【課題】かさ密度３．１６ｋｇ／ｃｍ^３以上の耐プラズマ性炭化ケイ素焼結体及びその安定した生産方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粉末及び炭素源を含むスラリー溶液を調製する工程と、スプレードライヤー法を用いてスラリー溶液から乾燥率８９％以上の炭化ケイ素造粒粉を得る工程と、炭化ケイ素造粒粉の中から顆粒粒径分布が１５０〜５０μｍの炭化ケイ素顆粒粉を取り出す工程と、炭化ケイ素顆粒粉をホットプレス法を用いて焼結する工程と、を含む耐プラズマ性炭化ケイ素焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウムを主成分とし、十分な熱伝導性と機械的強度を備え、導電性メタライズ層との接合強度が高く、かつ白色度が高くて高反射性を有する窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム粉末と、焼結助剤と、バインダーとを粉砕混合してスラリー状物質にした後に成形し、この窒化アルミニウム成形体を焼結して成る窒化アルミニウム焼結体であって、スラリー状物質は、粒子径が０.２μｍ以下である粒子が全体の１０重量％を占め、かつ２μｍ以下である粒子が全体の５０重量％を占め、かつ４μｍ以下である粒子が全体の９０重量％を占めることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。 （もっと読む）

【課題】高温アンモニアガスに対する耐食性に優れ、しかも耐熱性があり、低熱伝導性である窒化ホウ素焼結体と、それを用いた半導体製造装置用の断熱部材を提供する。
【解決手段】質量と外寸より算出された嵩密度が０．７〜０．９ｇ／ｃｍ^３、ＪＩＳ Ｒ １６１１のレーザーフラッシュ法により測定された熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以下である窒化ホウ素焼結体。窒化ホウ素粉末１００質量部に対しアクリル系樹脂１０〜４０質量部を含む混合物を成型後、アクリル系樹脂を除去して嵩密度が０．９〜１．２ｇ／ｃｍ^３の多孔質成形体とした後、常圧焼結することを特徴とする上記窒化ホウ素焼結体の製造方法。本発明の窒化ホウ素焼結体からなる半導体製造装置用の断熱部材。 （もっと読む）

【課題】 電圧が印加された場合に放電が生じる等の不都合が生じず、かつ高い熱伝導率を維持しつつ、低い体積抵抗率を有する窒化アルミニウム焼結体およびそれを用いた静電チャックを提供すること。
【解決手段】 ランタノイド元素を酸化物換算の含有量で、０．５質量％以上、７質量％以下含有させて、窒化アルミニウム結晶の粒界にランタノイド元素とアルミニウムとの複合酸化物が形成され、常温での体積抵抗率が１×１０^９〜１×１０^１４Ω・ｃｍである窒化アルミニウム焼結体を得る。この窒化アルミニウム焼結体を被吸着体を吸着する誘電体層２として用い、その下に設けられた電極３に電圧を印加することにより被吸着体１０を吸着する。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール用ベース板として好適なアルミニウム−炭化珪素質複合体を提供すること。
【解決手段】平板状の炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなり、両主面に平均厚みが１０〜１５０μｍのアルミニウムを主成分とする金属からなるアルミニウム合金層を有するアルミニウム−炭化珪素質複合体を、（１）応力を掛けながら、温度４００〜５００℃で３０秒間以上加熱処理することにより、クリープ変形させて所定の反り量を付与し、（２）凹型方向の反り付けを行った面を、平面研削加工してアルミニウム−炭化珪素質複合体を露出させ、（３）温度５００〜５６０℃で１分間以上加熱処理することにより、反り付け時のクリープ変形を除去して、アルミニウム−炭化珪素質複合体を露出させた面に凸型の反りを形成させることを特徴とするアルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】剛性が高く、軽量で、低コストで平滑な面を持つ、大型化のセラミック構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板等の被処理物を乗せた状態で加工処理を行うための架台として用いられるセラミック構造体であって、該架台は、剛節架構構造を有する複数のユニットが結合・一体化された構造を有している、上記架台の表面は、緻密な膜で被覆されている、上記架台を構成する固体部分は、反応焼結窒化ケイ素又は反応焼結炭化ケイ素を主成分とする材料で構成されている、上記架台の部分の応力の大きさに応じて異なる気孔率を有するユニットが配設されている、ことを特徴とするセラミック構造体。
【効果】半導体や液晶の露光装置に必要なステージやテーブル等について、剛性が高く、軽量で、平滑な面を持ち、大型化に対応できる製品を低コストで製造し、提供することができる。 （もっと読む）

【課題】脱粒粉塵の発生が少ない窒化アルミニウム質焼結体、例えばガスノズルを提供すること。
【解決手段】少なくとも表面部が窒化アルミニウムを主成分とする粒子を焼結してなり、周囲を前記窒化アルミニウムを主成分とする粒子により囲まれて表面側に開口する複数の凹部を有した基材と、希土類元素とアルミニウムとを含む複合酸化物から成り、一部が前記凹部内に充填され、他部が前記凹部間を連結するように前記基材の表面部上に形成された被膜と、を含むこと。 （もっと読む）

本発明は、窒化物結合シリコン窒化物（ＮＢＳＮ）から作られる半導体グレードのシリコンのインゴットの製造用の再利用可能な坩堝に関する。この坩堝は、シリコン窒化物粉末をシリコン粉末と混合し、坩堝のグリーン体を形成し、次いで、窒素を含有する雰囲気において前記グリーン体を加熱し、前記シリコン粉末が窒化されてＮＢＳＮ坩堝を形成することによって形成されてもよい。前記坩堝は、正方形の断面の坩堝の下部（１）及び壁（３、５）であるＮＢＳＮ材料のプレート要素によって組み立てられてもよく、及び、シリコン粉末及び任意にシリコン窒化物粒子を含むペーストを付け、続いて窒素雰囲気で第２の熱処理を行うことによって任意に固定部を密閉することによって組み立てられてもよい。
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【課題】導電性付与材を含有させて放電加工を可能とし、静電気の蓄積が無い窒化珪素焼結体とその効率的な製造方法、およびその窒化珪素焼結体を用いて静電気による不具合などを改善した耐摩耗性部材を提供する。
【解決手段】導電性付与材としてカーボンナノチューブ６と、炭化珪素および窒化チタンの導電性粒子５とをそれぞれ含有し、電気抵抗値が１０^−２〜１０^３Ω・ｃｍの範囲であることを特徴とする窒化珪素焼結体である。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＺｒＯ_２・ＳｉＯ_２又はＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、耐脆化性に富むシリサイドターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 水素化金属（Ｍ）粉とＳｉ粉を１：０．８〜１：１．２のモル比に調製・混合した後、焼成し、焼成の際の加熱により、脱水素とシリサイド化を一度に行い、得られたシリサイド粉を粉砕し、これを焼結して、遊離Ｓｉが存在せず、相対密度が９９％以上であるＭＳｉ_{０．８−１．２}（Ｍ：Ｚｒ、Ｈｆ）からなる焼結体を製造する。耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットが得られる。 （もっと読む）

【課題】色むらのない窒化アルミニウム基板、並びに、それを用いた窒化アルミニウム回路基板及びモジュールを提供する。
【解決手段】基板内における酸素含有量の最大値と最小値の差が０．２０質量％以下であることを特徴とする色むらのない窒化アルミニウム基板であり、酸化処理が施された窒化アルミニウム粉末を原料とする前記窒化アルミニウム基板である。さらに、前記窒化アルミニウム基板を用いてなる回路基板であり、前記回路基板を用いてなるモジュールである。 （もっと読む）

ドープされた及びドープされていない化学量論的な高純度の多結晶ＡｌＮセラミックスの製造が、例えばＡｌペレットを窒素ガスと反応させることによって行われる。このような多結晶ＡｌＮセラミックスは、高純度のＡｌＮ単結晶の製造で使用することができ、このＡｌＮ単結晶は、その導電性を増大させるためにアニールすることがでる。 （もっと読む）

【課題】高純度で高耐久性のヒータ用炭化ケイ素焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒素含有量が０．１体積％以上のβ型炭化ケイ素粉体を焼結して得られるヒータ用炭化ケイ素焼結体であって、ヒータ用炭化ケイ素焼結体を構成する粒子間の結合部の直径は１００μｍ以上であり、ヒータ用炭化ケイ素焼結体を１０００℃で１０００時間加熱した後の前記ヒータ用炭化ケイ素焼結体の抵抗増加率は１５％以下であり、ヒータ用炭化ケイ素焼結体はα型炭化ケイ素からなるヒータ用炭化ケイ素焼結体。 （もっと読む）

【課題】耐食性と耐熱衝撃性が更に向上したセラミックス焼結体と、このセラミックス焼結体の容易な製造方法と、このセラミックス焼結体で構成された長寿命のボートを提供する。
【解決手段】
二硼化チタン、窒化硼素及びストロンチウム化合物を含有してなり、窒化硼素のＣ軸格子定数が６．６６６Å以下であり、３点曲げ強さが６０〜１３０ＭＰａ、弾性率が４０〜６０ＧＰａであることを特徴とするセラミックス焼結体。このセラミックス焼結体で構成された金属蒸発用発熱体。特定二種の窒化硼素粉末と二硼化チタン粉末とストロンチウム化合物粉末とを含有してなる原料粉末を焼結することを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】研磨による平坦性に優れた窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】粒界強度を向上させると共に、且つ、焼結処理中に窒化アルミニウムと固溶することにより粒界相として存在しなくなるＳｉＯ_２又はＭｇＯを窒化アルミニウム粉末に微量添加し、１６００［℃］以上１７５０［℃］以下の低温で窒化アルミニウム粉末を焼結することにより、研磨による平坦性に優れた窒化アルミニウム焼結体を製造できることを知見した。 （もっと読む）

【課題】高温雰囲気下において静電チャックの基体材料に利用して好適な体積抵抗率を示し、且つ、体積抵抗率の温度依存性が小さい窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粒子１の粒界に体積抵抗率の温度依存性が低い（Ｓｍ，Ｃｅ）Ａｌ_１１Ｏ_１８粉末を連続的に形成して導電経路２を形成することによって、粒界相の体積抵抗率の温度依存性を小さくすると共に、ＡｌＮ粒子１内にＣとＭｇの少なくとも一方を固溶させ、導電経路２がＡｌＮ粒子１内に移行しないようにすることによって、高温雰囲気下においてもＡｌＮ粒子１内の体積抵抗率を高い値に維持させる。 （もっと読む）

【課題】相変化記録媒体の界面層膜の成膜等に用いられるスパッタリングターゲットの製造方法において、均質で歩留まりの良いターゲットを得るための製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種のＭ元素の酸化物粉末とＭ元素の窒化物粉末を混合、成形した後、焼結する工程を具備することにより、スパッタリングターゲットは、Ｍ（Ｏ_1-xＮ_x）_z（ＭはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも1種の元素、0＜ｘ≦0.7、0.5≦ｚ≦2.0（原子比））、または（Ｍ_1-aＣｒ_a）（Ｏ_1-xＮ_x）_z（ＭはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも1種の元素、0.1≦ａ≦0.5、0＜ｘ≦0.7、0.5≦ｚ≦2.0（原子比））で表される組成を有する。 （もっと読む）

【課題】窒化珪素質焼結体全体に亘ってボラストナイトを含有し、さらには内部のボラストナイトの含有量が多くなるため、研磨加工時の研磨抵抗は小さくできるものの、研磨加工時にボラストナイトに生じる微細クラックが進展しやすくなり、加工面の表面粗さを優れたものとすることができない。
【解決手段】β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主成分とし、ボラストナイト（ＲＥＳｉＯ_２Ｎ、ＲＥは周期表第３族元素）を含有する焼結体であって、前記ボラストナイトのＣｕ−Ｋα線によるＸ線回折角２θが３２〜３３°にあるＸ線回折ピーク強度をＩ_Ｗとするとき、前記焼結体は内部にＩ_Ｗがゼロとなる部分を有することにより、研磨加工時に表面は研磨抵抗が小さく、且つ内部に研磨が及んだ際、β−Ｓｉ_３Ｎ_４とボラストナイトの研磨抵抗の違いにより生じる研磨加工面の表面粗さの増大が抑制され、研磨加工した面の表面粗さを小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の純度の向上と、炭化ケイ素焼結体の炭素濃度の低減を図る。
【解決手段】半導体製造に用いられる炭化ケイ素焼結体治具の製造方法であって、
（ａ）炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との混合物及び上記粉体混合物から調製された成形体のいずれか一方をホットプレス法により焼結して焼結体１を得る工程と、
（ｂ）上記焼結体１を加工処理して焼結体２を得る工程と、
（ｃ）上記焼結体２をアルゴン雰囲気下２０００〜２４００℃で熱処理して、上記焼結体２中の不純物を外部拡散させて不純物を取り除き焼結体３を得る工程と、
（ｄ）上記焼結体３と、二酸化ケイ素及び炭素を含む混合物とを同一環境内に配置し、アルゴン雰囲気下１６００〜１７００℃で加熱し、上記混合物から生じたガスを上記焼結体３の表面に供給して焼結体４を得る工程と、
を含む炭化ケイ素焼結体治具の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来と比べ非常に緻密で気孔がないＳｉＣ焼結体、ＳｉＣ粒子及びＳｉＣ焼結体の製造方法を得ることを課題とする。
【解決手段】不純物として焼結体中に残留する焼結助剤無添加で製造され、かつ主となる立方晶の他に菱面体晶が含まれることを特徴とするＳｉＣ焼結体。 （もっと読む）