【課題】 低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素発熱体，ハニカムを製造することができる製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明の製造方法は、炭化ケイ素と、ケイ素と、炭素と、アルミニウム原料と、を混合する工程と、混合物を焼成する工程と、を有する製造方法である。そして、アルミニウム原料の割合，焼成条件を調節することで、優れた抵抗値特性が得られるものとなっている。 （もっと読む）

【課題】高い熱電性を備えるＭｇ−Ｓｉ系のｐ型熱電変換材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｍｇ_２Ｓｉと、下記一般式（１）：Ｍｇ_２Ｘ・・・・（１）［式（１）中、Ｘはストロンチウム及びバリウムからなる群から選択されるアルカリ土類金属を示す。］で表わされる化合物（Ｉ）と、下記一般式（２）：ＸＭｇＳｉ・・・（２）［式（２）中、Ｘは式（１）中のＸと同義である。］で表わされる化合物（ＩＩ）とからなり、前記Ｍｇ_２Ｓｉと前記化合物（Ｉ）と前記化合物（ＩＩ）との合計量（合計量ａ）に対する前記Ｍｇ_２Ｓｉの含有モル比（Ｍｇ_２Ｓｉ量／合計量ａ）が０．００５〜０．２であり、前記化合物（Ｉ）の含有モル比（化合物（Ｉ）量／合計量ａ）が０．６５〜０．９９であり、前記化合物（ＩＩ）の含有モル比（化合物（ＩＩ）量／合計量ａ）が０．００５〜０．１５である焼結体を含有することを特徴とするｐ型熱電変換材料。 （もっと読む）

【課題】押出成形など、低コストの成形法に対して、同じく低コストでかつ環境負荷が少ない酸による洗浄法による半導体製造プロセス用ＳｉＣ部材の製造方法を提供する。
【解決手段】水系押出成形において、成形体を乾燥後、不活性ガス雰囲気中で３５０〜４５０℃の温度で熱処理する脱脂工程と、酸で洗浄する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性を向上でき、またそのばらつきを効果的に抑制することができる窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】 単結晶試料についてラマン分光分析を行ったときの１２００ｃｍ^−１での散乱強度を基準散乱強度レベルＸ0として、その基準散乱強度Ｘ0からの増分散乱強度にて表した、５００〜５３０ｃｍ^−１に出現する最強の散乱ピークの高さをＹkとし、また、焼結体のラマン分光分析を行ったときのスペクトルプロファイルの、１２００ｃｍ^−１における基準散乱強度Ｘ0からの増分散乱強度Ｙ1として、Ｙ1のＹkに対する比Ｙ1／Ｙkを０．４以上とする。これにより、窒化珪素質焼結体の耐摩耗性を向上させることができ、また、そのばらつきも抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】Ｙ元素を０．１４〜１．５質量％含有し、窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 （もっと読む）

【課題】 機械的特性および耐熱衝撃性に優れ、信頼性が高く長期間にわたって使用することのできる窒化珪素質焼結体からなる溶湯金属用部材を提供する
【解決手段】 窒化珪素を主成分とする柱状結晶１と、金属元素の酸化物を主成分とする粒界相２とを有する窒化珪素質焼結体からなり、窒化珪素質焼結体の表面に開気孔３を有し、開気孔３の内部に、窒化珪素焼結体の内部に存在する第１の柱状結晶１ａよりも径の太い第２の柱状結晶１ｂが互いに交錯するように複数存在している溶湯金属用部材である。溶湯金属による開気孔３の内面の粒界相２の浸食が抑制されることで、窒化珪素質焼結体自体の機械的特性および耐熱衝撃性を向上することができる。また、溶湯金属が粒界相２と反応して強固に付着することも少なくなるため、長期間にわたって使用することができる。 （もっと読む）

【課題】過酷な条件下に耐え得る立方晶窒化硼素焼結体が強固かつ高剛性に接合されてなる立方晶窒化硼素焼結体工具を提供する。
【解決手段】本発明の立方晶窒化硼素焼結体工具は、立方晶窒化硼素焼結体が接合層を介して工具母材に接合されたものであって、立方晶窒化硼素焼結体は、３０体積％以上９５体積％以下の立方晶窒化硼素粒子と５体積％以上７０体積％以下の結合相とを含有し、立方晶窒化硼素焼結体と接合層との接合面のうちの面積が最大となる接合面に垂直な面で立方晶窒化硼素焼結体工具を切断したときの少なくとも１つの切断面において、点Ａと点Ｂとを結ぶ線分の長さの４分の１の長さだけ離れた点を点Ｄとすると、点Ｃと点Ｄとを結ぶ線分と、第１立方晶窒化硼素粒子と、第２立方晶窒化硼素粒子と、結合相とによって囲まれる領域の面積を、点Ａと点Ｂとを結ぶ線分の長さで除したときの値が、０．１４μｍ以上０．６μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有する窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置を提供する。
【解決手段】 窒化珪素を主成分とし、マグネシウム，希土類金属，アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ２質量％以上６質量％以下，12質量％以上16質量％以下，0.1質量％以上0.5質量％以下，0.06質量％以上0.32質量％以下含んでなり、β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主結晶相と、組成式がＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７（ＲＥは希土類金属）として示される成分を含む粒界相とにより構成され、Ｘ線回折法によって求められる、回折角27°〜28°におけるβ−Ｓｉ_３Ｎ_４の第１のピーク強度Ｉ_０に対する、回折角30°〜35°におけるＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７の第１のピーク強度Ｉ_１の比率（Ｉ_１／Ｉ_０）が20％以下（但し、０％を除く）の窒化珪素質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用基板である。 （もっと読む）

【課題】構造部材等の用途において必要な高密度、高硬度の二硼化チタン焼結体を製造するに際し、焼結温度をより低くして製造コストをより低くする。
【解決手段】Al₃Tiまたは、MをNi,Cr,Fe,Mo,Cuの１種類または２種類以上の組み合わせとして、(Al,M)₃Tiを主成分とした焼結助剤を用い、焼結助剤の重量割合を１０％以上５０％以下とし、TiB₂を主成分とした金属硼化物基本成分との混合粉末とした焼結材料を１０００℃で焼結しビッカース硬度５００以上、曲げ強度２００ＭＰａ以上の高緻密性、高硬度の二硼化チタン系焼結体を製造することができる。(Al,M)₃Tiを主成分とした焼結助剤の重量割合を２０％以上４０％以下とすることにより、１０００℃の温度の焼結温度でビッカース硬度８００以上、曲げ強度３００ＭＰａ以上の高緻密性、高硬度、高強度の二硼化チタン系焼結体とすることができる。 （もっと読む）

【課題】鏡面加工性を向上させるコバルト、ニッケル等の非硬質金属から成るバインダーを含有しないバインダレス合金の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化チタン、炭化タンタルおよび炭化タングステンを混合した被成形微粉を加圧成形する工程と、得られた加圧成形体を一次焼結させる工程と、得られた一次焼結体を、更にホットプレスにより、加圧しつつ二次焼結させる工程とを有する製造方法とすることによって、一次焼結体に残存する極微小の気孔を圧潰し、二次焼結体の緻密度を高め、鏡面加工性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 色ムラの発生が無く、加工性、強度、耐熱性の良好なＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を提供する。
【解決手段】
窒化硼素１０〜４０質量％、炭化珪素５８〜８８質量％、炭化硼素又は炭化硼素と炭素が０．５〜３質量％未満の相対密度９７％以上、曲げ強さ３００ＭＰa以上、Ａｒガス中の２０００℃で１０時間加熱後の質量減少率が０．６質量％以下であるＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体。
比表面積１０ｍ^２／ｇ以上で酸素含有量が１８．５×（混合粉末中のＢＮ質量％）^{−０．６５７}以下の窒化硼素が１０〜４０質量％、比表面積７ｍ^２／ｇ以上の炭化珪素が５８〜８８質量％、炭化硼素又は炭化硼素と炭素が０．５質量％以上３質量％未満の混合粉末であり、酸素量が１．２０質量％以下、比表面積が８〜４５ｍ^２／ｇの混合粉末を非酸化性雰囲気で圧力１０〜５０ＭＰａ、温度１８５０〜２１５０℃、保持時間１〜６時間のホットプレス焼結するＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 部分的な強度の偏りが抑えられた炭化ケイ素質ハニカム体を得ること。
【解決手段】 本発明の炭化ケイ素質ハニカム体は、炭化ケイ素よりなり、軸方向にのびる複数のセルが区画された炭化ケイ素質ハニカム体において、炭化ケイ素質ハニカム体を形成する炭化ケイ素粒子の表面に、酸化被膜が均一に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板において、ＩＩＩ族窒化物半導体層との間で剥離や亀裂が発生することを抑制することができる下地基板に関する技術を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板の下地基板として用いられるセラミックス複合材料であって、酸化物系セラミックスおよび非酸化物系セラミックスから構成され、２０〜９００℃における平均線熱膨張係数が（５．９±０．２）×１０^−６／℃であるセラミックス複合材料。前記セラミックス複合材料を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板に用いられる下地基板の製造方法であって、酸化物系セラミックス粉末と非酸化物系セラミックス粉末とを所定の比率で混合する原料混合工程と、原料混合工程において得られた混合粉末を所定形状の成形体に成形する成形工程と、成形体を不活性雰囲気中で焼成してセラミックス複合材料の焼結体を作製する焼成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易に製造することができ、電気抵抗値を種々とすることが可能な導電性ハニカム構造体を提供する。
【解決手段】導電性ハニカム構造体１は、導電性を有するセラミックスの焼結体で形成され、単一の軸方向Ｚに延びて列設された複数の隔壁１４により区画された複数のセル１５を備える基体１０と、基体の軸方向の一端に開口し、他端に至ることなく軸方向に延びるスリット部１１と、スリット部の内部に充填された、電気絶縁性または前記基体より電気伝導率の小さい、非焼結の充填材１２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で、電気抵抗を広い範囲内で容易に調整することが可能な導電性炭化珪素質ハニカム構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、窒化珪素粉末と炭素質物質とからなり珪素と炭素のモル比が０．５〜１．５である炭化珪素生成原料、及び、骨材としての炭化珪素粉末を含む混合原料で、単一の軸方向Ｚに延びて列設された複数の隔壁１４により区画された複数のセル１５を備えるハニカム構造の成形体を成形する成形工程と、成形体を非酸化雰囲気で焼成し、導電性の基体１０とする焼成工程と、基体を、軸方向の一端から軸方向に沿って他端に至ることなく切断してスリット部１１を形成する切断工程と、スリット部を、電気絶縁性または基体より電気伝導率の小さい充填材１２で充填する充填工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】長期の使用に亘って、すぐれた仕上げ面精度を維持しつつ、同時にすぐれた耐摩耗性を発揮し得るＣＢＮインサートを提供する。
【解決手段】逃げ面に溝と被膜が形成されたＣＢＮインサートにおいて、
（ａ）その被膜後の溝形状が溝の凹凸を含む断面を見た時、溝幅Ｗ１とテラス幅Ｗ２はＷ１が１〜２５μｍ、Ｗ２が３〜２５μｍ、表面から溝の最も低い位置までの高さＨが１．５〜１５μｍであり、１つのテラスと溝の組み合わせを１周期とした時、２周期以上で構成される形状であり、
（ｂ）溝が形成される逃げ面内の領域が、チャンファーホーニング面と逃げ面の交線から逃げ面側に５〜３００μｍの範囲であり、
（ｃ）溝を形成する方向が、刃先稜線と平行な線と溝形成方向の成す角θ（刃先先端と反対方向）が
−１０°≦θ≦１０°の範囲であることを特徴とするＣＢＮインサート。 （もっと読む）

【課題】超硬質多結晶炭化ホウ素材料を提供する。
【解決手段】本発明の多結晶Ｂ_４Ｃ材料は強磁界整列技術及び焼結によって作製することができる。このＢ４Ｃのｃ軸は印加された磁界に垂直に高度に配向されていた。ｃ軸に垂直／平行な表面上で測定された硬度は夫々３８．８６±２．１３ＧＰａ及び３１．３１±０．７９ＧＰａであった。これらの大きな値の硬度、弾性係数及び破壊靱性によりＢ４Ｃ材料の応用分野が拡大する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム溶湯に対する良好な耐濡れ性及び高い強度を有する窒化珪素―窒化硼素複合セラミックスを提供する。
【解決手段】窒化珪素粉末、焼結助剤粉末、及び六方晶窒化硼素粉末からなる原料を成形、焼成して窒化珪素と窒化硼素の複合セラミックスを得る窒化珪素−窒化硼素複合セラミックスの製造方法において、前記六方晶窒化硼素として、レーザ回折・散乱法で測定した平均粒径が２〜１０μｍ、３０μｍ以上の粒径を有する粒子が５％以下、ＳＥＭ写真から測定した１次粒子の平均粒子寸法が０．０１〜０．８μｍ、比表面積が２０〜５０ｍ^２／ｇであるものを、窒化珪素粉末と焼結助剤粉末の合計１００質量部に対して３〜２０質量部含有する。 （もっと読む）

【課題】高い耐熱衝撃性を有する窒化珪素質焼結体およびその製造方法、並びに金属溶湯用部材、熱間加工用部材、掘削用部材を提供する。
【解決手段】組成式Ｓｉ_6-ZＡｌ_ZＯ_ZＮ_8-Zで表され、固溶量ｚ値が０．４〜０．７であるβ−サイアロンを主相とし、粒界相およびＦｅ珪化物粒子を有する窒化珪素質焼結体であり、前記粒界相は、Ｙ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏを含有し、かつＡｌ、Ｓｉ、Ｙの構成比率がＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｙ₂Ｏ₃換算でＡｌ₂Ｏ₃１４〜４２質量％、ＳｉＯ₂８〜１９質量％、残部がＹ₂Ｏ₃であり、該粒界相を焼結体１００体積％に対して１５体積％以下の範囲で含有し、前記Ｆｅ珪化物粒子をＦｅ換算で焼結体１００質量％に対して０．１〜１．５質量％含有する。この窒化珪素質焼結体は、高い耐熱衝撃性を有するため、金属溶湯用部材、熱間加工用部材、掘削用部材などの用途に好適に適用される。 （もっと読む）