【課題】銃弾，砲弾等の飛翔体の貫通性能が飛躍的に高くなっているが、それらに対して、十分に防護できる防護部材を提供する。
【解決手段】受衝部２をセラミックスで構成し、受衝部２の裏面側に位置する基部３を受衝部２より熱膨張係数の低い材質で構成した防護部材１とすることにより、基部３には圧縮力がかかった状態が維持されるため、着弾した銃弾や砲弾の貫通を阻止する性能が向上する。また、受衝面２ａで発生したクラックの進行は、基部３との境界で止められるため、前記両材質の特性が十分に発揮され、相乗効果により防護性能を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素焼結体本来の優れた特性を保持しながら炭化珪素単相の焼結体よりも良好な加工性を示し、優れたセラミックス構造材料となりうる炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体、および炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体の新たな製造方法を提供する。
【解決手段】上記焼結体は、炭化珪素55〜92質量%、六方晶窒化硼素5〜35質量%ならびに焼結助剤等を3〜25質量%の割合で含有し、酸素不純物含有量が0.2質量%以下であり、曲げ強度が400MPa以上である。上記製造方法は、炭化珪素粉末および六方晶窒化硼素粉末を含む混合粉末を焼成する前に真空または不活性雰囲気中1450〜1650℃の温度で熱処理する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】気孔率が高く、熱伝導率が低く、且つ、ガス透過係数の小さい、断熱材に好適な炭化珪素質多孔体を提供すること。
【解決手段】気孔率が３０％以上８０％以下であり、平均気孔径が１０μｍ以上５００μｍ以下の独立気孔を有し、気孔率に対する独立気孔の割合が３０％以上であり、且つ、ガス透過係数が１×１０^−１３ｍ^２以下であり、金属シリコンを１質量％以上２０質量％以下含有する炭化珪素質多孔体の提供による。 （もっと読む）

【課題】生産安定性が高く、緻密でガスバリア性の高いガスバリア膜を成膜できるイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末等を提供する。より具体的には、イオンプレーティング法に適したイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末、イオンプレーティング用蒸発源材料及びその製造方法、ガスバリア性シート及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】平均粒径が５μｍ以下の窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素１００重量部に対して、平均粒径が５μｍ以下の導電性材料を５重量部以上１００重量部以下含有する原料粉末により、上記課題を解決する。導電性材料が、導電性を有する、金属酸化物、金属窒化物、及び金属酸窒化物から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。本発明のイオンプレーティング用蒸発源材料は、上記の原料粉末を焼結又は造粒させて平均粒径が２ｍｍ以上の塊状粒子又は塊状物に加工したものである。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な半導体モジュールおよびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で２．５％以下であり、粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下であり、厚さが１．５ｍｍ以下である窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５Ｋｖ−１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である窒化けい素セラミックス基板２と、この窒化けい素セラミックス基板２に接合された金属回路板３と、この金属回路板上に搭載された半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体モジュールである。 （もっと読む）

【課題】摺動特性、強度や破壊靭性などの機械的特性に優れるとともに、脆化を抑制してＳｉＣ粒子の脱落などを防止してなる、ポンプなど液体を用いる回転機器での液体軸封装置として用いられるメカニカルシール装置、並びにこのメカニカルシール装置に用いるＳｉＣ系焼結体回転リング及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ系焼結体回転リング及びカーボン系シールリングを含むメカニカルシール装置において、前記ＳｉＣ系焼結体回転リングは、平均結晶粒径が５μｍ以下、気孔率が１．０％以下であるＳｉＣ系焼結体回転リングとする。この回転リングは、酸化物還元法で作製したＳｉＣ系原料粉末中に、気相合成法（ＣＶＤ法）により作製した純度が９９．９％以上のＳｉＣ粉末を０〜１００％の割合で混合し、造粒・成形した後で、雰囲気制御加圧焼結法によって製造する。 （もっと読む）

（ＣＡＳシステムに従った）ＩＶＢ群、ＶＢ群、及びＶＩＢ群の金属、並びにＡｌから選択される一種類以上の金属で被覆された、耐摩耗性、及び耐腐食性のＷＣを基礎とした材料を製造するための方法を開示する。この方法は、前記被覆された構造体を、ハロゲン化された化合物を実質的に含まない電解質中で、電気化学的ホウ素化処理で処理することを含み、ここで該電解質はアルカリ炭化物及びホウ素供給源を含み、そして前記電解質は、電気分解の間、５０ｋＨｚ〜３００ｋＨｚの間の電磁周波数を有する誘導加熱措置の下で加熱される。 （もっと読む）

【課題】耐火物の耐食性と強度を更に高めることのできる窒化珪素鉄粉末と、それを用いた耐火物、特に出銑樋材や高炉出銑口閉塞用マッド材などとして適した耐火物を提供する。
【解決手段】ＢＥＴ比表面積が0.5〜250ｍ²/gの炭素粉を5〜20質量％を含有してなることを特徴とする窒化珪素鉄粉末である。更に、該窒化珪素鉄粉末と、耐熱性骨材と、炭素粉末及び／又は加熱によって炭素となる有機バインダーとを含有してなることを特徴とする耐火物である。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル時における亀裂の進展が抑制されるとともに、耐久性が向上されるパワーモジュール用基板を提供することにある。
【解決手段】セラミックス基板２は、形状の異なる複数種類のＡｌＮ粒子からなるセラミックス焼結体２０で形成されており、前記ＡｌＮ粒子は、板状ＡｌＮ粒子２ａと、繊維状ＡｌＮ粒子２ｂと、球状ＡｌＮ粒子２ｃとを有しており、前記板状ＡｌＮ粒子２ａは、外形寸法が５μｍ以上３０μｍ以下とされており、前記繊維状ＡｌＮ粒子２ｂは、短軸径が０．０５μｍ以上３μｍ以下、且つアスペクト比が３以上２０以下とされており、前記球状ＡｌＮ粒子２ｃは、粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下とされており、これら各ＡｌＮ粒子は夫々の前記セラミックス基板２に占める割合が、５体積％以上５０体積％以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ｃＢＮ含有率の高い焼結体において、高硬度・高熱伝導率といったｃＢＮの特性を十分に発揮でき、難削材の高速切削にも適用でき、長い工具寿命を達成可能な高硬度焼結体を提供することを目的とする。
【解決手段】立方晶窒化硼素を主成分とする焼結体であって、焼結体中にＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉからなる群のいずれか１種以上の元素が含まれ、その濃度がｗｔ％で５０ｐｐｂ以上１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする立方晶窒化硼素焼結体。 （もっと読む）

【課題】
ＳｉＣ焼結体の焼結手段として、Ａｌ、Ｂ、Ｃ元素やＡｌ_８Ｂ_４Ｃ_７化合物を焼結助剤にする方法はある。Ａｌ、Ｂ、Ｃ元素は懸濁液を作りにくく、混合に難点がある、また、Ａｌ_８Ｂ_４Ｃ_７化合物は合成が難しく、事実上単体合成ができない。従来方法では粉末成形と焼結に難点があった。
【解決手段】
高温で安定な化合物Ａｌ_３ＢＣ_３焼結助剤を見いだし、しかも容易にＳｉＣ粉末と懸濁液を作り、成型法と焼結法が改善できた。 （もっと読む）

【課題】高強度、高靭性を得るとともに、ばらつきを抑えたシリコン／炭化珪素複合材とその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素と炭素の混合造粒粉を、成形、仮焼して、混合造粒粉間の最大空隙幅が１μｍ以下である仮焼前駆体を形成し、この仮焼前駆体を、溶融シリコンに含侵、焼成する （もっと読む）

【課題】ボートの製造工程で発生した加工屑を有効利用し、ボートの製造に好適なセラミックス焼結体を製造する。
【解決手段】ＴｉＢ_２（二硼化チタン）と、ＢＮ（窒化硼素）と、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）と、Ｓｒ（ストロンチウム）化合物と、Ｆｅ（鉄）又はＦｅ化合物と、Ｏ（酸素）を含む原料粉末を成型後、非酸化性雰囲気下、ホットプレス焼結するセラミックス焼結体の製造方法において、上記原料粉末の一部としてセラミックス焼結体の粉砕物を用い、そのセラミックス焼結体の粉砕物の組成が、ＴｉＢ_２が４０〜６０質量％、ＢＮが３０〜５５質量％、ＡｌＮが０．３〜２．０質量％、Ｓｒ化合物が０．３〜３．０質量％、Ｆｅ又はＦｅ化合物が０．５〜８．０質量％及びＯが１．０〜４．０質量％を含み、しかもこれらの成分の合計が９５質量％以上（１００％を含む）であることを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における低い誘電損失とともに高い熱伝導を有する低損失誘電体材料とその製造方法及び部材を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主体とし、周期律表第３ａ族化合物、及び、不純物的酸素を含有する窒化ケイ素質焼結体からなり、該焼結体の粒界が結晶化され、かつ２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が２×１０^−４以下であり、熱伝導率が９０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上の高周波用低損失誘電体材料、その製造方法及び部材。
【効果】２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が２×１０^−４以下で、かつ熱伝導率が９０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上である高熱伝導・低誘電損失の高周波用低損失緻密質誘電体材料及び部材等を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が小さくて破壊の基点となる気孔が殆ど存在せず、一段の加熱処理で製造されることのできる窒化ケイ素質焼結体を提供すること。この発明の他の課題は、結晶粒径が小さくて破壊の基点となる気孔の殆ど存在しない窒化ケイ素質焼結体を、ＨＩＰ及びＧＰＳといった後段の加熱処理をすることなく、製造することのできる方法を提供すること。
【解決手段】燃焼合成法により製造された窒化ケイ素質原料を一段焼結処理して成る窒化ケイ素質焼結体であって、最大ポアサイズが大きくとも１．５μｍであり、接触面積率が９８．０％以上であり、結晶粒子の平均粒径が０．６０〜０．８０μｍであり、結晶粒子の最大粒径が大きくとも５μｍであることを特徴とする窒化ケイ素質焼結体。燃焼合成法により製造された窒化ケイ素質原料を含む粉末を、常圧下及び窒素雰囲気下で、１６００〜１７００℃に焼結することを特徴とする窒化ケイ素質焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の簡易な高純度化方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体を不活性ガス雰囲気下で１７００℃〜２０００℃で加熱する炭化ケイ素焼結体の高純度化方法。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、耐脆化性に富むハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＨｆＳｉ_{０．８２−０．９８}からなるゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットに関する。ＨｆＳｉ_{０．８２−０．９８}からなる組成の粉末を合成し、これを１００メッシュ以下に粉砕したものを１７００°Ｃ〜２１２０°Ｃ、１５０〜２０００ｋｇｆ／ｃｍ^２で、ホットプレス又は熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）することによりゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】アスベストを分解するとともに、分解後の生成物を利用できる、ケイ酸塩鉱物の分解方法を提供する。
【解決手段】ケイ酸塩鉱物と、酸化ホウ素と、金属とを含む第１の混合物を反応させ、ホウ化物と、金属酸化物とを含む第２の混合物を分解生成物とすることを含む。ケイ酸塩鉱物としては、アスベストを用いることができる。この場合、上記反応は、下記の反応を含む。
ｍ_１１Ｍｇ_６Ｓｉ_４Ｏ_１０（ＯＨ）_８＋ｍ_１２Ｂ_２Ｏ_３＋ｍ_１３Ｍｇ
→ｍ_１８（Ｍｇ，Ｓｉ）Ｂ_α＋ｍ_１４ＭｇＢ_２＋ｍ_１５ＳｉＢ_６＋ｍ_１６ＭｇＯ
＋ｍ_１７Ｈ_２Ｏ （もっと読む）

【課題】この発明は、バインダを用いないでも成形型へ充填されたナノＳｉＣの圧粉状態が維持されて優れた成形性をもち、正常な加圧焼結が出来るような成形性の良好な超微細ＳｉＣ粒子およびその製造方法を得ようとするものである。
【解決手段】粒径が10〜100nmでＣ−Ｈ結合およびＳｉ−Ｈ結合を含む成形性に優れた超微細ＳｉＣ粒子である。 （もっと読む）

【課題】緻密で均質なＭｇＢ_２系合金焼結体やＭｇＢ_２系合金線材を簡単に効率良く低コストに製造・実現できる画期的な技術を提供する。
【解決手段】マグネシウム（Ｍｇ）合金の製造工程で排出される切削屑を、真空中若しくは不活性ガス中でホウ素（Ｂ）粉末と摩擦式粉砕・混合することで、均質混合と微細化とを同時に行い、微細且つ不純物汚染の少ない均質なＭｇ合金−ホウ素混合粉末を製造し、これを基に均質で緻密なＭｇＢ_２を製造する。 （もっと読む）