【課題】パワーモジュール用ベース板として好適なアルミニウム−炭化珪素質複合体を提供すること。
【解決手段】平板状の炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなり、両主面に平均厚みが１０〜１５０μｍのアルミニウムを主成分とする金属からなるアルミニウム合金層を有するアルミニウム−炭化珪素質複合体を、（１）応力を掛けながら、温度４００〜５００℃で３０秒間以上加熱処理することにより、クリープ変形させて所定の反り量を付与し、（２）凹型方向の反り付けを行った面を、平面研削加工してアルミニウム−炭化珪素質複合体を露出させ、（３）温度５００〜５６０℃で１分間以上加熱処理することにより、反り付け時のクリープ変形を除去して、アルミニウム−炭化珪素質複合体を露出させた面に凸型の反りを形成させることを特徴とするアルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガラスとの反応性が少なく、耐磨耗性と耐久性が高く、成形したガラスの成形型表面からの離型性が良好なガラス製ハードディスク基板用成形型を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素−炭素複合セラミックスを含む、ガラス製ハードディスク基板用成形型であって、前記炭化ケイ素−炭素複合セラミックスが、炭化ケイ素１００重量部に対し１５〜５０重量部の炭素粒子を含有し、前記炭素粒子の平均粒径が０．３〜１００μｍの範囲である成形型とする。 （もっと読む）

【課題】耐食性と耐熱衝撃性が更に向上したセラミックス焼結体と、このセラミックス焼結体の容易な製造方法と、このセラミックス焼結体で構成された長寿命のボートを提供する。
【解決手段】
二硼化チタン、窒化硼素及びストロンチウム化合物を含有してなり、窒化硼素のＣ軸格子定数が６．６６６Å以下であり、３点曲げ強さが６０〜１３０ＭＰａ、弾性率が４０〜６０ＧＰａであることを特徴とするセラミックス焼結体。このセラミックス焼結体で構成された金属蒸発用発熱体。特定二種の窒化硼素粉末と二硼化チタン粉末とストロンチウム化合物粉末とを含有してなる原料粉末を焼結することを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高温雰囲気下において静電チャックの基体材料に利用して好適な体積抵抗率を示し、且つ、体積抵抗率の温度依存性が小さい窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粒子１の粒界に体積抵抗率の温度依存性が低い（Ｓｍ，Ｃｅ）Ａｌ_１１Ｏ_１８粉末を連続的に形成して導電経路２を形成することによって、粒界相の体積抵抗率の温度依存性を小さくすると共に、ＡｌＮ粒子１内にＣとＭｇの少なくとも一方を固溶させ、導電経路２がＡｌＮ粒子１内に移行しないようにすることによって、高温雰囲気下においてもＡｌＮ粒子１内の体積抵抗率を高い値に維持させる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の純度の向上と、炭化ケイ素焼結体の炭素濃度の低減を図る。
【解決手段】半導体製造に用いられる炭化ケイ素焼結体治具の製造方法であって、
（ａ）炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との混合物及び上記粉体混合物から調製された成形体のいずれか一方をホットプレス法により焼結して焼結体１を得る工程と、
（ｂ）上記焼結体１を加工処理して焼結体２を得る工程と、
（ｃ）上記焼結体２をアルゴン雰囲気下２０００〜２４００℃で熱処理して、上記焼結体２中の不純物を外部拡散させて不純物を取り除き焼結体３を得る工程と、
（ｄ）上記焼結体３と、二酸化ケイ素及び炭素を含む混合物とを同一環境内に配置し、アルゴン雰囲気下１６００〜１７００℃で加熱し、上記混合物から生じたガスを上記焼結体３の表面に供給して焼結体４を得る工程と、
を含む炭化ケイ素焼結体治具の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を持つ高熱伝導窒化ケイ素セラミックス、その製造方法及びその応用製品を提供する。
【解決手段】ケイ素粉末の反応焼結を利用して合成した反応焼結窒化ケイ素焼結体であって、β相窒化ケイ素を主成分とし、Ｙ、Ｙｂ、Ｎｄ、Ｓｍの少なくとも一種を酸化物に換算して０．５〜７ｍｏｌ％含有し、Ｍｇの存在量が酸化物に換算して２ｍｏｌ％以下であり、１００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率、６００ＭＰａ以上の３点曲げ強度、及び予き裂導入破壊試験法で測定した破壊靱性が７ＭＰａｍ^１／２以上であることを特徴とする窒化ケイ素焼結体、その製造方法、及びその応用製品。
【効果】低品位のＳｉ原料を含む多様なＳｉ原料粉末を出発原料として用いることが可能で、しかも優れた特性を有する窒化ケイ素焼結体を低コストで合成できる。 （もっと読む）

【課題】
資源的に最も豊富でありかつ極めて優れた特性を有するものの、製造コストが高価に過ぎる為に活用されていないケイ素系ファインセラミックス、βサイアロンの製造コストが低減されて、広範な社会基盤材料としての活用が嘱望されている。
【解決手段】
燃焼合成により合成したβサイアロンを平均粒径５００ｎｍ以下、最大粒径５μｍ以下に粉砕分級後、ゴム型を用いた成型、マイクロウエーブ焼結を介して製品化する事により、製造コストが低減できると共に、従来材以上に優れた機能が確保できた。これによりβサイアロンが社会基盤材料として活用できる。 （もっと読む）

【課題】 反りや変形がなく、寸法精度に優れた板状の窒化アルミニウム焼結体、及びその表面に金属化層を設けた半導体用基板として好適な窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 成形体の厚み方向及び表面方向の密度バラツキを制御し、この成形体を焼成することにより、反り量が３５μｍ／１０ｍｍ以下、厚みのバラツキが１６０μｍ／ｍｍ以下の窒化アルミニウム焼結体を得る。密度のバラツキを制御した上記成形体は、表面粗さがＲａで０.１μｍ以下の成形面を有する成形型を用い、成形体の加圧方向断面積Ａ（ｍｍ^２）と成形圧力Ｓ（ｋｇ／ｍｍ^２）とがＳ／Ａ≧０.００２の関係を満たす条件下で成形する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０３であり、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 （もっと読む）

【課題】
耐溶着性と強度・靱性に優れるために、金属加工における仕上げ面精度や寿命の向上を達成できるクロム含有焼結体の提供を目的とする。
【解決手段】
Ｚｒ，Ｈｆ，Ｚｒ−Ｈｆの酸化物の中の少なくとも１種からなる第１分散相：１〜２０体積％と、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｚｒ−Ｈｆの炭化物，窒化物，炭窒化物の中の少なくとも１種からなる第２分散相：１〜３０体積％と、残りが組成式：（Ｃｒ_1-xＭ_x）（Ｎ_1-yＣ_y）_z（但し、ＭはＴｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａの中の少なくとも１種を示し、ｘはＣｒとＭとの合計に対するＭの原子比を示し、ｙはＮとＣとの合計に対するＣの原子比を示し、ｚはＣｒとＭとの合計に対するＮとＣとの合計の原子比を示す。）で表され、ｘ，ｙ，ｚは０．３≦ｘ≦０．９，０≦ｙ≦０．３，０．７≦ｚ≦１．０を満足する複合化合物とからなるクロム含有焼結体。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素より高比剛性でありかつ緻密な材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素５０〜９５質量部、炭化ホウ素５〜５０質量部、遊離炭素０．１〜５質量部を含むセラミックスであって、比剛性が１３０ＧＰａ・ｃｍ^３／ｇ以上であることを特徴とする高剛性セラミックス材料。混合時にさらにアルミニウムあるいはアルミニウム化合物をアルミニウム換算で０．１〜５重量部添加し、焼成を不活性ガス雰囲気中もしくは真空中で行う。 （もっと読む）

ベータ−窒化ケイ素含有量が窒化ケイ素粉末の０重量％〜約１．６重量％である窒化ケイ素粉末を含む出発粉末混合物から製造されるアルファプライム−ベータプライムサイアロンセラミック体（２０、３０）およびその作製方法。粉末混合物はさらに、アルミニウム、酸素、窒素、および２種の選択された希土類元素をサイアロンセラミック体に提供する１種以上の粉末を含む。選択された希土類元素は希土類元素の３つの特定の群のうちの少なくとも２つの群から選択される。
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【目的】 炭化珪素本来の特性を損なうことなく曲げ強度等の機械的強度を大幅に向上させ得る高強度炭化珪素焼結材を提供する。
【構成】 高強度炭化珪素焼結材は、フラーレン製造過程で副生する炭素材料又はフラーレン類を添加した炭化珪素焼結原料を成形，焼成してなるもので、結晶粒界に偏析の少ない微細結晶構造をなすものである。添加する炭素材料としては、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折測定結果における回折角３〜３０°の範囲内で最も強いピークが回折角１０〜１８°の範囲に存在し且つ回折角２３〜２７°にピークが存在せず、励起波長５１４５Åでのラマンスペクトル結果において、バンドＧ１５９０±２０ｃｍ^−１ とバンドＤ１３４０±４０ｃｍ^−１ にピークを有し、夫々のバンドのピーク強度をＩ（Ｇ）及びＩ（Ｄ）とした際におけるピーク強度比Ｉ（Ｄ）／Ｉ（Ｇ）が０．４〜１．０であるものを使用する。 （もっと読む）

【課題】 金属帯と接触する表面を窒化珪素セラミックスで形成して、焼き付きの発生を抑えることに優れるセラミックス製マッシャーロールを提供する。
【解決手段】 トリミングした金属帯の両端部に生じたバリ部や返り部を押し潰して平坦化するのに用いられるセラミックス製マッシャーロールであって、少なくとも金属帯を押し潰す部分が窒化ケイ素を主成分とする焼結体からなり、該焼結体の常温における熱伝導率が５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であることを特徴とする。
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セラミック体（２０）、ならびにセラミック体（２０）を作るためのホットプレス法または完全密度までの焼結法。ホットプレスされたセラミック体（２０）は約１５から約３５体積パーセントの間の炭化ホウ素相、および少なくとも約５０体積パーセントのアルミナを含有する。完全密度まで焼結されたセラミック体（２０）は約１５から約５０体積パーセントの間の炭化ホウ素相および少なくとも５０体積パーセントのアルミナを含有する。基体（２１）はさらに次の成分（ａ）〜（ｂ）の少なくとも１つを含み；ここで成分（ａ）および（ｂ）の合計量は完全稠密化を達成するために有効な量であり、ここで成分（ａ）および（ｂ）は、（ａ）アルミニウム、マグネシウムおよび亜鉛のうちの１以上を含む金属成分；および（ｂ）炭素を含有する還元成分を含む。
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【課題】実質的にボイドが少なく、安価で且つ半導体ウェハ、液晶基板等の搬送や保持部材、露光装置におけるステージ位置測定用ミラー、精密光学機器用ミラー等に適した炭化珪素質焼結体及びそれを容易に歩留まりよく製造することが可能な炭化珪素質焼結体の製造方法を得る。
【解決手段】
主成分として炭化珪素の粉末に、添加剤として少なくともホウ素の化合物及び炭素の化合物の粉末を添加した原料粉末を成形し、得られた成形体を炭化珪素の粒子が粒成長するのを抑制した温度で一次焼結を終了させ一次焼結体を得た後、熱間静水圧プレス成形（ＨＩＰ）処理を行うことで焼結させたことを特徴とする。
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【課題】 耐摩耗性及び耐欠損性に優れた窒化珪素質焼結体、窒化珪素質工具、切削インサート、及び切削工具を提供すること。
【解決手段】 切削インサート（スローアウェイチップ）１は、窒化珪素を主成分とする窒化珪素質焼結体かにより構成されており、板厚方向からみて正方形の板状のチップ（例えばＩＳＯ ＳＮＧＮ４３２）である。尚、切削インサート１の寸法は、縦；１２．７ｍｍ、横；１２．７ｍｍ、高さ；４．７６ｍｍである。特にこの切削インサート１では、表面から２０μｍの深さにおける硬度が１６ＧＰａ以上であり、且つ、表面から２０μｍの深さにおけるヤング率が、表面から１０００μｍの深さにおけるヤング率の１．０５倍以上１．２０倍以下である。 （もっと読む）

【課題】 亀裂のない反射膜の形成が容易であり、なおかつ超精密な表面粗さと平面度を有しているＳｉＣ−Ｓｉ複合材料からなる基板の表面に反射膜を形成してなる光学反射ミラーを得る技術を提供する。
【解決手段】 Ｓｉマトリックス中にＳｉＣ強化材が複合されたＳｉＣ−Ｓｉ複合材料からなる基板の表面に直接に反射膜を形成してなる光学反射ミラーであって、前記ＳｉＣ−Ｓｉ複合材料中のＳｉＣの含有率が６０〜９０体積％であり、かつ、前記基板の表面粗さＲａが１０ｎｍ以下であることを特徴とする光学反射ミラー。さらに、前記ＳｉＣ−Ｓｉ複合材料組織中のＳｉマトリックス相幅の平均値が１μm以下であり、かつ、ＳｉＣ強化材の平均粒径が３μm以下であることが好ましい。 （もっと読む）

窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０３であり、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上であることを特徴とする高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体である。上記構成によれば、熱伝導率が高く放熱性が優れた窒化アルミニウム焼結体を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】炭化ホウ素を製造する方法、および炭化ホウ素部材
【解決手段】高密度の部材および製品、ならびに高密度の部材および製品を製造する方法が開示される。特に、一例の部材として、均質な炭化ホウ素粉末から成る炭化ホウ素部材を挙げることができる。その部材は、９３％以上の相対密度（ＲＤ）、および２０００ｋｇ／ｍｍ²以上のヴィッカース硬度を有する。 （もっと読む）