下においてマイクロ波を照射し、全体積の５％〜４０％の割合で内部に中空部を有することを特徴とする、窒化アルミニウム粒子を製造する。 （もっと読む）

【課題】切削工具の材料として用いた場合に、優れた耐摩耗性および耐欠損性を有する切削工具を得ることのできる焼結体およびその製造方法ならびにその焼結体を用いた切削工具を提供する。
【解決手段】立方晶型サイアロンと、β型サイアロンと、第１化合物および第２化合物の少なくともいずれかとを含む焼結体であって、第１化合物は、鉄、コバルト、ニッケル、周期律表の第４ａ族元素、第５ａ族元素、および第６ａ族元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、第２化合物は、第４ａ族元素、第５ａ族元素、および第６ａ族元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素と、炭素、窒素および硼素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素とからなる少なくとも１種の化合物である。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法によって製造された炭化ケイ素焼結体と同レベルの耐食性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体の製造方法は、不活性雰囲気下において、エチルシリケートとフェノール樹脂とを含む混合物を焼成し、炭化ケイ素粉体を生成する過程で生成され、ケイ素単体と一酸化ケイ素とを含むケイ素源の粉体を抽出する工程と、炭化ケイ素焼結体の表面に前記ケイ素源を蒸着させる蒸着工程を有する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の耐酸化性を向上させることにより、炭化ケイ素焼結体の再利用性を高める。
【解決手段】窒化アルミニウムを含有する原料物質と、炭化ケイ素を含む原料物質と、焼結助剤としてイットリアとフェノール樹脂とを混合する工程と、混合して得られた混合体の粉体をホットプレスにより焼成する工程とを有し、混合物中における炭化ケイ素と窒化アルミニウムとの比が９０／１０〜５０／５０である。 （もっと読む）

【課題】粒子形状及びサイズの一定した高品質の結晶質窒化ケイ素粉末を低コストで大量に生産できる新規な製造方法を提供することである。
【解決手段】非晶質窒化ケイ素粉末及び／又は含窒素シラン化合物を窒素含有不活性ガス雰囲気下又は窒素含有還元性ガス雰囲気下に焼成して、結晶質窒化ケイ素粉末を製造するに際し、非晶質窒化ケイ素粉末及び／又は含窒素シラン化合物を圧縮成形して、嵩密度０．８ｇ／ｃｍ^３超〜１．０ｇ／ｃｍ^３以下、短軸径１ｍｍ以上、長軸径２０ｍｍ以下の顆粒状物とすること、及び昇温過程において、１０００〜１２００℃の温度範囲全域における昇温速度を１０℃／分以下とすることを特徴とする結晶質窒化ケイ素粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、より長い工具寿命を達成する複合焼結体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の複合焼結体は、立方晶窒化硼素と結合材とを含む複合焼結体であって、該立方晶窒化硼素は、該複合焼結体中に２０体積％以上８０体積％以下含まれ、該結合材は、Ｔｉ化合物と補助結合材成分とを含み、該補助結合材成分は、Ａｌ化合物およびＳｉ化合物のいずれか一方または両方により構成され、かつ、該複合焼結体の少なくとも一断面において、該立方晶窒化硼素の粒子の外郭線の合計に対する、該補助結合材成分の粒子の外郭線の合計の比が１．４以上２．８以下となることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より高強度の窒化ケイ素焼結体を実現する。
【解決手段】本発明の窒化ケイ素焼結体は、ジルコニアを３〜１０重量％含む、ジルコニア粒子が分散した窒化ケイ素焼結体であり、上記ジルコニア粒子の粒子径は５μｍ未満であり、粒子径が０．５μｍ以上５μｍ未満のジルコニア粒子の数が０．００５個／μｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】焼結助剤の種類や量にかかわらず、相対密度の高い窒化ケイ素系セラミックスを容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】金属Ｓｉ粉末と焼結助剤との混合物の圧粉体を窒素雰囲気中で焼成することにより、圧粉体中の金属Ｓｉの少なくとも一部が窒化された反応焼結体を得る窒化工程Ｓ６と、反応焼結体を窒素雰囲気中で焼成することにより緻密化された最終焼結体を得る緻密化工程Ｓ７とを含む。そして、窒化工程Ｓ６において、金属Ｓｉの重量分率が０〜１０ｗｔ％、α−Ｓｉ_３Ｎ_４の重量分率が５０〜９５ｗｔ％、β−Ｓｉ_３Ｎ_４の重量分率が５〜４０ｗｔ％であり、かつ、相対密度が７５％以下である反応焼結体を生成する。 （もっと読む）

【課題】工具の熱伝導率の低下と工具の硬度の向上とを両立した立方晶窒化硼素焼結体工具を提供する。
【解決手段】本発明の立方晶窒化硼素焼結体工具は、少なくとも工具作用点に立方晶窒化硼素焼結体を用いた立方晶窒化硼素焼結体工具であって、該立方晶窒化硼素焼結体は、立方晶窒化硼素と断熱相と結合相とを含有し、立方晶窒化硼素は、立方晶窒化硼素焼結体中に６０体積％以上９９体積％未満含まれ、断熱相は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、およびＺｒからなる群より選択される１種以上の元素と、Ｎ、Ｃ、Ｏ、およびＢからなる群より選択される１種以上の元素とからなる第１化合物を１種以上含み、該第１化合物は、立方晶窒化硼素焼結体中に１質量％以上２０質量％以下含まれ、かつ１００ｎｍ未満の平均粒子径を有し、立方晶窒化硼素焼結体は、７０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の熱伝導率であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】立方晶窒化ホウ素焼結体の製造において、焼結助剤を使用せず、５ＧＰａ，１４００℃以上で焼結することにより、均質性、緻密性の高い高硬度立方晶窒化ホウ素焼結体を得る製造方法を提供すること。
【解決手段】メタリン酸ナトリウム水溶液中に立方晶窒化ホウ素原料粉末を分散させ、立方晶窒化ホウ素原料粉末中の二次粒子を解膠した後、この分散液を乾燥して水分を除去した後成形体を作製し、次いで、該成形体を真空中で加熱して残留するメタリン酸ナトリウム除去し、その後、該成形体を超臨界流体源、例えば、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル及びポリエチレンの１種または２種以上、とともに、５ＧＰａ以上かつ１４００℃以上の高圧高温条件下で焼結することによって、均質性、緻密性の高い高硬度立方晶窒化ホウ素焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】元来の出発原料を用いた場合と同程度の熱伝導率、強度、気孔率等の特性を有するとともに、歩留まりの向上とコスト削減が可能である炭化珪素ハニカム構造体の製造方法及び炭化珪素ハニカム構造体を提供する。
【解決手段】炭化珪素質ハニカム構造体の製造過程で発生した当該ハニカム構造体の出発原料に由来する回収物から再生された再生原料を、出発原料の一部として用いたハニカム構造体の製造方法であって、再生原料が、出発原料を焼成した後の工程における前記炭素珪素ハニカム構造体を構成する材料から回収されるものである。そして、その再生原料の平均粒子径を５〜１００μｍとした後に、出発原料の一部として出発原料全体に占める割合が５０質量％以下となるように添加し、これを用いて炭化珪素ハニカム構造体を製造する。 （もっと読む）

【課題】熱応力による割れを抑制することができる炭化ケイ素セラミックス、および、該炭化ケイ素セラミックスを用いた半導体プロセス用治具を提供する。
【解決手段】本発明による炭化ケイ素セラミックスは、炭化ケイ素の純度が９９．９９９９重量％以上で、かつ、密度が２．０〜３．０ｇ／ｃｍ^３である。また、本発明による半導体プロセス用治具は前記炭化ケイ素セラミックスからなる。 （もっと読む）

【課題】優れた硬度を有する焼結体、およびその製造方法、ならびに耐摩耗性に優れた切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】立方晶の結晶構造を有する立方晶型サイアロン、ならびに鉄、コバルト、ニッケル、第４族元素、第５族元素、および第６族元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含む焼結体に関する。 （もっと読む）

【課題】純度が低く安価な窒化けい素原料粉末を使用して形成した場合であっても、助剤成分の分散状態を制御することが可能であり、従来の窒化けい素焼結体と同等以上の機械的強度、耐磨耗性、転がり寿命特性に加え、加工性に優れた転がり軸受け部材として好適な窒化けい素焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】金属窒化法により製造された窒化けい素粉末と焼結助剤とを混合し焼結した窒化けい素焼結体において、焼結助剤成分として希土類元素を２〜５質量％、Ａｌ元素を１〜５質量％、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，ＮｂおよびＣｒからなる群より選択される少なくとも１種の元素を０．５〜５質量％含有し、気孔率が１％以下であり、上記窒化けい素焼結体を構成する窒化けい素結晶粒子の最大長さが４０μｍ以下であり、上記窒化けい素焼結体の結晶組織における助剤成分の偏析凝集部の最大径が２０μｍ以下であり、上記窒化けい素焼結体が不純物としてＦｅを１０〜３５００ｐｐｍ含有するとともに、Ｃａを１０〜１０００ｐｐｍ含有しており、上記窒化けい素焼結体の破壊靭性値が６ＭＰａ・ｍ^１／２以上であり、抗折強度が６００ＭＰａ以上であり、圧砕強度が１５０Ｎ／ｍｍ^２以上であることを特徴とする窒化けい素焼結体である。 （もっと読む）