【課題】色むらがなく熱伝導性に優れたアルミニウム焼結体を、生産性良く製造する。
【解決手段】成形・プレス工程で生じる窒化アルミニウム成形体のシート残りを、加熱処理した後に粉砕して粉状とし、それを原料として再び配合することを特徴とする生産性に優れた窒化アルミニウム焼結体の製造方法であり、３５０℃以上で加熱処理して作製した回収粉を原料として添加することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法であり、回収粉中のＦｅ増分が３０ｐｐｍ以下であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素を用いた半導体装置等では、理論値通りの特性が得られないことが多いため、本発明では、その原因を究明して炭化珪素の改善を図る。
【解決手段】炭化珪素表面における金属不純物濃度が高いこと、その表面金属不純物濃度を１×１０^１１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２）以下にすることにより、実質的に特性の劣化を防止できることを見出した。このような高い清浄度の表面を有する炭化珪素は硫酸と過酸化水素水を含む水溶液を用いて洗浄することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における低い誘電損失と高い熱伝導率を有する低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主体とし、アルカリ土類金属元素化合物、周期律表第３ａ族化合物、及び不純物的酸素を含有する窒化ケイ素質焼結体からなり、該焼結体の粒界が結晶化され、かつ２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が５×１０^−４以下であり、熱伝導率が５０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上であり、気孔率が３％未満の高周波用低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材。
【効果】半導体ないし液晶製造装置において、主にマイクロ波などの高周波を使用してプラズマを発生させる装置に用いられる高熱伝導・低誘電損失の高周波用緻密質誘電体材料及び部材を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用い、パワーモジュールのリーク電流の発生を抑制し、大電力化、大容量化した場合でも絶縁性、動作の信頼性を大幅に向上させることのできるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】厚さ１．５ｍｍ以下の窒化けい素焼結体表面に幅が１μｍ以上のマイクロクラックがなく、幅が１μｍ未満のサブミクロンクラックが単位面積１００μｍ^２当たりに０〜２個である窒化けい素焼結体から成り、一定条件下での電流リーク値が４２０ｎＡ以下、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上、残留炭素含有量が５００ｐｐｍ以下である窒化けい素セラミックス基板２に金属回路板を設け、半導体素子を搭載してなるパワーモジュールであり、窒化けい素セラミックス基板２は、粒界相中における結晶化合物相の割合が２０％以上であり、ＭｇをＭｇＯに換算して０．５〜３．０質量％含有する。 （もっと読む）

【課題】 炭化硼素の持つ高い比剛性を利用した高比剛性複合材料でありながら研削性が優れた複合材料、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化硼素Ｘ体積部、炭化珪素Ｙ体積部、シリコンＺ体積部を主成分とし、１０＜Ｘ＜６０、２０＜Ｙ＜７０、５＜Ｚ＜３０であり、炭化硼素と炭化珪素の１０μｍ以上の粒子が１０〜５０体積部であることを特徴とする複合材料。 （もっと読む）

【課題】 高熱伝導性、高強度であり、かつ精密加工性を有し、ダストフリーであるプローブカード用の素材を提供する。
【解決手段】 平均粒子径が１．５μｍ以下、最大粒子径が１５μｍ以下の金属ホウ素２．５〜１０質量％、窒化ホウ素９７．５〜９０質量％の組成の原料からなり、原料全体の３０質量％以上がＧＩ値３〜１０である窒化ホウ素を、非酸化性雰囲気下１，９００℃〜２，１００℃、圧力１０〜３０ＭＰａで金属ホウ素が０．５質量％以下になるまでホットプレス焼成することを特徴とするプローブカード用素材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 炭化硼素の持つ高い比剛性を利用した高比剛性複合材料でありながら研削性が優れた複合材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化硼素・炭化珪素・炭素源を主成分とする原料を成形して充填率が６０−８０％の成形体を製造する成形工程と、該成形体に熔融シリコンを含浸させることにより炭素を炭化珪素に転換させる反応焼結工程を備えたことを特徴とする、炭化硼素・炭化珪素・シリコンを主成分とする複合材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、窒化ホウ素焼結体及び複合焼結体に緻密な表面層等を形成することにより、表面から発生するコンタミネーションを抑制することによって、クリーンな雰囲気が求められる条件下でも使用可能とする。
【解決手段】 相対密度が６５〜９０％の窒化ホウ素焼結体又は相対密度が６５〜９０％で窒化ホウ素を３０質量％以上含む複合焼結体に、セラミックス粉スラリーを３０〜３００ＭＰａで圧入し、焼成することを特徴とする成形体の製造方法。セラミックスラリーがリン酸アルミニウムのスラリーであり、６００〜１０００℃で焼成する成形体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時の窒化反応に依存せずに、ターゲットそのものが、バリア膜と同一成分となるように、かつ半導体デバイスの反応を効果的に防止でき、さらに、スパッタリング時にパーティクルの発生のない、例えばバリア膜用として、最適なスパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法及び同バリア膜を備えた半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＴａｘＳｉｙＢｚ（６５≦ｘ≦７５、１５≦ｙ≦２５、５≦ｚ≦１５）の組成を有するＴａ、Ｔａ珪化物、Ｔａホウ化物からなる焼結体スパッタリングターゲット、及びＴａ粉、Ｔａ珪化物粉及びＴａホウ化物粉を、ＴａｘＳｉｙＢｚ（６５≦ｘ≦７５、１５≦ｙ≦２５、５≦ｚ≦１５）の配合比となるように混合し、これを１０〜５０ＭＰａの加圧力、１７００〜２０００°Ｃでホットプレスにより焼結することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 炭化硼素の持つ高い比剛性を利用した高比剛性複合材料でありながら研削性が優れた複合材料、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化硼素Ｘ体積部、炭化珪素Ｙ体積部、シリコンＺ体積部を主成分とし、１０＜Ｘ＜６０、２０＜Ｙ＜７０、５＜Ｚ＜３０であり、炭化硼素と炭化珪素の１０μｍ以上の粒子が１０〜５０体積部であることを特徴とする複合材料。 （もっと読む）

【課題】 半導体の性能や信頼性を高く維持できる半導体製造用部品およびその製法を提供する。
【解決手段】 窒化珪素結晶粒子３と粒界相とからなり、相対密度が９８％以上の窒化珪素焼結体からなる基体１に、該基体１の表層の粒界相を除去して、窒化珪素結晶粒子３が３次元的に連結した多孔質層５を設け、該多孔質層５の表面に、実質的に窒化珪素からなる緻密な高純度窒化珪素層６を設けてなるもので、緻密な高純度窒化珪素層６上にシリコンウエハを載置し、搬送する場合であっても、従来の粒界相を構成する、例えば希土類元素、アルミニウム等の元素がシリコンウエハと接触することがなく、これによりシリコンウエハを汚染し、半導体の性能や信頼性を損ねたりすることがない。 （もっと読む）

【課題】気孔率を十分に低減し、十分な強度を有する新規な炭化ケイ素複合材料を提供する。
【解決手段】炭化珪素ー炭素成形体を形成し、該成形体に対して溶融シリコンを含浸させシリコン含浸炭化珪素ー炭素成形体を形成し、前記シリコン含浸炭化珪素ー炭素成形体を非酸化性雰囲気で焼結し、炭化ケイ素、シリコン、二酸化ケイ素の３相を含み、前記シリコンはネットワーク状に連続して存在するようにして炭化ケイ素複合材料を構成する。 （もっと読む）

【課題】表面積が広く薄肉の窒化アルミニウム成形体、あるいは複雑形状の窒化アルミニウム成形体を製造する場合であっても、流動性が高く、脱脂性に優れ、グリーン成形体を作製した場合に保形性が良好である射出成形用窒化アルミニウム組成物を提供すること。
【解決手段】下記条件（１）および（２）を満たす窒化アルミニウム粉末１００重量部、エチレン・酢酸ビニル共重合体３〜１５重量部、ワックス３〜１２重量部、および高級脂肪酸０．５〜５重量部を含有することを特徴とする射出成形用窒化アルミニウム組成物。
（１）Ｄ₉₀／Ｄ₁₀≦３．５
（２）Ｄ₅₀≦１．０μｍ
〔Ｄ₉₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積体積％が９０％のときの粒子径であり、Ｄ₁₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積体積％が１０％のときの粒子径であり、Ｄ₅₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積体積％が５０％のときの粒子径である。〕。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素焼結体本来の優れた特性を保持しながら炭化珪素単相の焼結体よりも良好な加工性を示し、優れたセラミックス構造材料となりうる炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体、および炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体の新たな製造方法を提供する。
【解決手段】上記焼結体は、炭化珪素55〜92質量%、六方晶窒化硼素5〜35質量%ならびに焼結助剤等を3〜25質量%の割合で含有し、酸素不純物含有量が0.2質量%以下であり、曲げ強度が400MPa以上である。上記製造方法は、炭化珪素粉末および六方晶窒化硼素粉末を含む混合粉末を焼成する前に真空または不活性雰囲気中1450〜1650℃の温度で熱処理する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウムからなる物体の体積比抵抗を低減する方法及び静電チャックを提供する。
【解決手段】窒化アルミニウムからなる物体の体積比抵抗を、アルゴンからなる雰囲気のような、窒素が不足している雰囲気中で少なくとも約１０００℃の浸漬温度にその物体を曝すことにより低減される。物体は、多結晶質体のような緻密化された物である。静電チャックはチャック体内に電極１２を有する。電極１２の第１の面１４における、チャック体の第１の部分２０は約２３℃で約１×１０¹³ohm・cmより小さい体積比抵抗を有する。電極１２の第２の面１６における、物体の第２の部分２２は、第１の部分２０と１桁違う大きさの範囲内の体積比抵抗を有する。 （もっと読む）

【課題】高純度炭化ケイ素を簡便かつ高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。また、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性シリコーン組成物の硬化物を非酸化性雰囲気下、１５００℃を超え２６００℃以下の温度において加熱することを含む炭化ケイ素の製造方法。前記の硬化性シリコーン組成物を所要の形状および寸法に成形した後に硬化させて前記の硬化物を得ることにより、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる。前記の硬化性シリコーン組成物は、付加硬化型シリコーン組成物または縮合硬化型シリコーン組成物であることが好ましく、また、炭化ケイ素粉体を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 高強度高靱性化を図ることができるとともに、放熱性を向上することができる窒化珪素質焼結体およびその製法ならびに回路基板を提供する。
【解決手段】 β−Ｓｉ_３Ｎ_４およびβ−サイアロンのうち少なくとも１種の結晶粒子１と粒界相３とからなる窒化珪素質焼結体であって、結晶粒子１内に、該結晶粒子１の他の部分よりもＡｌ存在量が多いＡｌ多領域５を有するとともに、Ａｌ多領域の平均径が２μｍ以上であり、かつＡｌを全量中０．０５３〜０．４２２質量％含有すること、望ましくは０．１５９〜０．２３８質量％含有することを特徴とする。これにより、焼結体の強度と靱性を向上できるとともに、焼結体の熱伝導率を高くすることができ、放熱性を向上できる。 （もっと読む）

本発明によれば、常圧および加圧焼結により製造されたα−ＳｉＣ粉末とカーボン粉末を混合してなるカーボン／α−ＳｉＣ混合物を仮成形した後、真空の高温環境において抵抗調節済みの溶融シリコンと反応させて電気的な特性に見合う抵抗を有するβ−ＳｉＣ素材を製造することにより、半導体製造工程の部品に要される電気的特性と優れた機械化学的特性を有し、ＳｉＣ素材の製造が高速であり、しかも安価であるという特徴を有する半導体工程部品用α−ＳｉＣおよびβ−ＳｉＣを複合した反応焼結β−ＳｉＣ素材およびその製造方法が提供される。
また、本発明の他の側面によれば、前記反応焼結β−ＳｉＣ素材を用いてカソードをシリコン−ＳｉＣ構造の二体型に構成して、高い熱伝導度と低抵抗により電気的特性と、耐久性、耐摩耗性などの機械的性質が向上するシリコン−ＳｉＣ構造の二体型プラズマチャンバーカソードが提供される。 （もっと読む）

【課題】パーティクル量の発生量を低減する。
【解決手段】平均粒径１μｍと平均２μｍの２種類の炭化ケイ素粉末を３：７の比率で容器内において混合した後、液状のフェノール樹脂１２ｗｔ％を加えてスラリーを得た。次に、スラリーをスプレードライヤーで造粒することによって得られた粉末を坩堝内に充填し、坩堝を加熱炉内に導入し、ホットプレス焼結することにより、炭化ケイ素焼結体を得た。 （もっと読む）

【課題】イオン損傷を受けにくく、寿命の長い電子放出源を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、及びＺｒからなる群の１種以上から選ばれた金属元素の炭化物からなる、電子ビーム蒸着装置、電子ビーム溶接装置、又は電子ビーム加工装置用の電子銃である。他の発明は、電子ビームの加速電圧が１０ｋＶ以上であることを特徴とする請求項１記載の電子放出源である。また、他の発明は、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、及びＺｒからなる群から選ばれた１種以上の金属元素の炭化物からなる電子放出源を装着した電子ビーム蒸着装置、電子ビーム溶接装置、又は電子ビーム加工装置である。 （もっと読む）